JPH023130B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH023130B2 JPH023130B2 JP56142556A JP14255681A JPH023130B2 JP H023130 B2 JPH023130 B2 JP H023130B2 JP 56142556 A JP56142556 A JP 56142556A JP 14255681 A JP14255681 A JP 14255681A JP H023130 B2 JPH023130 B2 JP H023130B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- housing
- chip
- base
- pressure sensor
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/142—Multiple part housings
- G01L19/143—Two part housings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は圧力センサ組立体、より詳細には、圧
力センサ要素を他の部分に生じた応力から隔離す
ることのできる圧力センサ組立体に関する。
力センサ要素を他の部分に生じた応力から隔離す
ることのできる圧力センサ組立体に関する。
大容量の正確な圧力トランスジユーサを経済的
に製造するために、ダイアフラムとこれに取付け
た圧電抵抗式ひずみセンサとを有し、これらのひ
ずみセンサがダイアフラム前後の圧力差によるダ
イアフラムの偏位を測定する回路に接続してある
半導体チツプを用いる技術が開発された。このよ
うな装置はこの分野で周知となつているが、高生
産性に適つた方法でセンサチツプを安価に製造す
ると同時に、ダイアフラム偏位、そして誤圧力読
みを生じる応力からチツプを守るという点でなお
問題が残つている。
に製造するために、ダイアフラムとこれに取付け
た圧電抵抗式ひずみセンサとを有し、これらのひ
ずみセンサがダイアフラム前後の圧力差によるダ
イアフラムの偏位を測定する回路に接続してある
半導体チツプを用いる技術が開発された。このよ
うな装置はこの分野で周知となつているが、高生
産性に適つた方法でセンサチツプを安価に製造す
ると同時に、ダイアフラム偏位、そして誤圧力読
みを生じる応力からチツプを守るという点でなお
問題が残つている。
したがつて、本発明の一般的な目的は、圧力セ
ンサチツプを収容し、チツプを外部応力、特に他
の部分に熱的に生じる応力から隔離することので
きるセンサ組立体を提供することにある。本発明
の別の目的は、市販されている安価な材料を利用
する上記のような組立体を提供することにある。
ンサチツプを収容し、チツプを外部応力、特に他
の部分に熱的に生じる応力から隔離することので
きるセンサ組立体を提供することにある。本発明
の別の目的は、市販されている安価な材料を利用
する上記のような組立体を提供することにある。
本発明による圧力センサ組立体は、シリコン圧
力チツプを囲い内に装着し、このチツプの片面を
囲いの片側で圧力にさらし、チツプの他の面を基
準圧力にさらしている形式のものであつて、囲い
が圧力チツプの寸法よりも相当大きい面積の側面
の1つに設けた開口を有し、この開口が前記囲い
によつて周縁を柔軟に支持されたガラス部材によ
つて閉ざされており、この第1のガラス部材上に
その周縁内側でガラス支持部材が柔軟に装着して
あり、前記シリコン圧力チツプが前記ガラス支持
部材に強固に装着してあつてその片面がガラス支
持部材の前記開口をまたいでおり、前記両ガラス
部材および前記シリコン圧力チツプがほぼ同じ熱
膨張係数を互いに有し、この熱膨張係数が囲いの
それと異なつていることを特徴とする組立体であ
る。
力チツプを囲い内に装着し、このチツプの片面を
囲いの片側で圧力にさらし、チツプの他の面を基
準圧力にさらしている形式のものであつて、囲い
が圧力チツプの寸法よりも相当大きい面積の側面
の1つに設けた開口を有し、この開口が前記囲い
によつて周縁を柔軟に支持されたガラス部材によ
つて閉ざされており、この第1のガラス部材上に
その周縁内側でガラス支持部材が柔軟に装着して
あり、前記シリコン圧力チツプが前記ガラス支持
部材に強固に装着してあつてその片面がガラス支
持部材の前記開口をまたいでおり、前記両ガラス
部材および前記シリコン圧力チツプがほぼ同じ熱
膨張係数を互いに有し、この熱膨張係数が囲いの
それと異なつていることを特徴とする組立体であ
る。
本発明の好適実施例はモールドポリマー材料の
ハウジングを包含し、このハウジングは中央空所
とガラスベースに覆われた開口とを有し、このガ
ラスベースはハウジングからガラスベースへの応
力伝達を阻止する柔らかい接着剤によつてハウジ
ングに固着してある。ベース上には中央直立台が
あつて、これはその部分での応力をさらに阻止す
る特別な剛性を与え、ガラスダイがその台上に装
着してあり、圧力センサチツプがこのガラスダイ
に固着してあり、半導体チツプおよびガラス部分
がほぼ同じ熱膨張係数を有し、この熱膨張係数が
ポリマーハウジングのそれよりもかなり異なつて
いる。
ハウジングを包含し、このハウジングは中央空所
とガラスベースに覆われた開口とを有し、このガ
ラスベースはハウジングからガラスベースへの応
力伝達を阻止する柔らかい接着剤によつてハウジ
ングに固着してある。ベース上には中央直立台が
あつて、これはその部分での応力をさらに阻止す
る特別な剛性を与え、ガラスダイがその台上に装
着してあり、圧力センサチツプがこのガラスダイ
に固着してあり、半導体チツプおよびガラス部分
がほぼ同じ熱膨張係数を有し、この熱膨張係数が
ポリマーハウジングのそれよりもかなり異なつて
いる。
本発明およびそれを実施する方法を、以下、特
に添付図面を参照しながら説明するが、図面にお
いて同様の参照符号は同様の部分を示す。
に添付図面を参照しながら説明するが、図面にお
いて同様の参照符号は同様の部分を示す。
第1図を参照すると、圧力トランスジユーサパ
ツケージは外側本体10を包含し、この本体は略
矩形の空所12を画成している。本体10の各端
には、出張り部14が設けてあつてこのパツケー
ジを支持体(不図示)に留めることができる。本
体10の片側にはコネクタ組立体16が本体10
と一体にモールドしてあり、これは保護壁20で
囲まれて下向きに突出した端子ピン18と、これ
らの端子ピン18に電気的に接続され、本体10
に挿入モールドされて空所12内に延在している
端子ストリツプ22とを包含する。トランスジユ
ーサパツケージの底は矩形の板24で塞いであ
り、この板は空所12の下方周縁に沿つて凹所2
6内に着座している。この板24にはその一端付
近で下向きに延在するチユーブ28が一体にモー
ルドしてあり、板24の小孔30がこのチユーブ
28と連通しており、この小孔は偏心して設けて
ある。本体10、板24はポリエステルのような
安価なポリマーで作つてあり、この材料は所望の
形状に経済的にモールドできるものである。トラ
ンスジユーサパツケージの頂部カバー(不図示)
も同様の材料でモールドしてあり、空所12を囲
む本体の上面に設けた溝32に係合する。この頂
部カバーおよび板24は室温加硫可能な材料
(RTV)のような接着剤で本体10に接合され
る。空所12内で、板24はチユーブ28のすぐ
上に圧力センサ組立体34を支持している。板2
4の上面にはチユーブ28と同心に環状の溝35
が形成してある。この組立体34は溝35の外側
に塗布したRTV接着剤によつて板の上面に固着
される。溝35は開口30の区域に接着剤が流入
するのを防ぐダムとして役立つ。
ツケージは外側本体10を包含し、この本体は略
矩形の空所12を画成している。本体10の各端
には、出張り部14が設けてあつてこのパツケー
ジを支持体(不図示)に留めることができる。本
体10の片側にはコネクタ組立体16が本体10
と一体にモールドしてあり、これは保護壁20で
囲まれて下向きに突出した端子ピン18と、これ
らの端子ピン18に電気的に接続され、本体10
に挿入モールドされて空所12内に延在している
端子ストリツプ22とを包含する。トランスジユ
ーサパツケージの底は矩形の板24で塞いであ
り、この板は空所12の下方周縁に沿つて凹所2
6内に着座している。この板24にはその一端付
近で下向きに延在するチユーブ28が一体にモー
ルドしてあり、板24の小孔30がこのチユーブ
28と連通しており、この小孔は偏心して設けて
ある。本体10、板24はポリエステルのような
安価なポリマーで作つてあり、この材料は所望の
形状に経済的にモールドできるものである。トラ
ンスジユーサパツケージの頂部カバー(不図示)
も同様の材料でモールドしてあり、空所12を囲
む本体の上面に設けた溝32に係合する。この頂
部カバーおよび板24は室温加硫可能な材料
(RTV)のような接着剤で本体10に接合され
る。空所12内で、板24はチユーブ28のすぐ
上に圧力センサ組立体34を支持している。板2
4の上面にはチユーブ28と同心に環状の溝35
が形成してある。この組立体34は溝35の外側
に塗布したRTV接着剤によつて板の上面に固着
される。溝35は開口30の区域に接着剤が流入
するのを防ぐダムとして役立つ。
組立体34は、第1,2図に示したように、そ
れに挿入モールドした4つの端子ブレード40と
中央空所38とを有するハウジング36を包含す
る。ブレード40の、ハウジング36の外方に延
在している端は大きくて互に大きく離間している
が、空所38に延在している部分は小さくて互に
接近して離間している。ハウジング36は上下両
端で開いている。通気口44のあるカバー42が
ハウジングの上部開口を閉じるように設けられ、
これは柔軟性かつ所定の弾性を有するRTV接着
剤によつてハウジングに固着される。ハウジング
の下方開口部は平らな端面46に囲まれている。
この端面46には柔らかい接着剤によつてガラス
ベース48が固着される。ハウジング36の底に
平らな面46を囲み、ベース48の縁と一致して
溝72が設けてあり、この溝は大量のRTV接着
剤を保持してベース、ハウジング間で良好なシー
ルを行なわせるようになつている。ハウジング3
6の各角隅からは位置決め用ピン60が垂下して
おり、これらのピンは板24に設けた位置決め用
凹所(不図示)と係合する。
れに挿入モールドした4つの端子ブレード40と
中央空所38とを有するハウジング36を包含す
る。ブレード40の、ハウジング36の外方に延
在している端は大きくて互に大きく離間している
が、空所38に延在している部分は小さくて互に
接近して離間している。ハウジング36は上下両
端で開いている。通気口44のあるカバー42が
ハウジングの上部開口を閉じるように設けられ、
これは柔軟性かつ所定の弾性を有するRTV接着
剤によつてハウジングに固着される。ハウジング
の下方開口部は平らな端面46に囲まれている。
この端面46には柔らかい接着剤によつてガラス
ベース48が固着される。ハウジング36の底に
平らな面46を囲み、ベース48の縁と一致して
溝72が設けてあり、この溝は大量のRTV接着
剤を保持してベース、ハウジング間で良好なシー
ルを行なわせるようになつている。ハウジング3
6の各角隅からは位置決め用ピン60が垂下して
おり、これらのピンは板24に設けた位置決め用
凹所(不図示)と係合する。
空所12内にはセラミツクの回路板62が設置
してあり、この回路板はセンサ組立体34と並ん
でRTV接着剤によつて板24に固定されて取付
けてある。端子40に溶接したワイヤ64と回路
板の接合パツド66とが回路板をセンサ組立体と
電気的に接続している。他のワイヤ導線70が端
子ブレード22を回路板の他の接合パツドと相互
接続していてトランスジユーサパツケージへの外
部接続を行なつている。
してあり、この回路板はセンサ組立体34と並ん
でRTV接着剤によつて板24に固定されて取付
けてある。端子40に溶接したワイヤ64と回路
板の接合パツド66とが回路板をセンサ組立体と
電気的に接続している。他のワイヤ導線70が端
子ブレード22を回路板の他の接合パツドと相互
接続していてトランスジユーサパツケージへの外
部接続を行なつている。
第2,3図に示したように、ベース48は位置
決め用ピン60をにげるように切欠いた角隅を有
するほぼ矩形の板である。この板の上面51の中
央に一体に形成した短い台50は正方形であり、
柔かいエポキシ系樹脂でそれに取付け固定される
立方体のガラスダイ52を収容する。この台50
はベースの中央部の剛性を高め、ベースに生じた
又はハウジング36または板24によつてベース
に加えられるいかなる熱的もしくは機械的応力を
もこの台のところで最小限に抑え、台のある区域
よりも剛性の低い、ベースの残りの部分で吸収す
る。さらに、台は鋭い角でベースの表面51とつ
ながつており、その結果、ベース中央部に生じた
応力が台の外縁に集中し、ひずみが台そのものよ
りもこの外縁に局限されることになる。台の別の
利点としては、ダイを台に接合するための接着剤
の塗布が正確かつ容易に行なえ、若干量の接着剤
が表面51に広がつた場合に生じ、鋭い角の効果
を無効にしてしまう応力伝達経路の発生を防ぐこ
とができる。
決め用ピン60をにげるように切欠いた角隅を有
するほぼ矩形の板である。この板の上面51の中
央に一体に形成した短い台50は正方形であり、
柔かいエポキシ系樹脂でそれに取付け固定される
立方体のガラスダイ52を収容する。この台50
はベースの中央部の剛性を高め、ベースに生じた
又はハウジング36または板24によつてベース
に加えられるいかなる熱的もしくは機械的応力を
もこの台のところで最小限に抑え、台のある区域
よりも剛性の低い、ベースの残りの部分で吸収す
る。さらに、台は鋭い角でベースの表面51とつ
ながつており、その結果、ベース中央部に生じた
応力が台の外縁に集中し、ひずみが台そのものよ
りもこの外縁に局限されることになる。台の別の
利点としては、ダイを台に接合するための接着剤
の塗布が正確かつ容易に行なえ、若干量の接着剤
が表面51に広がつた場合に生じ、鋭い角の効果
を無効にしてしまう応力伝達経路の発生を防ぐこ
とができる。
ダイ52の頂面には陽極接合によつてシリコン
チツプ54が取付けてあり、これはその下面にく
ぼみがエツチング加工してあつてこのくぼみとチ
ツプ上面との間に薄いダイアフラムを形成してい
る。ダイ52、ベース48を貫いてあけた孔56
はくぼみをチユーブ28に通じる孔30に板24
に設けた通路58を通して連結されている。ダイ
アフラムはその両側面に加わる圧力の差によつて
偏位する。これらの圧力は孔56を通してくぼみ
に加わり、カバーの通気口44を通つてチツプ上
面に加わる。チツプ54の頂面には圧電抵抗型ブ
リツジ回路が形成してあり、これは細い可撓性の
あるワイヤボンド68によつて導線40の内端に
電気的に接続してある。このブリツジ回路は、ト
ランスジユーサ回路に接続したときに、ダイアフ
ラムの偏位を測定し、したがつてダイアフラム前
後の圧力差を測定する。
チツプ54が取付けてあり、これはその下面にく
ぼみがエツチング加工してあつてこのくぼみとチ
ツプ上面との間に薄いダイアフラムを形成してい
る。ダイ52、ベース48を貫いてあけた孔56
はくぼみをチユーブ28に通じる孔30に板24
に設けた通路58を通して連結されている。ダイ
アフラムはその両側面に加わる圧力の差によつて
偏位する。これらの圧力は孔56を通してくぼみ
に加わり、カバーの通気口44を通つてチツプ上
面に加わる。チツプ54の頂面には圧電抵抗型ブ
リツジ回路が形成してあり、これは細い可撓性の
あるワイヤボンド68によつて導線40の内端に
電気的に接続してある。このブリツジ回路は、ト
ランスジユーサ回路に接続したときに、ダイアフ
ラムの偏位を測定し、したがつてダイアフラム前
後の圧力差を測定する。
ベース48は例えばCorning7070のようなプレ
スされたガラス粉で形成されたホウケイ酸塩ガラ
スを焼きなましたもので作つてあり、ダイはホウ
ケイ酸塩工業平板ガラス、たとえばCorning7740
で作つてある。これらはニユーヨーク州コーニン
グ市のCorning Glass Works社で市販している。
各ガラスはシリコンチツプ54とほぼ同じ、すな
わち32.5×10-7/℃の熱膨張係数を持つ。したが
つて、温度変化がチツプ、ガラス部分に等しく影
響すると、チツプに応力の増加が生じることはな
い。しかしながら、ポリエステルハウジング36
の熱膨張係数は50×10-6/℃のオーダーであり、
このような温度変化によつて受ける影響は異なつ
たものとなる。その結果、ハウジングにベース4
8に対して寸法変化が生じるが、これは主として
ベースをハウジングに連結している柔らかい
RTV接着剤や、台区域外側のベース部分、台5
0とダイ52との間の柔らかいエポキシ樹脂によ
つて吸収される。したがつて、チツプ54は応力
から隔離される。RTV接着剤は、たとえば、硬
化後少なくとも50のシヨアA硬度を持つ2部分シ
リコンエラストマーである。柔らかいエポキシ系
樹脂は、硬化後のシヨアD硬度が80ないし85であ
る一成分エポキシ樹脂であることが好ましい。ワ
イヤボンド68は、それ自体の固有の可撓性によ
つて、端子40からチツプ54へほとんど応力を
伝えることがない。
スされたガラス粉で形成されたホウケイ酸塩ガラ
スを焼きなましたもので作つてあり、ダイはホウ
ケイ酸塩工業平板ガラス、たとえばCorning7740
で作つてある。これらはニユーヨーク州コーニン
グ市のCorning Glass Works社で市販している。
各ガラスはシリコンチツプ54とほぼ同じ、すな
わち32.5×10-7/℃の熱膨張係数を持つ。したが
つて、温度変化がチツプ、ガラス部分に等しく影
響すると、チツプに応力の増加が生じることはな
い。しかしながら、ポリエステルハウジング36
の熱膨張係数は50×10-6/℃のオーダーであり、
このような温度変化によつて受ける影響は異なつ
たものとなる。その結果、ハウジングにベース4
8に対して寸法変化が生じるが、これは主として
ベースをハウジングに連結している柔らかい
RTV接着剤や、台区域外側のベース部分、台5
0とダイ52との間の柔らかいエポキシ樹脂によ
つて吸収される。したがつて、チツプ54は応力
から隔離される。RTV接着剤は、たとえば、硬
化後少なくとも50のシヨアA硬度を持つ2部分シ
リコンエラストマーである。柔らかいエポキシ系
樹脂は、硬化後のシヨアD硬度が80ないし85であ
る一成分エポキシ樹脂であることが好ましい。ワ
イヤボンド68は、それ自体の固有の可撓性によ
つて、端子40からチツプ54へほとんど応力を
伝えることがない。
第4図は圧力センサ組立体の第2実施例を示し
ており、ここでは、同じハウジング36、シリコ
ン圧力チツプ54を用いているが、ベース48′、
ダイ52′は孔をいつさい持たないという点で第
1実施例の該当部分とは異なる。したがつて、チ
ツプ54の下面に形成したくぼみはいかなる圧力
源からも隔離され、製造時点でそこに与えられた
基準圧力(好ましくは5×10-3ミクロンHg)に
のみさらされている。このようにして、一定の基
準圧力が供されている。センサ出力はハウジング
36内の圧力にのみ依存する。ハウジング36の
頂部に取付けられたカバー80は通気口82を有
し、これはハウジング36の内部と連通する。ま
た、カバー80の各角隅には位置決めピン84が
ある。ハウジング80のピンの間の表面は平らで
あつてカバー80の全体的な形状は組合せたハウ
ジング36、ベース48の全体形状と同じであ
る。すなわち、センサパツケージは導線40の平
面について対称的である。使用にあたつて、セン
サ組立体は第1図のものと同様にトランスジユー
サパツケージに組込み、パツケージをひつくり返
し、カバー80を板24に固定し、ベース48′
を組立体の頂部に取付ける。いずれにしても、ハ
ウジング36に生じた応力からチツプ54を離す
るという組立体の構造は先に述べたものと同じで
ある。
ており、ここでは、同じハウジング36、シリコ
ン圧力チツプ54を用いているが、ベース48′、
ダイ52′は孔をいつさい持たないという点で第
1実施例の該当部分とは異なる。したがつて、チ
ツプ54の下面に形成したくぼみはいかなる圧力
源からも隔離され、製造時点でそこに与えられた
基準圧力(好ましくは5×10-3ミクロンHg)に
のみさらされている。このようにして、一定の基
準圧力が供されている。センサ出力はハウジング
36内の圧力にのみ依存する。ハウジング36の
頂部に取付けられたカバー80は通気口82を有
し、これはハウジング36の内部と連通する。ま
た、カバー80の各角隅には位置決めピン84が
ある。ハウジング80のピンの間の表面は平らで
あつてカバー80の全体的な形状は組合せたハウ
ジング36、ベース48の全体形状と同じであ
る。すなわち、センサパツケージは導線40の平
面について対称的である。使用にあたつて、セン
サ組立体は第1図のものと同様にトランスジユー
サパツケージに組込み、パツケージをひつくり返
し、カバー80を板24に固定し、ベース48′
を組立体の頂部に取付ける。いずれにしても、ハ
ウジング36に生じた応力からチツプ54を離す
るという組立体の構造は先に述べたものと同じで
ある。
以上説明した本発明の圧力センサ組立体によれ
ば、次のような効果が得られる。
ば、次のような効果が得られる。
ハウジングその他に生じた熱による応力もしく
は機械的応力からシリコン圧力チツプを隔離する
ことができ、センサ精度を高度に保つことができ
る。
は機械的応力からシリコン圧力チツプを隔離する
ことができ、センサ精度を高度に保つことができ
る。
応力隔離構造を介して精密なシリコン圧力チツ
プに結合したハウジングを安価で製造しやすい部
品によつて構成することができる。
プに結合したハウジングを安価で製造しやすい部
品によつて構成することができる。
第1図は本発明による圧力センサ組立体を含む
圧力トランスジユーサパツケージの部分断面斜視
図、第2図は第1図の圧力センサ組立体の横断面
図、第3図は第2図の組立体のベースプレートの
頂面図、第4図は本発明による圧力センサ組立体
の別の実施例の横断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕、10……本体、2
……空所、16……コネクタ組立体、24……
板、26……凹所、28……チユーブ、34……
圧力センサ組立体、38……中央空所、40……
端子ブレード、42……カバー、62……回路
板、80……ハウジング。
圧力トランスジユーサパツケージの部分断面斜視
図、第2図は第1図の圧力センサ組立体の横断面
図、第3図は第2図の組立体のベースプレートの
頂面図、第4図は本発明による圧力センサ組立体
の別の実施例の横断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕、10……本体、2
……空所、16……コネクタ組立体、24……
板、26……凹所、28……チユーブ、34……
圧力センサ組立体、38……中央空所、40……
端子ブレード、42……カバー、62……回路
板、80……ハウジング。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 2つの対向する開口を連結する中空部を有す
るハウジングと、 該開口部の一つを閉じると共に、周縁部分で該
開口部に弾性的に支持されたガラス部材と、 圧力を検知するシリコン圧力チツプを堅固に装
着したガラス製の支持部材と、 とを備え、該ガラス部材、該支持部材および該シ
リコン圧力チツプは、ほぼ同一の第1の熱膨張係
数を有し、該ハウジングは、該第1の熱膨張係数
とは異なる第2の熱膨張係数を有し、該ガラス部
材はベースと、該ベースと一体かつ該ベースに包
囲され該中空部内に所定の高さで突出する台とか
ら成り、該支持部材は、該ハウジングの内壁部分
に対して離隔して、該台に弾性的に載置されてい
ることを特徴とする圧力センサ組立体。 2 前記ハウジングは、開口部を囲む平らな面を
有する中空のモールド樹脂から成り、前記ガラス
部材は、該ハウジングから該ガラス部材への応力
の伝達を阻止する接着剤の層によつて、該平らな
面に結合されており、前記支持部材は、応力の移
行を阻止するエポキシ樹脂系の接着剤によつて、
該ガラス部材の前記台に接着されており、組立体
使用の間、該ハウジングに生じた熱応力などの応
力から前記シリコン圧力チツプを隔離することを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の圧力セ
ンサ組立体。 3 前記台は、前記ベースに対して鋭い角でつな
がつており、その結果、前記ベースで生じたいか
なる応力も前記台の周りで該ベースに集中し、該
台に付加された剛性により、該台において応力を
最小限に抑えることを特徴とする特許請求の範囲
第2項に記載の圧力センサ組立体。 4 前記ハウジングは、それを貫いて延在するよ
うにモールドされると共に前記シリコン圧力チツ
プに隣接して終端する複数の電気端子を有し、前
記シリコン圧力チツプは、細く可撓性のある複数
のワイヤによつて前記電気端子と電気的に接続さ
れており、各ワイヤがそれぞれ一つの電気端子と
圧力センサチツプとを接続しており、この結果、
該電気端子と該シリコン圧力チツプとの間の相対
運動がシリコン圧力チツプに機械的応力をほとん
ど生じさせないことを特徴とする特許請求の範囲
第2項もしくは第3項に記載の圧力センサ組立
体。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/186,238 US4295117A (en) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | Pressure sensor assembly |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5779419A JPS5779419A (en) | 1982-05-18 |
| JPH023130B2 true JPH023130B2 (ja) | 1990-01-22 |
Family
ID=22684166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56142556A Granted JPS5779419A (en) | 1980-09-11 | 1981-09-11 | Pressure sensor assembly |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4295117A (ja) |
| JP (1) | JPS5779419A (ja) |
| AU (1) | AU540260B2 (ja) |
| CA (1) | CA1149192A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000506261A (ja) * | 1996-02-27 | 2000-05-23 | ニフォテク・アーエス | 圧力センサ |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4411158A (en) * | 1981-04-14 | 1983-10-25 | Ametek, Inc. | Apparatus for sensing the condition of a fluid |
| FR2522813A1 (fr) * | 1982-03-03 | 1983-09-09 | Auxitrol | Tete de detection de niveau par effet hydrostatique avec protection |
| JPH061226B2 (ja) * | 1986-05-07 | 1994-01-05 | 日本電装株式会社 | 半導体圧力センサ |
| FR2599147B1 (fr) * | 1986-05-23 | 1989-03-31 | Otic Fischer & Porter | Cellule de contention d'un capteur de pression notamment en ceramique |
| US4721938A (en) * | 1986-12-22 | 1988-01-26 | Delco Electronics Corporation | Process for forming a silicon pressure transducer |
| US4850228A (en) * | 1987-05-27 | 1989-07-25 | Smc Corporation | Pressure meter |
| US4772217A (en) * | 1987-06-30 | 1988-09-20 | Augat Inc. | Pressure sensor connector system |
| US4756193A (en) * | 1987-09-11 | 1988-07-12 | Delco Electronics Corporation | Pressure sensor |
| US4850227A (en) * | 1987-12-22 | 1989-07-25 | Delco Electronics Corporation | Pressure sensor and method of fabrication thereof |
| US5125275A (en) * | 1991-06-19 | 1992-06-30 | Honeywell Inc. | Pressure sensor package |
| US5233871A (en) * | 1991-11-01 | 1993-08-10 | Delco Electronics Corporation | Hybrid accelerometer assembly |
| US5209122A (en) * | 1991-11-20 | 1993-05-11 | Delco Electronics Corporation | Pressurer sensor and method for assembly of same |
| US5257547A (en) * | 1991-11-26 | 1993-11-02 | Honeywell Inc. | Amplified pressure transducer |
| US5263241A (en) * | 1992-04-06 | 1993-11-23 | Delco Electronics Corporation | Apparatus useful in the manufacture of a pressure sensor assembly |
| JPH08233848A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体センサ |
| WO1996034265A1 (en) * | 1995-04-28 | 1996-10-31 | Rosemount Inc. | Mounting assembly for a pressure transmitter |
| JP3476199B2 (ja) * | 1995-04-28 | 2003-12-10 | ローズマウント インコーポレイテッド | 高圧隔離マウント組立体を有する圧力トランスミッタ |
| US5900530A (en) * | 1995-07-31 | 1999-05-04 | Motorola, Inc. | Method for testing pressure sensors |
| DE19612964A1 (de) * | 1996-04-01 | 1997-10-02 | Bosch Gmbh Robert | Drucksensor und Verfahren zur Herstellung eines Drucksensors |
| US5938038A (en) * | 1996-08-02 | 1999-08-17 | Dial Tool Industries, Inc. | Parts carrier strip and apparatus for assembling parts in such a strip |
| US5763787A (en) * | 1996-09-05 | 1998-06-09 | Rosemont Inc. | Carrier assembly for fluid sensor |
| US5948991A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-07 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip |
| DE19717348A1 (de) * | 1997-04-24 | 1998-10-29 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer Sensorbaugruppe sowie Sensorbaugruppe |
| US6053049A (en) * | 1997-05-30 | 2000-04-25 | Motorola Inc. | Electrical device having atmospheric isolation |
| US5967328A (en) * | 1998-01-22 | 1999-10-19 | Dial Tool Industries, Inc. | Part carrier strip |
| DE19919716B4 (de) | 1999-04-30 | 2005-11-03 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Mikroelektronische Baugruppe |
| US6782754B1 (en) | 2000-07-07 | 2004-08-31 | Rosemount, Inc. | Pressure transmitter for clean environments |
| DE10109083B4 (de) * | 2001-02-24 | 2006-07-13 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Elektronische Baugruppe |
| WO2003036251A1 (en) * | 2001-10-18 | 2003-05-01 | Hitachi, Ltd. | Sensor |
| WO2005068958A1 (en) * | 2004-01-05 | 2005-07-28 | Case Western Reserve University | Structure and method for packaging micro strain sensors |
| US7347099B2 (en) * | 2004-07-16 | 2008-03-25 | Rosemount Inc. | Pressure transducer with external heater |
| JP4680566B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2011-05-11 | 本田技研工業株式会社 | 多軸力センサチップとこれを用いた多軸力センサ |
| JP4203051B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2008-12-24 | 本田技研工業株式会社 | 力覚センサ |
| US7679033B2 (en) * | 2005-09-29 | 2010-03-16 | Rosemount Inc. | Process field device temperature control |
| US7589420B2 (en) * | 2006-06-06 | 2009-09-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Print head with reduced bonding stress and method |
| US7779698B2 (en) * | 2007-11-08 | 2010-08-24 | Rosemount Inc. | Pressure sensor |
| US7819016B2 (en) * | 2009-03-03 | 2010-10-26 | Kuo-Liang Chen | Non-disposable and reusable air pressure gauge |
| US20110044064A1 (en) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Chi-Hsien Hu | Flash light for a bicycle with the function of direction and elevation indication |
| DE102013217888B4 (de) | 2012-12-20 | 2024-07-04 | Continental Automotive Technologies GmbH | Elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung |
| TWI739300B (zh) * | 2015-01-15 | 2021-09-11 | 美商Mks儀器公司 | 離子化計及其製造方法 |
| DE102015110259A1 (de) | 2015-06-25 | 2016-12-29 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Drucksensormodul Messanordnung mit einem Drucksensormodul |
| JP6826131B2 (ja) | 2016-05-02 | 2021-02-03 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッドMks Instruments,Incorporated | 複数の陰極を備える冷陰極電離真空計 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3697917A (en) * | 1971-08-02 | 1972-10-10 | Gen Electric | Semiconductor strain gage pressure transducer |
| NL7415668A (nl) * | 1974-12-02 | 1976-06-04 | Philips Nv | Drukopnemer. |
| US4019388A (en) * | 1976-03-11 | 1977-04-26 | Bailey Meter Company | Glass to metal seal |
| US4127840A (en) * | 1977-02-22 | 1978-11-28 | Conrac Corporation | Solid state force transducer |
| JPS54144187A (en) * | 1978-04-29 | 1979-11-10 | Hitachi Ltd | Semiconductor pressure converter |
-
1980
- 1980-09-11 US US06/186,238 patent/US4295117A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-05-19 CA CA000377807A patent/CA1149192A/en not_active Expired
- 1981-08-19 AU AU74340/81A patent/AU540260B2/en not_active Expired
- 1981-09-11 JP JP56142556A patent/JPS5779419A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000506261A (ja) * | 1996-02-27 | 2000-05-23 | ニフォテク・アーエス | 圧力センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU540260B2 (en) | 1984-11-08 |
| JPS5779419A (en) | 1982-05-18 |
| CA1149192A (en) | 1983-07-05 |
| AU7434081A (en) | 1982-03-18 |
| US4295117A (en) | 1981-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH023130B2 (ja) | ||
| US4454771A (en) | Load cell | |
| US5973590A (en) | Ultra thin surface mount wafer sensor structures and methods for fabricating same | |
| US7162927B1 (en) | Design of a wet/wet amplified differential pressure sensor based on silicon piezoresistive technology | |
| EP0480544B1 (en) | Method of fabrication and trimming of a pressure sensor | |
| EP0614522B1 (en) | Amplified pressure transducer | |
| US4879903A (en) | Three part low cost sensor housing | |
| CN107152983B (zh) | 压力传感器 | |
| JPS61247933A (ja) | 圧力変換器とその製造方法 | |
| JPS6153876B2 (ja) | ||
| EP1407278B1 (en) | Acceleration sensor | |
| US7183620B2 (en) | Moisture resistant differential pressure sensors | |
| JP2007033411A (ja) | センサ装置の製造方法及びセンサ装置 | |
| US4926155A (en) | Integrated circuit silicon pressure transducer package | |
| US5193394A (en) | Transducing device for accurately transducing a physical quantity into an electric signal | |
| US5444286A (en) | Packaged semiconductor pressure sensor including lead supports within the package | |
| JP2017102042A (ja) | 圧力センサ | |
| JP3410257B2 (ja) | 圧力センサ | |
| US4984466A (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| JP2504737B2 (ja) | 圧力センサユニツト | |
| CN216246985U (zh) | 压力传感器 | |
| JPH07280679A (ja) | 圧力センサ | |
| JPS5983023A (ja) | 半導体圧力差圧検出器 | |
| JPH08226861A (ja) | 圧力センサ並びにその実装構造 | |
| RU2082127C1 (ru) | Датчик давления |