JPH02766B2

JPH02766B2 -

Info

Publication number: JPH02766B2
Application number: JP58157903A
Authority: JP
Inventors: Isao Ooshima; Masamichi Yamada; Yoshitsugu Miura; Masaharu Kawase; Masakatsu Saito
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1983-08-31
Filing date: 1983-08-31
Publication date: 1990-01-09
Also published as: JPS6050711A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明は、マルチチヤンネルのテープレコーダ
などに好適な薄膜磁気ヘツドに関する。

〔発明の背景〕

マルチチヤンネルのテープレコーダに用いられ
る磁気ヘツドとして、マルチチヤンネルヘツドが
知られているが、狭幅の磁気テープに多数のトラ
ツクが形成されることから、各ヘツドギヤツプの
間隔、トラツク幅などマルチチヤンネルヘツドに
は構造上の高い寸法精度が要求される。また、マ
ルチチヤンネルヘツドに限らず、単一のヘツドギ
ヤツプを有する磁気ヘツドについて、高密度記録
のためのトラツクの狭幅化に伴ない、トラツク幅
など、やはり、構造上の高い寸法精度が必要とな
つてきている。そこで、薄膜技術が高い寸法精度
を達成することができることから、薄膜技術を利
用した磁気ヘツドの製造技術が開発されるように
なり、従来よりも高い寸法精度が得られるととも
に、コイル巻き付け工程が省けるなどの製造工程
の簡略化も可能となつてきた。

第１図はかかる薄膜技術を利用して製造した薄
膜磁気ヘツドの一例を示す要部断面図であつて、
１は非磁性絶縁基板、２は下部磁性体層、３は上
部磁性体層、４は非磁性絶縁層、５はコイル導体
層、６は絶縁体層、７は埋込み層、８は保護基
板、９はテープ摺動面である。

同図において、非磁性絶縁基板１はガラスある
いはセラミツクスなどの耐摩耗性の材料からな
り、その上にパーマロイなどの材料からなる下部
磁性体層が、さらに、SiO₂、Al₂O₃などの材料か
らなり、ヘツドギヤツプを構成する非磁性絶縁層
４が形成されている。非磁性絶縁層４にはコイル
導体層５が形成されて絶縁体層６で被覆し、非磁
性絶縁層４の一部をエツチングした後、上部磁性
体層３を形成する。この結果、下部磁性体層２と
上部磁性体層３とは非磁性絶縁層４のエツチング
された部分で一体となり、磁気ループが形成され
る。さらに、上部磁性体層３を覆うように、樹脂
あるいは低融点ガラスなどの材料からなる埋込み
層７が形成され、これに保護基板８が接着されて
いる。

このような各層の形成は、薄膜技術やフオトエ
ツチングなどの手法でもつて行なわれる。

ところが、かかる薄膜ヘツドのトラツク幅は、
下部磁性体層２、上部磁性体層３のいずれか一方
あるいは双方をパターンニングし、それらの幅
（すなわち、第１図において、紙面に垂直な方向
の幅）でもつて規制するようにしている。そし
て、このトラツク幅は、通常±２〜3μｍの寸法
精度が要求されるものであるが、実際には、下部
磁性体層２、上部磁性体層３の厚さは、磁気飽和
を避けるために、たとえば、10μｍ程度に厚くと
られており、この程度の厚さになると、パターン
エツチングした場合、パターン精度は±５〜10μ
ｍ程度になつて精度が非常に悪い。

パターンニングを湿式エツチングによつて行な
つた場合には、膜厚に比例してサイドエツチング
が大きくなり、また、イオンエツチングなどの方
法で行なつた場合には、マスク材の選択比（被エ
ツチング体のエツチング速度に対するマスク材の
エツチング速度の比）を良好な値に設定すること
ができないために、マスク材の寿命が短く、この
寿命を長くしようとすると、マスク材の厚さを大
きくする必要があり、このために、やはりパター
ン精度が低下する。いずれにしても、下部磁性体
層２、上部磁性体層３をパターンニングすること
により、薄膜磁気ヘツドのトラツク幅を規制しよ
うとすると、高い精度のトラツク幅を得ることが
できない。

一方、非磁性絶縁基板１に溝を設け、この溝に
下部磁性体層２を形成して溝の幅によつてトラツ
ク幅を規制するようにした薄膜磁気ヘツドも提案
された。

すなわち、第２図Ａに示すように、非磁性絶縁
基板１に溝１０を形成し、この溝１０を満すよう
に溝１０の深さにほゞ等しい厚さの磁性体層１１
を形成し、二点鎖線Ｘ−X′で示すように、非磁
性絶縁基板１の表面を削る程度に磁性体層１１を
ラツピングする。その結果、第２図Ｂに示すよう
に、溝１０に磁性体が充填されており、この磁性
体層を下部磁性体層２とするものである。

そして、このように下部磁性体層２が形成され
た非磁性絶縁基板１上に、第１図のように、非磁
性絶縁層４、コイル導体層５などが形成されて薄
膜磁気ヘツドが構成されるのであるが、かかる薄
膜磁気ヘツドのトラツク幅は、非磁性絶縁基板１
の溝１０の幅ｌとなる（第２図Ｂ）。

したがつて、溝１０の幅ｌを精度よく設定する
ことができれば、高い精度のトラツク幅が得られ
るわけであるが、溝１０の深さは必要な下部磁性
体層２の膜厚以上でなければならず、これをイオ
ンエツチングなどで形成しようとすると、非磁性
絶縁基板１が耐摩耗性の材料からなるものである
から、数時間乃至10数時間に及ぶエツチング時間
が必要であり、また、このような長いエツチング
時間に耐えることができるエツチングマスクを形
成することは極めて困難である。しかも、たと
え、かかるエツチングによつてパターンニングが
できたとしても、溝１０の側面はある程度傾斜が
あるし、この傾斜にバラツキが生じてしまい、磁
性体層１１（第２図Ａ）のラツピングのバラツキ
や、たとえラツピングにバラツキがなくとも、ラ
ツピングされた後の溝１０（第２図Ｂ）の幅ｌに
バラツキが生じ、高い精度のトラツク幅を得るこ
とはできない。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、
高精度のトラツク幅を容易に形成することができ
るようにした薄膜磁気ヘツドを提供するにある。

〔発明の概要〕

この目的を達成するために、本発明は、非磁性
絶縁基板に形成された溝を充填する第１の磁性体
層と該第１の磁性体層上に形成された第２の磁性
体層とでもつて下部磁性体層とし、該第２の磁性
体層の幅でもつてトラツク幅を規制するようにし
て高い精度を要する部分を少なくするようにした
点に特徴がある。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を図面について説明す
る。

第３図は本発明による薄膜磁気ヘツドの一実施
例を示す要部斜視図であつて、１は非磁性絶縁基
板、１０は溝、１２は第１の磁性体層、１３は第
２の磁性体層である。

この実施例は、マルチチヤンネルヘツドを例に
したものであつて、その下部磁性体層を示したも
のである。非磁性絶縁基板１には溝１０が設けら
れ、その溝１０中に磁性体を充填して第１の磁性
体層１２を形成し、その上に第２の磁性体層１３
を形成してあり、第１の磁性体層１２と第２の磁
性体層１３とで厚さ10μｍ程度の下部磁性体層を
構成している。

溝１０はダイサーなどの機械加工やエツチング
などで形成され、高い寸法精度を必要とせず、ま
た、溝幅はトラツク幅よりも大きく設定する。第
１の磁性体層１２は、第２図に示した方法でもつ
て形成することができる。第２の磁性体層１３は
0.5〜5μｍ程度の厚さであつて第１の磁性体層１
２上にトラツク幅よりも若干幅広に形成し、その
幅が所定のトラツク幅となるようにパターンニン
グされたものである。この程度の厚さであると、
イオンエツチングのマスクも精度よく行なえるか
ら、±2μｍ程度の高精度のパターンニングが可能
となる。

第４図は第１図の実施例のテープ摺動面側から
みた平面図であつて、１４は非磁性絶縁体層であ
り、第１図、第３図に対応する部分には同一符号
をつけている。

第４図において、非磁性絶縁基板１に第１の磁
性体層１２、第２の磁性体層１３からなる下部磁
性体層２を形成した後、第２の磁性体層１３の上
面まで非磁性絶縁基板１上に非磁性絶縁体層１４
を埋め込み、さらに、ヘツドキヤツプを構成する
非磁性絶縁層４を形成する。以下、従来技術と同
様にして、コイル導体層（図示せず）、上部磁性
体層３、埋込み層７などが形成され、保護基板８
８が接着される。

この実施例において、トラツク幅は非磁性絶縁
層４に接する磁性体層の幅によつて規制される。
したがつて、第２の磁性体層１２の幅ｌがトラツ
ク幅を規制するものであり、溝１０中に形成した
第１の磁性体層１２には依存しない。そして、第
２の磁性体層１３は約2μｍ程度と充分薄くする
ことができるから、イオンエツチングによつて±
2μｍ程に高精度のパターンニングが可能であり、
したがつて、トラツク幅も±2μｍ程度の精度で
規制することができる。

第５図は第４図の下部磁性体層２の他の製造方
法を示す説明図であつて、１５はエツチング部分
であり、第４図に対応する部分には同一符号をつ
けている。

この製造方法は、溝１０を有する非磁性絶縁基
板１の全面に磁性体層を形成し、溝１０の上部の
幅ｌの部分をホトレジストなどでマスクし、この
部分以外のエツチング部１５をイオンエツチング
などで除去するものである。このために、非磁性
絶縁基板１上に形成する磁性体層は、溝１０の部
分で少なくとも0.5〜2μｍ程度非磁性絶縁基板１
から推積されておればよく、エツチングの深さも
0.5〜2μｍ程度であればよい。

このようにして、溝１０上で0.5〜2μｍ突出し
た幅ｌの第２の磁性体層１３が得られ、溝１０中
の第１の磁性体層１２とともに下部磁性体層を形
成する。この場合、エツチング部１５の厚さは
0.5〜2μｍ程度であるから、幅ｌは±2μｍの高い
精度で設定することができ、この幅ｌをトラツク
幅とすることにより、高い精度のトラツク幅が得
られる。また、下部磁性体層２によつて精度よく
トラツク幅を設定することができるから、上部磁
性体層３の寸法精度は緩和され、このために、上
部磁性体層３はマスクスパツタリングなどによつ
て形成してもよく、製造工程の簡略化が実現でき
る。

以上のように、この実施例では、所定の厚さの
下部磁性体層のパターンニングする部分の厚さを
充分小さくすることができ、この結果、パターン
ニング精度が向上して高い精度のトラツク幅を得
ることができる。

第６図は本発明による薄膜磁気ヘツドの他の実
施例を示す要部斜視図であつて、５はコイル導体
層、１３₁は第１の部分磁性体層、１３₂は第２の
部分磁性体層であり、第３図に対応した部分には
同一符号をつけている。

第６図において、非磁性絶縁基板１の溝１０内
に形成された第１の磁性体層１１上に、第１の部
分磁性体層１３₁と第２の部分磁性体層１３₂とが
形成され、これらが第３図の第２の磁性体層１３
に相当する第２の磁性体層を構成している。第１
の部分磁性体層１３₁と第２の部分磁性体層１３₂
の夫々の厚さは0.5〜5μｍ程度に設定し、それら
の幅は所定のトラツク幅に設定する。これらの幅
は、先の実施例と同様の方法でもつてパターンニ
ングすることによつて規制され、従つて、先の実
施例と同程度の精度でもつて設定される。

コイル導体層５は、第１の部分磁性層１３₁、
第２の部分磁性体層１３₂とほぼ同じ厚さを有し、
その一部が第１の部分磁性体層１３₁と第２の磁
性体層１３₂との間にあるようにして、第２の部
分磁性体層１３₂をとりかこむように形成されて
いる。したがつて、コイル導体層５は第１の部分
磁性体層１３₁、第２の磁性体層１３₂と同一平面
上に形成されていることになる。

第７図は第６図の切断線Ａ−A′に沿う断面図
であつて、１６は非磁性絶縁層であり、第６図、
第４図に対応する部分には同一符号をつけてい
る。

第７図において、第６図のように、第１の部分
磁性体層１３₁、第２の部分磁性体層１３₂、コイ
ル導体層５が形成された非磁性絶縁基板１上に、
表面が平坦に、かつ、第１の部分磁性体層１３₁
とコイル導体層５を覆うように、非磁性絶縁層１
６が形成されている。非磁性絶縁層１６の厚さｄ
は、第１の部分磁性体層１３₁上での厚さがギヤ
ツプ長に等しくなるように設定され、また、第２
の部分磁性体層１３₂は、非磁性絶縁層１６が形
成されておらず露出している。

非磁性絶縁層１６上には、第１の部分磁性体層
１３₁と対向し、第２の部分磁性体層１３₂と一体
となるように、上部磁性体層３が形成されてい
る。第１の部分磁性体層１３₁と上部磁性体層３
との間の非磁性絶縁層１６は、ヘツドギヤツプを
構成する非磁性絶縁層４をなしており、上部磁性
体層３、第２の部分磁性体層１３₂、第１の磁性
体層１２、第１の部分磁性体層１３₁でもつて磁
気ループを形成している。

さらに、上部磁性体層７を覆うように、埋込み
層７が設けられ、これに保護基板８が接着されて
いる。

ところで、第１図に示した従来の薄膜磁気ヘツ
ドによると、コイル導体層５と上部磁性体層３と
の間の電気的絶縁を保つために、コイル導体層５
を絶縁体層６で覆つているが、このことから、上
部磁性体層３は当然平面状の層とはならず、絶縁
体層６上の部分が持ち上がつた層となり、その持
ち上がつた部分の周辺でテーパ部３１，３２が生
ずる。そこで、いま、蒸着などによつて、上部磁
性体層３の平面部分が厚さＤとなるように、上部
磁性体層３が形成されたものとし、テーパ部３
１，３２の傾きがθとすると、テーパ部の厚さは
Dcosθとなり、平面部分よりも薄い。たとえば、
θ＝60゜とすると、テーパ部３１，３２の厚さ
Ｄ／２となり、平面部分の半分の厚さにしかなら
ない。このために、記録磁界はテーパ部３１，３
２で飽和してしまい、テープ摺動面９からは充分
な強度の記録磁界が得られないことになる。ま
た、上部磁性体層３を蒸着やスパツタリングなど
で形成すると、テーパ部３１，３２は繊密に形成
されずにガサガサした膜となり、良好な磁気特性
が得られない。

これに対して、この実施例では、第１の部分磁
性体層１３₁、第２の部分磁性体層１３₂、コイル
導体層５はほゞ同一厚さで同一平面上に形成され
るものであるから、これらを表面が平坦で共通の
非磁性絶縁層１６でもつて覆うことができ、この
非磁性絶縁層１６上に形成される上部磁性体層３
は、第１図のように、テーパ部が生ずることがな
く、一様の厚さとすることができる。したがつ
て、磁界の飽和を生ずる部分もなくて充分な強度
の記録磁界が得られるし、また、上部磁性体層３
は均一かつ繊密な層として形成されるから、磁気
特性が向上する。さらに第１図の従来技術では、
テーパ部３１，３２での磁気飽和を避けるために
は、上部磁性層３を不当に厚くする必要がある
が、この実施例は、その分だけ上部磁性体層３を
薄くすることができる。

第８図は本発明による薄膜磁気ヘツドのさらに
他の実施例をテープ摺動面からみた要部正面図で
あり、第４図に対応する部分には同一符号をつけ
ている。

この実施例は、コンター効果を除くために、第
１の磁性体層１２と第２の磁性体層１３とからな
る下部磁性体層２の厚さＰと、上部磁性体層３の
厚さP′とを、夫々最大記録波長λmaxよりも大き
くしたものである。

ここで、コンター効果を簡単に説明すると、記
録波長λが下部磁性体層２の厚さＰと同程度以上
になると、溝１０の底面の下部磁性体層２と非磁
性絶縁基板１との境目が擬似ヘツドギヤツプとな
り、また、同様にして、記録波長λが上部磁性体
層３の厚さP′と同程度以上になると、上部磁性体
層３と埋込み層７との境目が擬似ヘツドギヤツプ
とり、非磁性絶縁層４によるヘツドギヤツプから
取り込まれた磁束と擬似ヘツドギヤツプから取り
込まれた磁束とが干渉し、再生出力特性として、
第９図に示すように、うねりが生ずることにな
る。これがコンター効果であつて、アナログ信号
を記録信号とする場合、記録再生特性の信頼性を
損なうことになる。

この実施例では、最大記録波長λmaxよりも下
部磁性体層２の厚さＰ、上部磁性体層３の厚さ
P′を大きくするから、上記の擬似ヘツドギヤツプ
は生ずることがなく、全記録波長領域でコンター
効果を抑制することができ、第１０図に示すよう
に、うねりのない再生出力特性を得ることができ
る。

下部磁性体層２の厚さＰは非磁性絶縁基板１の
溝１０の深さによつて決まり、先にも述べたよう
に、溝１０は粗い精度でもよく、ダイサーなどの
機械加工で容易に形成することができるから、厚
さＰの設定は容易である。また、上部磁性体層３
の厚さP′は、これも先に述べたように、マスクス
パツタリングなどによつて上部磁性体層３を形成
するに際して容易に設定することができる。

第１１図は本発明による薄膜磁気ヘツドのさら
に他の実施例を示す要部断面図であつて、第８図
に対応する部分には同一符号をつけている。

非磁性絶縁層１の溝１０の底面がヘツドギヤツ
プを形成する非磁性絶縁層４と平行であるとき、
下部磁性体層２の厚さは一様である。したがつ
て、溝１０の底面の幅全体にわたつて（厳密に
は、この底面のトラツク幅ｌ部分全体にわたつ
て）同一記録波長に対する擬似ヘツドギヤツプが
生じ、コンター効果が大きい。この実施例では、
溝１０の底面を非磁性絶縁層４に対して非平行と
し、下部磁性体層２の厚さをトラツク幅方向に不
均一にしたものである。この結果、コンター効果
を生ずる記録波長λはトラツク幅方向に順次異な
り、各記録波長λに対するコンター効果は充分小
さい。

そこで、溝１０の深さを最大記録波長λmaxよ
りも小さくすることができ、上部磁性体層３の厚
さP′のみを最大記録波長λmaxよりも大きくする
だけでコンター効果が充分に軽減される。

第１１図では、非磁性絶縁層４と非平行な底面
の溝１０として、溝１０の断面形状を半円形とし
たものである。しかし、これに限らず、溝１０
を、Ｖ字状溝（第１２図Ａ）、Ｗ字状溝（同図Ｂ）
あるいはトラツク幅方向にうねつた曲面をなす底
面の溝（同図Ｃ）など、任意の溝とすることがで
きる。

なお、先行して磁気テープを摺動する磁性体層
では、その厚さに関係なくコンター効果を生じな
い。したがつて、第１１図において、矢印Ｙを磁
気テープの走行方向とすると、上部磁性体層３を
下部磁性体層２に対して先行して磁気テープを摺
動するように、薄膜磁気ヘツドをテープレコーダ
に取りつけるようにすれば、上部磁性体層３の厚
さP′を最大記録波長λmaxよりも小さくすること
ができる。

第１３図Ａ〜Ｆは第１１図の実施例における下
部磁性体層２の形成方法を示す工程図であつて、
１７，１８は磁性体、１９はマスク材、２０は非
磁性絶縁体であり、第１１図に対応する部分には
同一符号をつけている。

まず、非磁性絶縁基板１上に、半円形状のブレ
ードを用いてダイサーなどで機械加工あるいはイ
オンエツチングなどになり、断面が半円形の溝１
０を形成し、溝１０を充分に満す厚さで磁性体１
７を蒸着あるはスパツタリングする（第１３図
Ａ）。次に、非磁性絶縁基板１の表面が露出する
程度に一点鎖線Ｌ−L′までラツピング等によつて
磁性体１７を除き、溝１０に充填された第１の磁
性体層１２を得る（第１３図Ｂ）。

このようにして第１の磁性体層１２が形成され
た非磁性絶縁基板１上に、0.5〜5μｍ程度の厚さ
で磁性体１８を蒸着あるいはスパツタリングし、
溝１０の真上にホトレジストなどのマスク材１９
を形成する（第１３図Ｃ）。そして、イオンエツ
チングなどによつて磁性体１７を除いてパターン
ニングし、第２の磁性体層１３を形成する（第１
３図Ｄ）。この第２の磁性体層１３の幅ｌがクラ
ツク幅を規制するものであり、先にも述べたよう
に、マスク材１８により、±2μｍ程度の高い寸法
精度が得られる。

次に、SiO₂あるいはAl₂O₃などの非磁性絶縁体
２０を第２の磁性体層１３よりも厚く形成し（第
１３図Ｅ）、第２の磁性体層１３の表面が露出す
る程度に二点鎖線Ｍ−M′まで平坦に非磁性絶縁
体２０をラツピングして非磁性体層１５を形成す
る。

なお、ブレードの形状を任意に選択することに
より、第１２図Ａ，Ｂ，Ｃに示すような断面形状
の溝１０あるいは他の任意の断面形状の溝１０を
形成することができる。

また、第５図で示したように、溝１０の深さ以
上の厚さの磁性体を非磁性絶縁基板１に形成し、
ラツピングによつて第２の磁性体層１３を形成す
るようにしてもよい。さらに、第２の磁性体層１
３の幅は、テープ摺動面部分のみを高い精度でト
ラツク幅となるようにすればよく、他の部分で
は、トラツク幅と異なる幅としてもよい。

さらに、この実施例では、第６図の実施例と同
様に、第２の磁性体層１３とコイル導体層（図示
せず）とを同一平面上に形成することもできる。

以上、本発明の実施例について説明したが、本
発明はマルチチヤンネルテープレコーダのみなら
ず、他の任意の磁気記録再生装置に適当すること
ができることはいうまでもない。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、磁気飽
和を生じない程度の比較的厚い磁性体層の一部に
ついてのみパターンニングすればよく、このため
に、パターンニングの精度を大幅に高めることが
できてトラツク幅を著しく高い精度で設定するこ
とができるし、また、磁性体層のほとんどについ
て寸法精度を大幅に緩和することができて製造工
程の簡略化と歩留りの向上が実現でき、上記従来
技術の欠点を除いて優れた機能の薄膜磁気ヘツド
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の薄膜磁気ヘツドの一例を示す要
部断面図、第２図Ａ，Ｂは従来の薄膜磁気ヘツド
の他の例の製造方法を示す要部工程図、第３図は
本発明による薄膜磁気ヘツドの一実施例を示す要
部斜視図、第４図は第３図のテープ摺動面側から
みた平面図、第５図は第３図の下部磁性体層の一
形成方法を示す説明図、第６図は本発明による薄
膜磁気ヘツドの他の実施例を示す要部斜視図、第
７図は第６図の実施例の切断線Ａ−A′に沿う要
部断面図、第８図は本発明による薄膜磁気ヘツド
のさらに他の実施例をテープ摺動面側からみた要
部正面図、第９図はコンター効果を示す再生出力
特性図、第１０図は第８図の実施例による再生出
力特性図、第１１図は本発明による薄膜磁気ヘツ
ドのさらに他の実施例をテープ摺動面側からみた
要部正面図、第１２図Ａ，Ｂ，Ｃは夫々非磁性絶
縁基板に形成した溝の断面形状の具体例を示す正
面図、第１３図Ａ〜Ｆは第１１図の下部磁性体層
の形成方法の一具体例を示す工程図である。１……非磁性絶縁基板、２……下部磁性体層、
３……上部磁性体層、４……非磁性絶縁層、５…
…コイル導体層、８……保護基板、９……テープ
摺動面、１０……溝、１２……第１の磁性体層、
１３……第２の磁性体層、１３₁……第１の部分
磁性体層、１３₂……第２の部分磁性体層、１４，
１５……非磁性絶縁層。

Claims

【特許請求の範囲】１非磁性絶縁基板上に、下部磁性体層、ヘツド
ギヤツプを形成する非磁性絶縁層、コイル導体
層、上部磁性体層および保護基板を順に積層して
なる薄膜磁気ヘツドにおいて、該非磁性絶縁基板
は溝部を有し、該下部磁性体層は該溝部に埋込ま
れた第１の磁性体層と該第１の磁性体層に積層し
た第２の磁性層とからなり、該第２の磁性体層の
幅により、トラツク幅を規制したことを特徴とす
る薄膜磁気ヘツド。２特許請求の範囲第１項において、前記第２の
磁性体層は前記溝部の長手方向に離間した第１、
第２の部分磁性体層からなり、前記コイル導体層
は前記第２の磁性体層と同一平面上で一部が該第
１、第２の部分磁性体層間に形成してなることを
特徴とする薄膜磁気ヘツド。３特許請求の範囲第１項または第２項におい
て、前記下部磁性体層の層厚と前記上部磁性体層
の層厚を夫々最大記録波長よりも大きくしたこと
を特徴とする薄膜磁気ヘツド。４特許請求の範囲第１項また第２項において、
前記溝部の底面が、前記非磁性絶縁層に対して非
平行であることを特徴とする薄膜磁気ヘツド。