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JPH025311B2 - - Google Patents
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JPH025311B2 - - Google Patents

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JPH025311B2
JPH025311B2 JP58091672A JP9167283A JPH025311B2 JP H025311 B2 JPH025311 B2 JP H025311B2 JP 58091672 A JP58091672 A JP 58091672A JP 9167283 A JP9167283 A JP 9167283A JP H025311 B2 JPH025311 B2 JP H025311B2
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aluminum foil
aluminum
metal
substrate
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Kazuo Kato
Tatsuo Nakano
Shinichiro Asai
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Denka Co Ltd
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Denki Kagaku Kogyo KK
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、絶縁物層にアルミニウム回路やアル
ミニウム回路に金属ペースト回路を部分的に形成
し、アルミニウム線や金線による半導体等と回路
との結線が容易に行え、更に半田付による部品接
続をも可能とした混成集積回路及び基板に関す
る。 従来、混成集積回路は、セラミツクやガラス基
板上に抵抗体やトランジスターの如き回路部品を
適宜付着したもの、あるいはアルミニウムまたは
鉄等の金属基板上に絶縁層を設け、この上に回路
を組み込む方式が一般的である。 これらの基板の上には、半田付による半導体の
ダイボンデイング、外部リード端子の接続、チツ
プコンデンサー及びチツプ抵抗等チツプ部品の取
付が行なわれる。また半導体と回路との接続には
金線又はアルミニウム線によるワイヤーボンデイ
ングが行なわれ、特にハイパワー用の混成集積回
路においては、200〜300μのアルミニウム太線に
よるワイヤーボンデイングが安価なため行なわれ
ている。 このアルミニウム線による接続においては、通
常回路に用いられる銅が酸化され易いため、貴金
属メツキによる処理、ニツケルメツキ（特公昭52
−3461号）、アルミニウムの蒸着（特開昭51−
28662号）及び金属ペレツトの接着（特公昭45−
37110号）、等各種の提案があつた。しかしなが
ら、メツキによる場合にはメツキ設備を必要とす
る他にメツキの表面精度、層厚みを管理すること
が必要である。また、金属ペレツトの接着の場合
は、接着個数が半導体のダイボンデイング数より
多く、これらの作業はきわめて煩雑な作業であ
る。 本発明は、かかる欠点を解決したものであり、
絶縁物層にアルミニウム回路の形成、さらにアル
ミニウム回路に半田付可能な金属ペースト回路を
部分的に形成することにより、半導体、チツプコ
ンデンサー、チツプ抵抗等と回路との接続が容易
となる混成集積回路及び基板を提供するものであ
る。 すなわち本発明は、絶縁物層又は金属基板を積
層した絶縁物層にアルミニウム箔回路と部分的に
半田付可能な金属ペースト回路とを順次積層した
基板及び前記基板の金属ペースト回路で、半田付
による回路接続を行い、又アルミニウム箔回路で
半導体のワイヤーボンデイングによる回路接続を
行つたことを特徴とする。 以下図面により本発明の実施例を説明する。 図面は、本発明による混成集積回路の一断面図
を示したものである。基板としては、金属基板１
上に絶縁物層２を積層し、その上にアルミニウム
箔から成る回路３が形成され、半田付可能な銅ペ
ーストによる回路４及び銀ペースト４′がその上
に部分的に形成されたものが使用されている。図
中９は、ハイパワー用のトランジスターであり、
ここから生じる線は、ヒートシンク６で逃がして
いる。このヒートシンク６は、図の様に半田５で
銅ペーストによる回路４に接続されている。また
外部リード端子８も銅ペーストによる回路４に半
田５により接続されている。 一方、ハイパワー用トランジスター９は、アル
ミニウム箔から成る回路３にアルミニウム太線７
により接続されている。また小信号用トランジス
ター９′もアルミニウム箔から成る回路３にアル
ミニウム細線７′により接続されている。なお小
信号用トランジスター９′は、銀ペースト４′によ
りアルミニウム箔から成る回路３上に固着されて
いる。 本発明に用いる基板としては、金属基板上に絶
縁物層を設け、アルミニウム箔から成る回路およ
び半田付可能な金属ペーストから成る回路を設け
たもの、又は、金属基板のない絶縁物層の上にア
ルミニウム箔から成る回路および該アルミニウム
箔回路に半田付可能な金属ペーストから成る回路
を設けたものである。 金属基板としては、良熱伝導性の肉厚0.1〜6.0
mmのアルミニウム、鉄等が用いられ、絶縁物層と
しては、無機粉体を含有する高分子樹脂絶縁層、
ガラス繊維を含有する高分子樹脂絶縁層及び耐熱
性高分子樹脂絶縁層が用いられる。前記無機粉体
としては、ボロンナイトライド、ベリリヤ、アル
ミナ、シリカ、マグネシア等が好ましく、高分子
樹脂としては、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、
シリコン樹脂、ポリイミド樹脂等が好ましい。ま
たアルミニウム箔から成る回路に用いられるアル
ミニウム箔の厚さは、５〜100μが好ましい。本
発明に言う半田付可能な金属ペーストとは、銅や
銀等の半田付可能な金属の粉末をエポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂等の有機物に充填したペーストの
ことであり、例えばアサヒ化研製（商品名ACP
−030）があげられ、加熱することにより、アル
ミ箔上に接着し、半田付可能な回路を形成でき、
通常は、スクリーン印刷により回路形成される。 次に本発明のアルミニウム箔から成る回路上に
50μのアルミニウム線を超音波ワイヤーボンデイ
ングした時のワイヤーボンデイング条件巾ちボン
デイング強度（平均値）の例を第１表に示した。
実験は、1.5mmのアルミニウム板に40μのアルミニ
ウム箔を、フイラー入りエポキシ樹脂で接合した
金属基板を用い、この基板のアルカリエツチング
によりアルミニウム箔から成る回路を形成し、更
にその上に銅粉入りエポキシ樹脂系接着剤のスク
リーン印刷により、半田付可能な回路を形成した
回路形成済基板を用いてワイヤーボンデイング試
験を行つた。比較のために35μの銅箔上に3μのニ
ツケルメツキをした基板で同様の超音波ワイヤー
ボンデイング性をみたところ、第２表に示すとう
りボンデイング強度は最高で30g（テンシヨンゲ
ージによる測定）であり、ボンデイング条件巾は
第１表よりも狭いことがわかつた。従つて本発明
によるアルミニウム箔から成る回路を用いた方が
ボンデイング強度が高く、ボンデイング条件巾も
広いことがわかる。また金線によるワイヤーボン
デイング性もテストしたところも同様に良好なこ
とがわかつた。
【表】
【表】
【表】 【図面の簡単な説明】
図面は、本発明の実施例の断面図である。 符号１……金属基板、２……絶縁物層、３……
アルミニウム箔から成る回路、４……半田付可能
な銅ペーストから成る回路、４′……銀ペースト、
５……半田、６……ヒートシンク、７……アルミ
ニウム太線、７′……アルミニウム細線、８……
外部リード端子、９……パワートランジスター、
９′……小信号トランジスター。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁物層、又は金属基板を積層した絶縁物層
    に、アルミニウム箔回路と部分的に半田付可能な
    金属ペースト回路とを順次積層したことを特徴と
    する混成集積回路用基板。 ２ 絶縁物層、又は金属基板を積層した絶縁物層
    に、アルミニウム箔回路と部分的に半田付可能な
    金属ペースト回路とを順次積層し、前記金属ペー
    スト回路で半田付による回路接続を行い、又アル
    ミニウム箔回路で半導体のワイヤーボンデイング
    による回路接続を行つたことを特徴とする混成集
    積回路。
JP58091672A 1983-05-25 1983-05-25 混成集積回路及び基板 Granted JPS59217336A (ja)

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JP58091672A JPS59217336A (ja) 1983-05-25 1983-05-25 混成集積回路及び基板

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JPS59217336A JPS59217336A (ja) 1984-12-07
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5281684A (en) * 1992-04-30 1994-01-25 Motorola, Inc. Solder bumping of integrated circuit die

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5591896A (en) * 1978-12-28 1980-07-11 Fuji Electric Co Ltd Circuit board

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JPS59217336A (ja) 1984-12-07

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