JPH0263306B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0263306B2 JPH0263306B2 JP59005778A JP577884A JPH0263306B2 JP H0263306 B2 JPH0263306 B2 JP H0263306B2 JP 59005778 A JP59005778 A JP 59005778A JP 577884 A JP577884 A JP 577884A JP H0263306 B2 JPH0263306 B2 JP H0263306B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- dielectric film
- processed
- workpiece
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は被処理物の離脱装置に係り、特に静電
チヤツクにより固定された被処理物の離脱装置に
関する。
チヤツクにより固定された被処理物の離脱装置に
関する。
近年、半導体の製造工程におけるドライ化およ
び自動化が進むにつれて、被処理物の電極への固
定手段が、被処理物の汚染を防ぐため機械的手段
に代わり静電的に固定する手段が用いられつつあ
る。
び自動化が進むにつれて、被処理物の電極への固
定手段が、被処理物の汚染を防ぐため機械的手段
に代わり静電的に固定する手段が用いられつつあ
る。
第１図は従来の静電チヤツクを用いたRIE（反
応性イオンエツチング）装置を示したもので、真
空容器１の上部には、電極２がテフロン絶縁板３
を介して取付けられており、上記電極２の下面に
は、カプトン（ポリイミド）等の誘電体膜４が貼
着されている。さらに、上記電極２の内部には、
水冷パイプを兼ねた導管５が挿通されており、こ
の導管５には高周波電源６がマツチング回路７を
介して接続されるとともに、直流電源８が高周波
をカツトするチヨークコイル９を介して接続され
ている。また、上記電極２の中心部には、上記誘
電体膜４の上面に達する孔部１０が穿設されてお
り、この孔部１０には、ガス供給管１１およびガ
ス排気管１２がそれぞれ電磁弁１３ａ，１３ｂを
介して接続されている。
応性イオンエツチング）装置を示したもので、真
空容器１の上部には、電極２がテフロン絶縁板３
を介して取付けられており、上記電極２の下面に
は、カプトン（ポリイミド）等の誘電体膜４が貼
着されている。さらに、上記電極２の内部には、
水冷パイプを兼ねた導管５が挿通されており、こ
の導管５には高周波電源６がマツチング回路７を
介して接続されるとともに、直流電源８が高周波
をカツトするチヨークコイル９を介して接続され
ている。また、上記電極２の中心部には、上記誘
電体膜４の上面に達する孔部１０が穿設されてお
り、この孔部１０には、ガス供給管１１およびガ
ス排気管１２がそれぞれ電磁弁１３ａ，１３ｂを
介して接続されている。
上記真空容器１の下面には、ガス導入口１４お
よび排気口１５が設けられるとともに、上記真空
容器１の下方に配設されたエアシリンダ１６のシ
ヤフト１７が、真空容器１の下面中央に貫通され
ており、このシヤフト１７の上端部には支持台１
８が設けられている。
よび排気口１５が設けられるとともに、上記真空
容器１の下方に配設されたエアシリンダ１６のシ
ヤフト１７が、真空容器１の下面中央に貫通され
ており、このシヤフト１７の上端部には支持台１
８が設けられている。
上記装置の場合、真空容器１の内部空気を排気
口１５から真空ポンプ等により排気して真空に
し、かつ、ガス導入口１４からAr等のガスを送
り、真空容器１の内部をガス雰囲気にする。そし
て、支持台１８上の被処理物Ａをエアシリンダ１
６により上昇させて、誘電体膜４の下面に静電チ
ヤツクにより固定する。この静電チヤツクは直流
電源８をONにすることにより作動する。この状
態において、高周波電源６をONにすることによ
り、被処理物Ａの下面側のエツチングが行なわ
れ、導管５の内部を流れる冷却水により電極２お
よび被処理物Ａの冷却が行なわれる。エツチング
終了後高周波電源６をOFFにし、かつ、直流電
源８をOFFにした後、接地電位状態の支持台１
８をエアシリンダ１６により上昇させて被処理物
Ａに接触させ、被処理物Ａに蓄積された電荷を支
持台１８を通して逃がす。その後、電磁弁１３ａ
を開いてガス供給管１１から孔部１０にN2等の
ガス（0.3〜0.5Kg／cm2）を送り、誘電体膜４をわ
ずかに膨出させることにより、被処理物Ａを離脱
させる。この被処理物Ａは支持台１８上に載置さ
れ、エアシリンダ１６により下降させられ、同時
に、上記電磁弁１３ａを閉じ他方の電磁弁１３ｂ
を開いてガス排気管１２から排気を行ない、上記
膨出した誘電体膜４を元の状態に戻すようになさ
れる。
口１５から真空ポンプ等により排気して真空に
し、かつ、ガス導入口１４からAr等のガスを送
り、真空容器１の内部をガス雰囲気にする。そし
て、支持台１８上の被処理物Ａをエアシリンダ１
６により上昇させて、誘電体膜４の下面に静電チ
ヤツクにより固定する。この静電チヤツクは直流
電源８をONにすることにより作動する。この状
態において、高周波電源６をONにすることによ
り、被処理物Ａの下面側のエツチングが行なわ
れ、導管５の内部を流れる冷却水により電極２お
よび被処理物Ａの冷却が行なわれる。エツチング
終了後高周波電源６をOFFにし、かつ、直流電
源８をOFFにした後、接地電位状態の支持台１
８をエアシリンダ１６により上昇させて被処理物
Ａに接触させ、被処理物Ａに蓄積された電荷を支
持台１８を通して逃がす。その後、電磁弁１３ａ
を開いてガス供給管１１から孔部１０にN2等の
ガス（0.3〜0.5Kg／cm2）を送り、誘電体膜４をわ
ずかに膨出させることにより、被処理物Ａを離脱
させる。この被処理物Ａは支持台１８上に載置さ
れ、エアシリンダ１６により下降させられ、同時
に、上記電磁弁１３ａを閉じ他方の電磁弁１３ｂ
を開いてガス排気管１２から排気を行ない、上記
膨出した誘電体膜４を元の状態に戻すようになさ
れる。
上記装置においては、エツチング時間が長くな
つたり、自動運転により連続的に多数枚の被処理
物をエツチングした場合に、誘電体膜４の表面に
電荷が蓄積してしまい、上記誘電体膜４の膨出に
よつては被処理物Ａを離脱させることができなく
なるという欠点を有している。
つたり、自動運転により連続的に多数枚の被処理
物をエツチングした場合に、誘電体膜４の表面に
電荷が蓄積してしまい、上記誘電体膜４の膨出に
よつては被処理物Ａを離脱させることができなく
なるという欠点を有している。
そのため、N2等のガス圧を高くして（0.9Kg／
cm2以上）誘電体膜４の膨出を行なう手段が考えら
れるが、このような手段では、電極２と誘電体膜
４との貼着がはがれ、必要以上に誘電体膜４が膨
出してしまい、被処理物Ａが支持台１８にたたき
つけられて損傷を受けるという問題がある。
cm2以上）誘電体膜４の膨出を行なう手段が考えら
れるが、このような手段では、電極２と誘電体膜
４との貼着がはがれ、必要以上に誘電体膜４が膨
出してしまい、被処理物Ａが支持台１８にたたき
つけられて損傷を受けるという問題がある。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、
静電チヤツクにより固定された被処理物を確実に
離脱させることができる被処理物の離脱装置を提
供することを目的とするものである。
静電チヤツクにより固定された被処理物を確実に
離脱させることができる被処理物の離脱装置を提
供することを目的とするものである。
上記目的達成のため本発明の被処理物の離脱装
置は、被処理物を静電的に固定する静電チヤツク
の電極と、この電極の上記被処理物固定側面に貼
着された誘電体膜とを貫通する孔部を上記被処理
物の固定位置に設け、上記孔部にガス供給管およ
びガス排気管を接続してなり、上記静電チヤツク
に固定された被処理物の裏面に、上記ガス供給管
から送られるガスを上記孔部から吹き付けること
により上記誘電体膜に蓄積する電荷を放電させて
被処理物を離脱させるようにして構成されてお
り、誘電体膜を膨出させることなく被処理物を離
脱させるようになされている。
置は、被処理物を静電的に固定する静電チヤツク
の電極と、この電極の上記被処理物固定側面に貼
着された誘電体膜とを貫通する孔部を上記被処理
物の固定位置に設け、上記孔部にガス供給管およ
びガス排気管を接続してなり、上記静電チヤツク
に固定された被処理物の裏面に、上記ガス供給管
から送られるガスを上記孔部から吹き付けること
により上記誘電体膜に蓄積する電荷を放電させて
被処理物を離脱させるようにして構成されてお
り、誘電体膜を膨出させることなく被処理物を離
脱させるようになされている。
以下、本発明の実施例を第２図を参照して説明
し、第１図と同一部分には同一符号を付してその
説明を省略する。
し、第１図と同一部分には同一符号を付してその
説明を省略する。
本実施例においては、ガス供給管１１およびガ
ス排気管１２が接続された孔部１０は、誘電体膜
４を貫通して真空容器１の内部に開口するように
なされ、さらに、上記孔部１０への接続配管の中
途部には、ガスの流速を制御するリザーバタンク
１９が設けられている。
ス排気管１２が接続された孔部１０は、誘電体膜
４を貫通して真空容器１の内部に開口するように
なされ、さらに、上記孔部１０への接続配管の中
途部には、ガスの流速を制御するリザーバタンク
１９が設けられている。
本実施例の場合、直流電源８をONにすること
により被処理物Ａを誘電体膜４の下面に吸着さ
せ、このとき、上記孔部１０は被処理物Ａにより
塞がれるとともに、電磁弁１３ｂを開いてガス排
気管１２から真空排気し、被処理物Ａの裏面にお
ける放電を防ぐようになされている。
により被処理物Ａを誘電体膜４の下面に吸着さ
せ、このとき、上記孔部１０は被処理物Ａにより
塞がれるとともに、電磁弁１３ｂを開いてガス排
気管１２から真空排気し、被処理物Ａの裏面にお
ける放電を防ぐようになされている。
そして、被処理物Ａのエツチングが終了した
後、各電源６，８をOFFにしかつエアシリンダ
１６の作動により支持台１８を上昇させ、支持台
１８が上昇した後、電磁弁１３ｂを閉じ他方の電
磁弁１３ａを一定時間開いて、N2等のガスをガ
ス供給管１１から被処理物Ａの裏面に直接吹き付
けるようになされる。これにより、被処理物Ａの
裏面部分の誘電体膜４に蓄積された電荷がガス中
に放電するので、被処理物Ａは誘電体膜４から容
易に離脱して支持台１８上に載置される。
後、各電源６，８をOFFにしかつエアシリンダ
１６の作動により支持台１８を上昇させ、支持台
１８が上昇した後、電磁弁１３ｂを閉じ他方の電
磁弁１３ａを一定時間開いて、N2等のガスをガ
ス供給管１１から被処理物Ａの裏面に直接吹き付
けるようになされる。これにより、被処理物Ａの
裏面部分の誘電体膜４に蓄積された電荷がガス中
に放電するので、被処理物Ａは誘電体膜４から容
易に離脱して支持台１８上に載置される。
なお、本実施例においては被処理物の離脱装置
をRIE装置に適用した場合についてのみ説明した
が、スパツタリング装置、プラズマCVD装置、
イオン注入装置、電子ビーム描画装置等真空容器
内で静電チヤツクを用いる装置であれば、いずれ
の装置にも適用できる。
をRIE装置に適用した場合についてのみ説明した
が、スパツタリング装置、プラズマCVD装置、
イオン注入装置、電子ビーム描画装置等真空容器
内で静電チヤツクを用いる装置であれば、いずれ
の装置にも適用できる。
以上述べたように本発明に係る被処理物の離脱
装置は、静電チヤツクの電極と、この電極に貼着
された誘電体膜を貫通する孔部にガス供給管およ
びガス排気管を接続してなり、上記静電チヤツク
に上記孔部を塞ぐように固定された被処理物の固
定面に、上記ガス供給管により孔部からガスを吹
き付けて上記誘電体膜に蓄積される電荷をガス中
に放電させるように構成したので、誘電体膜に電
荷が蓄積した場合でも、容易にかつ確実に被処理
物を離脱させることができる。また、誘電体膜を
膨出させないので被処理物が損傷を受けることが
なく、さらに、有機誘電体膜のみならず種々の誘
電体膜を使用することができ、被処理物の冷却効
果の向上および誘電体膜の寿命の向上を図ること
ができる等の効果を奏する。
装置は、静電チヤツクの電極と、この電極に貼着
された誘電体膜を貫通する孔部にガス供給管およ
びガス排気管を接続してなり、上記静電チヤツク
に上記孔部を塞ぐように固定された被処理物の固
定面に、上記ガス供給管により孔部からガスを吹
き付けて上記誘電体膜に蓄積される電荷をガス中
に放電させるように構成したので、誘電体膜に電
荷が蓄積した場合でも、容易にかつ確実に被処理
物を離脱させることができる。また、誘電体膜を
膨出させないので被処理物が損傷を受けることが
なく、さらに、有機誘電体膜のみならず種々の誘
電体膜を使用することができ、被処理物の冷却効
果の向上および誘電体膜の寿命の向上を図ること
ができる等の効果を奏する。
第１図は従来の離脱装置をRIE装置に適用した
例を示す正面断面図、第２図は本発明の一実施例
を示す正面断面図である。 １……真空容器、２……電極、３……絶縁板、
４……誘電体膜、５……導管、６……高周波電
源、７……マツチング回路、８……直流電源、９
……チヨークコイル、１０……孔部、１１……ガ
ス供給管、１２……ガス排気管、１３……電磁
弁、１４……ガス導入管、１５……排気管、１６
……エアシリンダ、１７……シヤフト、１８……
支持台、１９……リザーバタンク。
例を示す正面断面図、第２図は本発明の一実施例
を示す正面断面図である。 １……真空容器、２……電極、３……絶縁板、
４……誘電体膜、５……導管、６……高周波電
源、７……マツチング回路、８……直流電源、９
……チヨークコイル、１０……孔部、１１……ガ
ス供給管、１２……ガス排気管、１３……電磁
弁、１４……ガス導入管、１５……排気管、１６
……エアシリンダ、１７……シヤフト、１８……
支持台、１９……リザーバタンク。
Claims (1)
- １ 被処理物を静電的に固定する静電チヤツクの
電極と、この電極の上記被処理物固定側面に貼着
された誘電体膜とを貫通する孔部を上記被処理物
の固定位置に設け、上記孔部にガス供給管および
ガス排気管を接続してなり、上記静電チヤツクに
固定された被処理物の固定面に、上記ガス供給管
から送られるガスを上記孔部から吹き付けること
により上記誘電体膜に蓄積する電荷を放電させて
被処理物を離脱させるようにしたことを特徴とす
る被処理物の離脱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59005778A JPS60150632A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 被処理物の離脱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59005778A JPS60150632A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 被処理物の離脱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60150632A JPS60150632A (ja) | 1985-08-08 |
| JPH0263306B2 true JPH0263306B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=11620562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59005778A Granted JPS60150632A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 被処理物の離脱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60150632A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5997962A (en) * | 1995-06-30 | 1999-12-07 | Tokyo Electron Limited | Plasma process utilizing an electrostatic chuck |
| KR100267418B1 (ko) | 1995-12-28 | 2000-10-16 | 엔도 마코토 | 플라스마처리방법및플라스마처리장치 |
| JP4786693B2 (ja) | 2008-09-30 | 2011-10-05 | 三菱重工業株式会社 | ウェハ接合装置およびウェハ接合方法 |
-
1984
- 1984-01-18 JP JP59005778A patent/JPS60150632A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60150632A (ja) | 1985-08-08 |
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