JPH0252448B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ガラスを基板として使用する表面波
装置の製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method of manufacturing a surface acoustic wave device using glass as a substrate.
（従来技術）
一般に、ガラスを基板として使用する表面波装
置は、第３図ａおよび第３図ｂに示すように、無
アルカリガラス等のガラス基板１の主表面に、櫛
歯状の入力側インタデイジタル電極２と出力側イ
ンタデイジタル電極３を中心間距離Ｄをおいて形
成するとともに、その上にZnOの圧電膜４を形成
し、入力側インタデイジタル電極２に印加された
電気信号によりこの入力側インタデイジタル電極
２上の圧電膜４で発生され、この圧電膜４および
ガラス基板１を媒質として伝播する表面波Voを、
出力側インタデイジタル電極３によつて再び電気
信号に変換して取り出す構成を有する。(Prior Art) In general, a surface acoustic wave device using glass as a substrate has a comb-shaped input side on the main surface of a glass substrate 1 made of alkali-free glass, etc., as shown in FIGS. 3a and 3b. An interdigital electrode 2 and an output side interdigital electrode 3 are formed with a distance D between their centers, and a piezoelectric film 4 of ZnO is formed thereon. A surface wave Vo generated by the piezoelectric film 4 on the side interdigital electrode 2 and propagating through the piezoelectric film 4 and the glass substrate 1 as a medium,
It has a configuration in which the output side interdigital electrode 3 converts it into an electric signal again and takes it out.
従来より、上記のような構成を有する表面波装
置を製造するには、第４図に示すように、50mm×
50mm程度の大きさを有する一枚のガラス板５の主
表面に、点線で示す区画６に第３図ａの入力側イ
ンタデイジタル電極２および出力側インタデイジ
タル電極３を形成する。その後、これら入力側イ
ンタデイジタル電極２および出力側インタデイジ
タル電極３が形成されたガラス板５の主表面全体
もしくは部分的に、スパツタリングの手法によ
り、ZnOからなる圧電材料膜（図示せず。）を形
成する。このガラス板５を、そのいま一つの主表
面側から第４図において２点鎖線ｌで示すよう
に、ダイヤモンド刃もしくは超硬ロール刃（いず
れも図示せず。）を使用して切断し、第３図ａに
示す表面波装置に分離している。 Conventionally, in order to manufacture a surface acoustic wave device having the above configuration, as shown in Fig. 4, a 50mm×
On the main surface of a single glass plate 5 having a size of about 50 mm, the input side interdigital electrode 2 and the output side interdigital electrode 3 shown in FIG. 3a are formed in a section 6 shown by a dotted line. Thereafter, a piezoelectric material film (not shown) made of ZnO is applied to the entire or partial main surface of the glass plate 5 on which the input-side interdigital electrodes 2 and the output-side interdigital electrodes 3 are formed by sputtering. Form. This glass plate 5 is cut from the other main surface side as shown by the two-dot chain line l in FIG. It is separated into the surface wave device shown in Figure 3a.
ところで、上記従来の表面波装置の製造方法で
は、スパツタリングにより圧電材料膜を形成する
際、このスパツタリング中にガラス板５に熱ひず
みが加わる。この熱ひずみのため、ガラス板５の
ダイヤモンド刃や超硬ロール刃等による切断（ス
クライブ）時にこのガラス板５にクラツク等が生
じ、表面波装置の製造時の良品率が低くなるとい
う問題があつた。 By the way, in the above-mentioned conventional manufacturing method of a surface acoustic wave device, when forming a piezoelectric material film by sputtering, thermal strain is applied to the glass plate 5 during this sputtering. Due to this thermal strain, cracks occur in the glass plate 5 when the glass plate 5 is cut (scribed) with a diamond blade, a carbide roll blade, etc., resulting in a problem that the yield rate during the manufacture of surface acoustic wave devices is low. Ta.
（発明の目的）
本発明はガラス板を使用した表面波装置の製造
方法における上記問題点に鑑みてなされたもので
あつて、ガラス板のクラツク等の発生を抑え、良
品率を高めるようにした表面波装置の製造方法を
提供することを目的としている。(Object of the Invention) The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the manufacturing method of a surface acoustic wave device using a glass plate. The present invention aims to provide a method for manufacturing a surface wave device.
（発明の構成）
このため、本発明は、圧電材料膜が形成される
ガラス板の主表面に対向するいま一つの主表面側
に金属膜を形成し、この金属膜の上からレーザを
照射してガラス板に切断溝を形成し、この切断溝
を利用してガラス板の上に形成された表面波装置
を分離することを特徴とするものである。すなわ
ち、本発明は、表面波装置が形成されるガラス板
に金属膜を形成し、この金属膜を通してガラス板
にレーザを照射することにより、このガラス板を
切断する。レーザがガラス板に照射された際、こ
のガラス板に加えられる熱衝撃が金属膜により拡
散され、ガラス板にクラツク等が発生するのが少
くなる。(Structure of the Invention) For this reason, the present invention forms a metal film on another main surface side opposite to the main surface of the glass plate on which the piezoelectric material film is formed, and irradiates laser from above this metal film. The method is characterized in that a cutting groove is formed in the glass plate, and the surface acoustic wave device formed on the glass plate is separated using the cutting groove. That is, in the present invention, a metal film is formed on a glass plate on which a surface wave device is formed, and the glass plate is cut by irradiating the glass plate with a laser through the metal film. When the glass plate is irradiated with a laser, the thermal shock applied to the glass plate is diffused by the metal film, reducing the occurrence of cracks on the glass plate.
（発明の効果）
本発明によれば、表面波装置を形成したガラス
板に形成された金属膜を通してレーザが照射され
るので、ガラス板に照射されたレーザによる熱衝
撃が金属膜により拡散され、ガラス基板に切断し
てその上に形成された表面波装置の分離時に、ガ
ラス基板にクラツク等が発生することが少くな
り、表面波装置の製造時の良品率を大幅に向上さ
せることができる。(Effects of the Invention) According to the present invention, since the laser is irradiated through the metal film formed on the glass plate forming the surface wave device, the thermal shock caused by the laser irradiated on the glass plate is diffused by the metal film. When a surface acoustic wave device cut into a glass substrate and formed thereon is separated, cracks and the like are less likely to occur in the glass substrate, and the yield rate during manufacturing of surface acoustic wave devices can be greatly improved.
（実施例）
以下、添付図面を参照して本発明に係る表面波
装置の製造方法を説明する。(Example) Hereinafter, a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
先ず、第１図ａに示すように、一辺が例えば50
mmで厚さが0.7mmのほう硅酸ガラス等のガラス板
１１を用意する。 First, as shown in Figure 1a, one side is, for example, 50
A glass plate 11 made of borosilicate glass or the like having a thickness of 0.7 mm is prepared.
このガラス板１１には、第１図ｂに示すよう
に、その一つの主表面１１ａに、第４図と全く同
様に、複数対の入力側インタデイジタル電極１２
および出力側インタデイジタル電極１３を形成す
る。これら入力側インタデイジタル電極１２およ
び出力側インタデイジタル電極１３は、たとえ
ば、アルミニウム（Al）の蒸着およびフオトエ
ツチングの手法により形成することができる。 As shown in FIG. 1b, this glass plate 11 has a plurality of pairs of input-side interdigital electrodes 12 on one main surface 11a, just as in FIG.
and output side interdigital electrodes 13 are formed. These input-side interdigital electrodes 12 and output-side interdigital electrodes 13 can be formed, for example, by vapor deposition and photoetching of aluminum (Al).
その後、上記ガラス板１１の主表面１１ａの上
には、第１図ｃに示すように、スパツタリングに
よりZnO等の圧電材料膜１４を形成する。 Thereafter, a piezoelectric material film 14 such as ZnO is formed on the main surface 11a of the glass plate 11 by sputtering, as shown in FIG. 1c.
一方、上記ガラス板１１のいま一つの主表面１
１ｂ上には、第１図ｄに示すように、ニツケル
（Ni）の金属膜１５を形成する。この金属膜１５
は、印刷もしくは蒸着等の手法で形成することが
できる。その厚さは、印刷で形成した場合は3μm
程度であり、蒸着で形成した場合は0.6μm程度で
ある。なお、この金属膜１５は、入力側インタデ
イジタル電極１２、出力側インタデイジタル電極
１３の形成前に形成してもよく、また、これら入
力側インタデイジタル電極１２、出力側インタデ
イジタル電極１３の形成工程と、圧電材料膜１４
の形成工程との間で形成してもよい。 On the other hand, another main surface 1 of the glass plate 11
A metal film 15 of nickel (Ni) is formed on the layer 1b, as shown in FIG. 1d. This metal film 15
can be formed by a method such as printing or vapor deposition. Its thickness is 3μm when formed by printing.
The thickness is approximately 0.6 μm when formed by vapor deposition. Note that this metal film 15 may be formed before forming the input-side interdigital electrode 12 and the output-side interdigital electrode 13, and may also be formed during the formation process of the input-side interdigital electrode 12 and the output-side interdigital electrode 13. and piezoelectric material film 14
It may be formed between the formation step of.
このように、主表面１１ｂ上に金属膜１５を形
成したガラス基板１１には、この金属膜１５の上
から、第１図ｄに矢印Ａで示すように、たとえば
CO2レーザを照射し、深さｄが例えば0.18mmの切
断溝１６を形成する。 In this way, on the glass substrate 11 with the metal film 15 formed on the main surface 11b, for example, as shown by the arrow A in FIG.
A CO 2 laser is irradiated to form a cutting groove 16 having a depth d of, for example, 0.18 mm.
この切断溝１６にて上記ガラス基板１１を割つ
て表面波装置を分離する。 The glass substrate 11 is broken at this cutting groove 16 to separate the surface acoustic wave device.
このようにして分離された表面波装置は、第２
図ａおよび第２図ｂに示すように、入力側インタ
デイジタル電極１２の引出電極１２ａ，１２ｂに
は引出電極２１ａ，２１ｂが、出力側インタデイ
ジタル電極１３の引出電極１３ａ，１３ｂには端
子電極２２ａ，２２ｂが、また、金属膜１５には
アース端子２３が夫々半田付けされた後、外装樹
脂２４で被覆される。 The surface wave device separated in this way is
As shown in FIG. , 22b and a ground terminal 23 are soldered to the metal film 15, respectively, and then covered with an exterior resin 24.
上記のように予め形成した金属膜１５を通して
ガラス板１１にCO2レーザを照射すれば、既に述
べたように、CO2レーザがガラス板１１に照射さ
れた際の熱衝撃が上記金属膜１５で拡散され、ス
パツタリングによる圧電膜１４の形成時に、ガラ
ス板１１に熱ひずみが与えられても、スクライブ
時にこのガラス板１１にクラツクが発生すること
は少くなる。 If the glass plate 11 is irradiated with the CO 2 laser through the metal film 15 formed in advance as described above, the metal film 15 will receive a thermal shock when the glass plate 11 is irradiated with the CO 2 laser, as described above. Even if thermal strain is applied to the glass plate 11 during the formation of the piezoelectric film 14 by diffusion and sputtering, cracks are less likely to occur in the glass plate 11 during scribing.
また、金属膜１５は、上記のように、アース端
子２３を取り付け、シールド用の電極としても利
用することができる。この金属膜１５はニツケル
以外の金属材料を使用することもできる。 Further, as described above, the metal film 15 can be attached with the earth terminal 23 and used as a shielding electrode. This metal film 15 can also be made of a metal material other than nickel.
以上に説明した本発明の実施例によれば、ガラ
ス板１１のクラツク発生の減少により、表面波装
置のカツト良品率は96パーセントから99パーセン
トに向上させることができた。 According to the embodiment of the present invention described above, the cut rate of the surface acoustic wave device could be improved from 96% to 99% by reducing the occurrence of cracks in the glass plate 11.
第１図ａ、第１図ｂ、第１図ｃおよび第１図ｄ
は夫々本発明に係る表面波装置の製造方法の説明
図であり、第２図ａは本発明方法により製造され
た表面波装置の平面図、第２図ｂは第２図ａの表
面波装置の−線に沿う断面図、第３図ａは従
来の製造方法により製造される表面波装置の平面
図、第３図ｂは第３図ａの表面波装置の−線
に沿う断面図、第４図は従来の表面波装置の製造
方法の説明図である。
１１……ガラス板（１１ａ，１１ｂ……主表
面）、１２……入力側インタデイジタル電極、１
３……出力側インタデイジタル電極、１４……圧
電材料膜、２５……金属膜、１６……切断溝。
Figure 1a, Figure 1b, Figure 1c and Figure 1d
are explanatory views of the method for manufacturing a surface wave device according to the present invention, FIG. 2a is a plan view of the surface wave device manufactured by the method of the present invention, and FIG. 3a is a plan view of a surface wave device manufactured by a conventional manufacturing method; FIG. 3b is a sectional view of the surface wave device of FIG. FIG. 4 is an explanatory diagram of a conventional method for manufacturing a surface acoustic wave device. 11...Glass plate (11a, 11b...main surface), 12...Input side interdigital electrode, 1
3... Output side interdigital electrode, 14... Piezoelectric material film, 25... Metal film, 16... Cutting groove.
Claims (1)
タル電極および出力側インタデイジタル電極と圧
電材料膜が形成された一枚のガラス板を、入力側
インタデイジタル電極および出力側インタデイジ
タル電極の対を含んで切断することにより表面波
装置を製造する表面波装置の製造方法であつて、
上記ガラス板の他方の主表面に金属膜を形成し、
この金属膜の上からレーザを照射して切断溝を形
成し、上記ガラス板を切断することを特徴とする
表面波装置の製造方法。1. A single glass plate on which a plurality of pairs of input-side interdigital electrodes and output-side interdigital electrodes and a piezoelectric material film are formed on one main surface, including the pairs of input-side interdigital electrodes and output-side interdigital electrodes. A method for manufacturing a surface wave device, the method comprising:
forming a metal film on the other main surface of the glass plate;
A method of manufacturing a surface acoustic wave device, characterized in that the glass plate is cut by irradiating a laser beam onto the metal film to form a cutting groove.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25099984A JPS61128618A (en) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | Manufacture of surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25099984A JPS61128618A (en) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | Manufacture of surface acoustic wave device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128618A JPS61128618A (en) | 1986-06-16 |
| JPH0252448B2 true JPH0252448B2 (en) | 1990-11-13 |
Family
ID=17216142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25099984A Granted JPS61128618A (en) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | Manufacture of surface acoustic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61128618A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6240812A (en) * | 1985-08-19 | 1987-02-21 | Toshiba Corp | Surface acoustic wave device |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP25099984A patent/JPS61128618A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61128618A (en) | 1986-06-16 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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