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JPH0247864B2 - - Google Patents
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JPH0247864B2 - - Google Patents

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JPH0247864B2
JPH0247864B2 JP57039621A JP3962182A JPH0247864B2 JP H0247864 B2 JPH0247864 B2 JP H0247864B2 JP 57039621 A JP57039621 A JP 57039621A JP 3962182 A JP3962182 A JP 3962182A JP H0247864 B2 JPH0247864 B2 JP H0247864B2
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JP
Japan
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glass
integrated circuit
sio
weight
circuit device
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JP57039621A
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Emu Piaasu Jon
Ai Reeraa Uiriamu
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Fairchild Semiconductor Corp
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Fairchild Camera and Instrument Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路装置に関するものであつて、
更に詳細には、集積回路上に設けられた相互接続
体を被覆してガラス膜を設け表面を滑らかとした
集積回路に関する物である。相互接続体がアルミ
ニウム又はアルミニウムの合金から構成される場
合には、本発明は特に有用である。
集積回路上のアルミニウム相互接続体を被覆し
てガラス膜を設けることは公知である。しかしな
がら、従来のガラス膜はアルミニウムの溶融温度
よりも著しく高い温度で溶融するものであるか
ら、一度この様なガラス膜を形成すると、そのガ
ラス膜の表面形状は永久に固定され変えることが
出来ない。従つて、その様なガラス膜上に第２レ
ベル即ち第２層の相互接続部を形成する為にガラ
ス膜の表面を滑らかにしたい場合には、その下方
に存在するアルミニウムも溶融してしまう。この
様な問題を避ける為に、第１レベル即ち第１層の
相互接続体をアルミニウム以外の物質で形成し相
互接続リード部の上に形成される絶縁性ガラスの
溶融温度よりも高い溶融温度に選定することがし
ばしば行なわれる。しかしながら、この様な構成
とした場合には相互接続体のインピーダンスを上
昇させ回路の動作速度を低下させる。
本発明は以上の点に鑑み成されたものであつ
て、アルミニウムよりも低い溶融点温度を有する
ガラス組成を提供することを目的とする。
本発明の１特徴に拠れば、半導体装置に使用す
る低温度絶縁性ガラスを提供するものであつて、
前記絶縁性ガラスが、重量に於いて、30％乃至70
％のSiO2と、30％乃至70％のGeO2と、２％乃至
10％のP2O5との混合物を有するものである。本
発明の更に別の特徴に拠れば、集積回路装置を提
供するものであつて、前記集積回路装置が、半導
体部材と、前記半導体部材上に形成された絶縁体
と、前記絶縁体上に形成され前記絶縁体に設けら
れた開口を介して下方に存在する半導体部材と選
択的に接触されアルミニウムから構成された相互
接続リード部と、前記相互接続リード部の上に形
成されたガラス層とを有し、前記ガラス層がゲル
マニウムと、シリコンと、酸素と、リンとの混合
物を有することを特徴とするものである。
以下、本発明の具体的実施の態様に付き詳細に
説明する。本発明ガラスは、シリコンと、ゲルマ
ニウムと、酸素と、リンとの混合物を有するもの
である。本発明ガラスの組成は、好適には、重量
に於いて、約30％乃至70％のSiO2と、30％乃至
70％のGeO2と、２％乃至10％のP2O5の範囲の値
を有する。勿論、各成分の実際のパーセントは、
全成分の重量％の総和が100％となるように設定
される。組成がこれらの範囲内の値となるように
選定することによつて、本発明ガラスの溶融点乃
至は軟化点温度が十分に低く設定され、従つて本
発明ガラスの表面がガラスの下に形成したアルミ
ニウム相互接続体を損傷することなしにリフロー
（再流動）させることが可能である。本発明の各
成分の好適な組成範囲は、SiO2が45％乃至50％、
GeO2が50％乃至45％、P2O5が５％である。
本発明に於いては、本願米国特許出願と同時に
米国特許庁に出願された米国特許出願第243990号
に開示される如く、高出力を使用することによつ
て本発明ガラスの溶融点温度を更に低下させるこ
とが可能である。このようにフローを助長する為
に圧力を使用すると言うことは好ましい。何故な
らば、アルミニウム相互接続体を損傷を与えるこ
となしに加熱することが可能な最高温度（典型的
には、約540℃であるが、一般的には使用される
アルミニウム合金に依存して異なる）とを爾後の
処理に於いて使用される最高温度との間の温度範
囲が小さいからである。更に注意すべきことは、
合金サイクルやチツプ取付け等に関する後の工程
に於いてガラスが軟化することを避ける為にガラ
スの軟化点温度は十分に高い値に設定されるもの
でなければならない。従つて、ガラスの自然流が
アルミニウム合金の溶融点温度に極めて近似した
温度に於いて起こるように設定される。レーザ等
による温度パルス技術を使用した別の方法に於い
ては、ガラスとその下に存在する相互接続部との
間の温度差を適宜に維持することが可能であるの
で、ガラスをアルミニウム合金の溶融温度よりも
幾分高い温度に局所的に加熱して選択的にリフロ
ーさせることが可能であり、しかもその場合に下
方に存在するアルミニウム相互接続部に損傷を与
えることもない。
本発明ガラスは従来一般的に使用されているホ
スホシリケイトガラス（リンをドープした酸化シ
リコンガラス）にその性質が類似しているが、ホ
スホシリケイトガラスと比較すると著しく低い温
度でフロー（流動）する。従来のホスホシリケイ
トガラスをフローさせる為には極めて高い温度が
必要とされるので、アルミニウム又はポリイミド
（吸水性あり）のような有機絶縁物と共に使用す
ることが不可能であつた。
例えば、リンが存在しない場合に約1000℃でフ
ローする膜にリンを添加することにより、約900
℃でフローするようになる。更に、本発明に基づ
いて、ゲルマニウムを添加した場合には、約800
℃でフロー可能となる。従つて、ゲルマニウムの
添加によりフロー温度を約100℃低下させること
が可能である。
以上、本発明の具体的構成に付き詳細に説明し
たが、本発明はこれら具体例に限定されるべきも
のでなく、本発明の技術的範囲を逸脱することな
しに種々の変形が可能であることは勿論である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体装置に使用する低温度絶縁性ガラスに
    於いて、前記絶縁性ガラスが、重量に於いて、30
    ％乃至70％のSiO2，30％乃至70％のGeO2，２％
    乃至10％のP2O5の混合物を有することを特徴と
    するガラス。 ２ 上記第１項に於いて、前記ガラスが、重量に
    於いて、約45％乃至50％のSiO2、約50％乃至45
    ％のGeO2、約５％のP2O5からなる混合物を有す
    ることを特徴とするガラス。 ３ 集積回路装置に於いて、半導体部材と、前記
    半導体部材上に形成された絶縁体と、前記絶縁体
    上に形成されると共に前記絶縁体に設けられた開
    口を介してその下に存在する半導体部材と選択的
    に接触され且つアルミニウムで構成される相互接
    続リード部と、前記相互接続リード部の上に形成
    されたガラス層とを有し、前記ガラス層がゲルマ
    ニウムと、シリコンと、酸素と、リンとの混合物
    を有することを特徴とする集積回路装置。 ４ 上記第３項に於いて、前記ガラス層が実質的
    に滑らかな表面を有することを特徴とする集積回
    路装置。 ５ 上記第３項又は第４項に於いて、前記ガラス
    層が、重量に於いて、30％乃至70％のSiO2と、
    30％乃至70％のGeO2と、２％乃至10％のP2O5と
    の混合物を有することを特徴とする集積回路装
    置。 ６ 上記第５項に於いて、前記ガラス層が、重量
    に於いて、約45％乃至50％のSiO2と、約50％乃
    至45％のGeO2と、約５％のP2O5との混合物を有
    することを特徴とする集積回路装置。
JP57039621A 1981-03-16 1982-03-15 Low melting temperature glass for coating aluminum mutual connector of integrated circuit device Granted JPS57193038A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US24398881A 1981-03-16 1981-03-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57193038A JPS57193038A (en) 1982-11-27
JPH0247864B2 true JPH0247864B2 (ja) 1990-10-23

Family

ID=22920942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57039621A Granted JPS57193038A (en) 1981-03-16 1982-03-15 Low melting temperature glass for coating aluminum mutual connector of integrated circuit device

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0060784B1 (ja)
JP (1) JPS57193038A (ja)
CA (1) CA1200971A (ja)
DE (1) DE3264723D1 (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
EP0060784A1 (en) 1982-09-22
EP0060784B1 (en) 1985-07-17
JPS57193038A (en) 1982-11-27
DE3264723D1 (en) 1985-08-22
CA1200971A (en) 1986-02-25

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