JPH0249009B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0249009B2 JPH0249009B2 JP58131997A JP13199783A JPH0249009B2 JP H0249009 B2 JPH0249009 B2 JP H0249009B2 JP 58131997 A JP58131997 A JP 58131997A JP 13199783 A JP13199783 A JP 13199783A JP H0249009 B2 JPH0249009 B2 JP H0249009B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- discharge
- plasma
- electrode
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
- H10F71/103—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material including only Group IV materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はプラズマ放電を用いて加工したり、あ
るいは、プラズマ放電を用いて物質を被着したり
する装置に関する。
るいは、プラズマ放電を用いて物質を被着したり
する装置に関する。
プラズマ放電を用いて加工したり、物質を被着
する従来の装置として平行平板の電極を用いるも
のがある。この装置は一対の平板電極の一方の電
極上に試料を載置して加工や被着を行うものであ
るが、放電電極が試料に比べて大きいため、放電
により電極から飛散する不純物が試料を汚染し、
そのため、試料の特性が劣化することが多い。特
に、従来の装置を用いてアモルフアスシリコン太
陽電池の動作層をCVDで成膜する場合、この放
電々極からの汚染によつて良好な特性の電池が得
られないことが多かつた。電極からのかかる汚染
を軽減するため、放電々極を装置から時々取はず
して洗滌するが、取はずしが容易でなく時間がか
かる上に、洗滌も容易でないと云う欠点があつ
た。
する従来の装置として平行平板の電極を用いるも
のがある。この装置は一対の平板電極の一方の電
極上に試料を載置して加工や被着を行うものであ
るが、放電電極が試料に比べて大きいため、放電
により電極から飛散する不純物が試料を汚染し、
そのため、試料の特性が劣化することが多い。特
に、従来の装置を用いてアモルフアスシリコン太
陽電池の動作層をCVDで成膜する場合、この放
電々極からの汚染によつて良好な特性の電池が得
られないことが多かつた。電極からのかかる汚染
を軽減するため、放電々極を装置から時々取はず
して洗滌するが、取はずしが容易でなく時間がか
かる上に、洗滌も容易でないと云う欠点があつ
た。
本発明の目的は、上記従来の問題点を解決し、
試料の汚染が少なく、かつ、電極取外の容易なプ
ラズマ利用装置を提供することである。
試料の汚染が少なく、かつ、電極取外の容易なプ
ラズマ利用装置を提供することである。
本発明は、プラズマ放電を用いる装置におい
て、汚染の原因は放電プラズマと接している面か
らの不純物の発散であると云う新しい知見にもと
づいてなされたものである。従つて、放電電極は
試料を支持できる最小面積のものとし、しかも、
容易に取はずしができて洗滌ができる構造とした
ものである。
て、汚染の原因は放電プラズマと接している面か
らの不純物の発散であると云う新しい知見にもと
づいてなされたものである。従つて、放電電極は
試料を支持できる最小面積のものとし、しかも、
容易に取はずしができて洗滌ができる構造とした
ものである。
実施例 １
本発明の実施例を第１図〜第３図に示す。第１
図はプラズマCVD装置反応部の横断面図、第２
図は電極および基板ホルダー装着部の構成図、第
３図は基板ホルダーの構造を示す。
図はプラズマCVD装置反応部の横断面図、第２
図は電極および基板ホルダー装着部の構成図、第
３図は基板ホルダーの構造を示す。
本装置を用いてアモルフアスSi太陽電池を以下
のごとく作製した。まず、基板ホルダー４上に基
板５を装着し、これを高周波電源Ｅに結ばれてい
る露出電極６に引掛けて第１図のごとく炉心管の
中に入れる。基板５は電気炉１により250℃に加
熱されている。炉心管を10-3Torrに真空排気後、
モノシラン（100％SiH4）50c.c.／分とジボラン
（１％B2H6／H2）100c.c.／分流して1Torrとし、
高周波電圧を第２図のごとく電極リード線８に印
加する。これにより基板ホルダーと兼用している
電極４の間にプラズマを発生させてｐ形アモルフ
アスSi層を20nｍ形成する。続いてモノシランの
みを流して同ｉ形層を500nｍを形成し、最後に
モノシランとホスフイン（１％PH3／H2）100
c.c.／分を流してｎ形層を10nｍ形成し反応炉から
取り出す。その後、ｎ層表面に透明導電膜として
ITO（インジウム、錫酸化物）を100nｍ蒸着して
pin構造の太陽電池を製造した。この太陽電池を
AM1、100ｍＷ／cm2の擬似太陽光を用いて特性を
測定したところ、開放電圧0.88V、短絡電流12ｍ
Ａ／cm2、光電変換効率6.5％を得た。
のごとく作製した。まず、基板ホルダー４上に基
板５を装着し、これを高周波電源Ｅに結ばれてい
る露出電極６に引掛けて第１図のごとく炉心管の
中に入れる。基板５は電気炉１により250℃に加
熱されている。炉心管を10-3Torrに真空排気後、
モノシラン（100％SiH4）50c.c.／分とジボラン
（１％B2H6／H2）100c.c.／分流して1Torrとし、
高周波電圧を第２図のごとく電極リード線８に印
加する。これにより基板ホルダーと兼用している
電極４の間にプラズマを発生させてｐ形アモルフ
アスSi層を20nｍ形成する。続いてモノシランの
みを流して同ｉ形層を500nｍを形成し、最後に
モノシランとホスフイン（１％PH3／H2）100
c.c.／分を流してｎ形層を10nｍ形成し反応炉から
取り出す。その後、ｎ層表面に透明導電膜として
ITO（インジウム、錫酸化物）を100nｍ蒸着して
pin構造の太陽電池を製造した。この太陽電池を
AM1、100ｍＷ／cm2の擬似太陽光を用いて特性を
測定したところ、開放電圧0.88V、短絡電流12ｍ
Ａ／cm2、光電変換効率6.5％を得た。
実施例 ２
第４図に示す基板ホルダー装着部を用い、電極
露出部６に第３図の基板５を装着した基板ホルダ
ー４を引掛け、第１図に示すごとくプラズマ
CVD装置反応部に設置する。実施例１と同様な
方法でアモルフアスSi太陽電池を試作したとこ
ろ、AM1擬似太陽光100ｍＷ／cm2で、光電変換効
率6.4％を得ることができた。
露出部６に第３図の基板５を装着した基板ホルダ
ー４を引掛け、第１図に示すごとくプラズマ
CVD装置反応部に設置する。実施例１と同様な
方法でアモルフアスSi太陽電池を試作したとこ
ろ、AM1擬似太陽光100ｍＷ／cm2で、光電変換効
率6.4％を得ることができた。
実施例 ３
実施例１で基板ホルダーの１部をシリコン結晶
板で作り、実施例と同様な方法でpin構造のアモ
ルフアスSi太陽電池を試作したところ、光電変換
効率7.0％を得た。
板で作り、実施例と同様な方法でpin構造のアモ
ルフアスSi太陽電池を試作したところ、光電変換
効率7.0％を得た。
本発明によれば、不純物汚染の原因となる電極
部を最小限に小さくできるので、電極から発生す
る不純物による形成アモルフアス膜の特性劣化が
少ない。また、放電がこの限られた電極部分に限
定されるため、放電に寄因して発生する物質の飛
着が少ないので、この被着物からの汚染やドーピ
ングを極めて少さくできる。
部を最小限に小さくできるので、電極から発生す
る不純物による形成アモルフアス膜の特性劣化が
少ない。また、放電がこの限られた電極部分に限
定されるため、放電に寄因して発生する物質の飛
着が少ないので、この被着物からの汚染やドーピ
ングを極めて少さくできる。
さらに、この放電々極は基板ともに取りはずす
ことができるので、電極に被着した物質を毎回洗
滌することができ、常に放電々極を清洗に保つこ
とが容易にできる。
ことができるので、電極に被着した物質を毎回洗
滌することができ、常に放電々極を清洗に保つこ
とが容易にできる。
プラズマ放電によつてアモルフアスSiを作る場
合、放電をしている電極からの汚染による形成膜
劣化が太陽電池の光電変換効率を低下させる主な
原因であることが分つたので、本発明を用いるこ
とにより変換効率の高いものが得られる。
合、放電をしている電極からの汚染による形成膜
劣化が太陽電池の光電変換効率を低下させる主な
原因であることが分つたので、本発明を用いるこ
とにより変換効率の高いものが得られる。
第１図乃至第４図は本発明の一実施例を説明す
るための図である。 １……電気炉、２……反応管、３……装着部
枠、４……基板ホルダー、５……基板、６……放
電々極、７……石英管に埋込んだ電極リード線、
８……高周波電源リード線。
るための図である。 １……電気炉、２……反応管、３……装着部
枠、４……基板ホルダー、５……基板、６……放
電々極、７……石英管に埋込んだ電極リード線、
８……高周波電源リード線。
Claims (1)
- １ それぞれ一方の側に処理すべき基板が装着さ
れ、かつ屈曲部を有する基板ホルダーを、上記基
板が対向するように上記屈曲部をそれぞれ線状の
放電電極に引つかけて配置し、上記放電々極に高
周波電圧を印加してプラズマを発生することによ
つて上記基板を上記プラズマで加工するプラズマ
利用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131997A JPS6025224A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | プラズマ利用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131997A JPS6025224A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | プラズマ利用装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025224A JPS6025224A (ja) | 1985-02-08 |
| JPH0249009B2 true JPH0249009B2 (ja) | 1990-10-26 |
Family
ID=15071136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58131997A Granted JPS6025224A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | プラズマ利用装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025224A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2904777C (en) | 2012-11-08 | 2023-04-04 | Delaware Capital Formation, Inc. | Cross contamination control systems with fluid product id sensors |
-
1983
- 1983-07-21 JP JP58131997A patent/JPS6025224A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6025224A (ja) | 1985-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1641888B (zh) | 光电器件 | |
| US7164150B2 (en) | Photovoltaic device and manufacturing method thereof | |
| CN104538464B (zh) | 一种硅异质结太阳能电池及其制作方法 | |
| JPH05243596A (ja) | 積層型太陽電池の製造方法 | |
| JPH02158175A (ja) | 光導電素子を製造する方法 | |
| CN108110079A (zh) | 异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| JP2020017763A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| CN114889315A (zh) | 丝网印刷版组、丝印方法及异质结太阳能电池的制备方法 | |
| JP4091310B2 (ja) | シリコン薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP5496479B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN103035773B (zh) | 光电转换装置 | |
| CN104521002B (zh) | 太阳能电池的制造方法 | |
| JPH0249009B2 (ja) | ||
| CN107393996A (zh) | 异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| JPH0864850A (ja) | 薄膜太陽電池及びその製造方法 | |
| CN102280501B (zh) | 一种硅基埋栅薄膜太阳能电池 | |
| JP2001345463A (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JP2841335B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS62209871A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2004296550A (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
| JP2000312014A (ja) | 薄膜光電変換装置 | |
| JP3172368B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JP3358164B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP3272222B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2011243726A (ja) | 太陽電池の製造方法 |