JPH0249279B2 - KISOSEICHOSOCHI - Google Patents
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- JPH0249279B2 JPH0249279B2 JP20947484A JP20947484A JPH0249279B2 JP H0249279 B2 JPH0249279 B2 JP H0249279B2 JP 20947484 A JP20947484 A JP 20947484A JP 20947484 A JP20947484 A JP 20947484A JP H0249279 B2 JPH0249279 B2 JP H0249279B2
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Links
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 claims description 20
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 11
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はシリコン等の半導体物質基板（以下ウ
エハという）にシリコン結晶等を気相成長させる
ランプ加熱によるバレル型の気相成長装置に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field to which the Invention Pertains] The present invention relates to a barrel-type vapor phase growth apparatus using lamp heating for vapor phase growing silicon crystals and the like on a semiconductor material substrate (hereinafter referred to as a wafer) such as silicon.
従来実用化されているランプ加熱によるバレル
型の気相成長装置はサセプタを回転させる回転軸
の駆動源が上方であり、この駆動源と共にサセプ
タを反応管およびその周囲に配列されているラン
プハウスに対して上昇させてウエハの出入を行な
うようになつているが回転部からのゴミがウエハ
に落下する欠点があつた。他方、回転軸の駆動部
を下方に設けたものも提案されているが、この方
式はウエハ出入のためベル形の反応管すなわちベ
ルジヤを上下動させる必要があるため、ベルジヤ
上部の構造的な面からベルジヤ頂部の冷却が行な
い難く、このため、ベルジヤ頂部にウオールデボ
が発生しこのウオールデポがウエハに落下して良
好な気相成長が不可能であるなどの欠点により実
用化されていなかつた。
In the conventional barrel-type vapor phase growth apparatus that uses lamp heating, the driving source for the rotating shaft that rotates the susceptor is located above, and together with this driving source, the susceptor is connected to the reaction tube and the lamp house arranged around it. On the other hand, the wafers are moved in and out by being lifted up, but this has the drawback that dust from the rotating part falls onto the wafers. On the other hand, a system in which the drive part of the rotating shaft is provided below has been proposed, but this method requires the bell-shaped reaction tube, that is, the bell gear, to be moved up and down to take in and take out the wafer, so the structural aspect of the upper part of the bell gear has to be avoided. Because of this, it is difficult to cool the top of the bell gear, and as a result, wall deposits occur at the top of the bell gear, and these wall deposits fall onto the wafer, making good vapor phase growth impossible. This has not been put into practical use.
本発明はこのような欠点を除去したものでその
目的は、サセプタ回転軸の駆動源を下方に設置す
る方式において、ベルシヤの開閉性を阻害するこ
となく、ベルジヤの頂部に冷風を吹きつけてウオ
ールデボを押えられるようにした気相成長装置を
提供することにある。
The present invention eliminates these drawbacks, and its purpose is to blow cold air onto the top of the bell gear to prevent wall deformation in a method in which the drive source of the susceptor rotating shaft is installed below, without interfering with the ability to open and close the bell gear. An object of the present invention is to provide a vapor phase growth apparatus capable of suppressing.
本発明の気相成長装置は、ベースプレートと、
同ベースプレートを貫通して上方に伸びる回転軸
と、同回転軸に取付けられたバレル型のサセプタ
組立体と、下端が前記ベースプレートに密封可能
になされ前記サセプタ組立体の周囲に反応室を形
成するベルジヤと、同ベルシヤの側部外方を取巻
いて位置しサセプタ組立体のサセプタに対向すべ
く設けられた複数のランプハウスと、同ランプハ
ウスの上部に位置し前記ベルジヤの上部外方をお
おう冷却流体供給部と、同冷却流体供給部および
前記ベルジヤをそれぞれ連結した昇降機構とから
なることを特徴にしている。
The vapor phase growth apparatus of the present invention includes a base plate,
a rotating shaft extending upward through the base plate; a barrel-shaped susceptor assembly attached to the rotating shaft; and a bell gear whose lower end is sealable to the base plate and forming a reaction chamber around the susceptor assembly. a plurality of lamp houses located around the outer sides of the bell gear and provided to face the susceptor of the susceptor assembly; and a cooling lamp house located above the lamp house and covering the upper outer side of the bell gear. It is characterized by comprising a fluid supply section, and an elevating mechanism that connects the cooling fluid supply section and the bell gear, respectively.
以下本発明の一実施例を示した図について説明
する。第１図においてサセプタ組立体１１は複数
枚の短冊状をしたサセプタが多角形状に配置され
ると共に、軸心に対し勾配を有しかつ上面および
下面はフタ状体によりおおわれておりその外周に
は多数のウエハ１２が取付けてある。サセプタ組
立体１１は上下のフタ状体に固着したセラミツク
ス等の非金属製かつ中空の回転軸１３により両方
向へ回転されるようになされており、その外周お
よび上方は石英製のベルジヤ１４によりおおわれ
ている。
A diagram showing an embodiment of the present invention will be described below. In FIG. 1, the susceptor assembly 11 has a plurality of strip-shaped susceptors arranged in a polygonal shape, and has a slope with respect to the axis, and the upper and lower surfaces are covered with a lid-like body, and the outer periphery is covered with a lid-like body. A large number of wafers 12 are attached. The susceptor assembly 11 is configured to be rotated in both directions by a hollow rotating shaft 13 made of non-metallic material such as ceramics, which is fixed to the upper and lower lid-like bodies, and its outer periphery and upper part are covered with a bell gear 14 made of quartz. There is.
ベルジヤ１４の下方にはこれと同心かつサセプ
タ組立体１１の回転を妨げない近接したわずかな
隙間を有する位置に石英製の円筒体１５があり、
ベルジヤ１４および円筒体１５は共にステンレス
鋼製のベースプレート１６上に密接した状態で載
置されている。なお円筒体１５はサセプタ組立体
１１の下端に固着しベースプレート１６に対しわ
ずかな隙間をもつて対向するようにしてもよい。
そしてベルジヤ１４とサセプタ組立体１１および
円筒体１５により形成される空間を反応室とい
い、回転軸１３はベースプレート１６を気密に貫
通している。ベルジヤ１４の下側内周と円筒体１
５の下側外周との間にはベースプレート１６の表
面から金属イオンの放出を阻止するため石英リン
グ１９Ａが敷かれており、この石英リング１９Ａ
とベースプレート１６には反応室のガスを外部に
排出するための孔１９Ｂがあけてある。 Below the bell gear 14, there is a cylindrical body 15 made of quartz located concentrically with the bell gear 14 and close to it with a slight gap that does not impede the rotation of the susceptor assembly 11.
Both the bell gear 14 and the cylindrical body 15 are mounted in close contact on a base plate 16 made of stainless steel. Note that the cylindrical body 15 may be fixed to the lower end of the susceptor assembly 11 and may be opposed to the base plate 16 with a slight gap therebetween.
The space formed by the bell gear 14, the susceptor assembly 11, and the cylindrical body 15 is called a reaction chamber, and the rotating shaft 13 passes through the base plate 16 in an airtight manner. Lower inner circumference of bell gear 14 and cylindrical body 1
A quartz ring 19A is placed between the lower outer periphery of the base plate 16 and the lower outer periphery of the base plate 16 to prevent metal ions from being released from the surface of the base plate 16.
The base plate 16 is provided with a hole 19B for discharging gas from the reaction chamber to the outside.
回転軸１３の中心にはそれぞれ固定の内管１７
および外管１８の２重管が設けられ、内管１７か
らはN2或いはN2のガスが上方に向つて流れ外管
１８は上端で複数（図では２本にも示してある）
に分岐してノズル１８Ａになつて下方にあるウエ
ハ１２に向つて反応ガスが流れるようになつてい
る。なお反応ガスの流れの細部は後述する。 At the center of the rotating shaft 13 is a fixed inner tube 17.
A double pipe of an outer pipe 18 and an outer pipe 18 is provided, and N2 or N2 gas flows upward from the inner pipe 17. There are a plurality of outer pipes 18 at the upper end (two pipes are also shown in the figure).
The nozzle 18A branches into a nozzle 18A, through which the reaction gas flows toward the wafer 12 located below. Note that the details of the flow of the reaction gas will be described later.
ベルジヤ１４の下部外周には、これを取り囲
み、ベースプレート１６の外周に配置されたベー
ス２０とによりベルジヤ１４側のみを開放した排
気ダクト２１設けられ、この排気ダクト２１は第
２図に示す排気管２２に接続されている。排気ダ
クト２１上には、多数のランプ２３を有するラン
プハウス２４が、第２図に示すように、ベルジヤ
１４を取り囲んで配置されている。ランプハウス
２４の背面側にはＡ冷却流体供給部２５が形成さ
れ、Ａ冷却流体供給部２５には不図示の送風機お
よび冷却機からの冷却空気が吹き込まれ、冷却空
気はランプ２３側に多数設けられた孔２６からラ
ンプ２３およびベルジヤ１４に吹きつけられてこ
れらを冷却するようになつている。ベース２０に
は排気ダクト２１に隣接して昇降および回転機構
２８が設けてあり、同機構２８は上端に腕２９が
固着され、腕２９の先端は把持具３０によりベル
ジヤ１４の頂部に固着した把持部３１を離脱可能
に把持している。また腕２９の先端は把持具３２
によりＢ冷却流体供給部３３を取付けている。Ｂ
冷却流体供給部３３の下端はランプハウス２４の
上面に載置されると共に、その内壁３４には多数
の孔３５があけられているためＡ冷却流体供給部
２５と同様に冷却空気がベルジヤ１４の上部に吹
きつけられる。ここでベルジヤ１４とＢ冷却流体
供給部３３とは腕２９に取付けられているため、
同時に昇降可能であり、ベルジヤ１４の下面がノ
ズル１８Ａの上方まで上昇した後は腕２９を旋回
させることによりベルジヤ１４およびＢ冷却流体
供給部３３を側方へ旋回することが可能になつて
いる。 An exhaust duct 21 is provided on the outer periphery of the lower part of the bell gear 14, surrounding it and opening only the bell gear 14 side by means of a base 20 disposed on the outer periphery of the base plate 16, and this exhaust duct 21 is connected to an exhaust pipe 22 shown in FIG. It is connected to the. A lamp house 24 having a large number of lamps 23 is arranged on the exhaust duct 21, surrounding the bell gear 14, as shown in FIG. A cooling fluid supply section 25 is formed on the back side of the lamp house 24. Cooling air from a blower and a cooler (not shown) is blown into the A cooling fluid supply section 25, and a large number of cooling airs are provided on the lamp 23 side. The air is blown onto the lamp 23 and the bell gear 14 through the hole 26, thereby cooling them. The base 20 is provided with an elevating and rotating mechanism 28 adjacent to the exhaust duct 21 , and an arm 29 is fixed to the upper end of the mechanism 28 . The part 31 is gripped in a removable manner. Also, the tip of the arm 29 has a gripping tool 32.
The B cooling fluid supply section 33 is attached. B
The lower end of the cooling fluid supply section 33 is placed on the upper surface of the lamp house 24, and the inner wall 34 is provided with a number of holes 35, so that cooling air is supplied to the bell gear 14 in the same way as the A cooling fluid supply section 25. Sprayed on top. Here, since the bell gear 14 and the B cooling fluid supply section 33 are attached to the arm 29,
It can be raised and lowered at the same time, and after the lower surface of the bell gear 14 rises above the nozzle 18A, by rotating the arm 29, the bell gear 14 and the B cooling fluid supply section 33 can be turned laterally.
第２図おいて、下側左右それぞれ２個のランプ
ハウス２４は端部ＡおよびＢが互いに回転自在に
連結され、下側中央は切離されるようになつてお
り、同図に点線で示した位置に移動可能になつて
いる。 In Fig. 2, the two lamp houses 24 on the lower left and right sides are rotatably connected to each other at their ends A and B, and separated at the lower center, as indicated by dotted lines in the figure. It is now possible to move into position.
ＡおよびＢ冷却流体供給部２５および３３から
吹き出された冷却空気はベルジヤ１４の外周およ
びランプ２３を冷却しながら下降し、排気ダクト
２１内に入つた後、図の上方に示した排気管２２
から外部に強制的に排出される。反応ガスの流れ
るノズル１８Ａは図に示すようにこの例では放射
状に８本設けてあり、先端近くには下向きの孔３
６（第１図参照）が１個あけてあり、かつこの孔
３６は８本のノズル１８Ａの２本或いは４本を組
にして回転軸１３の軸心からの距離を変えること
により、軸心に対し勾配を有するサセプタ組立体
１１上の軸心からの距離を異なるウエハ１２の
各々に対応して反応ガスが噴出するようにしてあ
る。或いはこの構成のほかノズル１８Ａの２本を
組にしてそれぞれの先端近くに孔３６を互いに向
き合う形で傾斜して設けることにより、噴出した
２つの反応ガスの流れが衝突して下向きの広いガ
ス流を形成するようにしてもよい。 The cooling air blown from the A and B cooling fluid supply sections 25 and 33 descends while cooling the outer periphery of the bell gear 14 and the lamp 23, enters the exhaust duct 21, and then flows into the exhaust pipe 22 shown in the upper part of the figure.
is forcibly discharged to the outside. As shown in the figure, eight nozzles 18A through which the reaction gas flows are provided radially in this example, and there are downward holes 3 near the tips.
6 (see Fig. 1), and this hole 36 can be adjusted by changing the distance from the axis of the rotating shaft 13 by combining two or four of the eight nozzles 18A. The reaction gas is ejected to correspond to each wafer 12 having a different distance from the axis on the susceptor assembly 11 having a slope. Alternatively, in addition to this configuration, by making two nozzles 18A into a set and providing the holes 36 near the tips of each at an angle so as to face each other, the two streams of ejected reaction gas collide, creating a wide downward gas stream. may be formed.
次に前述した実施例の動作を説明する。昇降等
の機構２８によりベルジヤ１４とＢ冷却流体供給
部３３を上昇させ、次いでランプハウス２４を第
２図の点線で示す位置まで開いた後ウエハ１２を
サセプタ組立体１１に取付ける。この後昇降等の
機構２８によりベルジヤ１４とＢ冷却流体供給部
３３を下降させて第１図の状態にする。この状態
で内管１７と外管１８からN2ガスを噴出して空
気をパージし、空気のパージが終了した後、H2
ガスにより前記N2ガスをパージし、次いでラン
プ２３により加熱する。加熱によりウエハ１２が
所定温度に達すると外管１８従つてノズル１８Ａ
からH2ガスと共にシラン等の反応ガスを噴出さ
せることにより気相成長を行なう。 Next, the operation of the embodiment described above will be explained. The bell gear 14 and the B cooling fluid supply section 33 are raised by a lifting mechanism 28, and then the lamp house 24 is opened to the position shown by the dotted line in FIG. 2, and then the wafer 12 is attached to the susceptor assembly 11. Thereafter, the bell gear 14 and the B cooling fluid supply section 33 are lowered by the elevating mechanism 28 to the state shown in FIG. 1. In this state, N2 gas is ejected from the inner tube 17 and outer tube 18 to purge the air, and after the air purge is completed, H2
The N2 gas is purged with gas and then heated with lamp 23. When the wafer 12 reaches a predetermined temperature by heating, the outer tube 18 and the nozzle 18A
Vapor phase growth is performed by blowing out a reactive gas such as silane along with H2 gas from the substrate.
このとき内管１７からはそのままH2ガスを噴
出させることによりベルジヤ１４の上部空間を
H2ガスが充満せしめ、もつてベルジヤ１４の上
部壁面の冷却と上部壁面への反応ガスの接触を阻
止する。そしてこれらのガスはベースプレート１
６の穴１９Ｂから排出される。このときサセプタ
組立体１１とベースプレート１６の間に円筒体１
５があるためガスがサセプタ組立体１１の下部に
回り込んでゴミを舞い上げたり、ベルジヤ１４内
のガス流を乱したりすることなく円滑に排出され
る。ランプ２３による加熱と同時に送風機および
冷却機からの冷却室気は、ＡおよびＢ冷却流体供
給部２５および３３の孔２６および３５を通つて
ベルジヤ１４およびランプ２３に吹きつけられ、
ランプ２３とベルジヤ１４を冷却した後ベルジヤ
１４に沿つて下降し、排気ダクト２１から排気管
２２により強制的に排気される。この風量は石英
ベルジヤ１４の大きさによるが数10m2／分から数
100m3／分と極めて大量であるが、排気ダクト２
１はベルジヤ１４の下方を囲んで円周上に大きい
ため排気抵抗は小さく排気管２２から吸引するこ
とにより円滑な排気が可能である。 At this time, the upper space of the bell gear 14 is cleared by blowing out H2 gas directly from the inner pipe 17.
The chamber is filled with H2 gas, thereby preventing cooling of the upper wall surface of the bell gear 14 and preventing reaction gas from coming into contact with the upper wall surface. And these gases are connected to base plate 1
6 is discharged from hole 19B. At this time, the cylindrical body 1 is placed between the susceptor assembly 11 and the base plate 16.
5, the gas is smoothly discharged without going around to the lower part of the susceptor assembly 11 and kicking up dust or disturbing the gas flow inside the bell gear 14. Simultaneously with the heating by the lamp 23, the cooling chamber air from the blower and cooler is blown onto the bell gear 14 and the lamp 23 through the holes 26 and 35 of the A and B cooling fluid supplies 25 and 33,
After cooling the lamp 23 and the bell gear 14, it descends along the bell gear 14 and is forcibly exhausted from the exhaust duct 21 through the exhaust pipe 22. This air volume depends on the size of the quartz bellgear 14, but it is several tens of m2 /minute.
Although it is extremely large at 100m 3 /min, the exhaust duct 2
1 surrounds the lower part of the bell gear 14 and is large on the circumference, so the exhaust resistance is small and suction from the exhaust pipe 22 allows smooth exhaust.
一定時間気相成長が行われた後ランプ２３を消
して加熱を停止すると共に、両管１７および１８
からH2ガスのみを噴出させて反応ガスのパージ
が行いながらベルジヤ１４を介してウエハ１２を
冷却し、次いでH2ガスを停止してN2ガスを噴出
することによりベルジヤ１４内をN2ガスにする。
最後にベルジヤ１４等を昇降等の機構２８により
上昇させると共に、ランプハウス２４を開いてウ
エハ１２を取り出せば一連の気相成長作業は終了
する。なおベルジヤ１４の洗浄が必要な場合はベ
ルジヤ１４を上昇後昇降および回転機構２８によ
り側方へ旋回させた後、下降させて台（図示せ
ず）上に着床させ、ベルジヤ１４を把持具３０か
ら離脱して洗浄する。 After vapor phase growth has been performed for a certain period of time, the lamp 23 is turned off to stop heating, and both tubes 17 and 18 are turned off.
The wafer 12 is cooled through the bell gear 14 while purging the reaction gas by blowing out only H2 gas, and then the inside of the bell gear 14 is turned into N2 gas by stopping the H2 gas and blowing out N2 gas.
Finally, the bell gear 14 and the like are raised by a lifting mechanism 28, the lamp house 24 is opened, and the wafer 12 is taken out, thereby completing the series of vapor phase growth operations. If cleaning of the bell gear 14 is necessary, the bell gear 14 is raised, then rotated to the side by the lifting/lowering and rotation mechanism 28, and then lowered to land on a table (not shown), and the bell gear 14 is moved to the gripping tool 30. Remove and wash.
本発明の気相成長装置は以上説明したように、
ベースプレートを貫通して上方に伸びる回転軸に
取付けたバレル型のサセプタ組立体と、このサセ
プタ組立体の周囲に反応室を形成するベルジヤ
と、ベルジヤ側部外方に取巻くランプハウスと、
ランプハウスの上部に位置してベルジヤの上部外
方を冷却するＢ冷却流体供給部と、このＢ冷却流
体供給部とベルジヤをそれぞれ連結した昇降機構
等を主な構成要件にしている。
As explained above, the vapor phase growth apparatus of the present invention has the following features:
a barrel-shaped susceptor assembly attached to a rotating shaft extending upwardly through the base plate; a bell gear forming a reaction chamber around the susceptor assembly; a lamp house surrounding the outside of the bell gear;
The main components include a cooling fluid supply section B located at the top of the lamp house and cooling the outside of the upper part of the bell gear, and a lifting mechanism that connects the cooling fluid supply section B and the bell gear, respectively.
この構成によりサセプタ組立体を回哲させる回
転軸の駆動源は下方にあるため回転部からのゴミ
の落下はなくなると共に、ベルジヤの側面はもち
ろん上部がＢ冷却流体供給部からの冷風によつて
冷却されウオールデボの発生がなくなつて良好な
気相成長が行われるようになつた。なお、Ｂ冷却
流体供給部はベルジヤと共に昇降させるため、操
作は特に複雑にならず、またＢ冷却流体供給部に
よりベルジヤ上方のしや光が行なわれるため、人
や装置に対する環境を改善することもできる。 With this configuration, the drive source of the rotating shaft that rotates the susceptor assembly is located below, so there is no possibility of dirt falling from the rotating part, and the sides and top of the bell gear are cooled by the cold air from the cooling fluid supply section B. As a result, the occurrence of wall deformation was eliminated and good vapor phase growth was achieved. Since the B cooling fluid supply section is raised and lowered together with the bell gear, the operation is not particularly complicated, and since the B cooling fluid supply section illuminates the area above the bell gear, the environment for people and equipment can be improved. can.
図は本発明の一実施例を示し第１図は断面図、
第２図は第１図の２−２線断面図である。
１１……サセプタ組立体、１２……ウエハ、１
３……回転軸、１４……ベルジヤ、１５……円筒
体、１６……ベースプレート、１７……内管、１
８……外管、２３……ランプ、２４……ランプハ
ウス、２５，３３……冷却流体供給部、２８……
昇降および回転機構。
The figures show one embodiment of the present invention, and FIG. 1 is a sectional view;
FIG. 2 is a sectional view taken along line 2-2 in FIG. 1. 11... Susceptor assembly, 12... Wafer, 1
3...Rotating shaft, 14...Belgear, 15...Cylindrical body, 16...Base plate, 17...Inner tube, 1
8... Outer tube, 23... Lamp, 24... Lamp house, 25, 33... Cooling fluid supply section, 28...
Lifting and rotation mechanism.
Claims (1)
して上方に伸びる回転軸と、同回転軸に取付けら
れたパレル型のサセプタ組立体と、下端が前記ベ
ースプレートに密封可能になされ前記サセプタ組
立体の周囲に反応室を形成するベルジヤと、同ベ
ルジヤの側部外方を取巻いて位置しサセプタ組立
体のサセプタに対向すべく設けられた複数のラン
プハウスと、同ランプハウスの上部に位置し前記
ベルジヤの上部外方をおおう冷却流体供給部と、
同冷却流体供給部および前記ベルジヤをそれぞれ
連結した昇降機構とからなる気相成長装置。 ２ 一部のランプハウスが外方へ開き得るように
取付けられていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の気相成長装置。 ３ ベースプレートとランプハウスの間がベルジ
ヤ周囲に対する排気ダクトを形成するように構成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
または２項記載の気相成長装置。[Scope of Claims] 1. A base plate, a rotating shaft extending upward through the base plate, a parallel-type susceptor assembly attached to the rotating shaft, and a lower end of the susceptor assembly whose lower end is sealable to the base plate. A bell gear forming a reaction chamber around the three-dimensional object, a plurality of lamp houses located around the outside of the side of the bell gear and provided to face the susceptor of the susceptor assembly, and a plurality of lamp houses located above the lamp house. and a cooling fluid supply section that covers the outside of the upper part of the bell gear;
A vapor phase growth apparatus comprising a lifting mechanism connected to the cooling fluid supply section and the bell gear. 2. The vapor phase growth apparatus according to claim 1, wherein a part of the lamp house is installed so as to be able to open outward. 3. Claim 1, characterized in that the space between the base plate and the lamp house is configured to form an exhaust duct for the surroundings of the bell gear.
Or the vapor phase growth apparatus described in item 2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20947484A JPH0249279B2 (en) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | KISOSEICHOSOCHI |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20947484A JPH0249279B2 (en) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | KISOSEICHOSOCHI |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6186494A JPS6186494A (en) | 1986-05-01 |
| JPH0249279B2 true JPH0249279B2 (en) | 1990-10-29 |
Family
ID=16573448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20947484A Expired - Lifetime JPH0249279B2 (en) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | KISOSEICHOSOCHI |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0249279B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0830273B2 (en) * | 1986-07-10 | 1996-03-27 | 株式会社東芝 | Thin film forming method and apparatus |
| US8540818B2 (en) * | 2009-04-28 | 2013-09-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon reactor |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP20947484A patent/JPH0249279B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6186494A (en) | 1986-05-01 |
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