JPH0237134B2 - - Google Patents
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- JPH0237134B2 JPH0237134B2 JP55032954A JP3295480A JPH0237134B2 JP H0237134 B2 JPH0237134 B2 JP H0237134B2 JP 55032954 A JP55032954 A JP 55032954A JP 3295480 A JP3295480 A JP 3295480A JP H0237134 B2 JPH0237134 B2 JP H0237134B2
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- transistor
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- capacitor
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K4/00—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
- H03K4/06—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape
- H03K4/08—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape
- H03K4/48—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices
- H03K4/50—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth voltage is produced across a capacitor
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- H03K4/08—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape
- H03K4/90—Linearisation of ramp; Synchronisation of pulses
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- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Details Of Television Scanning (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
三角波発生回路は従来第１図に示すように構成
されている。図は鋸歯状波を得るもので、容量
COに対して充電用の定電流源１０が直列に接続
されるとともに放電用のスイツチ２０が並列に接
続される。
されている。図は鋸歯状波を得るもので、容量
COに対して充電用の定電流源１０が直列に接続
されるとともに放電用のスイツチ２０が並列に接
続される。
具体的には、たとえば第２図に示すように、定
電流源１０がPNP型トランジスタ１１とそのベ
ースに一定のバイアス電圧を供給するためのダイ
オード接続されたPNP型トランジスタ１２及び
抵抗１３とで構成されてトランジスタ１１に電流
Ｉが流れるようにされ、スイツチ２０がPNP型
トランジスタで構成される。
電流源１０がPNP型トランジスタ１１とそのベ
ースに一定のバイアス電圧を供給するためのダイ
オード接続されたPNP型トランジスタ１２及び
抵抗１３とで構成されてトランジスタ１１に電流
Ｉが流れるようにされ、スイツチ２０がPNP型
トランジスタで構成される。
このような三角波発生回路では、定電流源１０
の出力インピーダンスが無限大でかつ容量COが
電圧依存性をもたないことが理想的で、そうであ
れば容量COが端子電圧VCとして第３図Ａの実線
で示すように直線性のよい三角波を得ることがで
きる。
の出力インピーダンスが無限大でかつ容量COが
電圧依存性をもたないことが理想的で、そうであ
れば容量COが端子電圧VCとして第３図Ａの実線
で示すように直線性のよい三角波を得ることがで
きる。
しかし、電圧依存性のない容量は容易に得るこ
とができるが、定電流源１０を第２図のようにバ
イポーラジヤンクシヨントランジスタ１１で構成
した場合トランジスタのアーリー効果により定電
流源１０の出力インピーダンスを無限大にするこ
とは難かしい。すなわち、定電流源１０をトラン
ジスタ１１で構成した場合、そのアーリー電圧が
比較的小さい。すなわち、トランジスタ１１のベ
ース・コレクタ間電圧の増加（減少）に対するコ
レクタ電流の増加（減少）は比較的大きい。その
ため、端子電圧VCの上昇とともに容量COに流れ
込む電流Ｉが小さくなつて、実際には第３図Ａの
破線で示すように上がつまつた波形になつてしま
う。
とができるが、定電流源１０を第２図のようにバ
イポーラジヤンクシヨントランジスタ１１で構成
した場合トランジスタのアーリー効果により定電
流源１０の出力インピーダンスを無限大にするこ
とは難かしい。すなわち、定電流源１０をトラン
ジスタ１１で構成した場合、そのアーリー電圧が
比較的小さい。すなわち、トランジスタ１１のベ
ース・コレクタ間電圧の増加（減少）に対するコ
レクタ電流の増加（減少）は比較的大きい。その
ため、端子電圧VCの上昇とともに容量COに流れ
込む電流Ｉが小さくなつて、実際には第３図Ａの
破線で示すように上がつまつた波形になつてしま
う。
この発明は、この点にかんがみ、簡単な構成で
直線性のよい三角波を得ることができるようにし
たものである。
直線性のよい三角波を得ることができるようにし
たものである。
PNジヤンクシヨンの容量は電圧依存性を有す
る。すなわち、PNジヤンクシヨンにかかる逆バ
イアス電圧が大きくなるほどその容量が小さくな
る。
る。すなわち、PNジヤンクシヨンにかかる逆バ
イアス電圧が大きくなるほどその容量が小さくな
る。
この発明は、この点に着目し、このジヤンクシ
ヨン容量を積極的に利用して直線性のよい三角波
を得るようにしたものである。
ヨン容量を積極的に利用して直線性のよい三角波
を得るようにしたものである。
第４図はこの発明の一例で、やはり鋸歯状波を
得るもので、電圧依存性のない容量COにPNジヤ
ンクシヨンJCすなわちジヤンクシヨン容量CJを並
列に接続し、その並列回路に対して充電用の定電
流源１０を直列に接続するとともに放電用のスイ
ツチ２０を並列に接続する。
得るもので、電圧依存性のない容量COにPNジヤ
ンクシヨンJCすなわちジヤンクシヨン容量CJを並
列に接続し、その並列回路に対して充電用の定電
流源１０を直列に接続するとともに放電用のスイ
ツチ２０を並列に接続する。
具体的には、たとえば第５図に示すように、定
電流源１０をPNP型トランジスタ１１とそのベ
ースに一定のバイアス電圧を供給するためのダイ
オード接続されたPNP型トランジスタ１２及び
抵抗１３とで構成してトランジスタ１１に電流Ｉ
が流れるようにし、スイツチ２０をNPN型トラ
ンジスタで構成する。
電流源１０をPNP型トランジスタ１１とそのベ
ースに一定のバイアス電圧を供給するためのダイ
オード接続されたPNP型トランジスタ１２及び
抵抗１３とで構成してトランジスタ１１に電流Ｉ
が流れるようにし、スイツチ２０をNPN型トラ
ンジスタで構成する。
この場合、必要に応じてトランジスタ１１のア
ーリー電圧を調整するためにそのエミツタに抵抗
R1を挿入し、これに伴つてトランジスタ１２の
エミツタにも抵抗R2を挿入する。
ーリー電圧を調整するためにそのエミツタに抵抗
R1を挿入し、これに伴つてトランジスタ１２の
エミツタにも抵抗R2を挿入する。
電圧依存性のない容量COはPNジヤンクシヨン
JCが形成される半導体装置内に一緒に形成する。
JCが形成される半導体装置内に一緒に形成する。
第６図及び第７図はその半導体装置の一例で、
Ｐ型サブストレート３０上にＮ型エピタキシヤル
成長層４０Ｘ及び４０Ｙを形成する。そして、層
４０Ｘ上にN+型拡散領域５１を形成し、その領
域５１上に窒化シリコン（Si3N4）などの薄膜誘
電体５２を形成し、領域５１に電極５３を形成
し、誘電体５２上に電極５４を形成して、電圧依
存性のない容量COを形成する。サブストレート
３０と層４０ＸによつてPNジヤンクシヨンJCが
形成されるもので、サブストレート３０と電極５
４を接地することにより、PNジヤンクシヨンJC
すなわちジヤンクシヨン容量CJが電圧依存性のな
い容量COに並列に接続される。
Ｐ型サブストレート３０上にＮ型エピタキシヤル
成長層４０Ｘ及び４０Ｙを形成する。そして、層
４０Ｘ上にN+型拡散領域５１を形成し、その領
域５１上に窒化シリコン（Si3N4）などの薄膜誘
電体５２を形成し、領域５１に電極５３を形成
し、誘電体５２上に電極５４を形成して、電圧依
存性のない容量COを形成する。サブストレート
３０と層４０ＸによつてPNジヤンクシヨンJCが
形成されるもので、サブストレート３０と電極５
４を接地することにより、PNジヤンクシヨンJC
すなわちジヤンクシヨン容量CJが電圧依存性のな
い容量COに並列に接続される。
一方、層４０Ｙ上にＰ型拡散領域１１Ｅ，１１
Ｃ，１２Ｅ，１２Ｃを形成して、領域１１Ｅをエ
ミツタ領域、層４０Ｙをベース領域、領域１１Ｃ
をコレクタ領域とするPNP型ラテラルトランジ
スタ１１と、領域１２Ｅをエミツタ領域、層４０
Ｙをベース領域、領域１２Ｃをコレクタ領域とす
るPNP型ラテラルトランジスタ１２を形成する。
また、層４０Ｙにベース電極の取り出しのための
N+型拡散領域６１を形成する。そして、トラン
ジスタ１１のコレクタ領域１１Ｃに電極６２を形
成し、トランジスタ１２のコレクタ領域１２Ｃと
領域６１にさしわたして電極６３を形成し、トラ
ンジスタ１１のエミツタ領域１１Ｅとトランジス
タ１２のエミツタ領域１２Ｅにさしわたして電極
６４を形成する。上述の抵抗R1，R2は、図のよ
うにエミツタ領域１１Ｅ，１２Ｅを幅広く形成し
て電極６４の取り出し部をそのはじにすることに
よつて形成できる。
Ｃ，１２Ｅ，１２Ｃを形成して、領域１１Ｅをエ
ミツタ領域、層４０Ｙをベース領域、領域１１Ｃ
をコレクタ領域とするPNP型ラテラルトランジ
スタ１１と、領域１２Ｅをエミツタ領域、層４０
Ｙをベース領域、領域１２Ｃをコレクタ領域とす
るPNP型ラテラルトランジスタ１２を形成する。
また、層４０Ｙにベース電極の取り出しのための
N+型拡散領域６１を形成する。そして、トラン
ジスタ１１のコレクタ領域１１Ｃに電極６２を形
成し、トランジスタ１２のコレクタ領域１２Ｃと
領域６１にさしわたして電極６３を形成し、トラ
ンジスタ１１のエミツタ領域１１Ｅとトランジス
タ１２のエミツタ領域１２Ｅにさしわたして電極
６４を形成する。上述の抵抗R1，R2は、図のよ
うにエミツタ領域１１Ｅ，１２Ｅを幅広く形成し
て電極６４の取り出し部をそのはじにすることに
よつて形成できる。
なお、７０はN+型埋込層、８０はアイソレー
シヨン用のP+型拡散領域、９０はSiO2層である。
シヨン用のP+型拡散領域、９０はSiO2層である。
上述のように、定電流源１０の出力インピーダ
ンスを無限大にすることは難かしい。すなわち、
トランジスタ１１のアーリー電圧は比較的小さ
い。したがつて、定電流源１０の電流Ｉで容量Ｃ
を充電する場合、端子電圧VCの上昇とともに電
流Ｉが小さくなる。すなわち、電源電圧をVCC、
トランジスタ１１のアーリー電圧をVAとすれば、 Ｉ＝I0（VCC＋VA−VC）／VA ……(1) で表わされる。但し、この式(1)は、VC及びＩの
値がある程度大きいときに成立し、小さいときの
VC及びＩの関係は、式(1)の直線から離れて、VC、
Ｉ直交座標の原点に至る曲線と成る。尚、式(1)の
I0は、式(1)の直線がＩ軸と交つた点のＩの値であ
る。
ンスを無限大にすることは難かしい。すなわち、
トランジスタ１１のアーリー電圧は比較的小さ
い。したがつて、定電流源１０の電流Ｉで容量Ｃ
を充電する場合、端子電圧VCの上昇とともに電
流Ｉが小さくなる。すなわち、電源電圧をVCC、
トランジスタ１１のアーリー電圧をVAとすれば、 Ｉ＝I0（VCC＋VA−VC）／VA ……(1) で表わされる。但し、この式(1)は、VC及びＩの
値がある程度大きいときに成立し、小さいときの
VC及びＩの関係は、式(1)の直線から離れて、VC、
Ｉ直交座標の原点に至る曲線と成る。尚、式(1)の
I0は、式(1)の直線がＩ軸と交つた点のＩの値であ
る。
しかし、この発明では、容量Ｃを電圧依存性の
ない容量COとジヤンクシヨン容量CJで構成してお
り、 Ｃ＝CO＋CJ ……(2) であつて、容量CJしたがつて容量Ｃが電圧依存性
をもつ。すなわち、端子電圧VCの上昇とともに
容量Ｃが小さくなる。したがつて、トランジスタ
１１のアーリー電圧VAと容量CJすなわち容量Ｃ
の電圧依存性を適当に選ぶことによつて、端子電
圧VCの時間変化 ΔVC／Δt＝Ｉ／Ｃ＝（VCC＋VA−VC）IO／（CO＋CJ）
VA……(3) を一定にして直線性をよくすることができる。
ない容量COとジヤンクシヨン容量CJで構成してお
り、 Ｃ＝CO＋CJ ……(2) であつて、容量CJしたがつて容量Ｃが電圧依存性
をもつ。すなわち、端子電圧VCの上昇とともに
容量Ｃが小さくなる。したがつて、トランジスタ
１１のアーリー電圧VAと容量CJすなわち容量Ｃ
の電圧依存性を適当に選ぶことによつて、端子電
圧VCの時間変化 ΔVC／Δt＝Ｉ／Ｃ＝（VCC＋VA−VC）IO／（CO＋CJ）
VA……(3) を一定にして直線性をよくすることができる。
第８図に示すように
CJ＝5.8VC -0.37PF ……(4)
にし、CO＝56pF、VCC＝12Vにして、VA＝20Vの
場合とVA＝50Vの場合について計算すると、第
９図に示すようになる。いずれも、VC＝1Vのと
きのΔVC／Δtを１にして表わしている。これから明 らかなように、(4)式の電圧依存性を有するジヤン
クシヨン容量CJを付加し、VA＝50Vにした場合
には、端子電圧VCが１〜3.5Vの範囲でΔVC／Δtが± 0.5％しか変化せず、直線性がきわめてよくなる。
場合とVA＝50Vの場合について計算すると、第
９図に示すようになる。いずれも、VC＝1Vのと
きのΔVC／Δtを１にして表わしている。これから明 らかなように、(4)式の電圧依存性を有するジヤン
クシヨン容量CJを付加し、VA＝50Vにした場合
には、端子電圧VCが１〜3.5Vの範囲でΔVC／Δtが± 0.5％しか変化せず、直線性がきわめてよくなる。
第１図は従来の回路の原理的構成を示す図、第
２図はその具体例の接続図、第３図はこの発明の
説明のための波形図、第４図はこの発明の回路の
原理的構成を示す図、第５図はその具体例の接続
図、第６図は半導体装置の断面図、第７図はその
平面図、第８図及び第９図はこの発明の説明のた
めの特性曲線図である。 COは電圧依存性のない容量、CJはジヤンクシヨ
ン容量、１０は定電流源である。
２図はその具体例の接続図、第３図はこの発明の
説明のための波形図、第４図はこの発明の回路の
原理的構成を示す図、第５図はその具体例の接続
図、第６図は半導体装置の断面図、第７図はその
平面図、第８図及び第９図はこの発明の説明のた
めの特性曲線図である。 COは電圧依存性のない容量、CJはジヤンクシヨ
ン容量、１０は定電流源である。
Claims (1)
- １ 半導体装置内に、充電用の定電流源を構成
し、アーリー効果を有するバイポーラジヤンクシ
ヨントランジスタと、該トランジスタのコレクタ
と基準電位点との間に接続された誘電体から成る
電圧依存性のない容量と、該電圧依存性のない容
量に各々並列に接続されたPN接合から成る電圧
依存性を有するジヤンクシヨン容量及び放電用の
スイツチ回路とを形成し、上記アーリー効果によ
る上記コレクタと上記電圧依存性のない容量との
接続点の電圧上昇に伴う上記トランジスタのコレ
クタ電流の減少を上記電圧上昇による上記ジヤン
クシヨン容量の減少によつて補い、上記接続点に
直線性の改善された三角波波形が得られるように
したことを特徴とする三角波発生回路。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3295480A JPS56129423A (en) | 1980-03-14 | 1980-03-14 | Triangle wave generating circuit |
| US06/242,394 US4413237A (en) | 1980-03-14 | 1981-03-10 | Sawtooth wave oscillator |
| NL8101164A NL8101164A (nl) | 1980-03-14 | 1981-03-10 | Zaagtandgolfvormgenerator, |
| AU68241/81A AU538428B2 (en) | 1980-03-14 | 1981-03-11 | Saw tooth oscillator |
| GB8107807A GB2072982B (en) | 1980-03-14 | 1981-03-12 | Sawtooth wave oscillators |
| CA000372957A CA1175921A (en) | 1980-03-14 | 1981-03-13 | Sawtooth wave oscillator |
| DE19813110127 DE3110127A1 (de) | 1980-03-14 | 1981-03-16 | Saegezahnwellen- bzw. dreieckwellen-oszillator |
| FR8105246A FR2478407B1 (fr) | 1980-03-14 | 1981-03-16 | Oscillateur en dents de scie |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3295480A JPS56129423A (en) | 1980-03-14 | 1980-03-14 | Triangle wave generating circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56129423A JPS56129423A (en) | 1981-10-09 |
| JPH0237134B2 true JPH0237134B2 (ja) | 1990-08-22 |
Family
ID=12373323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3295480A Granted JPS56129423A (en) | 1980-03-14 | 1980-03-14 | Triangle wave generating circuit |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4413237A (ja) |
| JP (1) | JPS56129423A (ja) |
| AU (1) | AU538428B2 (ja) |
| CA (1) | CA1175921A (ja) |
| DE (1) | DE3110127A1 (ja) |
| FR (1) | FR2478407B1 (ja) |
| GB (1) | GB2072982B (ja) |
| NL (1) | NL8101164A (ja) |
Families Citing this family (14)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH06100938B2 (ja) * | 1984-02-08 | 1994-12-12 | ローム株式会社 | 充放電クランプ回路 |
| IT1215369B (it) * | 1987-02-25 | 1990-02-08 | Sgs Microelettronica Spa | Generatore di segnali periodici con andamento esponenziale, in particolare per alimentatori a commutazione. |
| US4847549A (en) * | 1988-09-06 | 1989-07-11 | National Semiconductor Corporation | Switching voltage regulator with stabilized loop gain |
| FI87030C (fi) * | 1989-03-29 | 1992-11-10 | Nokia Mobira Oy | Analog pulsformare |
| US5589784A (en) * | 1992-03-31 | 1996-12-31 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for detecting changes in a clock signal to static states |
| EP0580927B1 (en) * | 1992-07-31 | 1997-03-05 | STMicroelectronics S.r.l. | Operational amplifier |
| US6100747A (en) * | 1994-05-30 | 2000-08-08 | Stmicroelectronics, S.R.L. | Device for selecting design options in an integrated circuit |
| EP0741390A3 (en) * | 1995-05-01 | 1997-07-23 | Ibm | Reference voltage generator for correcting the threshold voltage |
| DE69712302T2 (de) | 1996-12-31 | 2002-10-24 | Stmicroelectronics, Inc. | Struktur und Bauelement zur Auswahl von Entwurfsmöglichkeiten in einem integrierten Schaltkreis |
| US5952858A (en) * | 1997-01-23 | 1999-09-14 | Stmicroelectronics, Inc. | Junction capacitor compensation for wave shaping |
| DE19841754A1 (de) | 1998-09-11 | 2000-03-30 | Siemens Ag | Schalttransistor mit reduzierten Schaltverlusten |
| US6661263B2 (en) * | 2000-12-26 | 2003-12-09 | Intel Corporation | Voltage sequencing arrangements providing first and second voltages sequenced to each other in time |
| AUPR373001A0 (en) * | 2001-03-14 | 2001-04-12 | Glenord Pty Ltd | Improved non-reusable syringe |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| GB1076093A (en) * | 1965-03-02 | 1967-07-19 | Mullard Ltd | Improvements in or relating to field time-base circuit arrangements |
| DE1256250B (de) * | 1965-04-22 | 1967-12-14 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Schaltungsanordnung zur Erzeugung von zeitproportional oder staerker als zeitproportional ansteigenden Steuerimpulsen fuer Ablenkstufen von Kathodenstrahlroehren |
| GB1319175A (en) * | 1970-07-28 | 1973-06-06 | Iwatsa Electric Co Ltd | Saw-tooth wave generator |
| US3694772A (en) * | 1971-04-12 | 1972-09-26 | Information Storage Systems | Voltage control sawtooth oscillator with flyback time independent of frequency |
| DE2356021C3 (de) * | 1973-11-09 | 1982-08-05 | Loewe Opta Gmbh, 8640 Kronach | Triggerbarer Sägezahngenerator mit steuerbarer Trigger-Sperrphase |
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| US4147996A (en) * | 1978-04-07 | 1979-04-03 | Sprague Electric Company | Current-controlled oscillator |
-
1980
- 1980-03-14 JP JP3295480A patent/JPS56129423A/ja active Granted
-
1981
- 1981-03-10 US US06/242,394 patent/US4413237A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-03-10 NL NL8101164A patent/NL8101164A/nl active Search and Examination
- 1981-03-11 AU AU68241/81A patent/AU538428B2/en not_active Ceased
- 1981-03-12 GB GB8107807A patent/GB2072982B/en not_active Expired
- 1981-03-13 CA CA000372957A patent/CA1175921A/en not_active Expired
- 1981-03-16 FR FR8105246A patent/FR2478407B1/fr not_active Expired
- 1981-03-16 DE DE19813110127 patent/DE3110127A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56129423A (en) | 1981-10-09 |
| DE3110127A1 (de) | 1982-02-18 |
| AU6824181A (en) | 1981-09-17 |
| CA1175921A (en) | 1984-10-09 |
| FR2478407A1 (fr) | 1981-09-18 |
| GB2072982B (en) | 1984-08-30 |
| GB2072982A (en) | 1981-10-07 |
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