JPH024980B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH024980B2 JPH024980B2 JP9484781A JP9484781A JPH024980B2 JP H024980 B2 JPH024980 B2 JP H024980B2 JP 9484781 A JP9484781 A JP 9484781A JP 9484781 A JP9484781 A JP 9484781A JP H024980 B2 JPH024980 B2 JP H024980B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- ion pump
- cathode
- sputter
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 claims description 30
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 12
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 5
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102000006391 Ion Pumps Human genes 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J41/00—Discharge tubes for measuring pressure of introduced gas or for detecting presence of gas; Discharge tubes for evacuation by diffusion of ions
- H01J41/12—Discharge tubes for evacuating by diffusion of ions, e.g. ion pumps, getter ion pumps
- H01J41/18—Discharge tubes for evacuating by diffusion of ions, e.g. ion pumps, getter ion pumps with ionisation by means of cold cathodes
- H01J41/20—Discharge tubes for evacuating by diffusion of ions, e.g. ion pumps, getter ion pumps with ionisation by means of cold cathodes using gettering substances
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スパツタイオンポンプ、就中新規な
構造の三極形イオンポンプに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a sputter ion pump, particularly to a triode ion pump having a novel structure.
イオンポンプは、磁場中冷陰極放電を利用して
オイルフリーな真空を作ることのできる真空ポン
プで、高温あるいは極低温部分や機械的運動を必
要としない特徴があり、真空の質を問題にする分
野では特に有用なものである。 An ion pump is a vacuum pump that can create an oil-free vacuum using cold cathode discharge in a magnetic field, and has the characteristic that it does not require high-temperature or cryogenic parts or mechanical movement, which raises the issue of vacuum quality. It is particularly useful in the field.
当初欠点とされた希ガス、例えばヘリウムやア
ルゴンに対する排気速度の不安定性等は、三極形
イオンポンプの開発により解決され、操作性の良
いポンプが製作されるようになつた。 The initial drawbacks, such as the instability of pumping speed for rare gases such as helium and argon, were resolved with the development of triode ion pumps, and pumps with good operability became available.
従来例としてのイオンポンプを第1図に断面図
として示す。 FIG. 1 shows a cross-sectional view of a conventional ion pump.
1は貫通した中空部2を有する陽極、3はこの
陽極1の両開口端に離間しかつ近接して配設され
この開口を覆う形状を有す2個1組の陰極、4は
収集電極である。 Reference numeral 1 denotes an anode having a hollow portion 2 passing through it, 3 a set of two cathodes disposed close to and apart from both open ends of the anode 1 and having a shape that covers the openings, and 4 a collection electrode. be.
磁場5がこの陽極1の中空部2の軸心に実質的
に平行に、この中空部2の全体に図示されない磁
場発生装置により印加され、この陽極1とこの陰
極3との間には放電電源6により電圧Vaが印加
される。この例では、陽極1および収集電極4が
接地され、陰極3の電圧は−Vaである。 A magnetic field 5 is applied substantially parallel to the axis of the hollow portion 2 of the anode 1 to the entire hollow portion 2 by a magnetic field generator (not shown), and a discharge power supply is provided between the anode 1 and the cathode 3. 6 applies voltage Va. In this example, the anode 1 and the collector electrode 4 are grounded and the voltage at the cathode 3 is -Va.
三極形イオンポンプの排気作用は次のように説
明される。 The pumping action of the triode ion pump is explained as follows.
この陽極1の中空部2には直交する電磁場によ
り高エネルギ高密度の電子群が形成され、この中
空部2に飛来した分子はイオン化されてイオン7
となり加速され、この陰極3の表面に高速で入射
し、通常チタンで製作されるこの陰極3の表面の
原子をスパツタする。 A group of high-energy, high-density electrons is formed in the hollow part 2 of the anode 1 by orthogonal electromagnetic fields, and the molecules that fly into the hollow part 2 are ionized and ions 7
The particles are accelerated and incident on the surface of the cathode 3 at high speed, sputtering atoms on the surface of the cathode 3, which is usually made of titanium.
スパツタされた陰極表面物質は収集電極4の表
面に付着し、付着した陰極表面物質は気体分子を
吸着し、そこへ更にスパツタされた陰極表面物質
が付着して、吸着された気体分子は収集電極の表
面の例えば4′に示したように埋め込まれる。 The sputtered cathode surface material adheres to the surface of the collecting electrode 4, the adhering cathode surface material adsorbs gas molecules, the sputtered cathode surface material further adheres thereto, and the adsorbed gas molecules are transferred to the collecting electrode 4. For example, as shown at 4', it is embedded in the surface of.
この気相の分子の固相内への埋め込みが、三極
形イオンポンプの排気作用である。排気速度を大
きくするためには、放電で形成される気体イオン
の量に対する陰極からスパツタされる陰極表面物
質の量を多くしなければならない。 This embedding of gas phase molecules into the solid phase is the exhaust action of the triode ion pump. In order to increase the pumping speed, the amount of cathode surface material sputtered from the cathode must be increased relative to the amount of gas ions formed by the discharge.
第2図は、第1図に示した三極形イオンポンプ
における陰極表面物質のスパツタリング量を説明
する線図である。 FIG. 2 is a diagram illustrating the sputtering amount of cathode surface material in the triode ion pump shown in FIG. 1.
第2図a,b,cの横軸uは陰極表面に入射す
るイオンのエネルギを表わし、第2図aの縦軸s
は入射イオン1個あたりのスパツタされる陰極物
質の原子数で表わされるスパツタ比、第2図bの
縦軸fは入射するイオンのエネルギがエネルギu
以上、u+du未満のものが単位時間に陰極表面
に入射する数はfduであると定義したイオンエネ
ルギ分布函数、第2図cの縦軸fsは分布函数fと
スパツタ比sの積でfおよびsは共に相対値で示
される。 The horizontal axis u in Figures 2a, b, and c represents the energy of ions incident on the cathode surface, and the vertical axis s in Figure 2a represents the energy of ions incident on the cathode surface.
is the sputtering ratio expressed as the number of atoms of the cathode material sputtered per one incident ion, and the vertical axis f in Fig. 2b is the energy of the incident ion, which is the energy u.
Above, the ion energy distribution function is defined as the number of ions less than u+du incident on the cathode surface per unit time is fdu, and the vertical axis fs in Figure 2c is the product of the distribution function f and the sputter ratio s, and f are both expressed as relative values.
第2図bにおいて、分布函数fは0以下、eVa
(ただしeは単位電荷を表わす)以上で零であり、
更に陰極降下Vpによる加速エネルギeVp以下、お
よび陽極降下の範囲でfは殆んど零に等しい。 In Figure 2b, the distribution function f is less than 0, eVa
(However, e represents unit charge) and above is zero,
Further, f is almost equal to zero below the acceleration energy eV p due to the cathode drop V p and in the range of the anode drop.
第2図bに示すように、分布函数fは
eVp≦u<eVa
でのみ零でない値をとる。分布函数fは、エネル
ギuがeVpを越えかつuが小さな値であるとき、
大きな値をとり、uの値が大きいとfは小さくな
る。 As shown in FIG. 2b, the distribution function f takes a non-zero value only when eV p ≦u<eVa. The distribution function f is expressed as follows: When the energy u exceeds eV p and u is a small value,
When the value of u is large, f becomes small.
スパツタされる陰極物質の単位時間当りの数Q
は
Q=∫eVa eVpfsdu
で与えられ、この被積分函数fsが、第2図cに示
されている。この第2図cから明らかなようにス
パツタ比sが大きい値をとるためのエネルギu
と、分布函数fが大きい値をとるところのエネル
ギuが大きく異なるために、スパツタされる陰極
物質の量は多くできない。 Number of sputtered cathode materials per unit time Q
is given by Q=∫ eVa eVp fsdu, and this integrand fs is shown in Figure 2c. As is clear from Fig. 2c, the energy u is required for the sputtering ratio s to take a large value.
Since the energy u at which the distribution function f takes a large value differs greatly, the amount of cathode material to be sputtered cannot be increased.
ここにおいて、本発明の第一の目的は、放電を
乱す程度の少ない構成により、スパツタされる陰
極物質の量を増加し、もつて排気速度を増加した
イオンポンプを提供するにある。さらに、本発明
の第二の目的は、この様な新規の三極形イオンポ
ンプの寿命を増加させる構成を得ることにある。 SUMMARY OF THE INVENTION A first object of the present invention is to provide an ion pump which increases the amount of cathode material sputtered and increases the pumping speed by using a configuration that does not disturb the discharge to a large extent. Furthermore, a second object of the present invention is to obtain a configuration that increases the life of such a novel triode ion pump.
本発明は、陰極の一方の中央部にスパツタ電極
を配設し、このスパツタ電極にその陰極に対して
負の電位を印加するようにして第一の目的を達成
し、このスパツタ電極を真空外から位置可変とす
ることで第二の目的を達成し、同じく第二の目的
はこのスパツタ電極のゲツタ物質を容易に交換可
能とすることでも達成され、更に放電を安定化さ
せるためのこのスパツタ電極に対向する側の陰極
構造を提供して第一の目的の達成度を向上させて
いる。 The present invention achieves the first object by disposing a sputter electrode in the center of one of the cathodes, applying a negative potential to the cathode to the sputter electrode, and removing the sputter electrode from a vacuum. The second objective is achieved by making the sputter electrode's position variable, and the second objective is also achieved by making the getter material of the sputter electrode easily replaceable. This improves the achievement of the first objective by providing a cathode structure on the opposite side.
以下、本発明の実施例について説明する。 Examples of the present invention will be described below.
図面において、同一符号は同一もしくは相当部
分とする。 In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
第3図、第4図、第5図、第6図は、本発明の
それぞれ異なる実施例の縦断面図である。 3, 4, 5, and 6 are longitudinal sectional views of different embodiments of the present invention.
これらの第3図〜第6図において、陽極1はイ
オンポンプを収容する真空容器の一部をなす管8
に支持され、電気的にはこの管8を通して接地さ
れる。 In these FIGS. 3 to 6, the anode 1 is a tube 8 forming a part of a vacuum container housing an ion pump.
It is electrically grounded through this tube 8.
9は外部に絶縁を施された導体柱で、2個1組
の陰極3の相対位置を固定するとともに、電気的
に接続する。この陰極3は導体柱10によつて支
持される。導体柱10は給電端子11および絶縁
支持部材12によりこの陽極1およびイオンポン
プを収容する真空容器と絶縁して支持され、図示
しない放電電源の負の高圧出力は給電端子11お
よび導体柱10の内の1本を通して陰極3に印加
される。 Reference numeral 9 designates an externally insulated conductor column that fixes the relative position of a pair of cathodes 3 and electrically connects them. This cathode 3 is supported by a conductor column 10. The conductor column 10 is supported by a power supply terminal 11 and an insulating support member 12 so as to be insulated from the anode 1 and the vacuum container housing the ion pump. The voltage is applied to the cathode 3 through one of the lines.
13は磁石で陽極1の中空部2の軸心に実質的
に平行な磁場を陽極1の中空部2全体に印加す
る。14は陰極3の一方の陽極1の中空部2の軸
心に穿設された貫通孔、15は陰極3の貫通孔1
4を陰極3と絶縁されて貫通し、陽極1の中空部
2に延在するスパツタ電極、16はスパツタ電極
15を陽極1、陰極3およびこのイオンポンプを
収容する真空容器から絶縁して支持するとともに
このスパツタ電極15への給電径路の一部を有す
るスパツタ電極支持体である。 A magnet 13 applies a magnetic field substantially parallel to the axis of the hollow part 2 of the anode 1 to the entire hollow part 2 of the anode 1. 14 is a through hole bored in the axis of the hollow part 2 of one anode 1 of the cathode 3; 15 is the through hole 1 of the cathode 3;
A sputter electrode 4 is insulated from the cathode 3 and extends through the hollow part 2 of the anode 1, and 16 is a sputter electrode that supports the sputter electrode 15 while being insulated from the anode 1, the cathode 3, and the vacuum vessel housing this ion pump. It is also a sputter electrode support body having a part of the power supply path to this sputter electrode 15.
給電径路は給電端子17を径て、図示しないス
パツタ電極電源に接続され、スパツタ電極15に
は陰極3に対して負の電位が印加される。 The power supply path passes through the power supply terminal 17 and is connected to a sputter electrode power source (not shown), and a negative potential is applied to the sputter electrode 15 with respect to the cathode 3 .
第3図および第6図において、スパツタ電極1
5は陰極3に絶縁を施されて固着され、その陽極
1の中空部2に延在する部位はその先端近傍まで
含めてゲツタ物質で形成されている。 In FIGS. 3 and 6, sputter electrode 1
5 is insulated and fixed to the cathode 3, and the portion extending into the hollow portion 2 of the anode 1, including the vicinity of its tip, is formed of a getter material.
第4図および第5図において、スパツタ電極支
持体16はチヤツクを有し、ゲツタ物質からなる
スパツタ電極15を容易に交換可能であるように
構成されている。 In FIGS. 4 and 5, the sputter electrode support 16 has a chuck and is constructed so that the sputter electrode 15 made of getter material can be easily replaced.
第5図において、スパツタ電極15を支持する
スパツタ電極支持体16はイオンポンプを解体す
ることなく、イオンポンプを収容する真空容器の
外部から陰極3に対する位置を変更できるよう
に、互に逆ネジで構成されたスパツタ電極15の
長手方向の位置調整可能な直線運動導入部18に
より支持されている。 In FIG. 5, the sputter electrode supports 16 that support the sputter electrodes 15 are screwed in opposite directions so that the position relative to the cathode 3 can be changed from outside the vacuum container housing the ion pump without disassembling the ion pump. The constructed sputter electrode 15 is supported by a linear motion introducing section 18 whose longitudinal position is adjustable.
第6図において、19は放電を安定化するため
の安定化ピンで、これをスパツタ電極15に対向
する側の陰極3、陽極1の中空部2の軸心上にス
パツタ電極15に向けかつ非接触に延在せしめ、
スパツタ比の小さい導電体の棒体で形成すること
により、スパツタ電極15の外形寸法をより大き
くしても放電を安定に保つ効果を奏するものであ
る。 In FIG. 6, reference numeral 19 is a stabilizing pin for stabilizing the discharge, which is placed on the axis of the hollow part 2 of the cathode 3 and anode 1 on the side facing the sputter electrode 15 and directed toward the sputter electrode 15. extending into contact;
By forming the conductive rod with a small sputtering ratio, the discharge can be kept stable even if the external dimensions of the sputtering electrode 15 are made larger.
これら第3図ないし第6図の実施例を参照し
て、本発明の作用・効果を述べる。 The functions and effects of the present invention will be described with reference to the embodiments shown in FIGS. 3 to 6.
第7図は、本発明の三極形イオンポンプにおけ
るスパツタリング量を説明する線図で、従来の第
2図と対比させる。 FIG. 7 is a diagram illustrating the amount of sputtering in the triode ion pump of the present invention, and is compared with the conventional diagram shown in FIG.
本発明では、陽極1の中空部2に形成された電
子群によりイオン化された気体分子は、スパツタ
電極15に衝突し、その表面のゲツタ物質をスパ
ツタする。 In the present invention, gas molecules ionized by the electron group formed in the hollow part 2 of the anode 1 collide with the sputter electrode 15 and sputter the getter material on its surface.
イオンの入射エネルギuに対するスパツタ比s
は、第7図aに示されるとおり、第2図aと同一
である。 Sputtering ratio s to ion incident energy u
is the same as in FIG. 2a, as shown in FIG. 7a.
陽極1の電位は零であり、陰極3を第2図の従
来の場合と同様−Vaとし、陰極3とスパツタ電
極15の電位差をVsとすると、スパツタ電極1
5の電位は−(Vs+Va)であり、スパツタ電極
に入射するイオンのエネルギ分布函数fは第7図
bに示されるように、第2図bに表わされる従来
の陰極へ入射するイオンのエネルギ分布函数より
高エネルギ側へ移動した形をとる。 The potential of the anode 1 is zero, the cathode 3 is -Va as in the conventional case shown in FIG. 2, and the potential difference between the cathode 3 and the sputter electrode 15 is Vs.
The potential of 5 is -(Vs+Va), and the energy distribution function f of ions incident on the sputter electrode is as shown in FIG. 7b, and the energy distribution of ions incident on the conventional cathode shown in FIG. 2b is It takes the form of moving to the higher energy side than the function.
この結果、スパツタされるスパツタ電極物質の
単位時間当りの数Q、
Q=∫e(Vs+Va) e(Vs+Vp)fsdu
の被積分函数fsが第7図cに示されるように、第
2図cに示されるものより大きな値をとり、従来
の三極形イオンポンプにおけるよりスパツタされ
る物質の量を増加させることができ、もつて排気
速度の大きいイオンポンプを実現できる。 As a result, the integrand fs of the number Q of sputtered electrode material sputtered per unit time, Q=∫ e(Vs+Va) e(Vs+Vp) fsdu, is as shown in Figure 7c. By taking a larger value than that shown in FIG. 2c, the amount of sputtered material can be increased compared to that in the conventional triode ion pump, and an ion pump with a high pumping speed can be realized.
イオンポンプが高い圧力で使用される場合等
は、その寿命を延長することが望まれる。スパツ
タ電極15の消耗が本発明のイオンポンプの寿命
を決定する要因であり、スパツタ電極15を補給
(第5図)あるいは交換(第4図、第5図)する
ことで寿命を延長できる。他に寿命を延長する方
法は、大きなスパツタ電極15を用いることであ
るが、単にスパツタ電極15を大きくすると、ス
パツタ電極15は陰極3に対して更に負の電位に
あるので、放電を不定する。これには放電安定化
ピン19を付加することにより解決される(第6
図)。 When an ion pump is used at high pressure, it is desirable to extend its life. The wear and tear of the sputter electrode 15 is a factor that determines the life of the ion pump of the present invention, and the life can be extended by replenishing the sputter electrode 15 (FIG. 5) or replacing it (FIGS. 4 and 5). Another way to extend the life is to use a larger sputter electrode 15, but if the sputter electrode 15 is simply made larger, the sputter electrode 15 will be at a more negative potential with respect to the cathode 3, making the discharge unstable. This can be solved by adding a discharge stabilizing pin 19 (sixth
figure).
第1図は従来の三極形イオンポンプを示す断面
図、第2図a,b,cは第1図の三極形イオンポ
ンプにおける陰極表面物質のスパツタリング量を
説明する線図、第3図、第4図、第5図、第6図
は本発明のそれぞれ異なる実施例の縦断面図、第
7図a,b,cは本発明の三極形イオンポンプに
おけるスパツタリング量を説明する線図である。
1……陽極、2……陽極の中空部、3……陰
極、4……収集電極、5……磁場、6……放電電
源、7……イオン、8……真空容器の一部をなす
管、9,10……導体柱、11,17……給電端
子、12……絶縁支持部材、13……磁石、14
……貫通孔、15……スパツタ電極、16……ス
パツタ電極支持体、18……直線運動導入部、1
9……安定化ピン。
Fig. 1 is a sectional view showing a conventional triode ion pump, Fig. 2 a, b, and c are diagrams explaining the sputtering amount of cathode surface material in the triode ion pump of Fig. 1, and Fig. 3 , FIG. 4, FIG. 5, and FIG. 6 are longitudinal sectional views of different embodiments of the present invention, and FIG. 7 a, b, and c are diagrams explaining the amount of sputtering in the triode ion pump of the present invention. It is. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Anode, 2... Hollow part of the anode, 3... Cathode, 4... Collection electrode, 5... Magnetic field, 6... Discharge power source, 7... Ion, 8... Forms part of vacuum vessel Pipe, 9, 10... Conductor column, 11, 17... Power supply terminal, 12... Insulating support member, 13... Magnet, 14
...Through hole, 15...Sputter electrode, 16...Sputter electrode support, 18...Linear motion introduction part, 1
9...Stabilizing pin.
Claims (1)
両開口端に離間しかつ近接して配設されその開口
を覆う形状を有する2個1組の陰極と、前記陽極
と前記陰極間に電圧を印加する手段と、前記陽極
の中空部の軸心に実質的に平行であり前記陽極の
中空部全体に印加される磁場を発生する手段を有
するイオンポンプにおいて、前記陰極の一方には
前記陽極の中空部の軸心上に貫通孔が穿設され、
この貫通孔を貫通して前記陽極の中空部に延在す
るスパツタ電極がその一方の陰極と絶縁して配設
され、前記スパツタ電極に前記陰極に対して負の
電位を印加する手段を設け、前記スパツタ電極の
前記陽極の中空部に延在する部位の先端近傍はゲ
ツタ物質で形成されることを特徴とする三極形イ
オンポンプ。 2 前記スパツタ電極はイオンポンプを解体する
ことなくイオンポンプを収容する真空容器外部か
ら前記陰極に対する位置を変更できるようにした
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の三
極形イオンポンプ。 3 前記スパツタ電極は少なくとも前記ゲツタ物
質を含む位置で交換可能であるように構成された
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項あるいは
第2項記載の三極形イオンポンプ。 4 前記スパツタ電極に対向する側の陰極の前記
陽極の中空部の軸心上に、スパツタ比の小さい導
電体の棒体を前記スパツタ電極に向けかつ非接触
に延在せしめたことを特徴とする特許請求の範囲
第1項あるいは第2項あるいは第3項記載の三極
形イオンポンプ。[Scope of Claims] 1. An anode having a penetrating hollow portion, a set of two cathodes arranged spaced apart from and close to both open ends of the anode and having a shape that covers the openings; An ion pump comprising means for applying a voltage between the cathodes and means for generating a magnetic field that is substantially parallel to the axis of the hollow part of the anode and applied to the entire hollow part of the anode. A through hole is bored on one side on the axis of the hollow part of the anode,
A sputter electrode extending into the hollow part of the anode through the through hole is disposed insulated from one of the cathodes, and means for applying a negative potential to the cathode is provided to the sputter electrode, A triode ion pump characterized in that a portion of the sputter electrode extending into the hollow portion of the anode near the tip thereof is formed of a sputter material. 2. The triode ion pump according to claim 1, wherein the position of the sputter electrode relative to the cathode can be changed from outside the vacuum container housing the ion pump without disassembling the ion pump. . 3. The triode ion pump according to claim 1 or 2, wherein the sputter electrode is configured to be replaceable at least at a position containing the getter substance. 4. A rod made of a conductor having a small sputtering ratio is extended toward the sputtering electrode in a non-contact manner on the axis of the hollow part of the anode of the cathode on the side facing the sputtering electrode. A triode ion pump according to claim 1, 2, or 3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9484781A JPS57210554A (en) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | Triple-pole type ion pump |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9484781A JPS57210554A (en) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | Triple-pole type ion pump |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57210554A JPS57210554A (en) | 1982-12-24 |
| JPH024980B2 true JPH024980B2 (en) | 1990-01-31 |
Family
ID=14121417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9484781A Granted JPS57210554A (en) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | Triple-pole type ion pump |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57210554A (en) |
-
1981
- 1981-06-19 JP JP9484781A patent/JPS57210554A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57210554A (en) | 1982-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4179351A (en) | Cylindrical magnetron sputtering source | |
| US5967873A (en) | Emissive flat panel display with improved regenerative cathode | |
| US3460745A (en) | Magnetically confined electrical discharge getter ion vacuum pump having a cathode projection extending into the anode cell | |
| CN108428610B (en) | A kind of small ion source and preparation method thereof | |
| JP3454384B2 (en) | Ion beam generator and method | |
| JPH024980B2 (en) | ||
| JPH024979B2 (en) | ||
| Lejeune et al. | Rf multipolar plasma for broad and reactive ion beams | |
| US3070283A (en) | Vacuum pump | |
| US3405301A (en) | Apparatus for producing quiescent plasma | |
| US3371854A (en) | High capacity orbiting electron vacuum pump | |
| JPH0129296B2 (en) | ||
| US3746474A (en) | Ionic vacuum pump | |
| US3327931A (en) | Ion-getter vacuum pump and gauge | |
| JP3092814B2 (en) | Sputter ion pump | |
| JPS5875751A (en) | Ion pump | |
| Miljević | Hollow anode ion source | |
| JP3905572B2 (en) | High melting point material evaporator | |
| JPS5822855B2 (en) | Triode ion pump | |
| RU2796652C1 (en) | Device for forming a beam of cluster or atomic ions of gas | |
| JP3409881B2 (en) | RF discharge ion source | |
| JPS5875753A (en) | Ion pump | |
| Herb | Evapor-ion pump development at the University of Wisconsin | |
| JPH0334178B2 (en) | ||
| JPS5924186B2 (en) | sputtering equipment |