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JPH026338B2 - - Google Patents
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JPH026338B2 - - Google Patents

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JPH026338B2
JPH026338B2 JP56161909A JP16190981A JPH026338B2 JP H026338 B2 JPH026338 B2 JP H026338B2 JP 56161909 A JP56161909 A JP 56161909A JP 16190981 A JP16190981 A JP 16190981A JP H026338 B2 JPH026338 B2 JP H026338B2
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aluminosilicate
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    • B01J29/06—Crystalline aluminosilicate zeolites; Isomorphous compounds thereof
    • B01J29/061—Crystalline aluminosilicate zeolites; Isomorphous compounds thereof containing metallic elements added to the zeolite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2/00—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing a smaller number of carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C07C2523/08—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group C07C2521/00 of gallium, indium or thallium
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明はC2炭化水素に富む炭化水素原料から
芳香族炭化水素の製造方法に関する。 従来、開鎖炭化水素から芳香族化合物を製造す
るための合成経路は少くとも３個の炭素原子を有
する原料から出発していた。かかる原料は最初に
二量化され、ひき続いてその二量化生成物が500
〜600℃の領域の温度で多種の触媒上で環化され
る。かかる方法は例えば英国特許第1507778号及
び第1561590号に記載されている。 今、芳香族化合物が３個より少ない炭素原子を
含有する炭化水素原料から製造し得ることが見い
出された。 従つて、本発明は少くとも70重量％のC2炭化
水素を含有する炭化水素原料をガリウムを沈着さ
せたアルミノシリケート及び／またはカチオンが
ガリウムイオンで交換されたアルミノシリケート
（ただしこれらのアルミノシリケートは少くとも
５：１のモル比のシリカ対アルミナを含有する）
を含む触媒組成物と580℃〜750℃の温度で接触さ
せることを特徴とする芳香族炭化水素の製造方法
である。 原料中のC2炭化水素はエタン、エチレンもし
くはこれらの混合物であり得る。原料は、更に共
反応体として３〜８個の炭素原子を含有するその
他の開鎖炭化水素を含有してもよい。かかる追加
の共反応体の特別な例は、プロパン、プロピレ
ン、ｎ−ブタン、イソブタン、ｎ−ブテン類及び
イソブテンである。炭化水素原料は少なくとも70
重量％の炭化水素を含有するが、70重量％よりも
少ないと、芳香族炭化水素への選択的な転化反応
が行われないからであり、より好適には少なくと
も80重量％の炭化水素を含有する。 上記触媒組成物中のガリウムは酸化ガリウム及
び／または（アルミノシリケート担体中のカチオ
ンがガリウムイオンで交換されている場合には）
ガリウムイオンとして存在し得る。アルミノシリ
ケート中のカチオンがガリウムイオンで交換され
ている場合には、ガリウムイオンは例えば硝酸ガ
リウム、塩化ガリウムまたは硫酸ガリウムの如き
ガリウム塩の水溶液として提供されることが好適
である。かかる触媒は通常のイオン交換技術によ
り調製でき、かくて生成された触媒はひき続いて
乾燥される。例えば硝酸ガリウムの如きガリウム
化合物の水溶液を周囲温度あるいは例えば還流に
よる昇温下にアルミノシリケートと接触させ得
る。ついで交換されたアルミノシリケートはデカ
ンテーシヨンにより分離し、続いてろ過し、脱イ
オン水で数回洗い、最後に乾燥する。ガリウム化
合物の水溶液に添加する前に、アルミノシリケー
トは本件出願人のヨーロツパ特許出願第0024930
号に記載の方法で処理してもよい。 本発明の方法は、沈着ガリウムがアルミノシリ
ケートの表面上に含浸されているか、あるいは炭
化水素原料と接触する前の触媒の活性化中に酸化
ガリウムを生じるガリウム化合物として結晶内ゼ
オライト孔中に混入されている触媒を用いても実
施し得る。好適なガリウム化合物の例は硝酸ガリ
ウムである。通常の含浸技術がこれらの触媒の製
造に使用し得る。 上記含浸は、例えば硝酸ガリウムの如きガリウ
ムの化合物の溶液、好適には水溶液を調製し、こ
の水溶液に攪拌しながら通常のアルミノシリケー
トを添加してペーストを形成することにより達成
し得る。ひき続いてこのペーストは減圧で昇温下
に乾燥される。 触媒組成物が水溶液中でイオン化するガリウム
の化合物、例えば硝酸ガリウムを用いて調製され
る場合には、たとえこの調製がアルミノシリケー
トの含浸によるものであるとしてもガリウムイオ
ンの幾つかがアルミノシリケート中のカチオンと
交換されることが不可避である。 ガリウム化合物が沈着されたアルミノシリケー
ト及び／またはガリウムイオンによる交換が実施
され得るアルミノシリケートは、少なくとも５：
１以上、好適には20：１〜150：１のシリカ対ア
ルミナの比を有しており、この比が５：１よりも
小さいと触媒として作用しない。なお、これらは
次の一般式のゼオライトから選ぶことができる。 M2/oＯ・Al2O3・ySiO2zH2O （ただしＭはｎ価の金属イオンもしくは有機イオ
ン及びプロトンから選ばれた正電荷のイオンであ
るカチオンであり、ｙは５より大の整数であり、
ｚは０〜40である）。金属カチオンＭは好ましく
はアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イ
オンであり、好ましくはナトリウムイオンまたは
カリウムイオンである。有機カチオンは式
R1R2R3R4N+により示すことができるかあるいは
R1R2R3Nのアミン、R1R2N（CH2）xNR3R4もしく
はピロリドンから誘導されるイオン（ただし
R1R2R3及びR4はＨ、CH3、C2H5、C3H7、C4H9
または−CH2CH2OHであつてもよく、ｘは２、
３、４、５または６に等しい）で示すことができ
る。ZSM系のゼオライト、例えばZSM−５、
ZSM−８、ZSM−11、ZSM−12及びZSM−35が
使用でき、これらはモービル社の米国特許第
3970544号を含め多数の刊行物に広範に記載され
ている。これらのゼオライトは通常シリカ源、ア
ルミナ源、水酸化アルカリ金属及び有機窒素含有
カチオンから生成される。しかしながら、ゼオラ
イトはカチオンの代わりにアルカノールアミン、
例えばジエタノールアミンの如き窒素含有塩基を
使用して直接誘導することもできる。このように
してつくられたゼオライトは本件出願人のヨーロ
ツパ特許出願第0002899号及び第0002900号に記載
されている。 どのような触媒調製法を用いようとも、触媒組
成物中に存在するガリウムの量は例えば触媒組成
物中の合計アルミノシリケートの0.05〜10重量％
の間で変化し得る。かくして得られたガリウム交
換もしくは含浸ゼオライトは多孔質マトリツク
ス、例えばシリカまたはアルミナまたはその他の
無機組成物と組合せて触媒の機械的強度を改良し
得る。 触媒組成物は炭化水素原料と接触する前に活性
化し得る。活性化は触媒を400℃〜650℃、好まし
くは500℃〜600℃の温度で加熱することにより行
なうことができる。活性化は水素、空気または反
応条件下で不活性なガス例えば窒素の雰囲気中で
行ない得るが、酸素含有雰囲気中で行なうのが好
ましい。活性化は反応前の反応器それ自体の中で
行ない得る。触媒組成物は好適には固定床、移動
床または流動床中で使用される。 その後、炭化水素原料は580〜750℃、好ましく
は580℃〜650℃の温度で酸素不在の不活性雰囲気
下で触媒組成物と気相で接触される。反応温度が
この範囲よりも低くても高くても、収率が低くな
る。不活性雰囲気は窒素蒸留の如き、反応条件下
で不活性なガスにより与えることができる。反応
性成物から回収される未反応のエタンまたはエチ
レンを芳香族化反応に循環してもよい。 以下に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明
する。 実施例 １〜３ これらの実施例に使用する触媒は、水素形態に
調製された、40：１のシリカ対アルミナ比を有す
る高シリカゼオライトを硝酸ガリウム溶液（0.05
ｇガリウムml）とイオン交換することにより得ら
れた。乾燥生成物をシリカ結合剤と混合し、乾燥
し12〜30BSSメツシユにふるい分けた。得られた
触媒は1.6重量％のガリウム及び29重量％のシリ
カ結合剤を含有していた。この触媒200mlを固定
床反応器に仕込み、空気を床に550℃で２〜３時
間通した。その後反応器を窒素で0.5時間フラツ
シして痕跡の空気を除いた。ついでエタンをこの
触媒上に通した。 使用した反応条件及び得られた結果を以下の表
１及び表２に示す。
【表】 表 ２ エタンの芳香族化からの生成物分布 ベンゼン 30.2重量％ トルエン 41.8重量％ C8 9.0重量％ C9 5.0重量％ 多環式芳香族化合物 13.9重量％

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 少くとも70重量％のC2炭化水素を含有する
    炭化水素原料を、ガリウムを沈着させたアルミノ
    シリケート及び／またはカチオンをガリウムイオ
    ンと交換したアルミノシリケートを含み、該アル
    ミノシリケートが少くとも５：１のモル比のシリ
    カ対アルミナを含有する触媒組成物と580℃〜750
    ℃の温度で接触させることを特徴とする芳香族炭
    化水素の製造方法。 ２ 該原料が少くとも80重量％のC2炭化水素を
    含有する特許請求の範囲第１項記載の製造方法。 ３ 該原料中の該C2炭化水素がエタン、エチレ
    ン及びこれらの混合物から選ばれる特許請求の範
    囲第１項または第２項に記載の製造方法。 ４ 該触媒組成物中の該アルミノシリケートが 一般式 M2/oＯ・Al2O3・ySiO2zH2O （ただしＭはｎ価の金属イオンまたは有機イオン
    及びプロトンから選ばれたカチオンであり、ｙは
    ５より大の整数でありｚは０〜40である）を有す
    る特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれか一項
    に記載の製造方法。 ５ 該アルミノシリケート中のｙの値が20〜150
    である特許請求の範囲第４項に記載の製造方法。 ６ 該触媒組成物中に存在するガリウムの量が該
    組成物中の合計アルミノシリケートの0.05〜10％
    ｗ／ｗである特許請求の範囲第１項〜第５項のい
    ずれか一項に記載の製造方法。 ７ 該触媒組成物が該原料と接触する前に400℃
    〜650℃で熱処理することにより活性化される特
    許請求の範囲第１項〜第６項のいずれか一項に記
    載の製造方法。 ８ 該触媒組成物の該活性化が酸素含有雰囲気中
    で行なわれる特許請求の範囲第７項記載の製造方
    法。 ９ 該原料が580℃〜650℃の温度で該触媒組成物
    と接触される特許請求の範囲第１項〜第８項のい
    ずれか一項に記載の製造方法。 １０ 該原料が反応条件下で不活性な雰囲気中で
    該触媒組成物と接触される特許請求の範囲第１項
    〜第９項のいずれか一項に記載の製造方法。
JP56161909A 1980-10-11 1981-10-09 Manufacture of aromatic compounds from ethane and/or ethylene Granted JPS5793918A (en)

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