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JPH025041B2 - - Google Patents
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JPH025041B2 - - Google Patents

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JPH025041B2
JPH025041B2 JP58097097A JP9709783A JPH025041B2 JP H025041 B2 JPH025041 B2 JP H025041B2 JP 58097097 A JP58097097 A JP 58097097A JP 9709783 A JP9709783 A JP 9709783A JP H025041 B2 JPH025041 B2 JP H025041B2
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amplifier
shf
case
shield case
strip line
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JP58097097A
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Japanese (ja)
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Hiroshi Saka
Toshihide Tanaka
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Priority to CA000455442A priority patent/CA1218713A/en
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Priority to CA000510869A priority patent/CA1230172A/en
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007Casings
    • H05K9/002Casings with localised screening
    • H05K9/0022Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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  • Waveguides (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、マイクロ波通信機器やSHF受信機
等の低雑音増幅器や低雑音コンバータに利用され
るマイクロ波集積回路(MICと略記)に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a microwave integrated circuit (abbreviated as MIC) used in low-noise amplifiers and low-noise converters of microwave communication equipment, SHF receivers, and the like.

従来例の構成とその問題点 低雑音コンバータの入力構造は、低雑音コンバ
ータとアンテナとの接続と考慮すると、導波管入
力が一般的構造となる。従つてMIC化コンバー
タの入力構造は、マイクロストリツプ線路と導波
管との線路変換器である導波管−ストリツプ線路
変換器をMIC化コンバータの信号入力側に付加
して、導波管入力構造とする手段が一般的にとら
れている。しかし、MIC化コンバータを構成す
る各回路(SHF増幅器、周波数混合器、局部発
振器等の回路)の寸法や各回路の接続方法、ある
いは導波管−ストリツプ線路変換器の構成や導波
管―ストリツプ線路変換器とMIC化コンバータ
の接続方法等により、それぞれの回路単体では十
分な特性が得られていても、各回路を接続して
MIC化コンバータとして組立てると、MIC化コ
ンバータの諸特性(入力VSWR、雑音指数、局
発漏えい、イメージ抑圧比、変換利得等々)に、
各回路の特性が素直に反映されず、MIC化コン
バータとしては不十分な特性しか得られないこと
が多々ある。
Conventional configuration and its problems When considering the connection between the low-noise converter and the antenna, the general input structure of the low-noise converter is a waveguide input. Therefore, the input structure of the MIC converter is to add a waveguide-stripline converter, which is a line converter between a microstrip line and a waveguide, to the signal input side of the MIC converter. A common method is to use an input structure. However, the dimensions of each circuit (SHF amplifier, frequency mixer, local oscillator, etc.) that makes up the MIC converter, the connection method of each circuit, the configuration of the waveguide-strip line converter, and the waveguide-strip line Depending on the connection method of the line converter and MIC converter, even if sufficient characteristics are obtained for each circuit alone, it may be difficult to connect each circuit.
When assembled as a MIC converter, various characteristics of the MIC converter (input VSWR, noise figure, local leakage, image suppression ratio, conversion gain, etc.)
The characteristics of each circuit are not reflected directly, and there are many cases where insufficient characteristics are obtained as a MIC converter.

従来はそれらの諸特性を十分に考慮せずに
MIC化コンバータのシールドケースをも含めた
各回路の構成や、導波管−ストリツプ線路変換器
の配置構成が決定されることが多かつた。
Conventionally, these characteristics were not fully considered.
In many cases, the configuration of each circuit, including the shield case of the MIC converter, and the arrangement of the waveguide-stripline converter were determined.

発明の目的 本発明の目的は、MIC化コンバータを構成す
る各回路が本来もつている特性が、導波管入力構
造を有するMIC化コンバータとして各回路が相
互に接続され組立てられた際に、各回路が本来持
つている特性が素直にMIC化コンバータの特性
に反映されるようなMICを提供することにある。
Purpose of the Invention The purpose of the present invention is to improve the inherent characteristics of each circuit constituting a MIC converter when the circuits are interconnected and assembled as a MIC converter having a waveguide input structure. The objective is to provide a MIC in which the inherent characteristics of the circuit are directly reflected in the characteristics of the MIC converter.

発明の構成 本発明では、マイクロ波集積回路で構成された
SHF増幅器、周波数混合器、局部発振器からな
るMIC化コンバータをシールドケース内に配置
するとともに、上記SHF増幅器の入力ストリツ
プ線路に、導波管−ストリツプ線路変換器を接続
し、上記入力ストリツプ線路と上記導波管−スト
リツプ線路変換器との接続点を上記シールドケー
スの端壁面より約λg/2(λgはシールドケース
内の伝搬波長)離れた位置に設けるようにしたも
のである。
Configuration of the Invention In the present invention, a
A MIC converter consisting of an SHF amplifier, a frequency mixer, and a local oscillator is arranged in a shielded case, and a waveguide-stripline converter is connected to the input stripline of the SHF amplifier, and the input stripline and the The connection point with the waveguide-stripline converter is provided at a position approximately λg/2 (λg is the propagation wavelength within the shielding case) from the end wall surface of the shielding case.

実施例の説明 第1図a,bに本発明によるMIC化コンバー
タの一実施例の平面断面図、側面断面図を示す。
MICで構成されたSHF増幅器1、周波数混合器
2、局部発振器3が一枚の誘電体基板4上に形成
され、SHF増幅器1は周波数混合器2と、周波
数混合器2へ局部発振器3と、それぞれ接続さ
れ、同一のシールドケース5内に配置されてい
る。6はSHF増幅器1の入力ストリツプ線路で、
誘電体基板4(例えばアルミナ基板、テフロング
ラスフアイバー基板等)上にSHF増幅器1とと
もに形成されており、入力ストリツプ線路6の一
端はSHF増幅器1に接続され、他端は導体ポス
ト7に接続されている。そして導体ポスト7の一
端は導波管8内に突出した状態になつている。導
体ポスト7により導波管8から入力ストリツプ線
路6への線路変換器が実現されている。導体ポス
ト7と入力ストリツプ線路6の接続点Aからシー
ルドケース5の端壁面B−B′(局部発振器3から
最も離れていて、SHF増幅器1とは最も近接し
ているシールドケース5の壁面のことを言う)ま
での距離lが、シールドケース5内の入力信号や
局部発振信号の電搬波長λgの約半分になるよう
に(lλg/2)導体ポスト7の位置が選ばれ
ている。ここでシールドケース5内の伝搬波長
λgとは、信号が誘電体基板4上に形成されたス
トリツプ線路6上を伝搬する波長、あるいは信号
がシールドケース5内を直接伝搬する時の波長の
ことを言う。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS FIGS. 1a and 1b show a plan sectional view and a side sectional view of an embodiment of a MIC converter according to the present invention.
A SHF amplifier 1, a frequency mixer 2, and a local oscillator 3, which are composed of MIC, are formed on one dielectric substrate 4, and the SHF amplifier 1 is connected to a frequency mixer 2, a local oscillator 3 to the frequency mixer 2, and a local oscillator 3 to the frequency mixer 2. They are connected to each other and placed in the same shield case 5. 6 is the input strip line of SHF amplifier 1,
It is formed together with the SHF amplifier 1 on a dielectric substrate 4 (for example, an alumina substrate, a Teflon glass fiber substrate, etc.), and one end of the input strip line 6 is connected to the SHF amplifier 1, and the other end is connected to a conductor post 7. There is. One end of the conductor post 7 projects into the waveguide 8. A line converter from the waveguide 8 to the input strip line 6 is realized by the conductor post 7 . From the connection point A of the conductor post 7 and the input strip line 6 to the end wall surface B-B' of the shield case 5 (the wall surface of the shield case 5 that is farthest from the local oscillator 3 and closest to the SHF amplifier 1) The position of the conductor post 7 is selected so that the distance l to the shield case 5 is approximately half (lλg/2) of the propagation wavelength λg of the input signal or local oscillation signal in the shield case 5. Here, the propagation wavelength λg within the shield case 5 refers to the wavelength at which the signal propagates on the strip line 6 formed on the dielectric substrate 4, or the wavelength at which the signal propagates directly within the shield case 5. To tell.

第1図の実施例では、導体ポスト7の位置をl
λg/2になるように選ぶことにより、入力ス
トリツプ線路6と導体ポスト7の接続点Aは、シ
ールドケース5内を伝搬する導波管モードに対し
て等価的な短絡面となり、接続点Aでは導波管モ
ードの電界強度は零となり、入力ストリツプ線路
6の不連続な点である接続点Aで入力ストリツプ
線路6とシールドケース5内の伝搬モードとが結
合するのを防止でき、入力ストリツプ線路6に存
在する接続点Aにより、SHF増幅器1とシール
ドケース5内の伝搬モードとの結合が発生し、
SHF増幅器1の入力インピーダンスが不安定に
なるのを防止できる。つまり、シールドケース5
がかぶさつた状態と、取り除かれた状態とでの
SHF増幅器1の入力インピーダンスの変化が極
めて少なくなる。従つてシールドケース5をかぶ
せない状態でSHF増幅器1の入力インピーダン
スの設計が行なえることになり、SHF増幅器1
の設計が安易になる。同時に、局部発振器3の導
波管8側への不要輻射漏えいを減少させる効果を
有する。
In the embodiment shown in FIG. 1, the position of the conductor post 7 is
By selecting λg/2, the connection point A between the input strip line 6 and the conductor post 7 becomes an equivalent short-circuit surface for the waveguide mode propagating inside the shield case 5, and the connection point A The electric field strength of the waveguide mode becomes zero, and it is possible to prevent the input strip line 6 from coupling with the propagation mode in the shield case 5 at the connection point A, which is a discontinuous point of the input strip line 6, and the input strip line Due to the connection point A present at 6, coupling between the SHF amplifier 1 and the propagation mode in the shielding case 5 occurs,
It is possible to prevent the input impedance of the SHF amplifier 1 from becoming unstable. In other words, shield case 5
The state in which it is covered and the state in which it has been removed.
Changes in the input impedance of the SHF amplifier 1 are extremely small. Therefore, the input impedance of the SHF amplifier 1 can be designed without covering the shield case 5.
design becomes easier. At the same time, it has the effect of reducing unnecessary radiation leakage from the local oscillator 3 to the waveguide 8 side.

第2図a,bは本発明によるMIC化コンバー
タの別の実施例で、第1図a,bと同一ケ所には
同一番号を付して説明する。MICで構成された
SHF増幅器1、周波数混合器2、局部発振器3
が一枚の誘電体基板4上に形成され、SHF増幅
器1は周波数混合器2と、周波数混合器2は局部
発振器3と、それぞれ接続され同一のシールドケ
ース5内に配置されている。9,10は金属仕切
板で、シールドケース5内に配置され金属仕切板
9でSHF増幅器1と周波数混合器2とを空間的
に分離しており、金属仕切板10でSHF増幅器
1を構成する前段増幅器1aと後段増幅器1bと
を空間的に分離している。それ以外は第1図と同
じである。
FIGS. 2a and 2b show another embodiment of the MIC converter according to the present invention, and the same parts as in FIGS. 1a and 1b are given the same numbers and will be described. Configured with MIC
SHF amplifier 1, frequency mixer 2, local oscillator 3
are formed on one dielectric substrate 4, and the SHF amplifier 1 is connected to a frequency mixer 2, and the frequency mixer 2 is connected to a local oscillator 3, respectively, and arranged in the same shield case 5. Reference numerals 9 and 10 designate metal partition plates, which are disposed inside the shield case 5, and the metal partition plate 9 spatially separates the SHF amplifier 1 and the frequency mixer 2, and the metal partition plate 10 constitutes the SHF amplifier 1. The front stage amplifier 1a and the rear stage amplifier 1b are spatially separated. Other than that, it is the same as FIG. 1.

本発明の実施例では、第1図の実施例による効
果、つまり、SHF増幅器1の設計が安易になる
効果、不要輻射漏えいを減少させる効果に加え、
局部発振器3の局発電力の一部がシールドケース
5内を直接伝搬し導体ポスト7を介して導波管8
側へ漏えいするのを防止するので不要輻射漏えい
を一層減少させる効果を有する。更にSHF増幅
器1の段数が多段になつた場合には出力側から入
力側1の信号の戻りに帰因する増幅器の不安定性
を防止する効果も有するものである。
In the embodiment of the present invention, in addition to the effects of the embodiment of FIG. 1, that is, the effect of simplifying the design of the SHF amplifier 1 and the effect of reducing unnecessary radiation leakage,
A part of the local power of the local oscillator 3 propagates directly inside the shield case 5 and passes through the conductor post 7 to the waveguide 8.
Since it prevents leakage to the side, it has the effect of further reducing unnecessary radiation leakage. Furthermore, when the number of stages of the SHF amplifier 1 increases, it also has the effect of preventing instability of the amplifier due to the return of the signal from the output side to the input side 1.

第3図a,bは本発明によるMIC化コンバー
タの別の実施例で第2図a,bと同一箇所には同
一番号を付して説明する。11,12,13はフ
エライトゴム等で作られた電波吸収体である。電
波吸収体11は前段増幅器1aが囲まれた空間1
4内に、しかも入力信号の伝搬線路からは遠ざけ
て配置されている。電波吸収体12は後段増幅器
1bが囲まれた空間15内に、しかも入力信号の
伝搬線路からは遠ざけて配置されている。電波吸
収体13は周波数混合器2および局部発振器3が
囲まれた空間16内に配置されている。特に周波
数混合器2がイメージ信号阻止フイルタを含む場
合には電波吸収体13は周波数混合器2のイメー
ジ信号阻止フイルタの近傍の配置されている。例
えば、第3図cはイメージ信号阻止フイルタを含
む周波数混合器2部分のみを示したものである
が、イメージ信号阻止フイルタは3本の終端開放
スタブで構成されている。そして、電波吸収体1
3は、終端開放スタブの開放端の近傍に配置され
ている。それ以外は第2図と構成は全く同じであ
る。
FIGS. 3a and 3b show another embodiment of the MIC converter according to the present invention, and the same parts as in FIGS. 2a and 2b are given the same numbers and will be described. 11, 12, and 13 are radio wave absorbers made of ferrite rubber or the like. The radio wave absorber 11 is a space 1 in which the front stage amplifier 1a is surrounded.
4 and further away from the input signal propagation line. The radio wave absorber 12 is placed in a space 15 surrounding the rear-stage amplifier 1b, and further away from the input signal propagation line. The radio wave absorber 13 is arranged in a space 16 surrounding the frequency mixer 2 and local oscillator 3. In particular, when the frequency mixer 2 includes an image signal blocking filter, the radio wave absorber 13 is arranged near the image signal blocking filter of the frequency mixer 2. For example, although FIG. 3c shows only two parts of the frequency mixer including the image signal rejection filter, the image signal rejection filter is comprised of three open-ended stubs. And radio wave absorber 1
3 is located near the open end of the open-ended stub. Other than that, the configuration is exactly the same as in FIG.

本発明の実施例では第2図a,bの実施例によ
る効果、つまりSHF増幅器1の設計が安易にな
る効果、不要輻射漏えいを減少させる効果に加
え、シールドケース5や金属仕切板9,10によ
り生じるシールドケース5内の不要共振現象が電
波吸収体11,12,13により抑圧されるた
め、SHF増幅器1に対しては入力VSWRや利得
の周波数特性が、周波数混合器2に対しては変換
損失やイメージ抑圧比の周波数特性が不安定にな
つたり不要共振特性を持つたりしないようにする
効果を有する。同時に、局部発振器3に対しては
周波数混合器2のミキサ・ダイオードに局発電力
が十分に印加されなくなるような現象を抑圧する
効果を有する。また電波吸収体11,12には局
部発振器3の導波管8側への不要輻射漏えいを少
なくする効果もある。
In the embodiment of the present invention, in addition to the effects of the embodiments shown in FIGS. 2a and 2b, that is, the effect of simplifying the design of the SHF amplifier 1 and the effect of reducing unnecessary radiation leakage, the shield case 5 and the metal partition plates 9 and 10 are Since the unnecessary resonance phenomenon inside the shield case 5 caused by This has the effect of preventing the frequency characteristics of loss and image suppression ratio from becoming unstable and from having unnecessary resonance characteristics. At the same time, the local oscillator 3 has the effect of suppressing a phenomenon in which local power is not sufficiently applied to the mixer diode of the frequency mixer 2. The radio wave absorbers 11 and 12 also have the effect of reducing unnecessary radiation leakage from the local oscillator 3 to the waveguide 8 side.

第4図a,bは本発明によるMIC化コンバー
タの別の実施例で第3図a,bと同一箇所には同
一番号を付して説明する。17は金属ブロツクで
前段増幅器1aが囲まれたシールドケース5内の
空間14′の幅を狭くするために設けられている。
そして第3図a,bでは配置されている電波吸収
体11が第4図a,bの実施例では配置されてい
ない。それ以外は第3図a,bと構成は全く同じ
である。
FIGS. 4a and 4b show another embodiment of the MIC converter according to the present invention, and the same parts as in FIGS. 3a and 3b are given the same numbers and will be described. A metal block 17 is provided to narrow the width of a space 14' in the shield case 5 in which the front stage amplifier 1a is surrounded.
The radio wave absorber 11 that is arranged in FIGS. 3a and 3b is not arranged in the embodiment shown in FIGS. 4a and 4b. Other than that, the configuration is exactly the same as in FIGS. 3a and 3b.

本発明の実施例では第2図a,bの実施例によ
る効果に加え、金属ブロツク17により、シール
ドケース5内の空間14′の幅dが狭くなるため、
空間14′内で生じる不要共振周波数はMIC化コ
ンバータの使用周波数帯域内あるいは帯域近傍か
ら帯域外遠くへ移動し、MIC化コンバータの入
力VSWRが利得の周波数特性に対する不要共振
現象の悪影響が除去される。同時にMIC化コン
バータの雑音指数の劣化が防止される効果を有す
る。電波吸収体12には後段増幅器1bが収容さ
れている空間15内で生じる不要共振現象を抑圧
すると同時に、局部発振器3の不要輻射漏えいを
少なくする効果がある。電波吸収体13には周波
数混合器2や局部発振器3が収容されている空間
16内で生じる不要共振現象を抑圧する効果があ
るため、周波数混合器2の変換損失やイメージ抑
圧比が悪影響を受けないようにしたり、局部発振
器3の局発電力が周波数混合器2のミキサ・ダイ
オードに十分印加されなくなる現象を除去する効
果がある。例えば使用周波数11.7〜12.5GHzの
MIC化コンバータにおいてシールドケース5の
幅が30mm、高さが9mm、空間14′の長さが23.5
mmの時に12.5GHz付近にあつた不要共振周波数は
7mm幅の金属ブロツク17を設けることにより
12.9GHHzの帯域外へ移動させられる。そして雑
音指数は、電波吸収体11の替わりに金属ブロツ
ク17を使用することにより0.1〜0.2dB改善され
る。
In the embodiment of the present invention, in addition to the effects of the embodiments shown in FIGS. 2a and 2b, the metal block 17 narrows the width d of the space 14' inside the shield case 5.
The unnecessary resonance frequency occurring within the space 14' moves from within the frequency band used by the MIC converter or near the band to far outside the band, and the adverse effects of the unnecessary resonance phenomenon on the frequency characteristics of the gain of the input VSWR of the MIC converter are removed. . At the same time, this has the effect of preventing deterioration of the noise figure of the MIC converter. The radio wave absorber 12 has the effect of suppressing unnecessary resonance phenomena occurring in the space 15 in which the rear-stage amplifier 1b is housed, and at the same time reducing unnecessary radiation leakage from the local oscillator 3. Since the radio wave absorber 13 has the effect of suppressing unnecessary resonance phenomena occurring within the space 16 in which the frequency mixer 2 and the local oscillator 3 are accommodated, the conversion loss and image suppression ratio of the frequency mixer 2 are adversely affected. This has the effect of eliminating the phenomenon in which the local power of the local oscillator 3 is not sufficiently applied to the mixer diode of the frequency mixer 2. For example, the frequency used is 11.7~12.5GHz.
In the MIC converter, the width of the shield case 5 is 30 mm, the height is 9 mm, and the length of the space 14' is 23.5 mm.
By installing a metal block 17 with a width of 7 mm, the unnecessary resonance frequency that was around 12.5 GHz when the
Moved out of the 12.9GHz band. The noise figure is improved by 0.1 to 0.2 dB by using the metal block 17 instead of the radio wave absorber 11.

第5図a,bは本発明によるMIC化コンバー
タの別の実施例で第4図a,bと同一ケ所には同
一番号を付して説明する。17,18は金属ブロ
ツクで、金属ブロツク17は前段増幅器1aが囲
まれたシールドケース5内の空間14′の幅を狭
くするために設けられており、金属ブロツク18
は後段増幅器1bが囲まれたシールドケース5内
の空間15′の幅を狭くするために設けられてい
る。そして第4図a,bでは配置されている電波
吸収体12が第5図a,bの実施例では配置され
ていない。それ以外は第4図a,bと構成は全く
同じである。
FIGS. 5a and 5b show another embodiment of the MIC converter according to the present invention, and the same parts as in FIGS. 4a and 4b are given the same numbers and will be described. 17 and 18 are metal blocks. The metal block 17 is provided to narrow the width of the space 14' in the shield case 5 in which the preamplifier 1a is surrounded.
is provided to narrow the width of the space 15' within the shield case 5 surrounding the rear-stage amplifier 1b. The radio wave absorber 12, which is arranged in FIGS. 4a and 4b, is not arranged in the embodiment shown in FIGS. 5a and 5b. Other than that, the configuration is exactly the same as in FIGS. 4a and 4b.

本発明による第5図a,bの実施例では第2の
実施例による効果に加え、金属ブロツク17,1
8によりSHF増幅器1が収容されている空間1
4′,15′内で生じる不要共振周波数がMIC化
コンバータの使用周波数帯域外遠くへ移動するた
め、SHF増幅器1の入力VSWRや利得および雑
音指数の周波数特性に対する悪影響が除去され
る。また電波吸収体12による効果は第3図a,
b又は第4図a,bの実施例による効果を同じで
ある。
In the embodiment of FIGS. 5a and 5b according to the present invention, in addition to the effects of the second embodiment, metal blocks 17, 1
Space 1 in which SHF amplifier 1 is accommodated by 8
Since the unnecessary resonant frequencies generated within 4' and 15' are moved far outside the frequency band used by the MIC converter, adverse effects on the frequency characteristics of the input VSWR, gain, and noise figure of the SHF amplifier 1 are eliminated. Furthermore, the effects of the radio wave absorber 12 are as shown in Figure 3a.
The effects of the embodiments shown in FIG. 4b or FIGS. 4a and 4b are the same.

第6図は本発明によるMIC化コンバータの別
の実施例で第1図a,bと同一ケ所には同一番号
を付して説明する。MICで構成されたSHF増幅
器1、周波数混合器2、局部発振器3が一枚の誘
電体基板4上に形成され、SHF増幅器1は周波
数混合器2と、周波数混合器2は局部発振器3
と、それぞれ接続され、同一のシールドケース5
内に配置されている。6′はSHF増幅器1の入力
ストリツプ線路で、誘電体基板4上にSHF増幅
器1とともに形成されており、入力ストリツプ線
路6′の一端はSHF増幅器1に接続され、他端は
導波管8′内に突出した状態になつている。そし
て入力ストリツプ線路6′の導波管8′内に突出し
た部分では、誘電体基板4の接地導体は除去され
ている。このように入力ストリツプ線路6′自体
が導波管8′から入力ストリツプ線路6′への線路
変換器を構成している。入力ストリツプ線路6′
が導波管8′内に突出している点Cからシールド
ケース5の端壁面B−B′までの距離l′の長さは、
シールドケース5内の入力信号や局部発振信号の
伝搬波長λgの約1/2に選ばれている。ここでシ
ールドケース5内の伝搬波長λgとは、信号が誘
電体基板4上に形成されたストリツプ線路上を伝
搬する波長、あるいはシールドケース5内を直接
伝搬する波長のことを言う。
FIG. 6 shows another embodiment of the MIC converter according to the present invention, and the same parts as in FIGS. 1a and 1b are given the same numbers and will be described. A SHF amplifier 1, a frequency mixer 2, and a local oscillator 3, which are each composed of an MIC, are formed on a single dielectric substrate 4.
are connected to the same shield case 5.
located within. Reference numeral 6' denotes an input strip line for the SHF amplifier 1, which is formed on the dielectric substrate 4 together with the SHF amplifier 1. One end of the input strip line 6' is connected to the SHF amplifier 1, and the other end is connected to the waveguide 8'. It is protruding inward. The ground conductor of the dielectric substrate 4 is removed from the portion of the input strip line 6' that protrudes into the waveguide 8'. In this way, the input stripline 6' itself constitutes a line converter from the waveguide 8' to the input stripline 6'. Input strip line 6'
The length of the distance l' from the point C protruding into the waveguide 8' to the end wall surface B-B' of the shielding case 5 is:
It is selected to be approximately 1/2 of the propagation wavelength λg of the input signal and local oscillation signal within the shield case 5. Here, the propagation wavelength λg within the shield case 5 refers to the wavelength at which the signal propagates on the strip line formed on the dielectric substrate 4 or the wavelength at which the signal propagates directly within the shield case 5.

本発明による第6図の実施例の効果は、第1図
a,bの実施例による効果を同じで、入力ストリ
ツプ線路6′のシールドケース5の端壁面B−
B′に最も近接している部分、すなわち、入力ス
トリツプ線路6′が導波管8′内に突出している点
Cから入力ストリツプ線路6′が90度の角度で曲
つている点C′までの部分は、シールドケース5内
を伝搬する導波管モード(第6図でシールドケー
ス5内を左右方向に伝搬するモード)に対して等
価的な短絡面となり、点Cから点C′までは導波管
モードの電界強度は零となり、入力ストリツプ線
路6′の不連続な部分である点Cから点C′までの
部分で入力ストリツプ線路6′とシールドケース
5内の伝搬モードとが結合するのを防止でき、入
力ストリツプ線路6′に存在する不連続な部分
(点Cから点C′までの部分)により、SHF増幅器
1とシールドケース5内の伝搬モードとの結合が
発生し、SHF増幅器1の入力インピーダンスが
シールドケース5により不安定になる影響を軽減
できるため、SHF増幅器1の設計がシールドケ
ース5の有無に関係なく安易に行なえる。同時
に、局部発振器3の導波管8′側への不要輻射漏
えいを減少させる効果を有する。
The effect of the embodiment of FIG. 6 according to the present invention is the same as that of the embodiment of FIGS.
The part closest to B', that is, from the point C where the input strip line 6' protrudes into the waveguide 8' to the point C' where the input strip line 6' is bent at an angle of 90 degrees. This part becomes an equivalent short-circuit surface for the waveguide mode propagating inside the shield case 5 (the mode propagating in the left-right direction inside the shield case 5 in Fig. 6), and from point C to point C' there is no waveguide mode. The electric field strength of the wave tube mode becomes zero, and the input strip line 6' and the propagation mode in the shield case 5 are coupled at the discontinuous part of the input strip line 6' from point C to point C'. Due to the discontinuous part (the part from point C to point C') existing in the input strip line 6', coupling between the SHF amplifier 1 and the propagation mode in the shield case 5 occurs, and the SHF amplifier 1 Since the influence of the input impedance of the input impedance becoming unstable due to the shield case 5 can be reduced, the SHF amplifier 1 can be easily designed regardless of the presence or absence of the shield case 5. At the same time, it has the effect of reducing unnecessary radiation leakage from the local oscillator 3 to the waveguide 8' side.

第7図は本発明によるMIC化コンバータの別
の実施例で、特にシールドケース5の構成に関す
るものであり、第5図a,bと同一箇所には同一
番号を付して説明する。第5図a,bにおけるシ
ールドケース5は底面ケース19と上蓋ケース2
0とに2分割されている。そして平らな底面ケー
ス19上に誘電体基板4が配置され、上蓋ケース
20が誘電体基板4を囲むように底面ケース19
上に配置されている。金属仕切板9,10および
金属ブロツク17,18は上蓋ケース20と一体
になつて構成されている。
FIG. 7 shows another embodiment of the MIC converter according to the present invention, and particularly relates to the structure of the shield case 5, and the same parts as in FIGS. 5a and 5b are given the same numbers and will be described. The shield case 5 in FIGS. 5a and 5b includes a bottom case 19 and a top case 2.
It is divided into two parts, 0 and 0. The dielectric substrate 4 is placed on the flat bottom case 19, and the bottom case 19 is placed so that the top case 20 surrounds the dielectric substrate 4.
placed above. The metal partition plates 9, 10 and the metal blocks 17, 18 are constructed integrally with the upper lid case 20.

第8図は上蓋ケース20の斜視図で、図に示す
ように金属仕切板9,10および金属ブロツク1
7,18が上蓋ケース20と一体になつている。
金属仕切板9,10に設けられた凹部9′,1
0′にストリツプ線路が通るようになつており、
凹部9′,10′の寸法は仕切の効果をよくするた
めにλg/2より小さく選び、またストリツプ線
路の特性インピーダンスを大きく乱さないため
に、凹部9′,10′の寸法はストリツプ線路の幅
方向にはストリツプ線路の幅の約2倍以上に広
く、高さ方向には誘電体基板4の厚さdの約3倍
以上に高く選ばれている。上蓋ケース20に一体
化された金属仕切板9,10と金属ブロツク1
7,18は誘電体基板4の厚みdだけ上蓋ケース
の底より持ち上がつている。
FIG. 8 is a perspective view of the upper lid case 20, and as shown in the figure, the metal partition plates 9 and 10 and the metal block 1
7 and 18 are integrated with the upper lid case 20.
Recesses 9' and 1 provided in metal partition plates 9 and 10
A strip line runs through 0',
The dimensions of the recesses 9' and 10' are selected to be smaller than λg/2 in order to improve the partitioning effect, and the dimensions of the recesses 9' and 10' are selected to be smaller than λg/2 in order to improve the partitioning effect, and in order not to greatly disturb the characteristic impedance of the strip line. It is selected to be as wide as about twice the width of the strip line in the direction, and to be as high as about three times as high as the thickness d of the dielectric substrate 4 in the height direction. Metal partition plates 9 and 10 and metal block 1 integrated into upper lid case 20
7 and 18 are raised from the bottom of the upper lid case by the thickness d of the dielectric substrate 4.

第8図の実施例では、金属仕切板9,10およ
び金属ブロツク17,18が上蓋ケース20と一
体化されているので、金属仕切板9,10により
分割されている空間ごとに誘電体基板を分割する
必要がなくなる。従つて、一枚の誘電体基板上に
SHF増幅器1、周波数混合器2および局部発振
器3をすべて形成することができ、誘電体基板4
上に構成されたマイクロ波集積回路の量産性が向
上する効果を有する。同時に、金属仕切板9,1
0や金属ブロツク17,18が上蓋ケース20と
一体化され、底面ケース19は平らになつている
ので、シールドケースの取扱いや誘電体基板4の
底面ケース19への取り付け作業が安易になる。
また、上蓋ケース20により誘電体基板4を底面
ケース19上に圧着させられるので、底面ケース
19上に誘電体基板4を固着させる信頼性が向上
する効果も有する。
In the embodiment shown in FIG. 8, the metal partition plates 9 and 10 and the metal blocks 17 and 18 are integrated with the upper lid case 20, so a dielectric substrate is provided for each space divided by the metal partition plates 9 and 10. No need to divide. Therefore, on one dielectric substrate
SHF amplifier 1, frequency mixer 2 and local oscillator 3 can all be formed, and dielectric substrate 4
This has the effect of improving the mass productivity of the microwave integrated circuit configured above. At the same time, metal partition plates 9, 1
0 and metal blocks 17, 18 are integrated with the top case 20, and the bottom case 19 is flat, making handling of the shield case and attachment of the dielectric substrate 4 to the bottom case 19 easier.
Furthermore, since the dielectric substrate 4 can be crimped onto the bottom case 19 by the top case 20, there is also the effect of improving the reliability of fixing the dielectric substrate 4 onto the bottom case 19.

第9図は本発明によるMIC化コンバータの別
の実施例の要部で、特に金属仕切板9,10の凹
部9′,10′のストリツプ線路に対する位置関係
に関するものである。21は直流阻止回路で、2
本の終端開放ストリツプ線路が終端開放ストリツ
プ線路の開放端から入力信号の約1/4波長(1/4
λs)の長さにわたり分布結合した1/4波長線路結
合型インタデイジタル直流阻止回路が使われてお
り、この直流阻止回路21の位置に金属仕切板
9,10の凹部9′,10′が位置するように金属
仕切板9,10が配置されている。そしてこの直
流阻止回路21はSHF増幅器1と周波数混合器
2とを直流的に分離する直流阻止回路としても、
あるいは、SHF増幅器1を構成する前段増幅器
1aと後段増幅器1bとを直流的に分離する直流
阻止回路としても用いられている。
FIG. 9 shows the essential parts of another embodiment of the MIC converter according to the present invention, particularly regarding the positional relationship of the recesses 9', 10' of the metal partition plates 9, 10 with respect to the strip line. 21 is a DC blocking circuit;
When the open-ended strip line of the book is connected to the open end of the open-ended strip line, approximately 1/4 wavelength of the input signal (1/4
A 1/4 wavelength line-coupled interdigital DC blocking circuit is used which is distributed and coupled over the length of λ s Metal partition plates 9 and 10 are arranged so as to be aligned with each other. This DC blocking circuit 21 can also be used as a DC blocking circuit that separates the SHF amplifier 1 and the frequency mixer 2 in terms of DC.
Alternatively, it is also used as a DC blocking circuit that separates the front-stage amplifier 1a and the rear-stage amplifier 1b that constitute the SHF amplifier 1 in terms of DC.

第9図の実施例では、金属仕切板9,10の凹
部9′,10′の寸法が同一でも、金属仕切板9,
10がストリツプ線路の特性インピーダンスに与
える影響は、金属仕切板9,10の凹部9′,1
0′が通常のストリツプ線路上にある時に比べて、
第9図の実施例の方が少ないことが実験的に認め
られる。従つて、仕切の効果が同じでも、第9図
の実施例の方が金属仕切板9,10がストリツプ
線路の特性インピーダンス、最終的にはマイクロ
波集積回路の特性を与える影響を少なくできる効
果を有する。逆に金属仕切板9,10のストリツ
プ線路に与える影響を少なく保ちながら仕切の効
果を向上できる。
In the embodiment shown in FIG. 9, even if the dimensions of the recesses 9' and 10' of the metal partition plates 9 and 10 are the same, the metal partition plates 9 and
10 on the characteristic impedance of the strip line is due to the recesses 9' and 1 of the metal partition plates 9 and 10.
Compared to when 0' is on a normal strip line,
It has been experimentally confirmed that the number is smaller in the embodiment shown in FIG. Therefore, even if the effect of the partitions is the same, the embodiment shown in FIG. 9 has the effect of reducing the effect that the metal partition plates 9 and 10 have on the characteristic impedance of the strip line and ultimately on the characteristics of the microwave integrated circuit. have On the contrary, the effect of the partition can be improved while minimizing the influence of the metal partition plates 9 and 10 on the strip line.

発明の効果 以上のように本発明によれば、SHF増幅器、
あるいはMIC化コンバータの入力インピーダン
スが、シールドケースの有る時と無い時とで変化
することが少なくなるため、シールドケースを除
いた状態でSHF増幅器の設計をしたものにシー
ルドケースをかぶせてもSHF増幅器の入力イン
ピーダンスの特性が影響を受けない。従つて
SHF増幅器の設計が安易になる。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, the SHF amplifier,
Alternatively, since the input impedance of the MIC converter is less likely to change with or without the shielding case, even if the SHF amplifier is designed without the shielding case and is covered with the shielding case, the SHF amplifier will not change. input impedance characteristics are not affected. Accordingly
SHF amplifier design becomes easier.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図a,bは本発明のMICの一実施例を示
す平面断面図及び側面断面図、第2図a,bは本
発明のMICの他の実施例を示す平面断面図及び
側面断面図、第3図a〜cは本発明のMICの更
に他の実施例を示す平面断面図、側面断面図及び
要部平面図、第4図a,b及び第5図a,bは本
発明のMICのまた更に他の各実施例を示す平面
断面図及び側面断面図、第6図は同側面断面図、
第7図は同側面図、第8図は同要部斜視図、第9
図は本発明のMICのまた更に別の実施例を示す
要部平面図である。 1……SHF増幅器、2……周波数混合器、3
……局部発振器、5……シールドケース、6,
6′……入力ストリツプ線路、7……導体ポスト、
8,8′……導波管、9,10……金属仕切板、
11,12,13……電波吸収体、14,14′,
15,15′,16……空間、17,18……金
属ブロツク、20……上蓋ケース、21……直流
阻止回路。
FIGS. 1 a and b are a sectional plan view and a side sectional view showing one embodiment of the MIC of the present invention, and FIGS. 2 a and b are a sectional plan view and a sectional side view showing another embodiment of the MIC of the present invention. , FIGS. 3 a to 3 c are plan sectional views, side sectional views, and main part plan views showing still other embodiments of the MIC of the present invention, and FIGS. A plan sectional view and a side sectional view showing still other embodiments of the MIC, FIG. 6 is a side sectional view of the same,
Fig. 7 is a side view of the same, Fig. 8 is a perspective view of the same main part, Fig. 9
The figure is a plan view of essential parts showing still another embodiment of the MIC of the present invention. 1...SHF amplifier, 2...frequency mixer, 3
...Local oscillator, 5...Shield case, 6,
6'...Input strip line, 7...Conductor post,
8, 8'... Waveguide, 9, 10... Metal partition plate,
11, 12, 13... Radio wave absorber, 14, 14',
15, 15', 16...Space, 17, 18...Metal block, 20...Top cover case, 21...DC blocking circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 マイクロ波集積回路基板上に、SHF増幅器、
周波数混合器、局部発振器をこの順に接続し、少
なくとも前記SHF増幅器をシールドケース内に
配置し、前記SHF増幅器の入力ストリツプ線路
に、他の線路への線路変換器を接続するととも
に、前記入力ストリツプ線路と前記線路変換器の
接続点を前記シールドケースの端壁面より約
λg/2(λgはシールドケース内の伝搬波長)離
れた位置に設けたことを特徴とするマイクロ波集
積回路。 2 シールドケース内に、SHF増幅器と周波数
混合器とを空間的に仕切る金属仕切板を配置する
とともに、前記SHF増幅器を構成する増幅素子
間にも金属仕切板を配置したことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のマイクロ波集積回路。 3 金属仕切板により仕切られたシールドケース
内の各空間に電波吸収体を配置したことを特徴と
する特許請求の範囲第2項記載のマイクロ波集積
回路。 4 金属仕切板により仕切られたシールドケース
内の各空間のうち、SHF増幅器の入力ストリツ
プ線路が配置された空間以外の前記各空間に電波
吸収体を配置するとともに、前記入力ストリツプ
線路が配置される空間の幅を狭くしたことを特徴
とする特許請求の範囲第2項記載のマイクロ波集
積回路。 5 シールドケースを、マイクロ波集積回路基板
を塔載する底面ケースと、前記シールドケースの
側面部分および上面部分を一体化した上蓋ケース
とに分割するとともに、金属仕切板を前記上蓋ケ
ースと一体化したことを特徴とする特許請求の範
囲第2項記載のマイクロ波集積回路。 6 マイクロ波集積回路基板上に、SHF増幅器、
イメージ信号阻止フイルタを有する周波数混合
器、局部発振器をこの順に接続し、少なくとも前
記SHF増幅器と前記周波数混合器をシールドケ
ース内に配置し、前記シールドケース内に、前記
SHF増幅器と前記周波数混合器とを空間的に仕
切る金属仕切板を配置するとともに、前記SHF
増幅器を構成する増幅素子間にも金属仕切板を配
置し、前記金属仕切板により仕切られた前記シー
ルドケース内の各空間には電波吸収体を配置し、
前記周波数混合器が仕切られる空間内に配置され
た前記電波吸収体は前記イメージ信号阻止フイル
タの近傍に配置されるようにし、前記SHF増幅
器の入力ストリツプ線路に、他の線路への線路変
換器を接続するとともに、前記入力ストリツプ線
路と前記線路変換器の接続点を前記シールドケー
スの端壁面より約λg/2(λgはシールドケース
内の伝搬波長)離れた位置に設けたことを特徴と
するマイクロ波集積回路。 7 マイクロ波集積回路基板上に、SHF増幅器、
周波数混合器、局部発振器をこの順に接続し、少
なくとも前記SHF増幅器をシールドケース内に
配置し、前記シールドケース内に、前記SHF増
幅器と前記周波数混合器とを空間的に仕切る金属
仕切板を配置するとともに、前記SHF増幅器を
構成する増幅素子間にも金属仕切板を配置し、前
記SHF増幅器の入力ストリツプ線路に、他の線
路への線路変換器を接続するとともに、前記入力
ストリツプ線路と前記線路変換器の接続点を前記
シールドケースの端壁面より約λg/2(λgはシ
ールドケース内の伝搬波長)離れた位置に設け、
前記シールドケースを、前記マイクロ波集積回路
基板を塔載する底面ケースと、前記シールドケー
スの側面部分および上面部分を一体化した上蓋ケ
ースとに分割するとともに、前記金属仕切板およ
び空間の幅を狭くする導体板または金属ブロツク
を前記上蓋ケースと一体化したことを特徴とする
マイクロ波集積回路。 8 マイクロ波集積回路基板上に、SHF増幅器、
周波数混合器、局部発振器をこの順に接続し、少
なくとも前記SHF増幅器をシールドケース内に
配置し、前記シールドケース内に、前記SHF増
幅器と前記周波数混合器とを空間的に仕切る金属
仕切板を配置するとともに、前記SHF増幅器を
構成する増幅素子間にも金属仕切板を配置し、前
記SHF増幅器の入力ストリツプ線路に、他の線
路への線路変換器を接続するとともに、前記入力
ストリツプ線路と前記線路変換器の接続点を前記
シールドケースの端壁面より約λg/2(λgはシ
ールドケース内の伝搬波長)離れた位置に設け、
前記SHF増幅器と前記周波数混合器とを空間的
に仕切る前記金属仕切板は、前記SHF増幅器と
前記周波数混合器とを直流的に分離するストリツ
プ線路で形成された直流阻止回路上に配置され、
前記SHF増幅器を構成する前記増幅素子間にあ
る前記金属仕切板は前記増幅素子間を直流的に分
離するストリツプ線路で形成された直流阻止回路
上に配置されたことを特徴とするマイクロ波集積
回路。
[Claims] 1. On a microwave integrated circuit board, an SHF amplifier,
A frequency mixer and a local oscillator are connected in this order, at least the SHF amplifier is placed in a shielded case, a line converter to another line is connected to the input strip line of the SHF amplifier, and the input strip line is connected to the input strip line of the SHF amplifier. and a connecting point of the line converter is provided at a position approximately λg/2 (λg is a propagation wavelength within the shielding case) from an end wall surface of the shielding case. 2. A patent claim characterized in that a metal partition plate is arranged in the shield case to spatially partition an SHF amplifier and a frequency mixer, and a metal partition plate is also arranged between amplification elements that constitute the SHF amplifier. The microwave integrated circuit according to item 1. 3. The microwave integrated circuit according to claim 2, characterized in that a radio wave absorber is disposed in each space within the shield case partitioned by a metal partition plate. 4 Among the spaces in the shield case partitioned by metal partition plates, a radio wave absorber is arranged in each space other than the space where the input strip line of the SHF amplifier is arranged, and the input strip line is arranged. 3. The microwave integrated circuit according to claim 2, wherein the width of the space is narrowed. 5. The shield case is divided into a bottom case on which the microwave integrated circuit board is mounted, and a top case that integrates the side and top parts of the shield case, and a metal partition plate is integrated with the top case. The microwave integrated circuit according to claim 2, characterized in that: 6 On the microwave integrated circuit board, SHF amplifier,
A frequency mixer having an image signal blocking filter and a local oscillator are connected in this order, and at least the SHF amplifier and the frequency mixer are arranged in a shield case.
A metal partition plate is arranged to spatially partition the SHF amplifier and the frequency mixer, and the SHF
A metal partition plate is also arranged between the amplification elements constituting the amplifier, and a radio wave absorber is arranged in each space in the shield case partitioned by the metal partition plate,
The radio wave absorber placed in the space partitioned by the frequency mixer is placed near the image signal blocking filter, and a line converter to another line is connected to the input strip line of the SHF amplifier. and a connection point between the input strip line and the line converter is provided at a position approximately λg/2 (λg is the propagation wavelength within the shield case) from the end wall surface of the shield case. wave integrated circuit. 7 On the microwave integrated circuit board, the SHF amplifier,
A frequency mixer and a local oscillator are connected in this order, at least the SHF amplifier is disposed within a shield case, and a metal partition plate is disposed within the shield case to spatially partition the SHF amplifier and the frequency mixer. At the same time, a metal partition plate is also arranged between the amplifying elements constituting the SHF amplifier, and a line converter to another line is connected to the input strip line of the SHF amplifier, and a line converter for connecting the input strip line to the line converter is connected to the input strip line of the SHF amplifier. The connection point of the device is located at a distance of about λg/2 (λg is the propagation wavelength within the shielding case) from the end wall surface of the shielding case,
The shield case is divided into a bottom case on which the microwave integrated circuit board is mounted, and a top case that integrates the side and top parts of the shield case, and the width of the metal partition plate and the space are narrowed. A microwave integrated circuit characterized in that a conductive plate or a metal block is integrated with the upper case. 8 On the microwave integrated circuit board, SHF amplifier,
A frequency mixer and a local oscillator are connected in this order, at least the SHF amplifier is disposed within a shield case, and a metal partition plate is disposed within the shield case to spatially partition the SHF amplifier and the frequency mixer. At the same time, a metal partition plate is also arranged between the amplifying elements constituting the SHF amplifier, and a line converter to another line is connected to the input strip line of the SHF amplifier, and a line converter for connecting the input strip line to the line converter is connected to the input strip line of the SHF amplifier. The connection point of the device is located at a distance of about λg/2 (λg is the propagation wavelength within the shielding case) from the end wall surface of the shielding case,
The metal partition plate that spatially partitions the SHF amplifier and the frequency mixer is placed on a DC blocking circuit formed of a strip line that isolates the SHF amplifier and the frequency mixer in terms of DC,
A microwave integrated circuit characterized in that the metal partition plate between the amplification elements constituting the SHF amplifier is placed on a DC blocking circuit formed of a strip line that isolates the amplification elements in terms of DC. .
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