JPH0245315B2 - HODENTOTENTOSOCHI - Google Patents
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Description
本発明はチタン酸バリウムを主成分とする多結
晶体磁器組成物にジルコニアを副成分として添加
含有させた非線形コンデンサを用いた電子回路方
式により、放電灯(主として螢光灯)の瞬時点灯
を行うことを目的とした放電灯点灯装置に関する
ものである。
螢光灯は白熱電球と比較して同等の照度を得る
には極めて省エネルギーであり、家庭用、工業用
に広く利用されているが、従来はグローランプに
よる点灯方式のため、点灯までに数秒以上必要と
し、またグローランプの疲労による定期的な取替
が必要であつた。
近年グローランプに代り電子回路による点灯装
置が実用化されるに至り、グローランプの欠点の
改善が行なわれているが、螢光灯を点灯するため
には、螢光灯のフイラメントの予熱および放電開
始のための高電圧が必要なため電子回路が複雑化
し、装置のコストアツプになつていた。
また省エネランプの実用化にともない点灯不良
も発生し未だ充分に工業的に寄与し得ない面を内
在している。
電子回路による点灯方式の内で非線形コンデン
サを用いる点灯装置は、回路も簡略でありコスト
的にも優れたものがあり、特公昭48−19181号公
報および特公昭48−28726号公報で示され第1図
のようにして工業化されているが、これらは非線
形コンデンサの性能を充分に発揮したものではな
く、低温(−5〜−10℃)での点灯性が悪くまた
高温(60〜70℃)での再起動性が悪かつた。
すなわち、従来例である第1図について説明す
ると、第1図において半導体スイツチ3は第2図
に示すように電圧V1にてターンオンして導通状
態に入り、フイラメント1a,1bを予熱する。
この電圧V1は抵抗器6との分圧により非線形コ
ンデンサ4に印加され、逆電荷がチヤージされ
る。安定器2により遅れ電流が半導体スイツチ3
の保持電流以下となつたときターンオフし、この
ときV2に相応する電圧が非線形コンデンサ4に
印加され非線形コンデンサ4の急激な電流遮断作
用により安定器2により逆起電力V3が誘起され、
フイラメントが充分予熱されたとき、電圧V3に
より放電灯は放電を開始する。
しかし従来例において非線形コンデンサは、特
開昭55−56621号公報に示されるようなBa
(TiSn)O3を主成分としたものであり、第3図に
示すように30〜35℃近傍にてパルス電圧は急激に
低下する。また非線形コンデンサ4に直列に抵抗
器6が入つているため、低温におけるパルス電圧
の低下の原因となつており、低温および高温側電
圧での点灯不良の要因となつていた。
本発明は従来例の第1図の抵抗器の代りに半導
体スイツチを入れ、かつ高温特性の良好なBa
(TiZr)O3系の磁器よりなる非線形コンデンサを
用いたことを特徴としたものであり、低温でのパ
ルス電圧の低下を防止するにとどまらず、従来30
〜35℃でパルス電圧が低下したものを65〜70℃ま
で高いパルス電圧の得られる範囲を拡大し、さら
に抵抗器6があるために点灯後も発生する小パル
スを消去し、かつ非線形コンデンサの交番電圧印
加により発生するうなり音をも消す付随的効果を
見出したものである。
以下、本発明に用いる非線形コンデンサを実施
例により詳細に説明する。
実施例 1
出発原料としてBaCO3、TiO2、ZrO2を第1表
に示す組成に計量し、水、メノウの玉石と共にポ
リエチレンポツトで約16時間湿式混合し、過、
乾燥して調整原料を得た。これを1120℃にて2時
間仮焼し、さらに水、メノウの玉石と共にポリエ
チレンポツトにて約16時間紛砕し、過、乾燥し
た原料に有機結合剤を約3.0%添加して顆粒状と
し、1ton/cm2の圧力にて直径13.8mmφ、厚み0.55
mmの円板状に成形する。次いで1400℃にて約2時
間焼成して得られた磁器に12.0mmφの銀電極を塗
布し、800℃にて30分間焼付して非線形セラミツ
クコンデンサ用の素子を得、誘電率、tanδ、絶縁
抵抗(IR)、パルス電圧の各電気特性を測定し、
その結果を第1表に示した。
The present invention instantaneously lights a discharge lamp (mainly a fluorescent lamp) using an electronic circuit method using a nonlinear capacitor made of a polycrystalline ceramic composition containing barium titanate as a main component and zirconia as a subcomponent. This invention relates to a discharge lamp lighting device for the purpose of Compared to incandescent light bulbs, fluorescent lamps are extremely energy-efficient and are widely used for home and industrial purposes when it comes to providing the same level of illumination.However, conventionally, fluorescent lamps were lit using glow lamps, which took several seconds or more to turn on. Moreover, due to fatigue of the glow lamp, periodic replacement was required. In recent years, lighting devices using electronic circuits have been put into practical use in place of glow lamps, and the drawbacks of glow lamps have been improved. The high voltage required for starting the process complicates the electronic circuitry and increases the cost of the device. Moreover, as energy-saving lamps are put into practical use, lighting failures occur, and they still have the potential to not be able to make a sufficient contribution to industry. Among lighting systems using electronic circuits, lighting devices using nonlinear capacitors have simple circuits and are superior in terms of cost. Although these capacitors have been commercialized as shown in Figure 1, they do not fully demonstrate the performance of nonlinear capacitors, have poor lighting performance at low temperatures (-5 to -10°C), and have poor lighting performance at high temperatures (60 to 70°C). The restartability was poor. That is, to explain the conventional example shown in FIG. 1, in FIG. 1, the semiconductor switch 3 is turned on at a voltage V1 and enters a conductive state as shown in FIG. 2 , thereby preheating the filaments 1a and 1b.
This voltage V 1 is applied to the nonlinear capacitor 4 by voltage division with the resistor 6, and a reverse charge is charged. The ballast 2 causes the delayed current to flow to the semiconductor switch 3.
When the holding current becomes lower than the holding current of
When the filament is sufficiently preheated, the voltage V 3 causes the discharge lamp to start discharging. However, in conventional nonlinear capacitors, Ba
The main component is (TiSn) O3 , and as shown in FIG. 3, the pulse voltage decreases rapidly near 30 to 35°C. Furthermore, since the resistor 6 is connected in series with the nonlinear capacitor 4, this causes a drop in pulse voltage at low temperatures, which causes lighting failures at low and high temperature side voltages. The present invention uses a semiconductor switch in place of the conventional resistor shown in FIG.
It is characterized by the use of a nonlinear capacitor made of (TiZr)O 3 -based porcelain, and it not only prevents a drop in pulse voltage at low temperatures, but also
The range in which a high pulse voltage can be obtained is expanded to 65 to 70°C when the pulse voltage decreases at ~35°C, and the resistor 6 eliminates small pulses that occur even after lighting, and the nonlinear capacitor An additional effect has been discovered that also eliminates the beat noise generated by application of an alternating voltage. Hereinafter, the nonlinear capacitor used in the present invention will be explained in detail using examples. Example 1 As starting materials, BaCO 3 , TiO 2 , and ZrO 2 were weighed to have the composition shown in Table 1, and wet-mixed with water and agate cobbles in a polyethylene pot for about 16 hours.
It was dried to obtain a prepared raw material. This was calcined at 1120°C for 2 hours, and then ground with water and agate cobbles in a polyethylene pot for about 16 hours, and about 3.0% of an organic binder was added to the super-dried raw material to make it into granules. Diameter 13.8mmφ, thickness 0.55 at 1ton/ cm2 pressure
Form into a mm disc shape. Next, a 12.0 mmφ silver electrode was applied to the porcelain obtained by baking it at 1400℃ for about 2 hours, and baking it at 800℃ for 30 minutes to obtain an element for a nonlinear ceramic capacitor. (IR), measure each electrical characteristic of pulse voltage,
The results are shown in Table 1.
【表】
第1表において試料番号2〜6が本発明に係る
ものであり、試料番号1、7は参考のために示し
た特性例で本発明の範囲外である。
実施例 2
出発原料としてBaCO3、TiO2、ZrO2、MnOを
第2表に示すような組成に計量した。
第2表に示したA/BはBaA(Ti1-xZrx)BO3
とした時の組成比率を示したものである。
これら計量した出発原料を水、メノウの玉石と
共にポリエチレンポツトで約16時間湿式混合し、
過、乾燥して調整原料を得た。
以下は実施例1と同様の方法を用いた。[Table] In Table 1, sample numbers 2 to 6 are related to the present invention, and sample numbers 1 and 7 are characteristic examples shown for reference and are outside the scope of the present invention. Example 2 As starting materials, BaCO 3 , TiO 2 , ZrO 2 and MnO were weighed to have the composition shown in Table 2. A/B shown in Table 2 is BaA (Ti 1-x Zrx) BO 3
This shows the composition ratio when These weighed starting materials were wet mixed together with water and agate cobbles in a polyethylene pot for about 16 hours.
A prepared raw material was obtained by filtering and drying. The same method as in Example 1 was used below.
【表】
第2表において試料番号2〜6、9〜11は本発
明品、試料番号1、7、8、12は参考のために示
した本発明の範囲外品である。
なお、第1表および第2表に示した電気特性は
容量(誘電率)、tanδは1kHz、1Vrmsにて測定
し、絶縁抵抗は100VDCを30秒間印加後の値であ
る。このように放電灯の点灯装置に用いる非線形
コンデンサ用の材料としては、誘電率の大きい、
抗電界の小さい強誘電体が望ましいが、これらの
条件を満たすものとしてペロブスカイト型構造を
有するBaTiO3が現在では最適であるが、120℃
にキユーリ点を、5℃近傍に結晶変態点を有して
おり、点灯時に必要な高パルス電圧にも温度依存
性を有している。
第3図は上述の実施例により得られた第1表の
試料番号4の非線形コンデンサであり、第1図の
抵抗器6の抵抗値RがA0はR=0Ω、A05はR=
500Ω、A1はR=1kΩ、A2、B2はR=2kΩ、A4
はR=4kΩ、B2はBa(TiSn)O3系非線形コンデ
ンサでR=2kΩのときの非線形コンデンサに発
生するパルス電圧の温度依存性を示したものであ
る。また第4図は同上の非線形コンデンサのP−
Eヒステリシスより求めた抗電界Ecの温度依存
性を示したものである。
第3図に示したように非線形コンデンサのパル
ス電圧はBaTiO3にZrを添加することにより大幅
に高温側の特性が改善できることを見出したもの
で、第3図はBaTiO3のTiに対しての8モル%Zr
を置換した組成系における特性例を示したもので
ある。
パルス電圧の急変点は第3図では65〜70℃にあ
り、Zr添加量により変えられる。Zrの添加量を
減らすと急変点は低温側に移行し、量を増すとキ
ユーリ点が低温側に移動してくるため、65〜70℃
以上にすることは困難であつた。また低温側は非
線形コンデンサの抗電圧Ecが第4図の○イに示す
ように、大きな温度依存性を有するため回路定数
特に第1図の抵抗器6によりパルス電圧特性を改
善できることを見出した。なお、○ロは参考のため
Ba(TiSn)O3系非線形コンデンサである。
すなわち、電流飽和点Es近傍では第5図より
求めた過渡的静電容量は2.7〜3.0μFに相応するも
のであり、この時のインピーダンスは1kΩ前後
となり、第1図の回路の直列抵抗器6は、分圧抵
抗器として極めて大きな負荷となる可能性を有し
ている。第2図の半導体スイツチがターンオンす
る時の電圧V1は非線形コンデンサ4と抵抗器6
に印加されるものであり、抵抗器6のR=1kΩ
のとき非線形コンデンサ4にかかる電圧はV1/2と
近似される。放電灯の点灯装置として第1図にお
いて通常電圧V1は電源波高値より低く、放電灯
の放電時の管電圧より高く設定する必要があり、
例えば30Wの螢光灯の場合100V前後に設定し第
1図の抵抗器6は2〜3kΩに設定する。第6図
に示すように第1図の回路においてV2のパルス
により放電灯は放電を開始し点灯するに至る。
また点灯後も第1図のダイオード5および抵抗
器6を通して正逆方向に電流が流れるため、V3
のパルスを発生させ非線形コンデンサ4よりうな
り音を発する原因となつているが、第1図の抵抗
器6が小さい場合、第6図におけるa−bに至る
間に非線形コンデンサに流れる電流を制限しない
ため第7図の点線に示すように小パルスを発生
し、b′において第1図の半導体スイツチ3をター
ンオンさせ、第6図の上半分は放電せず下半波の
みの放電となる。
このため非線形コンデンサ4に流れる電流を制
御するため第1図においては2〜3kΩの直列抵
抗が必要となり、第3図に示すようにパルス電圧
の温度依存性は低温部において極めて大きなもの
となる。この低温部でのパルス電圧の低下は、例
えば抵抗器6が1kΩのとき上述のように非線形
コンデンサ4にかかる電圧はV1/2となる。非線形
コンデンサに印加される電圧をVとすると、第8
図の実線のようなP−Eヒステリシスとなり、残
留分極量はPr′となる。
第4図より非線形コンデンサのヒステリシス特
性は20℃では第8図のようになり、−20℃近傍で
は第9図のようになるものと推測され残留分極量
はPr″となる。
第1図の抵抗が大きくなるに従い、第4図より
常温近傍の残留分極量Pr′は小さくなるためパル
ス電圧は低下する。このことは第3図の結果より
明らかである。さらに−20℃になるとEcが第4
図に示すように増加するため、自発分極量Pr″は
著しく小さくなり、パルス電圧の低下は著しい。
この低温側での非線形コンデンサの抗電圧の増
加を見掛上低くするため、非線形コンデンサ素子
の厚みを薄くすることが考えられるが、素子の厚
みを薄くした場合、発生する負方向のパルス電圧
により、非線形素子自体が絶縁破壊を生じるおそ
れがあり好ましくない。
本考案は第1図の抵抗器6の代りに半導体スイ
ツチに置き換えることにより、パルス電圧の温度
依存性を改良し、点灯後のパルスも消去し得るも
のである。その実施例を第10図に示す。
第10図においてSCR7のターンオン電圧を
放電灯の放電時の管電圧より高く、放電前に分圧
抵抗R1+R2に印加される電圧より低くなるよう
V1に設定する。例えば30W螢光灯の場合には約
90〜100Vになるようにする。また半導体スイツ
チ31は電源電圧より高いVBOを有するSCRまた
はトライアツクを選定する。第11図において
V1に達したとき、SCR7はターンオンして非線
形コンデンサ4にV1の電圧が印加され、このた
めパルス電圧は安定器2により誘起されるが、こ
のパルス電圧がVBOとなつたとき、半導体スイ
ツチ31がターンオンして導通状態となり放電灯
のフイラメント1a,1bを加熱する。安定器2
より遅れ電流がこの半導体スイツチ31の保持電
流より小さくなつた時点でターンオフする。この
とき非線形コンデンサ4にはV2の電圧が急激に
印加され、V3のパルス電圧が発生する。
V4のパルス電圧により放電を開始した放電灯
の管電圧は、SCR7のターンオン電圧より低い
ためSCRはターンオンせず、放電開始後には非
線形コンデンサには逆電荷が充電されないため
に、第6図に示すようなV3に相応するパルス電
圧は発生しない。またパルス電圧の温度特性にお
いてもSCR7のV1は非線形コンデンサ4のEcの
電圧に比較して大きいため、ちなみに第4図より
−20℃においてEcは58Vを示すが、30Wの螢光灯
の場合、V1は90〜100Vに設定するため、残留分
極量は第9図のPrにほぼ等しい値となり、低温
部でのパルス温度依存性は第3図のA0特性に極
めて近い特性を示し、低温においてもパルス電圧
の低下はみられない。
このように本発明にかかる放電灯点灯装置は、
非線形コンデンサの組成物としてBa(TiZr)O3
系を主成分とすることにより、高温側を著しく改
善するにとどまらず、非線形コンデンサに第10
図に示すように半導体スイツチング素子を直列的
に接続することにより、低温側の温度特性の改良
を行い、また点灯時に発生していたうなり音をも
消去し得るという顕著な効果を示すものであり、
常温付近で1000Vのパルス電圧が容易に得られる
ことにより、螢光灯は1秒以内で充分点灯し、従
来のグロー球に比較すると、ほぼ瞬時に近い状態
で−20℃〜+80℃の範囲で点灯可能とし得るもの
である。
非線形コンデンサ4の主成分であるBa(TiZr)
O3系組成物において、Baの代りにCa、Sr、Pbな
ど、またTi、Zrの一部をSnなどに少量の範囲に
おいて置換しても同等の効果が期待できることは
充分に推測し得るものである。
本発明は以上のように非線形コンデンサの性能
を充分に生かし、その効果を発揮できることは工
業的にも大きな価値を有するものである。[Table] In Table 2, sample numbers 2 to 6 and 9 to 11 are products of the present invention, and sample numbers 1, 7, 8, and 12 are products outside the scope of the present invention shown for reference. The electrical properties shown in Tables 1 and 2 are capacitance (permittivity) and tan δ measured at 1 kHz and 1 Vrms, and insulation resistance is the value after applying 100 VDC for 30 seconds. Materials for nonlinear capacitors used in discharge lamp lighting devices include materials with a high dielectric constant.
A ferroelectric material with a small coercive electric field is desirable, and BaTiO 3 with a perovskite structure is currently optimal as a material that satisfies these conditions.
It has a Kiuri point at 5° C. and a crystal transformation point at around 5° C., and the high pulse voltage required for lighting is also temperature dependent. FIG. 3 shows the nonlinear capacitor of sample number 4 in Table 1 obtained by the above-mentioned example, and the resistance value R of the resistor 6 in FIG. 1 is A 0 is R=0Ω, A 05 is R=
500Ω, A 1 has R=1kΩ, A 2 and B 2 have R=2kΩ, A 4
shows the temperature dependence of the pulse voltage generated in the nonlinear capacitor when R=4 kΩ, B 2 is a Ba(TiSn)O 3 based nonlinear capacitor, and R=2 kΩ. Figure 4 also shows the nonlinear capacitor P-
This figure shows the temperature dependence of the coercive electric field Ec determined from E hysteresis. As shown in Figure 3, the pulse voltage of a nonlinear capacitor was found to be significantly improved by adding Zr to BaTiO 3. Figure 3 shows the pulse voltage of a nonlinear capacitor. 8 mol% Zr
This figure shows an example of the characteristics of a composition system in which . The sudden change point of the pulse voltage is at 65 to 70°C in Fig. 3, and can be changed depending on the amount of Zr added. When the amount of Zr added is reduced, the sudden turning point shifts to the lower temperature side, and when the amount is increased, the Kyuri point moves to the lower temperature side, so the temperature rises to 65 to 70℃.
It was difficult to do more than that. Furthermore, on the low-temperature side, the coercive voltage Ec of the nonlinear capacitor has a large temperature dependence, as shown in ○A in FIG. 4, so we found that the pulse voltage characteristics can be improved by changing the circuit constants, especially the resistor 6 in FIG. 1. In addition, ○○ is for reference only.
This is a Ba(TiSn)O 3 -based nonlinear capacitor. That is, near the current saturation point Es, the transient capacitance found from Figure 5 corresponds to 2.7 to 3.0 μF, and the impedance at this time is around 1 kΩ, and the series resistor 6 of the circuit in Figure 1 has the potential to become an extremely large load as a voltage dividing resistor. The voltage V 1 when the semiconductor switch in Fig. 2 turns on is the nonlinear capacitor 4 and resistor 6.
R of resistor 6 = 1kΩ
At this time, the voltage applied to the nonlinear capacitor 4 is approximated as V 1 /2. As a lighting device for a discharge lamp, the normal voltage V1 in Figure 1 must be set lower than the peak value of the power supply and higher than the tube voltage during discharge of the discharge lamp.
For example, in the case of a 30W fluorescent lamp, it is set to around 100V, and the resistor 6 in FIG. 1 is set to 2 to 3 kΩ. As shown in FIG. 6, in the circuit of FIG. 1, the discharge lamp starts discharging due to the pulse of V 2 and is turned on. Also, even after lighting, current flows in the forward and reverse directions through diode 5 and resistor 6 in Figure 1, so V 3
However, if the resistor 6 in Figure 1 is small, it will not limit the current flowing to the nonlinear capacitor between a and b in Figure 6. Therefore, a small pulse is generated as shown by the dotted line in FIG. 7, and the semiconductor switch 3 in FIG. 1 is turned on at b', so that the upper half of FIG. 6 is not discharged and only the lower half wave is discharged. Therefore, in order to control the current flowing through the nonlinear capacitor 4, a series resistance of 2 to 3 kΩ is required in FIG. 1, and as shown in FIG. 3, the temperature dependence of the pulse voltage becomes extremely large in the low temperature region. For example, when the resistor 6 is 1 kΩ, the voltage applied to the nonlinear capacitor 4 becomes V 1 /2 as described above. If the voltage applied to the nonlinear capacitor is V, then the eighth
There is a PE hysteresis as shown by the solid line in the figure, and the amount of residual polarization becomes Pr'. From Fig. 4, it is estimated that the hysteresis characteristic of the nonlinear capacitor is as shown in Fig. 8 at 20°C, and as shown in Fig. 9 near -20°C, and the amount of residual polarization is Pr''. As the resistance increases, the residual polarization Pr' near room temperature decreases as shown in Figure 4, so the pulse voltage decreases.This is clear from the results in Figure 3.Furthermore, at -20°C, Ec increases. 4
As the amount of spontaneous polarization Pr'' increases as shown in the figure, the amount of spontaneous polarization Pr'' becomes significantly smaller, and the drop in pulse voltage is significant. It is possible to reduce the thickness of the element, but if the thickness of the element is made thinner, the generated negative pulse voltage may cause dielectric breakdown of the nonlinear element itself, which is not preferable. By replacing SCR 7 with a semiconductor switch, the temperature dependence of the pulse voltage can be improved and the pulse after lighting can be eliminated.An example of this is shown in Fig. 10. Set the voltage to be higher than the tube voltage during discharge of the discharge lamp and lower than the voltage applied to the voltage dividing resistor R 1 + R 2 before discharge.
Set to V 1 . For example, in the case of a 30W fluorescent lamp, approximately
Make it 90~100V. Further, as the semiconductor switch 31 , an SCR or triac having a VBO higher than the power supply voltage is selected. In Figure 11
When the voltage reaches V 1 , the SCR 7 is turned on and a voltage of V 1 is applied to the nonlinear capacitor 4. Therefore, a pulse voltage is induced by the stabilizer 2, but when this pulse voltage reaches VBO, the semiconductor switch 3 1 turns on and becomes conductive, heating the filaments 1a and 1b of the discharge lamp. Stabilizer 2
The semiconductor switch 31 is turned off when the delayed current becomes smaller than the holding current of the semiconductor switch 31 . At this time, a voltage of V 2 is rapidly applied to the nonlinear capacitor 4, and a pulse voltage of V 3 is generated. The tube voltage of the discharge lamp that started discharging with the pulse voltage of V 4 is lower than the turn-on voltage of SCR7, so the SCR does not turn on, and after the start of discharge, the nonlinear capacitor is not charged with a reverse charge, so the voltage shown in Figure 6. A pulse voltage corresponding to V 3 as shown is not generated. Also, regarding the temperature characteristics of the pulse voltage, V 1 of the SCR 7 is larger than the Ec voltage of the nonlinear capacitor 4, so Ec shows 58V at -20°C from Figure 4, but in the case of a 30W fluorescent lamp. , V 1 is set to 90 to 100 V, so the amount of residual polarization is approximately equal to Pr in Fig. 9, and the pulse temperature dependence in the low temperature section shows characteristics extremely close to the A 0 characteristics in Fig. 3. No drop in pulse voltage is observed even at low temperatures. As described above, the discharge lamp lighting device according to the present invention has the following features:
Ba(TiZr)O 3 as a composition of nonlinear capacitors
By using the system as the main component, not only the high temperature side is significantly improved, but also the 10th
As shown in the figure, by connecting semiconductor switching elements in series, the temperature characteristics on the low-temperature side can be improved, and the humming noise that occurs when the lamp is turned on can also be eliminated, which is a remarkable effect. ,
By easily obtaining a pulse voltage of 1000V at room temperature, the fluorescent lamp lights up fully within 1 second, and compared to conventional glow bulbs, it can be used almost instantaneously in the range of -20℃ to +80℃. This means that it can be turned on. Ba (TiZr), the main component of nonlinear capacitor 4
In O 3 -based compositions, it can be reasonably assumed that the same effect can be expected even if Ca, Sr, Pb, etc. are substituted for Ba, or by substituting a small amount of Ti, Zr, etc. with Sn, etc. It is. As described above, the present invention makes full use of the performance of a nonlinear capacitor, and its ability to exhibit its effects has great industrial value.
第1図は従来の放電灯回路図、第2図および第
6図、第7図は第1図の回路例での非線形コンデ
ンサにかかる電圧波形図、第3図は第1図の放電
灯点灯回路の抵抗値を変えた場合の発生パルス電
圧−温度特性図、第4図は非線形コンデンサの抗
電圧−温度特性図、第5図は非線形コンデンサの
ヒステリシス特性図、第8図および第9図は従来
の放電灯点灯回路での非線形コンデンサのヒステ
リシス特性図、第10図は本発明の放電灯点灯回
路図、第11図は第10図の放電灯点灯回路の非
線形コンデンサにかかる電圧波形図を示す。
1:放電灯、2:誘導性安定器、3:半導体ス
イツチ、4:非線形コンデンサ、5:ダイオー
ド、6:抵抗器、7:SCR。
Figure 1 is a conventional discharge lamp circuit diagram, Figures 2, 6, and 7 are voltage waveform diagrams applied to the nonlinear capacitor in the circuit example of Figure 1, and Figure 3 is the discharge lamp lighting of Figure 1. Figure 4 is the coercive voltage-temperature characteristic diagram of a nonlinear capacitor, Figure 5 is a hysteresis characteristic diagram of a nonlinear capacitor, and Figures 8 and 9 are A hysteresis characteristic diagram of a nonlinear capacitor in a conventional discharge lamp lighting circuit, FIG. 10 shows a diagram of a discharge lamp lighting circuit of the present invention, and FIG. 11 shows a voltage waveform diagram applied to the nonlinear capacitor of the discharge lamp lighting circuit of FIG. . 1: discharge lamp, 2: inductive ballast, 3: semiconductor switch, 4: nonlinear capacitor, 5: diode, 6: resistor, 7: SCR.
Claims (1)
よび該放電灯と並列的に接続された半導体スイツ
チを有し、さらにチタン酸バリウムを主成分とす
る多結晶体磁器組成物にジルコニウムを副成分と
して添加含有させた非線形コンデンサとダイオー
ドなどの整流機能を有する半導体素子を直列的に
接続し、該放電灯に対して並列的に接続され、か
つ該半導体素子と並列的に非線形コンデンサと直
列的に接続し、該半導体素子と逆方向に半導性の
あるスイツチング機能を有する半導体素子を接続
することを特徴とする放電灯点灯装置。 2 チタン酸バリウムを主成分とする多結晶体磁
器組成物に1〜14モル%のジルコニウムを副成分
として添加含有させた非線形コンデンサを接続し
たことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
放電灯点灯装置。[Claims] 1. A polycrystalline porcelain having an inductive ballast connected in series with a discharge lamp and a semiconductor switch connected in parallel with the discharge lamp, and further comprising barium titanate as a main component. A nonlinear capacitor containing zirconium as a subcomponent is connected in series with a semiconductor element having a rectifying function such as a diode, which is connected in parallel to the discharge lamp and in parallel with the semiconductor element. 1. A discharge lamp lighting device characterized in that a nonlinear capacitor is connected in series with a nonlinear capacitor, and a semiconductor element having a semiconducting switching function is connected in a direction opposite to the semiconductor element. 2. A nonlinear capacitor made of a polycrystalline ceramic composition containing barium titanate as a main component and containing 1 to 14 mol% of zirconium as a subcomponent is connected to the nonlinear capacitor according to claim 1. Discharge lamp lighting device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10508682A JPH0245315B2 (en) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | HODENTOTENTOSOCHI |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10508682A JPH0245315B2 (en) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | HODENTOTENTOSOCHI |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58220396A JPS58220396A (en) | 1983-12-21 |
| JPH0245315B2 true JPH0245315B2 (en) | 1990-10-09 |
Family
ID=14398104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10508682A Expired - Lifetime JPH0245315B2 (en) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | HODENTOTENTOSOCHI |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245315B2 (en) |
-
1982
- 1982-06-17 JP JP10508682A patent/JPH0245315B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58220396A (en) | 1983-12-21 |
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