JPH0240742B2 - Kododenseihakumakuseizoho - Google Patents
KododenseihakumakuseizohoInfo
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- JPH0240742B2 JPH0240742B2 JP5140386A JP5140386A JPH0240742B2 JP H0240742 B2 JPH0240742 B2 JP H0240742B2 JP 5140386 A JP5140386 A JP 5140386A JP 5140386 A JP5140386 A JP 5140386A JP H0240742 B2 JPH0240742 B2 JP H0240742B2
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- compound
- film
- oxygen
- organic
- indium
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は有機インジウム化合物及び有機スズ化
合物又は有機インジウム化合物を用いる高導電性
薄膜製造法に関するものである。 （従来の技術とその問題点） 高導電性薄膜製造法は、大別すると溶液法と非
溶液法の２種類に分けられる。 非溶液法には、蒸着法あるいはスパツタリング
法等の物理的方法と、所謂CVD法（化学的気相
成長法）が含まれる。かかる非溶液法によると高
導電性（低抵抗）薄膜を製造することが可能であ
るが、いずれの方法においても高真空系あるいは
また精密な雰囲気の制御が要求され、また特殊な
電磁エネルギー変換装置が必要であること等、製
造装置が複雑かつ大型化し装置的に煩瑣で必然的
に製造コストは高くなる。さらに導電性膜の大面
積化あるいは複雑な形状の製膜が困難であつた。 溶液法には、スプレー法、デイツプ法及び塗布
法の化学的方法が含まれる。前記化学的方法中の
スプレー法、及び所謂CVD法では金属成分であ
る膜原料の効率が悪く、製膜条件の制御が困難で
あつた。またデイツプ法及び従来の塗布法では真
空装置等が不要で簡単であるが基板温度を高温に
しても得られる導電性膜の電気的特性（低抵抗、
高導電性）が劣るという問題点があつた。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは上記問題点を解決し容易に高導電
性薄膜を製造し得る方法を開発すべく鋭意研究の
結果、金属−酸素結合を１個以上持つ有機インジ
ウム化合物を主な溶質とするｐ−キシレン溶液を
基板上に塗布後、加熱焼成することにより本発明
を達成するに至つた。 即ち本発明は 少なくとも１個以上のインジウム−炭素結合を
有しさらに少なくとも１個以上のインジウム−酸
素結合を有する有機インジウム化合物２〜10重量
％、及び少なくとも１個以上のスズ−酸素結合を
有する有機スズ化合物を０〜0.5重量％を含む溶
媒溶液を塗布溶液とし、該塗布溶液を基板上に均
一に塗布し、該基板を加熱乾燥して溶媒を蒸発さ
せ、膜を形成し、次いで該膜を空気雰囲気中、
300〜600℃の温度で加熱焼成して上記有機インジ
ウム化合物を主成分とする有機金属化合物を熱分
解することを特徴とする高導電性薄膜製造法に関
するものである。 以下本発明について構成にもとづき説明する。 本発明において用いられる有機インジウム化合
物は容易に入手可能なトリアルキルインジウムと
相当する含酸素結合とをエーテル中で混合撹拌す
ることにより合成される。 本発明では有機インジウム化合物合成に使用可
能なトリアルキルインジウムは、式R3In（式中の
ＲはCH3、CH3CH2、CH3CH2CH2、
CH3CH2CH2CH2等の飽和直鎖アルキル基、分枝
アルキル基、又はベンジル等のアラルキル基を示
す）で表わされるものである。 一般に炭素数が少ないトリアルキルインジウム
ほど含酸素化合物との反応性が高いため有機イン
ジウム化合物R2InX2を合成するのが容易であり、
また同様に一般に炭素数が少ないトリアルキルイ
ンジウムほどR2InXまたRInX2中の有効In含有率
が高くなるためより効果的であるという性質を有
する。しかしながら、例えばCH3及びCH3CH2等
の小さなアルキル誘導体では安定性が低く取り扱
いが困難である。従つてブチル基、即ち炭素数４
のアルキル基が好ましい。上記R3Inの合成は例
えばエフ・プング・ダブリユー・ツイメルマン、
エツチ・プフアイフアー及アイ・プフイフアー
（F.Pung、W.Zimmermann、H.Pfeiffer and I.
Pfeiffer）らによるゼツト・アノーグ・アルゲ
ム・ケム（Z.anorg.allgem.Chem）267、39
（1951）に記載されている方法により行なうこと
ができ、次の一般式 Incl36RMgCl ――――――→ R3In (1) で示される。 本発明では有機インジウム化合物合成に使用可
能な含酸素化合物は、式HX（式中のＸはアル
コール類（Ｘ＝R′O）、フエノール類（Ｘ＝
R′＝Ｏ）、カルボン酸類（Ｘ＝R′COO）、１，
３−ジケトン類等を示す）で表わされるものであ
る。 アルコール類（Ｘ＝R′O）としてはR′がC1〜C6
アルキル又はアラルキル基を表わすものが使用さ
れ、例えばメタノール、エタノール、イソプロパ
ノール、tert−ブタノール、アリルアルコール、
ヘキシルアルコール等があるが、R′＝C1〜C3程
度の炭素数を有するアルコール類では合成する
Bu2InXの安定性が低いため好ましくはR′≧C4の
炭素数を有するものを用いる。 フエノール類（Ｘ＝R′O）としてはR′がフエニ
ル基、アルキル置換フエニル基、ナフチル基、及
び芳香族炭化水素基を表わすものを使用する。 カルボン酸類（Ｘ＝R′COO）としてはR′がC1
〜C7又は〜C12アルキル基（枝分かれ、不飽和基
を含む）あるいはアリール基（芳香族炭化水素
基）を表わすものが使用され、例えば酢酸、プロ
ピオン酸、安息香酸、シユウ酸、酒石酸、アクリ
ル酸等がある。 １，３−ジトケン類（
合物又は有機インジウム化合物を用いる高導電性
薄膜製造法に関するものである。 （従来の技術とその問題点） 高導電性薄膜製造法は、大別すると溶液法と非
溶液法の２種類に分けられる。 非溶液法には、蒸着法あるいはスパツタリング
法等の物理的方法と、所謂CVD法（化学的気相
成長法）が含まれる。かかる非溶液法によると高
導電性（低抵抗）薄膜を製造することが可能であ
るが、いずれの方法においても高真空系あるいは
また精密な雰囲気の制御が要求され、また特殊な
電磁エネルギー変換装置が必要であること等、製
造装置が複雑かつ大型化し装置的に煩瑣で必然的
に製造コストは高くなる。さらに導電性膜の大面
積化あるいは複雑な形状の製膜が困難であつた。 溶液法には、スプレー法、デイツプ法及び塗布
法の化学的方法が含まれる。前記化学的方法中の
スプレー法、及び所謂CVD法では金属成分であ
る膜原料の効率が悪く、製膜条件の制御が困難で
あつた。またデイツプ法及び従来の塗布法では真
空装置等が不要で簡単であるが基板温度を高温に
しても得られる導電性膜の電気的特性（低抵抗、
高導電性）が劣るという問題点があつた。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは上記問題点を解決し容易に高導電
性薄膜を製造し得る方法を開発すべく鋭意研究の
結果、金属−酸素結合を１個以上持つ有機インジ
ウム化合物を主な溶質とするｐ−キシレン溶液を
基板上に塗布後、加熱焼成することにより本発明
を達成するに至つた。 即ち本発明は 少なくとも１個以上のインジウム−炭素結合を
有しさらに少なくとも１個以上のインジウム−酸
素結合を有する有機インジウム化合物２〜10重量
％、及び少なくとも１個以上のスズ−酸素結合を
有する有機スズ化合物を０〜0.5重量％を含む溶
媒溶液を塗布溶液とし、該塗布溶液を基板上に均
一に塗布し、該基板を加熱乾燥して溶媒を蒸発さ
せ、膜を形成し、次いで該膜を空気雰囲気中、
300〜600℃の温度で加熱焼成して上記有機インジ
ウム化合物を主成分とする有機金属化合物を熱分
解することを特徴とする高導電性薄膜製造法に関
するものである。 以下本発明について構成にもとづき説明する。 本発明において用いられる有機インジウム化合
物は容易に入手可能なトリアルキルインジウムと
相当する含酸素結合とをエーテル中で混合撹拌す
ることにより合成される。 本発明では有機インジウム化合物合成に使用可
能なトリアルキルインジウムは、式R3In（式中の
ＲはCH3、CH3CH2、CH3CH2CH2、
CH3CH2CH2CH2等の飽和直鎖アルキル基、分枝
アルキル基、又はベンジル等のアラルキル基を示
す）で表わされるものである。 一般に炭素数が少ないトリアルキルインジウム
ほど含酸素化合物との反応性が高いため有機イン
ジウム化合物R2InX2を合成するのが容易であり、
また同様に一般に炭素数が少ないトリアルキルイ
ンジウムほどR2InXまたRInX2中の有効In含有率
が高くなるためより効果的であるという性質を有
する。しかしながら、例えばCH3及びCH3CH2等
の小さなアルキル誘導体では安定性が低く取り扱
いが困難である。従つてブチル基、即ち炭素数４
のアルキル基が好ましい。上記R3Inの合成は例
えばエフ・プング・ダブリユー・ツイメルマン、
エツチ・プフアイフアー及アイ・プフイフアー
（F.Pung、W.Zimmermann、H.Pfeiffer and I.
Pfeiffer）らによるゼツト・アノーグ・アルゲ
ム・ケム（Z.anorg.allgem.Chem）267、39
（1951）に記載されている方法により行なうこと
ができ、次の一般式 Incl36RMgCl ――――――→ R3In (1) で示される。 本発明では有機インジウム化合物合成に使用可
能な含酸素化合物は、式HX（式中のＸはアル
コール類（Ｘ＝R′O）、フエノール類（Ｘ＝
R′＝Ｏ）、カルボン酸類（Ｘ＝R′COO）、１，
３−ジケトン類等を示す）で表わされるものであ
る。 アルコール類（Ｘ＝R′O）としてはR′がC1〜C6
アルキル又はアラルキル基を表わすものが使用さ
れ、例えばメタノール、エタノール、イソプロパ
ノール、tert−ブタノール、アリルアルコール、
ヘキシルアルコール等があるが、R′＝C1〜C3程
度の炭素数を有するアルコール類では合成する
Bu2InXの安定性が低いため好ましくはR′≧C4の
炭素数を有するものを用いる。 フエノール類（Ｘ＝R′O）としてはR′がフエニ
ル基、アルキル置換フエニル基、ナフチル基、及
び芳香族炭化水素基を表わすものを使用する。 カルボン酸類（Ｘ＝R′COO）としてはR′がC1
〜C7又は〜C12アルキル基（枝分かれ、不飽和基
を含む）あるいはアリール基（芳香族炭化水素
基）を表わすものが使用され、例えば酢酸、プロ
ピオン酸、安息香酸、シユウ酸、酒石酸、アクリ
ル酸等がある。 １，３−ジトケン類（
【式】
等）としてはエノラートを形成しやすいカルボニ
ル化合物が使用され、例えばアセチルアセトン、
及びその誘導体がある。 有機インジウム化合物（BuInX又はBuInX2）
の合成に関しては、周知反応〔エツチ・シー・ク
ラーク及びエー・エル・ピツカード（H.C.Clark
and A.L.Pickard）らによるジエイ・オルガノメ
ント・ケム（J.Organoment.Chem.）８、427
（1967）〕を応用して合成でき、反応式は R3In＋HX→R2InX＋Ｈ (2) R3In＋2HX→RInX2＋2H (3) で示される。トリブチルインジウムと含酸素化合
物との混合比は１：１又は１：２であり、前者の
場合は(2)式で示す反応によりBu2InXが、後者の
場合は(3)式で示す反応によりBuInX2が得られる。 有機インジウム化合物はRoInX(3-o)におけるｎ
＝１又は２に限定されるものである。ｎ＝０、即
ちInX3の場合は有機金属塩（所謂インジウムト
リアルコキシド（In（OR）3）及びインジウムトリ
アシレート（In（O2CR）3）、インジウムトリスア
セチルアセトナート（In（acac）3）等のメタルオ
ーガニツクス）に相当する。有機金属塩（メタル
オーガニツクス）は有機残基を含む金属化合物で
金属−炭素間の直接の結合を有さないが、本発明
に用いる有機インジウム化合物は有機金属化合物
（オーガノメタリツクス）であり金属−炭素結合
を少なくとも１個有する金属化合物である。ｎ＝
３、即ちR3Ioの場合はMOCVD（metal organic
chemical vapor deposition）法の範囲に含有さ
れる。 以下有機インジウム化合物の合成をBu2InXを
例に挙げて説明する。 Bu2InXの合成法における操作は全て窒素雰囲
気下で行なわれ、まず蒸留したトリブチルインジ
ウム（Bu3In.bp114℃／３mmHg）0.03モルを100
mlのフラスコ中で50mlの脱水エーテルに溶解し氷
冷する。次いで該溶液に含酸素化合物（例えば、
プロピオン酸）0.03モルを氷冷下、撹拌しながら
滴下する。その際緩やかにブタンを発生する。滴
下終了後さらに１〜２時間撹拌を続け、反応終了
後N2雰囲気下で溶媒を留去する。生成物がオイ
ル状の場合には減圧下で蒸留し、固体生成物の場
合にはエーテルで再結晶して有機インジウム化合
物を得る。このようにして得られた有機インジウ
ム化合物（Bu2InX）の諸特性を第１表に熱分析
結果を第２表および第２Ａ〜２Ｃ図に示す。
ル化合物が使用され、例えばアセチルアセトン、
及びその誘導体がある。 有機インジウム化合物（BuInX又はBuInX2）
の合成に関しては、周知反応〔エツチ・シー・ク
ラーク及びエー・エル・ピツカード（H.C.Clark
and A.L.Pickard）らによるジエイ・オルガノメ
ント・ケム（J.Organoment.Chem.）８、427
（1967）〕を応用して合成でき、反応式は R3In＋HX→R2InX＋Ｈ (2) R3In＋2HX→RInX2＋2H (3) で示される。トリブチルインジウムと含酸素化合
物との混合比は１：１又は１：２であり、前者の
場合は(2)式で示す反応によりBu2InXが、後者の
場合は(3)式で示す反応によりBuInX2が得られる。 有機インジウム化合物はRoInX(3-o)におけるｎ
＝１又は２に限定されるものである。ｎ＝０、即
ちInX3の場合は有機金属塩（所謂インジウムト
リアルコキシド（In（OR）3）及びインジウムトリ
アシレート（In（O2CR）3）、インジウムトリスア
セチルアセトナート（In（acac）3）等のメタルオ
ーガニツクス）に相当する。有機金属塩（メタル
オーガニツクス）は有機残基を含む金属化合物で
金属−炭素間の直接の結合を有さないが、本発明
に用いる有機インジウム化合物は有機金属化合物
（オーガノメタリツクス）であり金属−炭素結合
を少なくとも１個有する金属化合物である。ｎ＝
３、即ちR3Ioの場合はMOCVD（metal organic
chemical vapor deposition）法の範囲に含有さ
れる。 以下有機インジウム化合物の合成をBu2InXを
例に挙げて説明する。 Bu2InXの合成法における操作は全て窒素雰囲
気下で行なわれ、まず蒸留したトリブチルインジ
ウム（Bu3In.bp114℃／３mmHg）0.03モルを100
mlのフラスコ中で50mlの脱水エーテルに溶解し氷
冷する。次いで該溶液に含酸素化合物（例えば、
プロピオン酸）0.03モルを氷冷下、撹拌しながら
滴下する。その際緩やかにブタンを発生する。滴
下終了後さらに１〜２時間撹拌を続け、反応終了
後N2雰囲気下で溶媒を留去する。生成物がオイ
ル状の場合には減圧下で蒸留し、固体生成物の場
合にはエーテルで再結晶して有機インジウム化合
物を得る。このようにして得られた有機インジウ
ム化合物（Bu2InX）の諸特性を第１表に熱分析
結果を第２表および第２Ａ〜２Ｃ図に示す。
【表】
【表】
BuInX2の合成法はBu3Inに対し２倍モルの含
酸素化合物を用い、Bu2InXの場合と同様の方法
で行うが反応温度はエーテル還流温度付近まで高
くする必要がありエーテルの還流下で実施する。 以下に得られた有機インジウム化合物を主な溶
質とするｐ−キシレン溶液を基板上に塗布後、加
熱焼成することによる本発明の高導電性薄膜の製
造法について説明する。 塗布溶液の溶媒としては、有機インジウム化合
物及び溶解性の低い有機スズ化合物を完全に溶解
することが可能な炭化水素系、含酸素系（特に、
アルコール及びエーテル）の溶解が有効で、例え
ばベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素、あるいはヘキサノール等の高級アルコール
があり、特に、沸点が高いｐ−キシレンが好まし
い。使用する溶媒は市販品をそのまま用いること
も可能であるが、かかる場合には溶液が完全に均
一にならないことがあるので、予め脱水乾燥する
ことが望ましい。有機インジウム化合物を塗布溶
液中該有機インジウム化合物が２〜10重量％とな
るようにｐ−キシレン中に溶解する。有機インジ
ウム化合物が塗布液中２重量％より少ないと膜形
成が優れず、また10重量％より多いと粘度が高く
なり操作が困難となる。これへBu2SnOを塗布液
中０〜0.5重量％となるように添加し、加熱する
ことにより均一な溶液とする。添加量が0.5重量
％より多いときは膜抵抗値が高くなる。均一にな
らない場合には、更に該溶液の還流温度まで加熱
するか、又は少量のヘキシルアルコール等の高級
アルコールを添加して均一な溶液とする。有機ス
ズ化合物はドーパントとして用いられる。かかる
ようにして得た塗布溶液は空気及び湿気に対して
安定であり、そのままの状態で長期間保存でき
る。上記塗布液を基板に塗布する際には基板を浸
漬したり、基板上に滴下し該基板を傾斜あるいは
スピンナーを用いて全体に亘り均一に広げる方法
が用いられる。基板としては一般にソーダガラ
ス、パイレツクス又は石英が用いられる。該基板
を加熱乾燥して溶媒を蒸発させ膜を得る。得られ
た該膜を例えば電気炉中に静置し、空気中300〜
600℃、好ましくは350〜550℃の温度で約30分〜
１時間程度焼成して高導電性薄膜を得る。焼成が
300℃以下になると、有機成分を完全に分解放出
することができないため高導電性が得られず、
600℃以上になると基板材料が溶融したり変形し
たりするため注意が必要となる。焼成後の膜の厚
さは約200〜3500Åが望ましく、200Å以下のとき
は均一な膜が得られず、3500Å以上のときは透明
度が低下して膜に割れや剥離を生ずる。 有機スズ化合物を用いた高導電性膜はITO薄膜
であり、用いない場合には酸化インジウム薄膜が
得られる。 本発明による高導電性薄膜は液晶あるいはエレ
クトロクロミツク表示素子、タツチパネル、その
他透明電極応用品に適用できる。 （実施例） 本発明を次の実施例により説明する。 本発明による高導電性薄膜の諸特性は次の方法
及び機器で測定した。 (1) 可視光透過度 島津製UV−200Sを用い、波長範囲300〜
900nｍで反射法により測定 (2) 膜厚 高導電性薄膜を希硝酸がエツチングして段差
を付け、繰り返し反射干渉計を用いて測定 (3) 表面抵抗 ４探針法により測定 （実施例） 本発明を次の実施例により説明する。 実施例 １ ジブチルインジウム２−エチルヘキサノアート
（Bu2InO2CCHP（Et）（CH2）3CH3）及びドーパ
ントとしてのジブチルスズオキシド（Bu2SnO）
を各々５重量％及び0.25重量％含むｐ−キシレン
溶液をスライドガラス上に均一に塗布し、該ガラ
ス板を100℃で40分間乾燥して透明な膜を得た。
該膜をさらに450℃で１時間加熱することにより、
膜厚1400Å、抵抗率1.9×10-3Ωcmで可視域の透
過率90％以上の高導電性ITO膜を得た。同様な条
件下で焼成温度のみを変化させた場合に得られた
ITO膜の表面抵抗の変化を第１図に示す。また、
同様な焼成条件下、種々の有機インジウム化合物
を用いて製造したITO膜の特性を第３表に示す。
酸素化合物を用い、Bu2InXの場合と同様の方法
で行うが反応温度はエーテル還流温度付近まで高
くする必要がありエーテルの還流下で実施する。 以下に得られた有機インジウム化合物を主な溶
質とするｐ−キシレン溶液を基板上に塗布後、加
熱焼成することによる本発明の高導電性薄膜の製
造法について説明する。 塗布溶液の溶媒としては、有機インジウム化合
物及び溶解性の低い有機スズ化合物を完全に溶解
することが可能な炭化水素系、含酸素系（特に、
アルコール及びエーテル）の溶解が有効で、例え
ばベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素、あるいはヘキサノール等の高級アルコール
があり、特に、沸点が高いｐ−キシレンが好まし
い。使用する溶媒は市販品をそのまま用いること
も可能であるが、かかる場合には溶液が完全に均
一にならないことがあるので、予め脱水乾燥する
ことが望ましい。有機インジウム化合物を塗布溶
液中該有機インジウム化合物が２〜10重量％とな
るようにｐ−キシレン中に溶解する。有機インジ
ウム化合物が塗布液中２重量％より少ないと膜形
成が優れず、また10重量％より多いと粘度が高く
なり操作が困難となる。これへBu2SnOを塗布液
中０〜0.5重量％となるように添加し、加熱する
ことにより均一な溶液とする。添加量が0.5重量
％より多いときは膜抵抗値が高くなる。均一にな
らない場合には、更に該溶液の還流温度まで加熱
するか、又は少量のヘキシルアルコール等の高級
アルコールを添加して均一な溶液とする。有機ス
ズ化合物はドーパントとして用いられる。かかる
ようにして得た塗布溶液は空気及び湿気に対して
安定であり、そのままの状態で長期間保存でき
る。上記塗布液を基板に塗布する際には基板を浸
漬したり、基板上に滴下し該基板を傾斜あるいは
スピンナーを用いて全体に亘り均一に広げる方法
が用いられる。基板としては一般にソーダガラ
ス、パイレツクス又は石英が用いられる。該基板
を加熱乾燥して溶媒を蒸発させ膜を得る。得られ
た該膜を例えば電気炉中に静置し、空気中300〜
600℃、好ましくは350〜550℃の温度で約30分〜
１時間程度焼成して高導電性薄膜を得る。焼成が
300℃以下になると、有機成分を完全に分解放出
することができないため高導電性が得られず、
600℃以上になると基板材料が溶融したり変形し
たりするため注意が必要となる。焼成後の膜の厚
さは約200〜3500Åが望ましく、200Å以下のとき
は均一な膜が得られず、3500Å以上のときは透明
度が低下して膜に割れや剥離を生ずる。 有機スズ化合物を用いた高導電性膜はITO薄膜
であり、用いない場合には酸化インジウム薄膜が
得られる。 本発明による高導電性薄膜は液晶あるいはエレ
クトロクロミツク表示素子、タツチパネル、その
他透明電極応用品に適用できる。 （実施例） 本発明を次の実施例により説明する。 本発明による高導電性薄膜の諸特性は次の方法
及び機器で測定した。 (1) 可視光透過度 島津製UV−200Sを用い、波長範囲300〜
900nｍで反射法により測定 (2) 膜厚 高導電性薄膜を希硝酸がエツチングして段差
を付け、繰り返し反射干渉計を用いて測定 (3) 表面抵抗 ４探針法により測定 （実施例） 本発明を次の実施例により説明する。 実施例 １ ジブチルインジウム２−エチルヘキサノアート
（Bu2InO2CCHP（Et）（CH2）3CH3）及びドーパ
ントとしてのジブチルスズオキシド（Bu2SnO）
を各々５重量％及び0.25重量％含むｐ−キシレン
溶液をスライドガラス上に均一に塗布し、該ガラ
ス板を100℃で40分間乾燥して透明な膜を得た。
該膜をさらに450℃で１時間加熱することにより、
膜厚1400Å、抵抗率1.9×10-3Ωcmで可視域の透
過率90％以上の高導電性ITO膜を得た。同様な条
件下で焼成温度のみを変化させた場合に得られた
ITO膜の表面抵抗の変化を第１図に示す。また、
同様な焼成条件下、種々の有機インジウム化合物
を用いて製造したITO膜の特性を第３表に示す。
【表】
実施例 ２
ジブチルインジウム２−エチルヘキサノアート
（Bu2InO2CCH（Et）（CH2）3CH3）を５重量％含
みドーパントとしてのジブチルスズオキシド
（Bu2SnO）を含まないｐ−キシレン溶液を実施
例１と同様な条件、方法で高導電性薄膜を得た。
該膜の特性は膜厚1000Å、抵抗率２×10-2Ωcm、
可視域の透過率90％以上であつた。焼成温度のみ
を変化させた場合に得られた膜の表面抵抗の変化
を第１図に示す。 （効果） 本発明で用いられる有機インジウム化合物は、
合成が容易であり、蒸留あるいは再結晶によつて
高純度化しやすく、空気又は水分に対して安定で
あり塗布溶液の貯臓性がよく、熱分解温度が400
℃以下と低いこと、及び溶液中での熱反応により
Bu2SnOとの間に不均化反応が生起しIn−OrSnな
る連鎖を形成しやすいためドーパントとしてのス
ズ原子の膜面上での分散性が高く、低温焼成にお
いても高導伝性を発現させることが可能であり、
さらに塗布焼成法は大面積のITO膜製造に適して
おり、スクリーン印刷することで微細なパターン
化が可能になるという効果がある。
（Bu2InO2CCH（Et）（CH2）3CH3）を５重量％含
みドーパントとしてのジブチルスズオキシド
（Bu2SnO）を含まないｐ−キシレン溶液を実施
例１と同様な条件、方法で高導電性薄膜を得た。
該膜の特性は膜厚1000Å、抵抗率２×10-2Ωcm、
可視域の透過率90％以上であつた。焼成温度のみ
を変化させた場合に得られた膜の表面抵抗の変化
を第１図に示す。 （効果） 本発明で用いられる有機インジウム化合物は、
合成が容易であり、蒸留あるいは再結晶によつて
高純度化しやすく、空気又は水分に対して安定で
あり塗布溶液の貯臓性がよく、熱分解温度が400
℃以下と低いこと、及び溶液中での熱反応により
Bu2SnOとの間に不均化反応が生起しIn−OrSnな
る連鎖を形成しやすいためドーパントとしてのス
ズ原子の膜面上での分散性が高く、低温焼成にお
いても高導伝性を発現させることが可能であり、
さらに塗布焼成法は大面積のITO膜製造に適して
おり、スクリーン印刷することで微細なパターン
化が可能になるという効果がある。
第１図は本発明のITO膜のシート抵抗と焼成温
度との関係を示す線図、第２Ａ図は本発明で用い
る有機インジウム化合物Bu2In（acac）の熱重量
分析および示差熱分析曲線図、第２Ｂ図は本発明
で用いる有機インジウム化合物Bu2InO2CEtの熱
重量分析および示差熱分析曲線図、第２Ｃ図は本
発明で用いる有機インジウム化合物Bu2InOPhの
熱重量分析および示差熱分析曲線図である。
度との関係を示す線図、第２Ａ図は本発明で用い
る有機インジウム化合物Bu2In（acac）の熱重量
分析および示差熱分析曲線図、第２Ｂ図は本発明
で用いる有機インジウム化合物Bu2InO2CEtの熱
重量分析および示差熱分析曲線図、第２Ｃ図は本
発明で用いる有機インジウム化合物Bu2InOPhの
熱重量分析および示差熱分析曲線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも１個以上のインジウム−炭素結合
を有しさらに少なくとも１個以上のインジウム−
酸素結合を有する有機インジウム化合物２〜10重
量％、及び少なくとも１個以上のスズー酸素結合
を有する有機スズ化合物を０〜0.5重量％含む溶
媒溶液を塗布溶液とし、該塗布溶液を基板上に均
一に塗布し、該基板を加熱乾燥して溶媒を蒸発さ
せ膜を形成し、次いで該膜を空気雰囲気中、300
〜600℃の温度で加熱焼成して上記有機インジウ
ム化合物を主成分とする有機金属化合物を熱分解
することを特徴とする高導電性薄膜製造法。 ２ 上記有機インジウム化合物は一般式R3Inで
表わされるトリアルキルインジウムと含酸素化合
物から合成される特許請求の範囲第１項記載の製
造法。 ３ 上記トリアルキルインジウム（R3In）のＲ
はC1〜C8の直鎖及び分枝アルキル又はアラルキ
ル基である特許請求の範囲第２項記載の製造法。 ４ 含酸素化合物がアルコール類、フエノール
類、カルボン酸類、１，３−ジケトン類である特
許請求の範囲第２項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5140386A JPH0240742B2 (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | Kododenseihakumakuseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5140386A JPH0240742B2 (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | Kododenseihakumakuseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62211385A JPS62211385A (ja) | 1987-09-17 |
| JPH0240742B2 true JPH0240742B2 (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=12885969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5140386A Expired - Lifetime JPH0240742B2 (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | Kododenseihakumakuseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0240742B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3409676B1 (de) * | 2017-05-29 | 2020-10-14 | Umicore Ag & Co. Kg | Herstellung von trialkylindiumverbindungen in gegenwart von carboxylaten |
-
1986
- 1986-03-11 JP JP5140386A patent/JPH0240742B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62211385A (ja) | 1987-09-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |