JPH0246668B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0246668B2 JPH0246668B2 JP57045710A JP4571082A JPH0246668B2 JP H0246668 B2 JPH0246668 B2 JP H0246668B2 JP 57045710 A JP57045710 A JP 57045710A JP 4571082 A JP4571082 A JP 4571082A JP H0246668 B2 JPH0246668 B2 JP H0246668B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processed
- vacuum container
- metal compound
- heating
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using DC or AC discharges
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、均一美麗な被膜を大量の基体上に形
成できる金属化合物被膜の形成方法に関する。
成できる金属化合物被膜の形成方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
従来より、金属、セラミツクス等からなる基体
表面に、耐摩耗性にすぐれる、たとえば窒化チタ
ン、炭化チタン等の高融点化合物の被膜を形成す
る方法として化学蒸着法が知られている。この方
法では、高融点化合物の被覆の形成が900〜1200
℃で行われるため基体が薄物あるいは細物等の変
形を起こしやすい形状のものや融点の低い材質の
ものでは適用できないという制限があつた。また
得られる被膜の表面状態が粗雑であり、装飾用と
しては不適用であるという欠点があつた。
表面に、耐摩耗性にすぐれる、たとえば窒化チタ
ン、炭化チタン等の高融点化合物の被膜を形成す
る方法として化学蒸着法が知られている。この方
法では、高融点化合物の被覆の形成が900〜1200
℃で行われるため基体が薄物あるいは細物等の変
形を起こしやすい形状のものや融点の低い材質の
ものでは適用できないという制限があつた。また
得られる被膜の表面状態が粗雑であり、装飾用と
しては不適用であるという欠点があつた。
このため腕時計等の外側として用いた場合、耐
摩耗性向上と装飾性付与の目的の為に、上述の金
属化合物を被覆する場合にグロー放電空間を基体
近傍に形成させて、放電エネルギーにより、化学
反応を起こさせ、被覆に要するする加熱温度を
400〜600℃と低くして行なうグロー放電化学蒸着
法が検討されている。
摩耗性向上と装飾性付与の目的の為に、上述の金
属化合物を被覆する場合にグロー放電空間を基体
近傍に形成させて、放電エネルギーにより、化学
反応を起こさせ、被覆に要するする加熱温度を
400〜600℃と低くして行なうグロー放電化学蒸着
法が検討されている。
この方法を例えば基本表面に金属窒化物を被覆
する場合について第１図を参照して説明すると、
まず初めに真空ポンプに接続された排気口１より
排気して真空容器２内を10-3Torr以下の真空度
まで排気した後、ガス供給口３から金属ハロゲン
化物と窒素と水素との混合ガスを、真空容器２内
が0.1〜10Torrの圧になるよう真空容器２内に導
入する。真空容器２内には、被処理基体４を電気
的に導通した状態で設置しうる陰極板５と陰極板
５の上方に所定の間隔をおいて支持される陽極板
６とが配置されている。この電極間で200〜
8000Vの直流電圧を印加し、かつ陰極板５の裏面
に設けられた加熱板７を加熱して被処理基体を
200〜1000℃、好ましくは400〜600℃にすること
により、被処理基体近傍にグロー放電空間が形成
され、基体表面で混合ガスが反応して金属窒化物
の被膜が形成される。
する場合について第１図を参照して説明すると、
まず初めに真空ポンプに接続された排気口１より
排気して真空容器２内を10-3Torr以下の真空度
まで排気した後、ガス供給口３から金属ハロゲン
化物と窒素と水素との混合ガスを、真空容器２内
が0.1〜10Torrの圧になるよう真空容器２内に導
入する。真空容器２内には、被処理基体４を電気
的に導通した状態で設置しうる陰極板５と陰極板
５の上方に所定の間隔をおいて支持される陽極板
６とが配置されている。この電極間で200〜
8000Vの直流電圧を印加し、かつ陰極板５の裏面
に設けられた加熱板７を加熱して被処理基体を
200〜1000℃、好ましくは400〜600℃にすること
により、被処理基体近傍にグロー放電空間が形成
され、基体表面で混合ガスが反応して金属窒化物
の被膜が形成される。
しかしながらこの方法においては、処理できる
被処理基体の数が陰極板上に載置できる数に制限
されるため、大量の基体を同時に処理することが
困難であつた。
被処理基体の数が陰極板上に載置できる数に制限
されるため、大量の基体を同時に処理することが
困難であつた。
［発明の目的］
本発明は、大量の基体を処理する場合であつて
も、均一美麗な装飾被膜が形成できる金属化合物
被膜の形成方法を提供することを目的とする。
も、均一美麗な装飾被膜が形成できる金属化合物
被膜の形成方法を提供することを目的とする。
［発明の概要］
本発明は第２図に示すようにガス供給口３、排
気口１並びに器壁の加熱手段８を備えた真空容器
２内に、陰極板５を下方に陽極板６を上方に間隔
をおいて縦方向に複数個対向配置し、各陰極板５
上に被処理基体４を載置して前記真空容器２内を
真空にし、次いでガス状金属化合物を含む反応ガ
スを0.1〜10Torrとなるよう導入し、前記両極間
に200〜8000Vの直流電圧を印加して被処理基体
４近傍に放電空間を形成するとともに、前記真空
容器２内を約200〜1000℃に加熱して前記被処理
基体４表面に金属化合物の被膜を形成することを
特徴とするものである。
気口１並びに器壁の加熱手段８を備えた真空容器
２内に、陰極板５を下方に陽極板６を上方に間隔
をおいて縦方向に複数個対向配置し、各陰極板５
上に被処理基体４を載置して前記真空容器２内を
真空にし、次いでガス状金属化合物を含む反応ガ
スを0.1〜10Torrとなるよう導入し、前記両極間
に200〜8000Vの直流電圧を印加して被処理基体
４近傍に放電空間を形成するとともに、前記真空
容器２内を約200〜1000℃に加熱して前記被処理
基体４表面に金属化合物の被膜を形成することを
特徴とするものである。
本発明に適用される金属化合物としては、
ａ、ａ、ａ族の窒化物、炭化物、ホウ化物ま
たはそれらの組合せ等があり、原料ガスとして
は、これらａ、ａ、ａ族のハロゲン化物と
水素と窒素およびアンモニアガスのいずれか１種
または２種とを用いる。これらのガスの混合比率
は金属ハロゲン化物：水素：窒素およびアンモニ
アガスのいずれか１種または２種のモル比が１：
12：100：１〜100好ましくは１：12〜50：１〜30
がよい。その理由は、この値をはずれると装飾性
のある被膜が均一に得られ難いことになる。
ａ、ａ、ａ族の窒化物、炭化物、ホウ化物ま
たはそれらの組合せ等があり、原料ガスとして
は、これらａ、ａ、ａ族のハロゲン化物と
水素と窒素およびアンモニアガスのいずれか１種
または２種とを用いる。これらのガスの混合比率
は金属ハロゲン化物：水素：窒素およびアンモニ
アガスのいずれか１種または２種のモル比が１：
12：100：１〜100好ましくは１：12〜50：１〜30
がよい。その理由は、この値をはずれると装飾性
のある被膜が均一に得られ難いことになる。
また本発明方法は、金属、半導体、導電性セラ
ミツクス等のほか、電気導電性のものであればど
のような材料の基体に対しても均一な装飾性のあ
る金属化合物被膜を成することができる。
ミツクス等のほか、電気導電性のものであればど
のような材料の基体に対しても均一な装飾性のあ
る金属化合物被膜を成することができる。
［発明の実施例］
次ぎに本発明の実施例について説明する。
実施例
円柱状の真空容器内に円板状の陰極板を３つ配
置し、この陰極板のそれぞれの上方に陽極板の配
置した処理装置に使用し、この陰極板のそれぞれ
にCr38％、Al3.8％、Ni残の組成の合金からなる
25mm×25mm×４mmの金属板を被処理基体として
900個載置して次ぎの条件で処理を行なつた。
置し、この陰極板のそれぞれの上方に陽極板の配
置した処理装置に使用し、この陰極板のそれぞれ
にCr38％、Al3.8％、Ni残の組成の合金からなる
25mm×25mm×４mmの金属板を被処理基体として
900個載置して次ぎの条件で処理を行なつた。
いずれの基体にも厚さ1μmの均一美麗なTiNの
被膜が形成された。
被膜が形成された。
反応ガス組成 Til4：H2：N2＝１：19：６（モル
比） 圧 力 2Torr 電 圧 500V 電流密度 0.1ｍ／Ａ／cm 基本の温度 550℃ 処理時間 30分 ［発明の効果］ 以上の実施例からも明らかなように本発明方法
によれば、大量の基体について均一な色むらのな
い美麗な被膜が得られる。
比） 圧 力 2Torr 電 圧 500V 電流密度 0.1ｍ／Ａ／cm 基本の温度 550℃ 処理時間 30分 ［発明の効果］ 以上の実施例からも明らかなように本発明方法
によれば、大量の基体について均一な色むらのな
い美麗な被膜が得られる。
第１図は従来方法に使用する装置の概略を示す
断面図、第２図は本発明方法に使用する装置の概
略を示す断面図である。 ２……真空容器、４……被処理基体、５……陰
極板、６……陽極板、８……加熱手段。
断面図、第２図は本発明方法に使用する装置の概
略を示す断面図である。 ２……真空容器、４……被処理基体、５……陰
極板、６……陽極板、８……加熱手段。
Claims (1)
- １ ガス供給口、排気口並びに器壁の加熱手段を
備えた真空容器内に、陰極板と陽極板を間隔をお
いて縦方向に複数個対向配置し、各陰極板上に被
処理基体を載置して前記真空容器内を真空にし、
次いでａ、ａ、ａ族のハロゲン化物と水素
と窒素およびアンモニアガスのいずれか１種また
は２種とからなり、これらのガスの混合比率は金
属ハロゲン化物：水素：窒素およびアンモニアガ
スのいずれか１種または２種のモル比が１：12〜
100：１〜100であるガス状金属化合物を含む反応
ガスを0.1〜10Torrとなるよう導入し、前記両電
極間に200〜8000Vの直流電圧を印加して被処理
基体近傍に放電空間を形成するとともに、前記真
空容器の器壁を加熱して前記被処理基体表面に金
属化合物の被膜を形成することを特徴とする金属
化合物被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4571082A JPS58164777A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | 金属化合物被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4571082A JPS58164777A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | 金属化合物被膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58164777A JPS58164777A (ja) | 1983-09-29 |
| JPH0246668B2 true JPH0246668B2 (ja) | 1990-10-16 |
Family
ID=12726901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4571082A Granted JPS58164777A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | 金属化合物被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58164777A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5953837U (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-09 | 光洋機械産業株式会社 | セメントペ−スト用のミキサ− |
| JPS6328871A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-06 | Toshiba Corp | プラズマｃｖｄ処理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2811942C2 (de) * | 1977-03-23 | 1986-09-18 | Vide et Traitement S.A., Neuilly-en-Thelle | Ofen zur ionischen Nitrierbehandlung von metallischen Werkstücken |
-
1982
- 1982-03-24 JP JP4571082A patent/JPS58164777A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58164777A (ja) | 1983-09-29 |
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