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JPH0226801B2 - - Google Patents
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JPH0226801B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0226801B2
JPH0226801B2 JP9998582A JP9998582A JPH0226801B2 JP H0226801 B2 JPH0226801 B2 JP H0226801B2 JP 9998582 A JP9998582 A JP 9998582A JP 9998582 A JP9998582 A JP 9998582A JP H0226801 B2 JPH0226801 B2 JP H0226801B2
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JP
Japan
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waveguide
dielectric resonator
plane
frequency
resonator
Prior art date
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Application number
JP9998582A
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Japanese (ja)
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JPS59201A (en
Inventor
Yoshihiro Konishi
Chikaya Ishizaka
Jukichi Myata
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Japan Broadcasting Corp
Original Assignee
Japan Broadcasting Corp
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Filing date
Publication date
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Priority to JP9998582A priority Critical patent/JPS59201A/en
Publication of JPS59201A publication Critical patent/JPS59201A/en
Publication of JPH0226801B2 publication Critical patent/JPH0226801B2/ja
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/207Hollow waveguide filters

Landscapes

  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は、マイクロ波阻止帯域における減衰量
を大きくすると共に、通過帯域における挿入損失
を小さくした小形なマイクロ波帯域阻止フイルタ
に関するものである。 従来、この種フイルタとして、阻止帯域の周波
数に同調した誘電体共振器を導波管などの伝送線
路に挿設する方法が用いられていた。しかしなが
ら、このような帯域阻止フイルタには次のような
欠点があつた。すなわち、まず第1に、阻止帯域
以外の通過帯域における整合がとられていないの
で、通過帯域における定在波比が大きく、第2に
は、誘電体共振器と導波管の管壁との距離が小さ
いので、共振系の無負荷Q値が低下してしまい、
阻止帯域、特に減衰を必要とする減衰中心周波数
における減衰量を十分に大きくできず、更に加え
て通過帯域における挿入損失が増加してしまう等
の欠点があつた。 そこで、本発明の目的は、かかる諸欠点を解決
して、阻止帯域における減衰量が大きく、しかも
通過帯域における挿入損失が小さくなるようにし
た小形なマイクロ波帯域阻止フイルタを提供する
ことにある。 かかる目的を達成するために、本発明は、TE
10 モードまたはTE○11 モードの導波管内にTE○01 σ
モードの誘電体共振器を結合して構成したマイク
ロ波帯域阻止フイルタにおいて、前記誘電体共振
器を、その誘電体共振器の奇モード電磁界に対す
る対称面が前記導波管の断面に含まれるように配
置すると共に、前記誘電体共振器に近接する導波
管の管壁を前記対称面に関して対称構造となるよ
うにH面の部分を外方に突出させて前記誘電体共
振器の共振周波数より高い周波数において整合す
るようにしたことを特徴とするものである。 以下に、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。 第1図A〜Cは従来のマイクロ波帯域阻止フイ
ルタの構成の一例を示し、ここで、幅がaで高さ
がbの矩形のTE□10 導波管1内に、TE○01 δモード
の誘電体共振器2(直径D)を挿入する。第1図
BおよびCは、導波管1のH面1HおよびE面1E
よりそれぞれ阻止フイルタを眺めた図であり、誘
電体共振器2は導波管1の一方のE面1Eから間
隔dをもつて配置する。 ここで、TE○01 δ誘電体共振器2は、第2図Aに
点線で示す高周波磁界をもち、同じく第2図Bに
実線で示すように円周に沿つた分布の高周波電界
をもつ。かかる高周波磁界が、第3図に示すよう
に、TE□10 導波管1のH面1Hに平行な高周波磁界
と結合することによつて、第4図に示すような等
価回路による動作をなす。この等価回路をなす容
量CDとインダクタンスLDとの並列共振回路の共
振周波数が誘電体共振器2の共振周波数と一致し
て、第5図に示す周波数減衰特性中の共振周波数
Rにおいて大きな減衰を与える。ここで、実線は
間隔dが小さく、点線は間隔dが大きい場合(但
し、0<d<a/2)を示している。 第4図の等価回路からわかるように、共振周波
Rより高い周波数では並列回路LDCDは容量性と
なり、逆に共振周波数Rより低い周波数では誘導
性となる。従つて、いずれの周波数でも、共振周
波数Rよりも十分に離れた周波数でなければ整合
がとれないので、第5図のような減衰特性にな
る。また、誘電体共振器2と導波管1との結合を
大きくして、共振周波数Rにおける減衰量を増加
させるためには、両者の間隔dを大きくとつて、
誘電体共振器2を導波管1の中央に近づけること
が必要である。この場合には、第5図に点線で示
したように、共振周波数Rにおける減衰量は増大
するが、他方、通過周波数Pにおける整合は悪化
し、この周波数Pにおける減衰量も増大してしま
う。 更にまた、第1図Aの構造では、誘電体共振器
2と導波管1のH面1Hとの間隔は最大でも(b
−D)/2であつて、それ以上にすることはでき
ないので、導波管1のH面1Hに共振器2による
磁束の大部分が交叉して誘導電流が発生し、その
導体損のために共振系の無負荷Q値が低下し、共
振周波数Rにおいて十分な減衰量が得られない。 そこで、以上の欠点を解決するために、本発明
では、例えば第6図A〜Dに示すような構造で帯
域阻止フイルタを構成する。すなわち、本発明で
は、導波管11のうち、誘電体共振器12に近接
するH面の部分11Hを、上側では長さb′、下側
では長さb″だけ導波管外部に向けて突出させて、
第7図に示すように、誘電体共振器12に相当す
る容量CDとインダクタンスLDとの並列共振回路
と直列に、上述の突出部分における磁気エネルギ
の作用によるインダクタンスLを形成して挿入す
る。更に、この突出部分の不連続点である面11
A〜11Dには、第8図に示すように、波の進行
成分に電界をもつE波13が発生し、このE波1
3はエバネセント波(減衰波)であるから、静電
容量Cが形成され、第7図に示すように並列容量
として働く。 さて、PRの場合には、上述したように、LD
CD並列回路は容量性を呈し、その容量をC′で表
わすと、第7図の等価回路は第9図のようにな
る。この場合の整合条件は、導波管11の特性界
インピーダンスをWとするときに、 ωPL=ωPCW2/1+ωP 2C2W2+1/2ωPC′ (1) 但し、ωP=2πP となる。ここで、 ωPC′=ωPCD−1/ωPLD (2) なる関係を代入すると、(1)式は次のようになる。 ωPL=ωPCW2/1+ωP 2C2W2+ωPLD/2(ωP 2LD
CD−1)(3) また、LDCDはωR=2πRで同調することを考慮
すると、(3)式は、 ωPL=ωPCW2/1+ωP 2C2W2+ωR 2ωPLD/2(ω
P 2−ωR 2)(4) となり、 ωP>ωR (5) なる条件を考慮すると、常に ωPL>0 (6) となるから、上述のインダクタンスLは常に実現
可能である。 換言すると、第6図Aに示すように、導波管1
1に凸形に上下方向に突出する部分を形成するこ
とにより、第7図の等価回路に示した如く、イン
ダクタンスLと容量Cが新たに形成され、それに
よつて、常に、阻止周波数Rよりも高い周波数の
通過周波数Pに対して整合をとることができる。
この場合の周波数−減衰特性は第10図に示すよ
うになる。 なお、本発明の具体例における実際の測定結果
を従来例と比較して示すと、次のようになる。
The present invention relates to a small microwave band-stop filter that has a large attenuation amount in a microwave stop band and a small insertion loss in a pass band. Conventionally, as this type of filter, a method has been used in which a dielectric resonator tuned to a stopband frequency is inserted into a transmission line such as a waveguide. However, such a band rejection filter has the following drawbacks. That is, first of all, since there is no matching in the passband other than the stopband, the standing wave ratio in the passband is large, and secondly, the standing wave ratio between the dielectric resonator and the wall of the waveguide is large. Because the distance is small, the no-load Q value of the resonant system decreases,
This method has disadvantages in that it is not possible to sufficiently increase the amount of attenuation in the stopband, particularly at the attenuation center frequency that requires attenuation, and in addition, insertion loss in the passband increases. SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a small microwave band-stop filter that overcomes these drawbacks and has a large amount of attenuation in the stop band and a small insertion loss in the pass band. To achieve such an objective, the present invention
□ TE○ 01 σ in 10 mode or TE○ 11 mode waveguide
In a microwave band-stop filter configured by coupling mode dielectric resonators, the dielectric resonators are arranged such that a plane of symmetry with respect to the odd mode electromagnetic field of the dielectric resonators is included in the cross section of the waveguide. At the same time, the wall of the waveguide adjacent to the dielectric resonator is made to have a symmetrical structure with respect to the plane of symmetry, with the H-plane portion protruding outward so that the resonant frequency of the waveguide is lower than the resonant frequency of the dielectric resonator. This is characterized by matching at high frequencies. The present invention will be explained in detail below with reference to the drawings. Figures 1A to 1C show an example of the configuration of a conventional microwave band-stop filter, in which a TE○ 01 δ mode is inserted into a rectangular TE□ 10 waveguide 1 with a width a and a height b. A dielectric resonator 2 (diameter D) is inserted. Figures B and C show the H plane 1H and E plane 1E of the waveguide 1.
This is a view of the blocking filters, and the dielectric resonator 2 is arranged at a distance d from one E surface 1E of the waveguide 1. Here, the TE○ 01 δ dielectric resonator 2 has a high frequency magnetic field shown by a dotted line in FIG. 2A, and a high frequency electric field distributed along the circumference as shown by a solid line in FIG. 2B. When such a high-frequency magnetic field is coupled with a high-frequency magnetic field parallel to the H-plane 1H of the TE□ 10 waveguide 1 as shown in FIG. 3, an operation according to an equivalent circuit as shown in FIG. 4 is achieved. . The resonant frequency of the parallel resonant circuit of the capacitance C D and the inductance L D forming this equivalent circuit matches the resonant frequency of the dielectric resonator 2, and the resonant frequency in the frequency attenuation characteristic shown in FIG.
Gives large attenuation in R. Here, the solid line indicates the case where the interval d is small, and the dotted line indicates the case where the interval d is large (however, 0<d<a/2). As can be seen from the equivalent circuit in FIG. 4, the parallel circuit L D C D becomes capacitive at frequencies higher than the resonant frequency R , and conversely becomes inductive at frequencies lower than the resonant frequency R. Therefore, at any frequency, matching cannot be achieved unless the frequency is sufficiently far from the resonance frequency R , resulting in the attenuation characteristic as shown in FIG. Furthermore, in order to increase the coupling between the dielectric resonator 2 and the waveguide 1 and increase the amount of attenuation at the resonant frequency R , the distance d between the two should be increased,
It is necessary to bring the dielectric resonator 2 close to the center of the waveguide 1. In this case, as shown by the dotted line in FIG. 5, the amount of attenuation at the resonance frequency R increases, but on the other hand, the matching at the pass frequency P deteriorates, and the amount of attenuation at this frequency P also increases. Furthermore, in the structure of FIG. 1A, the distance between the dielectric resonator 2 and the H-plane 1H of the waveguide 1 is at most (b
-D)/2 and cannot be made higher than that, so most of the magnetic flux from the resonator 2 crosses the H plane 1H of the waveguide 1, generating an induced current, and due to the conductor loss. The no-load Q value of the resonant system decreases, and sufficient attenuation cannot be obtained at the resonant frequency R. Therefore, in order to solve the above-mentioned drawbacks, in the present invention, a band rejection filter is configured, for example, as shown in FIGS. 6A to 6D. That is, in the present invention, the H-plane portion 11H of the waveguide 11 that is close to the dielectric resonator 12 is oriented toward the outside of the waveguide by a length b' on the upper side and a length b'' on the lower side. Make it stand out,
As shown in FIG. 7, an inductance L is formed and inserted in series with the parallel resonant circuit of the capacitance C D and the inductance L D corresponding to the dielectric resonator 12 by the action of the magnetic energy in the above-mentioned protruding portion. . Furthermore, the surface 11 which is a discontinuous point of this protruding portion
As shown in Fig. 8, an E wave 13 having an electric field in the traveling component of the wave is generated in A to 11D, and this E wave 1
Since 3 is an evanescent wave (damped wave), a capacitance C is formed and acts as a parallel capacitance as shown in FIG. Now, in the case of P > R , as mentioned above, L D
The C D parallel circuit exhibits capacitance, and when its capacitance is expressed as C', the equivalent circuit of FIG. 7 becomes as shown in FIG. 9. In this case, the matching condition is ω P L=ω P CW 2 /1+ω P 2 C 2 W 2 +1/2ω P C′ (1) where W is the characteristic field impedance of the waveguide 11. P = 2π P. Here, by substituting the relationship ω P C′=ω P C D −1/ω P L D (2), equation (1) becomes as follows. ω P L=ω P CW 2 /1+ω P 2 C 2 W 2P L D /2(ω P 2 L D
C D −1) (3) Also, considering that L D C D is tuned at ω R = 2π R , equation (3) becomes ω P L = ω P CW 2 /1 + ω P 2 C 2 W 2R 2 ω P L D /2(ω
P 2 −ω R 2 )(4), and considering the condition ω PR (5), it always becomes ω P L>0 (6), so the above-mentioned inductance L can always be realized. In other words, as shown in FIG. 6A, the waveguide 1
By forming a convex portion projecting vertically in 1, an inductance L and a capacitance C are newly formed as shown in the equivalent circuit of FIG. Matching can be achieved for a high passing frequency P.
The frequency-attenuation characteristic in this case is as shown in FIG. The actual measurement results of the specific example of the present invention are compared with the conventional example as follows.

【表】 また、本例では、このように、常に通過帯域に
対して整合をとることができるから、第6図A〜
Dに示すように、誘電体共振器12を導波管11
の中央付近に配置して、共振器12の導波管11
に対する結合を大きくすることにより、充分な減
衰度を共振周波数Rのところで与えるようにして
も、通過周波数Pにおいて整合させることができ
る。 本例の構造では、第6図Cからわかるように、
誘電体共振器12と導波管11のH面11Hとの距
離は最大で、 b+b′+b″−D/2 まで離すことができるので、共振器12の高周波
磁界は、導波管11のH面11Hの近傍では十分に
減衰し、従つて、従来H面において生じていた導
体損失による共振系の無負荷Q値の劣化を生ずる
ことがない。従つて、共振周波数Rにおいて減衰
度を十分に大きくすることができる。 次に、本発明の他の実施例を第11図A〜Cに
示す。ここでは、導波管11は第6図A〜Dの場
合と同じ構造とし、誘電体共振器12を水平面に
対して角度θだけ傾斜させて配置する。この場合
には、共振器12の高周波磁界は導波管11の高
周波磁界と斜めに結合するので、結合度はsinθに
比例して小さくなる。つまり、阻止帯域は狭くな
る。なお、θ=90゜の場合は、上述した第6図A
〜Dの例に相当し、結合度は最大となる。 この傾斜角θの大きさに応じて、第7図示の等
価回路中の並列回路LDCDは変化するから、突出
部分の深さb′およびb″をそれにあわせて変える必
要がある。例えば、角度θが小さくなればなる
程、深さb′およびb″は小さくしなければならな
い。 以上では誘電体共振器12を1個となした場合
についてのみ述べてきたが、第6図A〜Dあるい
は第11図A〜Cに示したような構造の帯域阻止
フイルタを複数個導波管の軸方向に沿つて配列す
ることもできる。例えば、第12図に示すよう
に、上述したような突出部分21Aおよび21B
を形成した導波管21と、同様に突出部分22A
および22Bを形成した導波管22とを、これら
突出部分21A,21Bと22A,22Bとの間
隔が、導波管方向に、λg/4(2n+1)(λgはTE□10 導波管の管内波長、nは正整数である)となるよ
うにして接続し、これら突出部分21Aと21B
および22Aと22Bに対応して、導波管21お
よび22に誘電体共振器23および24を配置す
ることによつて、任意の所望の帯域幅において、
任意所望の減衰量を与えることのできる帯域阻止
フイルタを提供することができる。 以上に述べたところから明らかなように、第7
図に示した等価回路を実現するのは、TE□10 導波
管の例に限られず、一般の導波管、例えばTE○11
モードの円形導波管の場合にも適用できる。この
場合には、第13図に示す例のように、TE○11
形導波管32のうち、TE○01 δモード誘電体共振器
32を挿設する個所において、共振器32の外周
と導波管31との間の距離の最も短い部分を図示
のように外側に突出させて、突出部分31Aおよ
び31Bを形成する。これにより、第7図の等価
回路中の直列インダクタンスLを形成することが
できる。 以上、本発明の具体的実施例について述べてき
たが、本発明のこれら実施例にのみ限定されるも
のではなく、誘電体共振器を導波管内に挿入配設
したときに、第7図に示すように、並列共振回路
CDLDが伝送線路に直列に挿入されると共に、こ
の並列共振回路と直列にインダクタンスLが挿入
され、そして並列に容量Cが挿入されるようない
かなる構造をも含み得るものである。 並列共振回路CDLDが伝送線路に直列に挿入さ
れるためには、この等価回路が入出力端子を異符
号で励振したときに共振電流が流れることが必要
である。すなわち、フイルタの入出力端子は奇モ
ードの電磁界で励振されることになるので、この
ような奇モードの電磁界に誘電体共振器が結合さ
れることが必要である。従つて、誘電体共振器の
奇モードに対する対称面が導波管の断面に含まれ
なければならない。共振器の電磁界モードが第2
図AおよびBに示したようなTE○01 δモードである
場合には、円板状共振器の軸を含む面がかかる対
称面をなすので、例えば第6図BおよびCに示す
ように、導波管11の断面SSに共振器12の軸
を含ませることで、かかる断面SS上に上述の対
称面が含まれるようにする。 この場合には、誘電体共振器と導波管とは第3
図に示すように磁気結合する。その理由は、導波
管を励振するのは、その断面を対称面とする奇モ
ード電磁界であるので、導波管の断面付近では高
周波磁界が最大で、電界が最小になるからであ
る。従つて、共振器は導波管と磁気結合して、そ
の結合の度合を調整するためには、誘電体共振器
の対称面における高周波磁界の方向と導波管断面
内の高周波磁界との角度Ψを変えればよく、Ψ=
0のときに結合は最大となり、Ψ=90゜のときに
結合しないことになる。第11図A〜Cの例で
は、共振器の磁界は円板の軸方向になり、また、
導波管の高周波磁界はH面に平行になるから、Ψ
=90゜−θとなり、θに応じて結合度を調整する
ことができる。 上述した直列インダクタンスLと並列容量Cの
挿入については、誘電体共振器に近接する導波管
のH面となる部分の管壁を上述の対称面に関し
て、対称構造となるようにして外方に突出させる
ことで実現できる。 なお、誘電体共振器を導波管に結合した他の遮
へい箱の中に配置して構成する鋭いノツチフイル
タの場合にも、本発明の技術思想を適用できるこ
と勿論である。 上述したように、本発明によれば、誘電体共振
器の直径程度の長さをもつ小形な帯域阻止フイル
タを構成でき、しかもその無負荷Q値が高く、通
過帯域で整合がとれるので、通過帯域での挿入損
失が少い。
[Table] Also, in this example, since matching can always be achieved with respect to the passband, as shown in Fig. 6A~
As shown in D, the dielectric resonator 12 is connected to the waveguide 11.
The waveguide 11 of the resonator 12 is placed near the center of the resonator 12.
Even if a sufficient degree of attenuation is provided at the resonant frequency R , matching can be achieved at the pass frequency P by increasing the coupling to the resonant frequency R. In the structure of this example, as can be seen from Figure 6C,
The maximum distance between the dielectric resonator 12 and the H plane 11H of the waveguide 11 is b + b' + b'' - D/2, so the high frequency magnetic field of the resonator 12 is There is sufficient attenuation in the vicinity of the plane 11H, so there is no deterioration of the no-load Q value of the resonant system due to conductor loss, which conventionally occurs in the H plane. Next, another embodiment of the present invention is shown in FIGS. 11A to 11C. Here, the waveguide 11 has the same structure as in FIGS. The resonator 12 is arranged at an angle θ with respect to the horizontal plane.In this case, the high frequency magnetic field of the resonator 12 is coupled obliquely to the high frequency magnetic field of the waveguide 11, so the degree of coupling is proportional to sinθ. In other words, the stop band becomes narrower.In the case of θ=90°, the above-mentioned Fig. 6A
This corresponds to example ~D, and the degree of bonding is maximum. Since the parallel circuit L D C D in the equivalent circuit shown in FIG. 7 changes depending on the magnitude of this inclination angle θ, it is necessary to change the depths b' and b'' of the protruding portion accordingly. For example, , the smaller the angle θ, the smaller the depths b′ and b″ must be. Although we have only described the case where one dielectric resonator 12 is used above, it is also possible to use a waveguide with a plurality of band rejection filters having the structure shown in FIGS. 6A to D or 11A to C. They can also be arranged along the axial direction. For example, as shown in FIG.
The waveguide 21 formed with
and 22B, the distance between these protruding portions 21A, 21B and 22A, 22B is λg/4 (2n+1) (λg is TE□ 10 in the waveguide). wavelength, n is a positive integer), and these protruding parts 21A and 21B
and 22A and 22B, by placing dielectric resonators 23 and 24 in waveguides 21 and 22, in any desired bandwidth.
A band-stop filter can be provided that can provide any desired amount of attenuation. As is clear from the above, the seventh
The equivalent circuit shown in the figure is not limited to the TE□ 10 waveguide example, but can also be realized using general waveguides, such as TE○ 11
It can also be applied to the case of circular waveguides of modes. In this case, as in the example shown in FIG. 13, in the TE○ 11 circular waveguide 32, the outer periphery of the resonator 32 and the guide The portions with the shortest distance from the wave tube 31 are made to protrude outward as shown in the figure to form protruding portions 31A and 31B. Thereby, the series inductance L in the equivalent circuit of FIG. 7 can be formed. Although specific embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments. Parallel resonant circuit as shown
It may include any structure in which C D L D is inserted in series with the transmission line, an inductance L is inserted in series with this parallel resonant circuit, and a capacitance C is inserted in parallel. In order for the parallel resonant circuit C D L D to be inserted in series in the transmission line, a resonant current must flow when this equivalent circuit excites the input and output terminals with opposite signs. That is, since the input/output terminals of the filter are excited by an electromagnetic field in an odd mode, it is necessary to couple a dielectric resonator to such an electromagnetic field in an odd mode. Therefore, the plane of symmetry for the odd mode of the dielectric resonator must be included in the cross section of the waveguide. The electromagnetic field mode of the resonator is the second
In the case of the TE○ 01 δ mode as shown in Figures A and B, the plane containing the axis of the disc-shaped resonator forms such a plane of symmetry, so for example, as shown in Figures 6B and C, By including the axis of the resonator 12 in the cross section SS of the waveguide 11, the above-mentioned plane of symmetry is included on the cross section SS. In this case, the dielectric resonator and the waveguide are
Magnetically couple as shown in the figure. The reason for this is that the waveguide is excited by an odd mode electromagnetic field whose plane of symmetry is the cross section of the waveguide, so the high frequency magnetic field is at its maximum and the electric field is at its minimum near the cross section of the waveguide. Therefore, the resonator is magnetically coupled to the waveguide, and in order to adjust the degree of coupling, it is necessary to adjust the angle between the direction of the high-frequency magnetic field in the plane of symmetry of the dielectric resonator and the high-frequency magnetic field in the cross section of the waveguide. Just change Ψ, Ψ=
The coupling is maximum when 0, and there is no coupling when Ψ=90°. In the example of FIGS. 11A to 11C, the magnetic field of the resonator is in the axial direction of the disk, and
Since the high frequency magnetic field of the waveguide is parallel to the H plane, Ψ
=90°-θ, and the degree of coupling can be adjusted according to θ. Regarding the insertion of the series inductance L and the parallel capacitance C described above, the tube wall of the portion of the waveguide that is close to the dielectric resonator that will become the H-plane is oriented outward so that it has a symmetrical structure with respect to the above-mentioned plane of symmetry. This can be achieved by making it stand out. It goes without saying that the technical concept of the present invention can also be applied to a sharp notch filter constructed by arranging a dielectric resonator in another shielding box coupled to a waveguide. As described above, according to the present invention, it is possible to construct a small band-stop filter with a length comparable to the diameter of a dielectric resonator, and its unloaded Q value is high and matching can be achieved in the pass band. Low insertion loss in the band.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図A,BおよびCは、従来の帯域阻止フイ
ルタの一例を示す、それぞれ、斜視図、H面から
見た平面図およびE面から見た正面図、第2図A
およびBは誘電体共振器の電磁界分布を示す線
図、第3図は誘電体共振器が導波管と磁気結合す
る状態の説明図、第4図は従来の帯域阻止フイル
タの等価回路図、第5図はその周波数−減衰特性
図、第6図A,B,CおよびDは本発明帯域阻止
フイルタの一例を示す、それぞれ、斜視図、H面
から見た平面図、E面から見た正面図、および入
力側から見た側面図、第7図は本発明帯域阻止フ
イルタの等価回路図、第8図は第6図Cにおける
電界分布の説明図、第9図は第7図の通過周波数
Pにおける等価回路図、第10図は本発明におけ
る周波数−減衰特性例を示す特性曲線図、第11
図A,BおよびCは本発明の他の例を示す、それ
ぞれ、H面から見た平面図、E面から見た正面図
および入力側から見た側面図、第12図は本発明
の他の形態を示す線図、第13図は本発明の更に
他の例を示す斜視図である。 1…TE□10 導波管、1H…H面、1E…E面、
2…TE○01 δ誘電体共振器、CD…並列共振器の容
量、LD…並列共振器のインダクタンス、11…
TE□10 導波管、11H…H面、11E…E面、1
1A,11B,11C,11D…突出面、12…
TE○01 δ誘電体共振器、13…E波、L…直列挿入
インダクタンス、C…並列容量、C′…PRの場
合のLDCD並列回路の容量、21,22…導波管、
21A,21B,22A,22B…突出部、2
3,24…誘電体共振器、31…TE○11 導波管、
31A,31B…突出部、32…TE○01 δ誘電体共
振器。
FIGS. 1A, B, and C are a perspective view, a plan view seen from the H plane, a front view seen from the E plane, and FIG. 2A, respectively, showing an example of a conventional band rejection filter.
and B are diagrams showing the electromagnetic field distribution of the dielectric resonator, Fig. 3 is an explanatory diagram of the state in which the dielectric resonator is magnetically coupled to the waveguide, and Fig. 4 is an equivalent circuit diagram of a conventional band rejection filter. , FIG. 5 is a frequency-attenuation characteristic diagram, and FIGS. 6A, B, C, and D are a perspective view, a plan view as seen from the H plane, and a plan view as seen from the E plane, respectively, showing an example of the band rejection filter of the present invention. 7 is an equivalent circuit diagram of the band rejection filter of the present invention, FIG. 8 is an explanatory diagram of the electric field distribution in FIG. 6C, and FIG. 9 is an illustration of the electric field distribution in FIG. 7. passing frequency
Fig. 10 is an equivalent circuit diagram for P , and Fig. 10 is a characteristic curve diagram showing an example of frequency-attenuation characteristics in the present invention.
Figures A, B, and C show other examples of the present invention, respectively, a plan view as seen from the H plane, a front view as seen from the E plane, and a side view as seen from the input side. FIG. 13 is a perspective view showing still another example of the present invention. 1...TE□ 10 waveguides, 1H...H plane, 1E...E plane,
2...TE○ 01 δ dielectric resonator, C D ...Capacity of parallel resonator, L D ...Inductance of parallel resonator, 11...
TE□ 10 waveguide, 11H...H plane, 11E...E plane, 1
1A, 11B, 11C, 11D... protruding surface, 12...
TE○ 01 δ dielectric resonator, 13... E wave, L... series insertion inductance, C... parallel capacitance, C'... capacitance of L D C D parallel circuit when P > R , 21, 22... waveguide ,
21A, 21B, 22A, 22B...Protrusion, 2
3, 24...Dielectric resonator, 31...TE○ 11 waveguide,
31A, 31B...protrusion, 32...TE○ 01 δ dielectric resonator.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 TE□10 モードまたはTE○11 モードの導波管内に
TE○01 σモードの誘電体共振器を結合して構成した
マイクロ波帯域阻止フイルタにおいて、前記誘電
体共振器を、その誘電体共振器の奇モード電磁界
に対する対称面が前記導波管の断面に含まれるよ
うに配置すると共に、前記誘電体共振器に近接す
る導波管の管壁を前記対称面に関して対称構造と
なるようにH面の部分を外方に突出させて前記誘
電体共振器の共振周波数より高い周波数において
整合するようにしたことを特徴とするマイクロ波
帯域阻止フイルタ。 2 特許請求の範囲第1項記載のマイクロ波帯域
阻止フイルタにおいて、前記導波管内に前記管壁
の突出部分を管軸方向にλg・(2n+1)/4(た
だしλgは導波管内波長、nは正の整数)の中心
間隔で複数個配列し、前記複数個の突出部分の
各々に前記誘電体共振器を配置したことを特徴と
するマイクロ波帯域阻止フイルタ。
[Claims] 1 In the waveguide of TE□ 10 mode or TE○ 11 mode
TE○ 01 In a microwave band-stop filter configured by coupling σ-mode dielectric resonators, the dielectric resonator is arranged such that the plane of symmetry with respect to the odd-mode electromagnetic field of the dielectric resonator is the cross section of the waveguide. The dielectric resonator is arranged such that the wall of the waveguide adjacent to the dielectric resonator has a symmetrical structure with respect to the symmetry plane, with the H-plane portion protruding outward. A microwave band-stop filter characterized by matching at a frequency higher than the resonance frequency of the microwave band-stop filter. 2. In the microwave band-stop filter according to claim 1, a protruding portion of the tube wall is inserted into the waveguide in the tube axis direction by λg·(2n+1)/4 (where λg is the wavelength within the waveguide, n is a positive integer), and the dielectric resonator is arranged in each of the plurality of protruding parts.
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