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JPH0244149B2 - - Google Patents
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JPH0244149B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0244149B2
JPH0244149B2 JP59217137A JP21713784A JPH0244149B2 JP H0244149 B2 JPH0244149 B2 JP H0244149B2 JP 59217137 A JP59217137 A JP 59217137A JP 21713784 A JP21713784 A JP 21713784A JP H0244149 B2 JPH0244149 B2 JP H0244149B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
scriber
wafer
semiconductor wafer
scribing
edge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59217137A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6194340A (en
Inventor
Hayamizu Fukada
Haruo Tanaka
Masahito Mushigami
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP59217137A priority Critical patent/JPS6194340A/en
Publication of JPS6194340A publication Critical patent/JPS6194340A/en
Publication of JPH0244149B2 publication Critical patent/JPH0244149B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P54/00Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices

Landscapes

  • Dicing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 この発明は、半導体基板をへき開すべき部分に
へき開用起点としてのケガキ傷を形成せしめる半
導体ウエハのケガキ傷形成装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of Industrial Application The present invention relates to a semiconductor wafer scribing scratch forming apparatus for forming scribing scratches as starting points for cleavage at a portion of a semiconductor substrate to be cleaved.

(ロ) 従来技術 一般に、半導体装置の素材であるウエハをへき
開するには、へき開したい部分にダイアモンドス
クライバ等でもつてへき開用起点としてのケガキ
傷を形成させた後、適宜手段にて前記ウエハに押
圧力を加えて前記ケガキ傷に沿つて分断させてい
る。このへき開によるウエハの分断は、前記ケガ
キ傷の形成によつてへき開する起点が決定される
ので、このケガキ傷形成に細心の注意を払う必要
がある。
(B) Prior Art Generally, in order to cleave a wafer, which is a raw material for semiconductor devices, a diamond scriber or the like is used to form a scribe mark as a starting point for cleavage at the desired part, and then the wafer is pressed by an appropriate means. Pressure is applied to separate the parts along the scribing scratches. When dividing the wafer by this cleavage, the starting point of cleavage is determined by the formation of the scribing scratches, so it is necessary to pay close attention to the formation of the scribing scratches.

しかして、従来から行われているケガキ傷形成
法によれば、ウエハの一方端縁部にその終端まで
前記スクライバで掃引移動させて所定長さのケガ
キ傷を形成していた。しかしながら、スクライバ
等にてケガキ傷を形成すべき端縁部の終端まで掃
引移動させているから、第4図に示すようにスク
ライバの針荷重Aおよび引張力Bの合成力Cがウ
エハに加わるために、ケガキ傷を形成したウエハ
の端縁部角部がスクライバの掃引時においてカケ
てしまうことがある。この場合、後の分断工程に
おいて前記カケたケガキ傷をへき開用起点として
押圧力を加えたときにへき開したい部分以外から
へき開してしまうことが多く、素子形状にバラツ
キが生じるという問題を生じる。
According to the conventional scribing method, a scriber of a predetermined length is formed on one edge of a wafer by sweeping the scriber to the end thereof. However, since a scriber or the like is used to sweep the wafer to the end of the edge where a scribing scratch is to be formed, a composite force C of the scriber's stylus load A and tensile force B is applied to the wafer, as shown in Figure 4. Furthermore, the corner of the edge of the wafer where the scribing scratches have been formed may be chipped when the scriber is swept. In this case, when a pressing force is applied using the chipped scribe mark as a starting point for cleavage in the subsequent dividing step, cleavage often occurs from a region other than the desired cleavage, resulting in a problem of variations in element shape.

ここで上記方法にて例えば半導体レーザ構造を
有するウエハにケガキ傷を形成して、このケガキ
傷をへき開用起点として分断した場合、上記問題
が生じて各々素子形状が異なつて形成されれば、
各々の素子の共振器波長が違うものとなることに
基づいてレーザ発振しきい値電流が変わつてしま
う。即ち、その特性管理が非常に困難であり、歩
留りの低下を招くという問題を生じる。
If a scribing scratch is formed on a wafer having a semiconductor laser structure using the above method and the wafer is divided using the scribing scratch as a starting point for cleavage, the above problem occurs and each element is formed with a different shape.
The laser oscillation threshold current changes based on the fact that the resonator wavelength of each element is different. That is, it is very difficult to manage the characteristics, resulting in a problem of lower yield.

(ハ) 目的 この発明は、へき開用起点であるケガキ傷を正
確に形成しうると共にその形成時における不具合
を無くする半導体ウエハのケガキ傷形成装置を提
供することを目的としている。
(C) Objective The object of the present invention is to provide a semiconductor wafer scribing scratch forming apparatus that can accurately form scribing scratches that are starting points for cleavage and eliminates problems during the formation.

(ニ) 構成 本発明に係る半導体ウエハのケガキ傷形成装置
は、デバイスが形成された半導体ウエハの一辺端
縁部にへき開用起点としてのケガキ傷を形成する
半導体ウエハのケガキ傷形成装置において、前記
半導体ウエハを固定する作業台と、ケガキ傷が形
成されるべき一辺端縁部のみを露出させて半導体
ウエハを覆うアルミ箔と、ケガキ傷を形成すべく
アルミ箔から前記一辺端縁部にかけて掃引移動さ
れるスクライバと、ケガキ傷を形成したスクライ
バが乗り上げるべく半導体ウエハの一辺端縁部に
接触し、かつ半導体ウエハの表面より高く設置さ
れる停止台とを備えている。
(D) Structure The semiconductor wafer scribing scratch forming apparatus according to the present invention is a semiconductor wafer scribing scratch forming apparatus that forms a scribing scratch as a starting point for cleavage at one edge of a semiconductor wafer on which devices are formed. A workbench for fixing a semiconductor wafer, an aluminum foil that covers the semiconductor wafer by exposing only the edge of one side where a scribing scratch is to be formed, and a sweeping movement from the aluminum foil to the edge of the one side to form a scribing scratch. and a stop table that contacts one edge of the semiconductor wafer and is installed higher than the surface of the semiconductor wafer so that the scriber that has formed the scratches can ride on it.

(ホ) 実施例 実施例 第1図はこの発明に係る半導体ウエハのケガキ
傷形成装置の一実施例の斜視図である。
(E) Embodiments FIG. 1 is a perspective view of an embodiment of a semiconductor wafer scribing scratch forming apparatus according to the present invention.

同図において、10は、所定のデバイスが形成
されたウエハであり、この実施例では略矩形状の
ものを例として説明する。20は、真空チヤツク
21を備えた可動テーブル20であり、この上面
所定位置にウエハ10を吸着固定する。この、可
動テーブル20の下面各角部には、貫通孔を備え
た脚部22がそれぞれ配設されており、可動テー
ブル20の対向する端縁部と所定間隔をもつて平
行に配設されたレール23に前記脚部22がしゆ
う動自在に嵌装されている。30は、ケガキ傷形
成用スクライバとしてのダイアモンドスクライバ
(以下車にスクライバと言う)である。これに所
定傾斜をもつて装着された取付部材32の先端に
ダイアモンド針31が配備されており、前記可動
テーブル20の上方所定位置に配置されている。
In the figure, reference numeral 10 denotes a wafer on which predetermined devices are formed, and in this embodiment, a substantially rectangular wafer will be described as an example. 20 is a movable table 20 equipped with a vacuum chuck 21, and the wafer 10 is suctioned and fixed to a predetermined position on the upper surface of the movable table 20. Legs 22 each having a through hole are disposed at each corner of the lower surface of the movable table 20, and are disposed in parallel with the opposing edge of the movable table 20 at a predetermined distance. The leg portion 22 is fitted into the rail 23 so as to be freely movable. 30 is a diamond scriber (hereinafter referred to as scriber) as a scriber for forming scratches. A diamond needle 31 is provided at the tip of a mounting member 32 attached at a predetermined inclination to this, and is placed at a predetermined position above the movable table 20.

40は所定膜厚で形成されたアルミ箔であり、
可動テーブル20上に固定されるウエ10の上面
を覆うように添着させるものである。
40 is an aluminum foil formed with a predetermined thickness;
It is attached so as to cover the upper surface of the wafer 10 fixed on the movable table 20.

50は略立方体状の停止台であり、ケガキ傷が
形成される部分のウエハ10に近接して配設され
ている。
Reference numeral 50 denotes a substantially cubic stop, which is disposed close to the portion of the wafer 10 where scribing scratches are to be formed.

次に、第1の実施例に係る半導体装置のケガキ
傷形成法について以下説明する。(第2図参照)。
Next, a method for forming scratches on a semiconductor device according to the first embodiment will be described below. (See Figure 2).

作業台である可動テーブル20側方に近接し
て配設されている停止台50にウエハ10を当
接させて可動テーブル20上に載置し、真空チ
ヤツク21にてウエハ10を可動テーブル20
に吸着固定させる。
The wafer 10 is placed on the movable table 20 by abutting against a stop table 50 disposed close to the side of the movable table 20, which is a workbench, and the wafer 10 is transferred to the movable table 20 by the vacuum chuck 21.
Fix it by adsorption.

ケガキ傷を形成すべき部分(端縁部11近
傍)が露出するようにウエハ10上に例えば
15μ程度のアルミ箔40を図示の如く添着させ
る。
For example, mark the surface of the wafer 10 so that the portion where the scribing scratch is to be formed (near the edge portion 11) is exposed.
Attach aluminum foil 40 of about 15 μm as shown.

図外の駆動手段にてスクライバ30をウエハ
10が露出されていない側のアルミ箔40上に
比較的ゆつくり落下させる。
The scriber 30 is dropped relatively slowly onto the aluminum foil 40 on the side where the wafer 10 is not exposed using a driving means (not shown).

ここからウエハ10の露出した部分側に向か
つてスクライバ30を所定速度で掃引移動させ
る。
From here, the scriber 30 is swept at a predetermined speed toward the exposed portion of the wafer 10.

ウエハ10の端縁部11の終端に到達する前
(第2図矢印c部分)にスクライバ30のダイ
アモンド針31が位置したとき、スクライバ3
0の取付部材32が停止台50の端縁に当接し
該ウエハ10から停止台50上にスクライバ3
0が移動するので、ケガキ傷の形成が停止され
る。一方停止台50上のスクライバ30は所定
位置で上昇する。
When the diamond needle 31 of the scriber 30 is positioned before reaching the end of the edge 11 of the wafer 10 (arrow c section in FIG. 2), the scriber 3
The mounting member 32 of No. 0 comes into contact with the edge of the stop table 50, and the scriber 3 is moved from the wafer 10 onto the stop table 50.
Since 0 moves, the formation of the scribing scratches is stopped. On the other hand, the scriber 30 on the stop table 50 rises at a predetermined position.

以下、可動テーブル20を図外の駆動装置に
て駆動して、この可動テーブル20をレール2
3に沿つて一定ピツチづつ第1図矢印a方向に
移動させると共にスクライバ30も第1図矢印
b方向に移動させる。この可動テーブル20お
よびスクライバ30が上記と同様の動作を繰り
返すことにより、ケガキ傷を順次形成させて工
程を終了する。
Hereinafter, the movable table 20 is driven by a drive device not shown, and the movable table 20 is moved to the rail 2.
3 in the direction of arrow a in FIG. 1, and the scriber 30 is also moved in the direction of arrow b in FIG. As the movable table 20 and the scriber 30 repeat the same operations as described above, scribing scratches are sequentially formed and the process is completed.

しかして、上記工程にて、端縁部11の終端
に到達する前とは、例えば端縁部11から0.25〜
0.5μ程度の位置が望ましいが、この数値はスクラ
イバ掃引速度、針荷重およびウエハの剛性力等に
よつて適宜に設定することが好ましい。
Therefore, in the above process, before reaching the end of the edge part 11, for example, 0.25~
A position of about 0.5 μm is desirable, but it is preferable to set this value appropriately depending on the scriber sweep speed, needle load, wafer rigidity, etc.

実施例 第3図は第2図に対応しており、停止台50の
形状が異なつているものを示している。
Embodiment FIG. 3 corresponds to FIG. 2, and shows a stop table 50 having a different shape.

同図に示す停止台50は、第2図に示した停止
台50の上部に所定傾斜角をもつ傾斜面51を形
成したものである。そしてこの停止台50は、そ
の傾斜面51側をウエハ10の端縁部11に所定
段差をもつて当接させている。
The stop table 50 shown in the figure is the same as the stop table 50 shown in FIG. 2, with an inclined surface 51 having a predetermined angle of inclination formed on the upper part thereof. The stop table 50 has its inclined surface 51 in contact with the edge 11 of the wafer 10 with a predetermined step difference.

上記の工程において第2の実施例では、スク
ライバ30の取付部材32が停止台50の傾斜面
51に当接したときに該ウエハ10の表面より浮
上し、前記傾斜面51に沿つて上昇移動すること
となる。
In the above process, in the second embodiment, when the mounting member 32 of the scriber 30 comes into contact with the inclined surface 51 of the stop table 50, it floats above the surface of the wafer 10 and moves upward along the inclined surface 51. That will happen.

この第2の実施例によれば、第1の実施例に比
してスクライバ30の移動をさらにスムーズに行
わしめることができるという効果が得られる。
According to the second embodiment, an effect can be obtained in that the scriber 30 can be moved more smoothly than the first embodiment.

(ヘ) 効果 この発明は、上記詳説したように、ウエハの終
端までケガキ傷を形成させないから前記ウエハの
端縁角部のカケを防止し、後工程にて前記ケガキ
傷に沿つて分断させる場合においてもへき開すべ
き起点から正確にへき開することができる。その
ため、素子形状のバラツキを最小限に抑え得るこ
とに基づいて、製品の特性管理を容易にすると共
に歩留りの向上を図ることができる。また、所定
形状の停止台にてスクライバの停止位置を設定し
ているから、前記スクライバの位置を検知する位
置検知センサ等を必要としない。
(f) Effects As detailed above, this invention prevents the formation of scribing scratches to the end of the wafer, thereby preventing chipping of the edge corners of the wafer, and when dividing the wafer along the scribing scratches in a subsequent process. It is also possible to cleave accurately from the starting point. Therefore, based on the fact that variations in element shape can be minimized, product characteristics can be easily managed and yields can be improved. Further, since the stop position of the scriber is set by a stop table having a predetermined shape, there is no need for a position detection sensor or the like to detect the position of the scriber.

さらに、この発明に係る半導体ウエハのケガキ
傷形成装置を例えば半導体レーザ構造を有するウ
エハに適用する場合特に有効である。
Further, the semiconductor wafer scribing scratch forming apparatus according to the present invention is particularly effective when applied to, for example, a wafer having a semiconductor laser structure.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例に係る半導体ウエハ
のケガキ傷形成装置の斜視図である。第2図は第
1の実施例に係るスクライバ30の掃引移動を示
す説明図、第3図は第2の実施例に係るスクライ
バ30の掃引移動を示す説明図、第4図はウエハ
10に加わるスクライバ30の荷重を示す説明図
である。 10……ウエハ、11……端縁部、12……ケ
ガキ傷、20……可動テーブル、30……ダイア
モンドスクライバ、50……停止台、51……傾
斜面。
FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer scribing scratch forming apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an explanatory diagram showing the sweeping movement of the scriber 30 according to the first embodiment, FIG. 3 is an explanatory diagram showing the sweeping movement of the scriber 30 according to the second embodiment, and FIG. 4 is an explanatory diagram showing the sweeping movement of the scriber 30 according to the second embodiment. 3 is an explanatory diagram showing the load of the scriber 30. FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Wafer, 11... Edge part, 12... Scratch, 20... Movable table, 30... Diamond scriber, 50... Stop table, 51... Inclined surface.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 デバイスが形成された半導体ウエハの一辺端
縁部にへき開用起点としてのケガキ傷を形成する
半導体ウエハのケガキ傷形成装置において、前記
半導体ウエハを固定する作業台と、ケガキ傷が形
成されるべき一辺端縁部のみを露出させて半導体
ウエハを覆うアルミ箔と、ケガキ傷を形成すべく
アルミ箔から前記一辺端縁部にかけて掃引移動さ
れるスクライバと、ケガキ傷を形成したスクライ
バが乗り上げるべく半導体ウエハの一辺端縁部に
接触し、かつ半導体ウエハの表面より高く設置さ
れる停止台とを具備したことを特徴とする半導体
ウエハのケガキ傷形成装置。 2 前記停止台は前記スクライバの掃引移動方向
に向かつて上方に傾斜するものであることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の半導体ウエハ
のケガキ傷形成装置。
[Scope of Claims] 1. A semiconductor wafer scribing scratch forming apparatus that forms a scribing scratch as a starting point for cleavage on one side edge of a semiconductor wafer on which a device is formed, comprising: a work table for fixing the semiconductor wafer; An aluminum foil that covers a semiconductor wafer exposing only the edge of one side where a scratch is to be formed; a scriber that is swept from the aluminum foil to the edge of one side to form a scribe scratch; 1. A device for forming scribe scratches on a semiconductor wafer, comprising a stop table that contacts one edge of the semiconductor wafer for a scriber to ride on, and is installed higher than the surface of the semiconductor wafer. 2. The semiconductor wafer scribing scratch forming apparatus according to claim 1, wherein the stop table is inclined upward in the direction of sweeping movement of the scriber.
JP59217137A 1984-10-15 1984-10-15 Marking-scratch forming method of semiconductor device Granted JPS6194340A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
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Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6194340A JPS6194340A (en) 1986-05-13
JPH0244149B2 true JPH0244149B2 (en) 1990-10-02

Family

ID=16699430

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Application Number Title Priority Date Filing Date
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Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58159743U (en) * 1982-04-19 1983-10-25 日本電気株式会社 Semiconductor pelletizing equipment

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JPS6194340A (en) 1986-05-13

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