JPH025326B2 - - Google Patents
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- JPH025326B2 JPH025326B2 JP55039079A JP3907980A JPH025326B2 JP H025326 B2 JPH025326 B2 JP H025326B2 JP 55039079 A JP55039079 A JP 55039079A JP 3907980 A JP3907980 A JP 3907980A JP H025326 B2 JPH025326 B2 JP H025326B2
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- acoustic wave
- surface acoustic
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 56
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- G—PHYSICS
- G10—MUSICAL INSTRUMENTS; ACOUSTICS
- G10K—SOUND-PRODUCING DEVICES; METHODS OR DEVICES FOR PROTECTING AGAINST, OR FOR DAMPING, NOISE OR OTHER ACOUSTIC WAVES IN GENERAL; ACOUSTICS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G10K15/00—Acoustics not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14502—Surface acoustic wave [SAW] transducers for a particular purpose
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T29/42—Piezoelectric device making
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は弾性表面波装置、特に製作容易で高周
波かつ広帯域の弾性表面波トランスジユーサ及び
その製造方法に関する。
波かつ広帯域の弾性表面波トランスジユーサ及び
その製造方法に関する。
従来の弾性表面波トランスジユーサとしてエツ
ジ・ボンデツド型のものを第１図に示す。同図に
おいて、１は弾性体、１′は弾性表面波伝播面、
２は圧電体、３及び４は電極、５は電気信号入力
端子、６は弾性表面波である。
ジ・ボンデツド型のものを第１図に示す。同図に
おいて、１は弾性体、１′は弾性表面波伝播面、
２は圧電体、３及び４は電極、５は電気信号入力
端子、６は弾性表面波である。
図示したように弾性体１のうちの一つの面１′
に弾性表面波６に伝播させるために、弾性体１の
端面に、発生させようとする弾性表面波の伝播方
向に直角に、電極３，４及び圧電体２から成る積
層構造物が構成されている。
に弾性表面波６に伝播させるために、弾性体１の
端面に、発生させようとする弾性表面波の伝播方
向に直角に、電極３，４及び圧電体２から成る積
層構造物が構成されている。
そしてその寸法としては、圧電体２の有効な幅
をａ、厚みをｂ、また発生する弾性表面波の中心
周波数f0における波長をλ0とすると、ａλ0、ｂ
λ0／２程度にとつてある。
をａ、厚みをｂ、また発生する弾性表面波の中心
周波数f0における波長をλ0とすると、ａλ0、ｂ
λ0／２程度にとつてある。
而して電気信号入力端子５に交流電圧を印加す
ると、圧電体２が振動する。これにより弾性体１
の表面１′の端部より弾性表面波６が励起され、
図の左方に伝播する。
ると、圧電体２が振動する。これにより弾性体１
の表面１′の端部より弾性表面波６が励起され、
図の左方に伝播する。
上述した従来のトランスジユーサは広帯域特性
を有するが、実用的な素子製造が困難な欠点があ
る。即ち、このトランスジユーサを製造する方法
として次の２つが考えられる。
を有するが、実用的な素子製造が困難な欠点があ
る。即ち、このトランスジユーサを製造する方法
として次の２つが考えられる。
(イ) 圧電体２を形成し、その両端に電極３，４を
取付けたものを弾性体１の端面に接着する。
取付けたものを弾性体１の端面に接着する。
(ロ) 弾性体１の端面に金属電極３を蒸着し、更に
その上に圧電体薄膜２（例えば酸化亜鉛等）を
蒸着等の方法で形成し、その上に再度金属電極
４を蒸着する。
その上に圧電体薄膜２（例えば酸化亜鉛等）を
蒸着等の方法で形成し、その上に再度金属電極
４を蒸着する。
しかるに何れの方法によるも実用的に所期のト
ランスジユーサを製造することは困難であり、特
に中心周波数f0が高くなければ、トランスジユー
サの寸法ａ及びｂが小さくなるため、一層困難で
ある。
ランスジユーサを製造することは困難であり、特
に中心周波数f0が高くなければ、トランスジユー
サの寸法ａ及びｂが小さくなるため、一層困難で
ある。
また、接着剤の音響特性や経時変化も問題であ
つた。
つた。
本発明はかかる従来技術の欠点を改良するため
になされたもので、弾性体の弾性表面波伝播路上
に圧電体と金属電極とから成る積層構造物を設
け、上記弾性体に音響インピーダンス不連続面に
形成し、該音響インピーダンス不連続面により上
記積層構造物で発生された縦波を反射させて横波
を得るように構成したことを特徴とする。
になされたもので、弾性体の弾性表面波伝播路上
に圧電体と金属電極とから成る積層構造物を設
け、上記弾性体に音響インピーダンス不連続面に
形成し、該音響インピーダンス不連続面により上
記積層構造物で発生された縦波を反射させて横波
を得るように構成したことを特徴とする。
以下図面に示す実施例を参照して本発明を説明
すると、第２図及び第３図において、第１図と同
一符号は同一部材を示し、７は弾性体１の音響イ
ンピーダンス不連続面（縦波反射面）で、例えば
図示したように弾性表面波伝播面１′に対して角
度αで弾性体１を切断することにより積層構造物
の端付近の弾性表面波伝播路上の点と積層構造物
直下の点を含むように形成されている。
すると、第２図及び第３図において、第１図と同
一符号は同一部材を示し、７は弾性体１の音響イ
ンピーダンス不連続面（縦波反射面）で、例えば
図示したように弾性表面波伝播面１′に対して角
度αで弾性体１を切断することにより積層構造物
の端付近の弾性表面波伝播路上の点と積層構造物
直下の点を含むように形成されている。
また積層構造物は例えば弾性体１の弾性表面波
伝播路上にこれと直角方向に長手方向を有するス
トリツプ状をなして設けられている。
伝播路上にこれと直角方向に長手方向を有するス
トリツプ状をなして設けられている。
今、圧電体２の上下面の金属電極３及び４に端
子５より交流電圧を印加すると、圧電体２の伸縮
により発生する振動が弾性体１中に縦波Ａを励起
する。この縦波Ａは音響インピーダンス不連続面
７により反射され、縦波Ｃと横波Ｂとに分かれ
る。
子５より交流電圧を印加すると、圧電体２の伸縮
により発生する振動が弾性体１中に縦波Ａを励起
する。この縦波Ａは音響インピーダンス不連続面
７により反射され、縦波Ｃと横波Ｂとに分かれ
る。
ここで弾性表面波のエネルギーは弾性体表面か
ら−波長程度の深さにその90％が含まれているた
め、逆に弾性体内部で発生した横波から弾性体表
面波へエネルギーが変換される場合、弾性体表面
から−波長以上深い位置で発生した横波からの変
換エネルギーは微小であるので、無駄となる。従
つて弾性体に注入したトータルエネルギーを効率
良く弾性表面波へ変換するためには横波Ｂを弾性
体表面から−波長以内で発生させるのが効果的で
ある。
ら−波長程度の深さにその90％が含まれているた
め、逆に弾性体内部で発生した横波から弾性体表
面波へエネルギーが変換される場合、弾性体表面
から−波長以上深い位置で発生した横波からの変
換エネルギーは微小であるので、無駄となる。従
つて弾性体に注入したトータルエネルギーを効率
良く弾性表面波へ変換するためには横波Ｂを弾性
体表面から−波長以内で発生させるのが効果的で
ある。
第４図は弾性体１として溶融石英を用いた場合
の反射面角度αに対する反射横波Ｂと入射縦波Ａ
との振幅比（反射率）Γ21及び反射縦波Ｃと入射
縦波Ａとの振幅比Γ31の変化の計算例を示す。
の反射面角度αに対する反射横波Ｂと入射縦波Ａ
との振幅比（反射率）Γ21及び反射縦波Ｃと入射
縦波Ａとの振幅比Γ31の変化の計算例を示す。
同図から明らかな如く入射縦波Ａが有効に反射
横波Ｂに変換されるためにはΓ21が大きく、Γ31の
絶対値が小さいような角度αを選定することが望
ましい。従つて第４図の例では、20゜＜α＜60゜程
度が望ましいαの範囲であることが分かる。
横波Ｂに変換されるためにはΓ21が大きく、Γ31の
絶対値が小さいような角度αを選定することが望
ましい。従つて第４図の例では、20゜＜α＜60゜程
度が望ましいαの範囲であることが分かる。
第５図は弾性体１として銅を用いた場合の第４
図と同様の計算例を示す。この例でαの望ましい
範囲は同図から明らかな如く30゜＜α＜75゜程度で
ある。
図と同様の計算例を示す。この例でαの望ましい
範囲は同図から明らかな如く30゜＜α＜75゜程度で
ある。
かくして本発明の弾性表面波トランスジユーサ
は20゜＜α＜75゜の範囲にαを選定した時に所期の
動作をする。
は20゜＜α＜75゜の範囲にαを選定した時に所期の
動作をする。
また第３図において縦波Ａ、横波Ｂ夫々の弾性
表面波伝播方向に対してαの角度傾斜した端面７
に沿つた粒子変位速度成分が等しいという条件、
即ち、Asinα＝VL、Acosβ＝VSVから、VL／sinα
＝VSV／cosβで、これよりcosβ＝VSV／VLsinαとな る。
表面波伝播方向に対してαの角度傾斜した端面７
に沿つた粒子変位速度成分が等しいという条件、
即ち、Asinα＝VL、Acosβ＝VSVから、VL／sinα
＝VSV／cosβで、これよりcosβ＝VSV／VLsinαとな る。
また横波Ｂのエネルギーのうち、弾性表面波へ
変換されるのは弾性表面波伝播方向に沿つた成分
である。従つて、δ＝β−αが０に近いほど横波
Ｂのエネルギー中、弾性表面波へ寄与する成分の
割合が高くなるより効率的である。
変換されるのは弾性表面波伝播方向に沿つた成分
である。従つて、δ＝β−αが０に近いほど横波
Ｂのエネルギー中、弾性表面波へ寄与する成分の
割合が高くなるより効率的である。
よつて弾性表面波を効率良く励起するように本
発明の弾性表面波トランスジユーサを設計するに
は、弾性体材料の前記VSV及びVLの値からδを０
に近くなるようにするαを20゜＜α＜75゜の範囲で
求めればよい。
発明の弾性表面波トランスジユーサを設計するに
は、弾性体材料の前記VSV及びVLの値からδを０
に近くなるようにするαを20゜＜α＜75゜の範囲で
求めればよい。
また第２図に示す横波Ｂが発生しうる領域全体
の深さ方向の幅ｌは弾性表面波の侵入深さ程度、
即ち弾性表面波の波長λ0程度の時が最も有効に弾
性表面波に変換される。従つて圧電体２及び金属
電極３，４の有効な横幅をａとすると、ａ
tanαλ0の関係となるように設計することが望
ましい。
の深さ方向の幅ｌは弾性表面波の侵入深さ程度、
即ち弾性表面波の波長λ0程度の時が最も有効に弾
性表面波に変換される。従つて圧電体２及び金属
電極３，４の有効な横幅をａとすると、ａ
tanαλ0の関係となるように設計することが望
ましい。
なお、本発明装置は、第２図の他に、第６図の
如き配置構造とすることも可能である。
如き配置構造とすることも可能である。
上述したように本発明装置は圧電体部分が弾性
表面波伝播面に位置するため、通常のフオトリソ
グラフイー法によつて容易に製作することがで
き、次に本発明装置に好適な製造方法を説明す
る。
表面波伝播面に位置するため、通常のフオトリソ
グラフイー法によつて容易に製作することがで
き、次に本発明装置に好適な製造方法を説明す
る。
(イ) 第７図に示す如く、弾性体基板１を四角いウ
エハ状に成形し、その一端を角合αを有するよ
うに研摩する。次いで表面１′に金属３を蒸着
し、その上に圧電体薄膜２を蒸着等により堆積
させ、更にその上に金属４を蒸着してから、フ
オトエツチング等の方法で不要な部分を除去す
る。
エハ状に成形し、その一端を角合αを有するよ
うに研摩する。次いで表面１′に金属３を蒸着
し、その上に圧電体薄膜２を蒸着等により堆積
させ、更にその上に金属４を蒸着してから、フ
オトエツチング等の方法で不要な部分を除去す
る。
(ロ) 弾性体基板１としてシリコンSiやガリウム砒
素GaAs基板を用いれば、その結晶の方向性に
より化学エツチングの進み方が異なる、所謂選
択エツチング法を用いることによつて、簡便に
精度良く、前記音響インピーダンス不連続面の
角度αを所望の値に選定することができる。
素GaAs基板を用いれば、その結晶の方向性に
より化学エツチングの進み方が異なる、所謂選
択エツチング法を用いることによつて、簡便に
精度良く、前記音響インピーダンス不連続面の
角度αを所望の値に選定することができる。
例えば、第８図に示すように基板１上に金
属３、圧電体２、金属４の積層構造物を蒸着及
びフオトエツチング等の方法により作成する。
その後で同図に示す如く蒸着マスク８を用い
て上記積層構造物の脇の適当な大きさの部分だ
けを残してSiO2等を斜めに蒸着し、積層構造
物の右側に窓１０を作り、更に前記部分９にフ
オトレジスト膜１１を形成する。
属３、圧電体２、金属４の積層構造物を蒸着及
びフオトエツチング等の方法により作成する。
その後で同図に示す如く蒸着マスク８を用い
て上記積層構造物の脇の適当な大きさの部分だ
けを残してSiO2等を斜めに蒸着し、積層構造
物の右側に窓１０を作り、更に前記部分９にフ
オトレジスト膜１１を形成する。
次いで窓１０に選択エツチングを行なつて角
度αの面を作つてから、SiO2膜、フオトレジ
スト膜１１を除去する。
度αの面を作つてから、SiO2膜、フオトレジ
スト膜１１を除去する。
耐エツチング膜（SiO2膜）形成のために上
述した斜め蒸着法を用いると、マスク合わせが
不用になり、微細加工が可能である。
述した斜め蒸着法を用いると、マスク合わせが
不用になり、微細加工が可能である。
(ハ) 前記選択性化学エツチングに代えて、第９図
に示す如く方向性イオンビーム１２によるエツ
チング、或いはイオンミーリング等の乾式エツ
チングを用いることにより角度αの面を作成す
ることができる。
に示す如く方向性イオンビーム１２によるエツ
チング、或いはイオンミーリング等の乾式エツ
チングを用いることにより角度αの面を作成す
ることができる。
第１０図〜第１４図に本発明装置の変形例を示
す。第１０図で、１３は積層構造物及び弾性体１
の反射面を被覆する端面保護材で、弾性体１に対
し充分な音響インピーダンスの差があればよい。
す。第１０図で、１３は積層構造物及び弾性体１
の反射面を被覆する端面保護材で、弾性体１に対
し充分な音響インピーダンスの差があればよい。
第１１図及び第１２図は図示の如く積層構造物
１４及び音響インピーダンス不連続面７を球面と
した球面弾性波発生装置の例を示す。
１４及び音響インピーダンス不連続面７を球面と
した球面弾性波発生装置の例を示す。
第１３図は積層構造物１６をテーパー状とした
テーパー・トランスジユーサで、広帯域化に好適
である。
テーパー・トランスジユーサで、広帯域化に好適
である。
第１４図は金属電極３、圧電体２と金属電極４
との幅が異なるようにした変形例を示す。
との幅が異なるようにした変形例を示す。
以上説明した所から明らかなように本発明によ
れば、下記のような優れた効果が発揮される。
れば、下記のような優れた効果が発揮される。
(a) 広帯域である。
(b) 従来のエツジ・ボンデツド・トランスジユー
サに比べ製造が容易で、実用的である。
サに比べ製造が容易で、実用的である。
(c) プレーナー技術を用いることができるので生
産性が高い。
産性が高い。
(d) SiやGaAs等の弾性体に弾性表面波を励起す
るのに有効である。
るのに有効である。
(e) 集積回路上に弾性表面波を励起することがで
きる。
きる。
(f) 従来のエツジ・ボンデツド・トランスジユー
サにおいて問題であつた接着剤の問題がない。
サにおいて問題であつた接着剤の問題がない。
(g) フオトリソグラフイー法を用いることができ
るので、非常に高周波の弾性表面波を発生させ
得る。
るので、非常に高周波の弾性表面波を発生させ
得る。
(h) 縦波トランスジユーサを用いることができる
ので、変換効率が良い。
ので、変換効率が良い。
第１図は従来の弾性表面波トランスジユーサを
示す概略図、第２図及び第３図は本発明の一実施
例を示す概略図、第４図及び第５図は本発明装置
の反射率特性を示す曲線図、第６図は本発明の他
の実施例を示す概略図、第７図は本発明装置の製
造方法の一例を示す図、第８図，，及び第
９図は本発明装置の他の製造方法を示す図、第１
０図、第１１図、第１２図、第１３図及び第１４
図は夫々本発明装置の変形例を示す概略図であ
る。 １……弾性体、２……圧電体、３，４……金属
電極、５……交流電圧印加端子、６……弾性表面
波伝播路、７……音響インピーダンス不連続面。
示す概略図、第２図及び第３図は本発明の一実施
例を示す概略図、第４図及び第５図は本発明装置
の反射率特性を示す曲線図、第６図は本発明の他
の実施例を示す概略図、第７図は本発明装置の製
造方法の一例を示す図、第８図，，及び第
９図は本発明装置の他の製造方法を示す図、第１
０図、第１１図、第１２図、第１３図及び第１４
図は夫々本発明装置の変形例を示す概略図であ
る。 １……弾性体、２……圧電体、３，４……金属
電極、５……交流電圧印加端子、６……弾性表面
波伝播路、７……音響インピーダンス不連続面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 弾性体の弾性表面波伝播路上に圧電体と金属
電極とから成る積層構造物を設け、上記弾性体
に、弾性表面波伝播路となす角度を20゜〜75゜の範
囲に選定した音響インピーダンス不連続面を形成
し、該音響インピーダンス不連続面により上記積
層構造物で発生された縦波を反射させて横波を得
るように構成したことを特徴とする弾性表面波装
置。 ２ 前記積層構造物を、弾性表面波伝播方向と直
角方向に長手方向を有するストリツプ状に形成し
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
弾性表面波装置。 ３ 弾性表面波伝播方向に対する前記金属電極の
幅ａを、弾性表面波伝播方向と音響インピーダン
ス不連続面との成す角度αと弾性表面波の波長λ0
に対しａ tanαλ0としたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の弾性表面波装置。 ４ 弾性表面波伝播方向の前記積層構造物の幅
ａ、前記音響インピーダンス不連続面が弾性表面
波伝播路となす角度α、弾性表面波の波長λとの
間に、ａ tanαλなる関係を満足するように
構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の弾性表面波装置。 ５ 弾性体基板に成形する工程と、上記基板上に
金属膜、圧電体膜、金属膜をこの順に積層する工
程と、耐エツチング材を上記金属膜と圧電体膜の
積層構造物片側に窓があるように形成する工程
と、該窓の部分の弾性体にエツチングを行なつて
上記弾性体基板の弾性表面波伝播路となす角度が
20゜〜75゜の範囲となる端面を形成する工程と、上
記耐エツチング材を除去する工程とから成ること
を特徴とする弾性表面波装置の製造方法。 ６ 所定マスクを介して前記斜め蒸着を行ない、
該マスク部分の基板上にフオトレジスト膜を設
け、前記エツチング後にこのフオトレジスト膜を
除去することを特徴とする特許請求の範囲第５項
記載の製造方法。 ７ 弾性体基板状に成形する工程と、上記基板上
に金属膜、圧電体膜、金属膜をこの順に積層する
工程と、耐エツチング材を上記金属膜と圧電体膜
の積層構造物の片側に窓があるように形成する工
程と、イオンビームの斜め照射により該窓の部分
の弾性体に、上記弾性体基板の弾性表面波伝播路
となす角度が20゜〜75゜の範囲となる端面を形成す
る工程と、前記耐エツチング材を除去する工程と
から成ることを特徴とする弾性表面波装置の製造
方法。 ８ 前記積層構造物及び音響インピーダンス不連
続面に端面保護材を被覆したことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の弾性表面波装置。 ９ 前記積層構造物及び音響インピーダンス不連
続面を球面状に形成したことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の弾性表面波装置。 １０ 前記積層構造物をテーパー状に形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性
表面波装置。 １１ 前記金属電極と圧電体の幅が異なることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性表面
波装置。 １２ 前記エツチングが選択性化学エツチングで
あることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載
の方法。 １３ 前記蒸着工程が斜め蒸着工程であることを
特徴とする特許請求の範囲第５項記載の方法。 １４ 前記蒸着工程が斜め蒸着工程であることを
特徴とする特許請求の範囲第７項記載の方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3907980A JPS56136017A (en) | 1980-03-28 | 1980-03-28 | Elastic surface wave device and its manufacture |
| GB8109506A GB2073529B (en) | 1980-03-28 | 1981-03-26 | Surface acoustic wave device and method for producing the same |
| US06/248,112 US4403202A (en) | 1980-03-28 | 1981-03-27 | Surface acoustic wave device and method for producing the same |
| DE19813112273 DE3112273A1 (de) | 1980-03-28 | 1981-03-27 | Vorrichtung zur verarbeitung von akustischen oberflaechenwellen sowie verfahren zu ihrer herstellung |
| FR8106226A FR2479608B1 (fr) | 1980-03-28 | 1981-03-27 | Dispositif a onde acoustique de surface et procede de production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3907980A JPS56136017A (en) | 1980-03-28 | 1980-03-28 | Elastic surface wave device and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56136017A JPS56136017A (en) | 1981-10-23 |
| JPH025326B2 true JPH025326B2 (ja) | 1990-02-01 |
Family
ID=12543087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3907980A Granted JPS56136017A (en) | 1980-03-28 | 1980-03-28 | Elastic surface wave device and its manufacture |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4403202A (ja) |
| JP (1) | JPS56136017A (ja) |
| DE (1) | DE3112273A1 (ja) |
| FR (1) | FR2479608B1 (ja) |
| GB (1) | GB2073529B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9795064B2 (en) | 2015-01-13 | 2017-10-17 | Fujitsu Limited | Heat exchanger, cooling unit, and electronic device |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4764244A (en) * | 1985-06-11 | 1988-08-16 | The Foxboro Company | Resonant sensor and method of making same |
| US8914244B2 (en) * | 2010-08-04 | 2014-12-16 | The Boeing Company | Apparatus and method for inspecting laminated structure |
| CN110739919B (zh) * | 2014-06-30 | 2025-08-26 | 意法半导体研发(深圳)有限公司 | 功率放大器 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2783642A (en) * | 1954-07-08 | 1957-03-05 | Sperry Prod Inc | Apparatus for generating surface waves |
| US3289114A (en) * | 1963-12-24 | 1966-11-29 | Bell Telephone Labor Inc | Tapped ultrasonic delay line and uses therefor |
| FR1447365A (fr) * | 1965-06-16 | 1966-07-29 | Csf | Dispositif d'excitation pour ondes de surface |
| US3523200A (en) * | 1968-02-28 | 1970-08-04 | Westinghouse Electric Corp | Surface wave piezoelectric resonator |
| DE1918065A1 (de) * | 1968-04-12 | 1970-10-08 | Zenith Radio Corp | Akustisches Filtersystem |
| US3515911A (en) * | 1968-10-28 | 1970-06-02 | Us Navy | Surface wave transducer |
| FR2068014A5 (ja) * | 1969-11-25 | 1971-08-20 | Thomson Csf | |
| US3654500A (en) * | 1970-06-11 | 1972-04-04 | Texas Instruments Inc | Apparatus for converting bulk waves to rayleigh waves at microwave frequencies |
| US3691406A (en) * | 1971-08-13 | 1972-09-12 | Texas Instruments Inc | Surface acoustic wave generating system |
| US3840824A (en) * | 1973-07-20 | 1974-10-08 | Us Army | Acoustic surface wave device |
| US3978436A (en) * | 1975-11-10 | 1976-08-31 | Rca Corporation | Surface acoustic wave device and method of making same |
-
1980
- 1980-03-28 JP JP3907980A patent/JPS56136017A/ja active Granted
-
1981
- 1981-03-26 GB GB8109506A patent/GB2073529B/en not_active Expired
- 1981-03-27 DE DE19813112273 patent/DE3112273A1/de not_active Ceased
- 1981-03-27 US US06/248,112 patent/US4403202A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-03-27 FR FR8106226A patent/FR2479608B1/fr not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9795064B2 (en) | 2015-01-13 | 2017-10-17 | Fujitsu Limited | Heat exchanger, cooling unit, and electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3112273A1 (de) | 1982-04-01 |
| FR2479608A1 (fr) | 1981-10-02 |
| GB2073529B (en) | 1984-06-06 |
| GB2073529A (en) | 1981-10-14 |
| JPS56136017A (en) | 1981-10-23 |
| US4403202A (en) | 1983-09-06 |
| FR2479608B1 (fr) | 1985-10-04 |
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