JPH0312433B2 - - Google Patents
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- JPH0312433B2 JPH0312433B2 JP59132618A JP13261884A JPH0312433B2 JP H0312433 B2 JPH0312433 B2 JP H0312433B2 JP 59132618 A JP59132618 A JP 59132618A JP 13261884 A JP13261884 A JP 13261884A JP H0312433 B2 JPH0312433 B2 JP H0312433B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- center conductor
- shell
- conductor
- circuit
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R24/00—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure
- H01R24/38—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts
- H01R24/40—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts specially adapted for high frequency
- H01R24/52—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts specially adapted for high frequency mounted in or to a panel or structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R2103/00—Two poles
Landscapes
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロストリツプ回路と外部回路
との間の接続に用いられる高周波コネクタに関す
る。特に、0.3GHzから30GHzの周波帯のTEMモ
ード波の接続に使用されるに適するコネクタ構造
に関する。
との間の接続に用いられる高周波コネクタに関す
る。特に、0.3GHzから30GHzの周波帯のTEMモ
ード波の接続に使用されるに適するコネクタ構造
に関する。
一般的にマイクロ波帯を用いる装置や機器の回
路構成手段として、マイクロストリツプ基板が用
いられるようになつたが、この基板と外部回路と
の接続部分に問題が生じている。
路構成手段として、マイクロストリツプ基板が用
いられるようになつたが、この基板と外部回路と
の接続部分に問題が生じている。
すなわちハウジングに内装されたマイクロスト
リツプ基板の導体部を、同軸ケーブルに接続する
場合には、第19図または第20図に示すコネク
タが公知である。
リツプ基板の導体部を、同軸ケーブルに接続する
場合には、第19図または第20図に示すコネク
タが公知である。
第19図に示される例では、金属製のシエルは
外部回路に接続される側には雄ねじ2を有し、ま
たマイクロストリツプ基板10と接続される側は
ハウジング11の壁面に嵌入されるフランジ3を
有する嵌入体4から構成され、中空体の内部には
絶縁体5で支持された中心導体6が設けられてい
る。
外部回路に接続される側には雄ねじ2を有し、ま
たマイクロストリツプ基板10と接続される側は
ハウジング11の壁面に嵌入されるフランジ3を
有する嵌入体4から構成され、中空体の内部には
絶縁体5で支持された中心導体6が設けられてい
る。
このコネクタを設置するには、あらかじめマイ
クロストリツプ基板10をハウジング11の定め
られた位置に固定しておき、コネクタの嵌入体4
をハウンジング11の被嵌入孔に挿入してから、
接続リボン8があらかじめ装着された中心導体ピ
ン7をハウジングの内部から中心導体6のすり割
り部6cに挿入したのち、接続リボン8をマイク
ロストリツプ基板10のそれぞれ対応した導体部
に半田にて接続する。
クロストリツプ基板10をハウジング11の定め
られた位置に固定しておき、コネクタの嵌入体4
をハウンジング11の被嵌入孔に挿入してから、
接続リボン8があらかじめ装着された中心導体ピ
ン7をハウジングの内部から中心導体6のすり割
り部6cに挿入したのち、接続リボン8をマイク
ロストリツプ基板10のそれぞれ対応した導体部
に半田にて接続する。
また、第20図はビードによる従来例の場合を
示している。ビードは、図示されたように、金属
製の外筒12の中央に中心導体ピン7′をガラス
13によつて固定したものでこの方式では、マイ
クロストリツプ基板10の導体の位置にあわせ
て、ビードをハウジング11に挿入したのち、ハ
ウジング上端の孔14より半田を流し込んでビー
ドを固定したのち、中心導体ピン7′とマイクロ
ストリツプ基板の導体部を半田接続してから、コ
ネクタをハウジングにねじ込む。
示している。ビードは、図示されたように、金属
製の外筒12の中央に中心導体ピン7′をガラス
13によつて固定したものでこの方式では、マイ
クロストリツプ基板10の導体の位置にあわせ
て、ビードをハウジング11に挿入したのち、ハ
ウジング上端の孔14より半田を流し込んでビー
ドを固定したのち、中心導体ピン7′とマイクロ
ストリツプ基板の導体部を半田接続してから、コ
ネクタをハウジングにねじ込む。
これらの従来例の欠点としては、
(1) 第19図のものでは、接続リボン8の誘導イ
ンピーダンスが高く、数GHz以上の周波数で
は、電圧定在波比(VSWR)が悪くなる、 (2) 接続リボンの接続作業工数が大きい、 (3) 第20図のものでは、ハウジングの孔14に
半田を流し込んでビードを固定する作業の工数
が大きい、 (4) マイクロストリツプ基板を交換の際に作業が
複雑になる、 (5) いずれもコネクタや必要な部品が高価にな
る、などがある。
ンピーダンスが高く、数GHz以上の周波数で
は、電圧定在波比(VSWR)が悪くなる、 (2) 接続リボンの接続作業工数が大きい、 (3) 第20図のものでは、ハウジングの孔14に
半田を流し込んでビードを固定する作業の工数
が大きい、 (4) マイクロストリツプ基板を交換の際に作業が
複雑になる、 (5) いずれもコネクタや必要な部品が高価にな
る、などがある。
本発明は、構造が簡単で、設置作業が容易であ
り、かつマイクロ波の伝送特性のよいマイクロス
トリツプ回路の接続に用いられるコネクタを提供
することを目的とする。
り、かつマイクロ波の伝送特性のよいマイクロス
トリツプ回路の接続に用いられるコネクタを提供
することを目的とする。
外部導体となる中空の金属製のシエルと、この
シエルの内部に配置された中心導体と、この中心
導体を上記シエルの中空部分に支持する絶縁体と
を備え、 上記シエルにはこのコネクタをハウジングの壁
面に取付けるためのフランジが形成され、上記外
部導体および上記中心導体の一端は対応するコネ
クタと嵌合接続される構造であり、上記中心導体
の他端は上記ハウジング内部に実装された回路に
接続される構造の高周波コネクタにおいて、 上記回路に接続される構造の側では、上記中心
導体はばね材料により形成され、その先端よりや
や離れた位置で上記絶縁体により上記シエルの中
空部分の実質的な中心位置に片持梁構造に支持さ
れ、その先端は自由端であつてわずかに変位可能
に形成されて、その先端があらかじめシエルの中
空部分に対してその物理的中心からわずかに変位
して設定された構造を特徴とする。
シエルの内部に配置された中心導体と、この中心
導体を上記シエルの中空部分に支持する絶縁体と
を備え、 上記シエルにはこのコネクタをハウジングの壁
面に取付けるためのフランジが形成され、上記外
部導体および上記中心導体の一端は対応するコネ
クタと嵌合接続される構造であり、上記中心導体
の他端は上記ハウジング内部に実装された回路に
接続される構造の高周波コネクタにおいて、 上記回路に接続される構造の側では、上記中心
導体はばね材料により形成され、その先端よりや
や離れた位置で上記絶縁体により上記シエルの中
空部分の実質的な中心位置に片持梁構造に支持さ
れ、その先端は自由端であつてわずかに変位可能
に形成されて、その先端があらかじめシエルの中
空部分に対してその物理的中心からわずかに変位
して設定された構造を特徴とする。
片持梁構造に支持された中心導体はその大部分
がシエルの中空部分の中にあることが好ましく、 回路に接続される構造の側では、シエルは短く
形成され、片持梁構造に支持された中心導体はそ
の大部分がシエルの中空部分の外にある構造であ
ることが好ましく、 先端よりやや離れた位置は、中心導体の直径の
5倍以上離れた位置であることが好ましく、 回路に接続される構造の側では、中心導体は形
状記憶合金により形成されることが好ましい。
がシエルの中空部分の中にあることが好ましく、 回路に接続される構造の側では、シエルは短く
形成され、片持梁構造に支持された中心導体はそ
の大部分がシエルの中空部分の外にある構造であ
ることが好ましく、 先端よりやや離れた位置は、中心導体の直径の
5倍以上離れた位置であることが好ましく、 回路に接続される構造の側では、中心導体は形
状記憶合金により形成されることが好ましい。
回路に接続される構造の側では、中心導体の断
面は円形であるか、または中心導体の先端または
その近傍で、中心導体に切込みが形成されたもの
であることが好ましい。
面は円形であるか、または中心導体の先端または
その近傍で、中心導体に切込みが形成されたもの
であることが好ましい。
コネクタの中心導体のマイクロストリツプ回路
側の部分を、コネクタの中心軸に対して偏倚させ
てかつ弾性的に支持することにより、接続に介在
させる要素が不要となり、マイクロストリツプ基
板の導体の接続を容易かつ確実に行うことができ
る。
側の部分を、コネクタの中心軸に対して偏倚させ
てかつ弾性的に支持することにより、接続に介在
させる要素が不要となり、マイクロストリツプ基
板の導体の接続を容易かつ確実に行うことができ
る。
第1図に本発明の第一実施例によるコネクタの
断面図を示す。第2図にこの実施例構造をマイク
ロストリツプ回路を内蔵したハウジングに装着し
た場合のコネクタ構造の断面図を示す。
断面図を示す。第2図にこの実施例構造をマイク
ロストリツプ回路を内蔵したハウジングに装着し
た場合のコネクタ構造の断面図を示す。
両図において、このコネクタは、雄ねじ2とフ
ランジ3とを有する嵌入体4を有するシエルと、
中心導体6を支持する絶縁体5とを備える。中心
導体6の図の左端は絶縁体5により雄ねじ2の内
側に支持されている。
ランジ3とを有する嵌入体4を有するシエルと、
中心導体6を支持する絶縁体5とを備える。中心
導体6の図の左端は絶縁体5により雄ねじ2の内
側に支持されている。
ここで、本発明の特徴とする構造は、中心導体
のマイクロストリツプ回路への接続側(図の右
端)は片持梁構造であり、接続端は自由端となつ
ているところにある。さらにシエルの中心軸に対
して中心導体先端6bは偏倚された構造となつて
いて、機械的にわずかに可動である。絶縁体5は
四フツ化エチレン(商品名「テフロン」)その他
の低損失誘電体から成る。この絶縁体5と中心導
体6とがシエルに対し回転しないように固定用樹
脂21が注入され固化されている。また第2図に
おいて、嵌入体4の突出部の長さは、ハウジング
11の孔の奥行きと製作誤差の範囲で一致するよ
うに製作されているので、中心導体と、マイクロ
ストリツプ基板との相対位置は正しく規制され
る。中心導体6の図の左端にはすり割り6aが設
けられ、これよりこのコネクタに挿入される相手
コネクタの中心導体と嵌合接続される。
のマイクロストリツプ回路への接続側(図の右
端)は片持梁構造であり、接続端は自由端となつ
ているところにある。さらにシエルの中心軸に対
して中心導体先端6bは偏倚された構造となつて
いて、機械的にわずかに可動である。絶縁体5は
四フツ化エチレン(商品名「テフロン」)その他
の低損失誘電体から成る。この絶縁体5と中心導
体6とがシエルに対し回転しないように固定用樹
脂21が注入され固化されている。また第2図に
おいて、嵌入体4の突出部の長さは、ハウジング
11の孔の奥行きと製作誤差の範囲で一致するよ
うに製作されているので、中心導体と、マイクロ
ストリツプ基板との相対位置は正しく規制され
る。中心導体6の図の左端にはすり割り6aが設
けられ、これよりこのコネクタに挿入される相手
コネクタの中心導体と嵌合接続される。
本第一実施例のコネクタを取付ける第一の方法
は第2図に示すように、マイクロストリツプ基板
10をハウジング11に固定してから、中心導体
先端6bが上方に向くようにして、コネクタを挿
し込み、半回転ひねると、中心導体先端6bの先
端は所定の接触圧力でマイクロストリツプ基板1
0の導体面に接触する。もしこの回転の際、導体
面を傷つけるおそれのある場合には、図示のよう
にポリエステルまたはポリイミドなどの薄いシー
ト101をはさんでおくことがよい。
は第2図に示すように、マイクロストリツプ基板
10をハウジング11に固定してから、中心導体
先端6bが上方に向くようにして、コネクタを挿
し込み、半回転ひねると、中心導体先端6bの先
端は所定の接触圧力でマイクロストリツプ基板1
0の導体面に接触する。もしこの回転の際、導体
面を傷つけるおそれのある場合には、図示のよう
にポリエステルまたはポリイミドなどの薄いシー
ト101をはさんでおくことがよい。
第二の方法として、マイクロストリツプ基板を
あとから取付ける場合は、第3図のように中心導
体先端6bを針金102で上方で引き上げておき
基板10を矢印の方向に挿入する。
あとから取付ける場合は、第3図のように中心導
体先端6bを針金102で上方で引き上げておき
基板10を矢印の方向に挿入する。
本発明の第二実施例は、この中心導体先端6b
を形状記憶合金材料によつて作成するものであ
る。装着作業時には、常温と異なる温度、例えば
冷却してこの変形部を直線状にしてからコネクタ
を挿入すれば、常温に戻ると所定の偏倚量を示す
ので適宜な接触圧力を得ることができる。
を形状記憶合金材料によつて作成するものであ
る。装着作業時には、常温と異なる温度、例えば
冷却してこの変形部を直線状にしてからコネクタ
を挿入すれば、常温に戻ると所定の偏倚量を示す
ので適宜な接触圧力を得ることができる。
第4図および第5図は本発明第三実施例構造図
である。この構造は図に示すようにシエルの嵌入
部4の長さをこれに対応するハウジング11の孔
の奥行を短くするものである。これを取付ける場
合は、第5図に示すようにコネクタをあらかじめ
傾斜させて挿入すれば、第3図に示すように中心
導体先端6bを処理しなくてよい。
である。この構造は図に示すようにシエルの嵌入
部4の長さをこれに対応するハウジング11の孔
の奥行を短くするものである。これを取付ける場
合は、第5図に示すようにコネクタをあらかじめ
傾斜させて挿入すれば、第3図に示すように中心
導体先端6bを処理しなくてよい。
以上各実施例において説明したようにコネクタ
をハウジングに挿入したのち、フランジ3をねじ
などでハウジングに固定する。
をハウジングに挿入したのち、フランジ3をねじ
などでハウジングに固定する。
第6図は本発明の第四実施例構造図で、中心導
体6を支持する絶縁体を短くしたものである。中
心導体の周囲を空気を媒体としてつつみ、不要モ
ードのカツトオフ周波数を高くするため、中心導
体を支持する誘電体の部分をなるべく小さくした
ものである。第7図はこの取付け状態を示す。
体6を支持する絶縁体を短くしたものである。中
心導体の周囲を空気を媒体としてつつみ、不要モ
ードのカツトオフ周波数を高くするため、中心導
体を支持する誘電体の部分をなるべく小さくした
ものである。第7図はこの取付け状態を示す。
第8図および第9図に中心導体とマイクロスト
リツプ基板とが直交するように取付ける実施例構
造を示す。第8図は嵌入部の長さが長いシエルの
場合を、また第9図は同じく短いシエルの場合で
ある。これらの場合は第10図に示すようにマイ
クロストリツプ基板10の表面の導体部31の端
部にL形のコンタクト導体32を熱接着または半
田付けなどにより接着させておく。第11図にこ
の部分の平面図を示す。なお、上記のコンタクト
導体32を用いないで、第12図に示すように側
面導体部32′を導体ペーストを焼成させること
によつて形成することも可能である。
リツプ基板とが直交するように取付ける実施例構
造を示す。第8図は嵌入部の長さが長いシエルの
場合を、また第9図は同じく短いシエルの場合で
ある。これらの場合は第10図に示すようにマイ
クロストリツプ基板10の表面の導体部31の端
部にL形のコンタクト導体32を熱接着または半
田付けなどにより接着させておく。第11図にこ
の部分の平面図を示す。なお、上記のコンタクト
導体32を用いないで、第12図に示すように側
面導体部32′を導体ペーストを焼成させること
によつて形成することも可能である。
断面が円形である中心導体変形部6bとマイク
ロストリツプ基板10の上面の導体31の接触
は、第13図に示すように線接触となる。円形断
面の中心導体は安価に製造することができるの
で、汎用的な用途の高周波コネクタに適する。し
かし、ミリ波帯領域では線路の不連続を極力小さ
くするため中心導体の接触部を切削加工すること
がよい。第14図に中心導体接触部の好ましい断
面構造の実施例を示す。
ロストリツプ基板10の上面の導体31の接触
は、第13図に示すように線接触となる。円形断
面の中心導体は安価に製造することができるの
で、汎用的な用途の高周波コネクタに適する。し
かし、ミリ波帯領域では線路の不連続を極力小さ
くするため中心導体の接触部を切削加工すること
がよい。第14図に中心導体接触部の好ましい断
面構造の実施例を示す。
第14図aは、中心導体の接触面に単に一方向
にのみ平面を設けたものである。第14図bはマ
イクロストリツプ基板の導体幅と合致するように
三方向に平面を設けたものである。第14図cは
長方形断面の突起を設けたもので、とくに第8図
および第9図に示すような中心導体と基板が直交
する場合に適する。この接触状態をさらに向上さ
せるためには、第14図dに示すように長方形の
突起部の下面に逃げ22を設ける。
にのみ平面を設けたものである。第14図bはマ
イクロストリツプ基板の導体幅と合致するように
三方向に平面を設けたものである。第14図cは
長方形断面の突起を設けたもので、とくに第8図
および第9図に示すような中心導体と基板が直交
する場合に適する。この接触状態をさらに向上さ
せるためには、第14図dに示すように長方形の
突起部の下面に逃げ22を設ける。
以上説明したように、本発明の実施例では、中
心導体とマイクロストリツプ基板の導体面との間
の接触圧力を適宜なものとすることができる。こ
の接触圧力は、その接触面の法線分力として接触
面の材質が金(Au)対金の場合では0.2N(ニユ
ートン)程度あればよいとされているが、材質が
銀(Ag)であるとき、または接触面間に異物混
入の場合を考えて約5〜12Nとすることが好まし
い。このような接触面の法線分力の大きさを第1
5図により説明する。
心導体とマイクロストリツプ基板の導体面との間
の接触圧力を適宜なものとすることができる。こ
の接触圧力は、その接触面の法線分力として接触
面の材質が金(Au)対金の場合では0.2N(ニユ
ートン)程度あればよいとされているが、材質が
銀(Ag)であるとき、または接触面間に異物混
入の場合を考えて約5〜12Nとすることが好まし
い。このような接触面の法線分力の大きさを第1
5図により説明する。
第15図において、中心導体を片持梁方式にて
支持した場合の自由端の長さをlとし、lの自由
端の座標をx=0とする。この自由端に加えられ
る鉛直荷重Wにより片持梁のy方向の変形量は y=W/6EI(x3−3l2x+2l3) で表わされる。ただしEは梁の材料によつて定ま
るヤング率、Iは片持梁の断面形状によつて定ま
る断面二次モーメントである。
支持した場合の自由端の長さをlとし、lの自由
端の座標をx=0とする。この自由端に加えられ
る鉛直荷重Wにより片持梁のy方向の変形量は y=W/6EI(x3−3l2x+2l3) で表わされる。ただしEは梁の材料によつて定ま
るヤング率、Iは片持梁の断面形状によつて定ま
る断面二次モーメントである。
この式においてx=0におけるy方向変位をδ
とすると δ=W/3EIl3 となる。したがつて、上記の接触面に必要な法線
分力がWである場合は、中心導体の偏倚量を上式
により求められるδまたはこれ以上にすればよ
い。
とすると δ=W/3EIl3 となる。したがつて、上記の接触面に必要な法線
分力がWである場合は、中心導体の偏倚量を上式
により求められるδまたはこれ以上にすればよ
い。
実際の場合、この式によつて求められた偏倚量
δを中心導体に与えるためには、第16図に示す
クランプ治具103および104に挟んで熱処理
を行うことがよい。第17図にこの断面図を示
す。偏倚量δの大きさはスペーサー105の厚さ
によつて調整される。
δを中心導体に与えるためには、第16図に示す
クランプ治具103および104に挟んで熱処理
を行うことがよい。第17図にこの断面図を示
す。偏倚量δの大きさはスペーサー105の厚さ
によつて調整される。
第18図は本発明によるコネクタの外部回線側
の中心導体のすり割り6aに対する各種実施例に
よる正面図を示す。
の中心導体のすり割り6aに対する各種実施例に
よる正面図を示す。
以上説明したように、本発明によれば、
(1) マイクロストリツプ回路とコネクタの中心導
体とは接触圧で接触接続されるので接触工数が
著しく小さくなる、 (2) 回路と中心導体とはつねに所定の圧力で接触
し、また回路とコネクタとの距離に多少の誤差
があつてもこれを中心導体で吸収でき、接続の
安定性が極めて高い、 (3) その接続作業は単純であり特別の熟練を必要
としない、 (4) 回路と中心導体とはつねに所定の圧力で接触
するので、接触点で回路が破損することがな
い、 (5) 中心導体には他の部品が取付けられることな
く、回路と中心導体との接続が単純であつて工
作機械精度および機械精度を高くできるから高
周波特性がきわめて良い などの優れた効果がある。
体とは接触圧で接触接続されるので接触工数が
著しく小さくなる、 (2) 回路と中心導体とはつねに所定の圧力で接触
し、また回路とコネクタとの距離に多少の誤差
があつてもこれを中心導体で吸収でき、接続の
安定性が極めて高い、 (3) その接続作業は単純であり特別の熟練を必要
としない、 (4) 回路と中心導体とはつねに所定の圧力で接触
するので、接触点で回路が破損することがな
い、 (5) 中心導体には他の部品が取付けられることな
く、回路と中心導体との接続が単純であつて工
作機械精度および機械精度を高くできるから高
周波特性がきわめて良い などの優れた効果がある。
第1図は本発明による第一実施例のコネクタの
断面図。第2図は上記実施例設置の第一の方法の
説明図。第3図は上記実施例設置の第二の方法の
説明図。第4図は嵌入体を短くした第三実施例の
断面図。第5図は上図の実施例設置方法の説明
図。第6図は絶縁体が短い場合の第四実施例の断
面図。第7図は上図の実施例設置方法の説明図。
第8図は直交して設置される嵌入体の長い実施例
の断面図。第9図は直交して設置される嵌入体の
短い実施例の断面図。第10図は上図の接触部の
斜視図。第11図は上図の平面図。第12図は基
板の側面導体部の斜視図。第13図は中心導体と
基板導体の接触部の説明図。第14図は中心導体
の接触部分の各種形状図。第15図は片持梁の計
算説明図。第16図は中心導体の偏倚量を定める
クランプ治具の斜視図。第17図は上記クランプ
治具の断面図。第18図は中心導体のすり割り部
分の各種正面図。第19図は従来例の第一の形式
の断面図。第20図は従来例の第二の形式の断面
図。 2……雄ねじ、3……フランジ、4……嵌入
体、5……絶縁体、6……中心導体、6a,6c
……すり割り、6b……中心導体先端、7,7′
……中心導体ピン、8……接触リボン、10……
マイクロストリツプ基板、11……ハウジング、
12……外筒、13……ガラス支持物、14……
孔、21……固定用樹脂、22……逃げ、31…
…導体、32……コンタクト導体、32′……側
面導体部、101……シート、102……針金、
103,104……クランプ治具、105……ス
ペーサ。
断面図。第2図は上記実施例設置の第一の方法の
説明図。第3図は上記実施例設置の第二の方法の
説明図。第4図は嵌入体を短くした第三実施例の
断面図。第5図は上図の実施例設置方法の説明
図。第6図は絶縁体が短い場合の第四実施例の断
面図。第7図は上図の実施例設置方法の説明図。
第8図は直交して設置される嵌入体の長い実施例
の断面図。第9図は直交して設置される嵌入体の
短い実施例の断面図。第10図は上図の接触部の
斜視図。第11図は上図の平面図。第12図は基
板の側面導体部の斜視図。第13図は中心導体と
基板導体の接触部の説明図。第14図は中心導体
の接触部分の各種形状図。第15図は片持梁の計
算説明図。第16図は中心導体の偏倚量を定める
クランプ治具の斜視図。第17図は上記クランプ
治具の断面図。第18図は中心導体のすり割り部
分の各種正面図。第19図は従来例の第一の形式
の断面図。第20図は従来例の第二の形式の断面
図。 2……雄ねじ、3……フランジ、4……嵌入
体、5……絶縁体、6……中心導体、6a,6c
……すり割り、6b……中心導体先端、7,7′
……中心導体ピン、8……接触リボン、10……
マイクロストリツプ基板、11……ハウジング、
12……外筒、13……ガラス支持物、14……
孔、21……固定用樹脂、22……逃げ、31…
…導体、32……コンタクト導体、32′……側
面導体部、101……シート、102……針金、
103,104……クランプ治具、105……ス
ペーサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 外部導体となる中空の金属製のシエルと、 このシエルの内部に配置された中心導体と、 この中心導体を上記シエルの中空部分に支持す
る絶縁体と を備え、 上記シエルにはこのコネクタをハウジングの壁
面に取付けるためのフランジが形成され、 上記外部導体および上記中心導体の一端は対応
するコネクタと嵌合接続される構造であり、上記
中心導体の他端は上記ハウジング内部に実装され
た回路に接続され、 上記回路に接続される構造の側では、上記中心
導体はその先端よりやや離れた位置で上記絶縁体
により上記シエルの中空部分の実質的な中心位置
に片持梁構造に支持され、その先端は自由端であ
る構造の高周波コネクタにおいて、 上記中心導体はばね材料により形成され、 その中心導体の先端があらかじめシエルの中空
部分に対してその物理的中心から変位して設定さ
れた構造である ことを特徴とする高周波コネクタ。 2 片持梁構造に支持された中心導体はその大部
分がシエルの中空部分の中にある構造の特許請求
の範囲第1項記載の高周波コネクタ。 3 回路に接続される構造の側では、シエルは短
く形成され、 片持梁構造に支持された中心導体はその大部分
がシエルの中空部分の外にある構造の特許請求の
範囲1項に記載の高周波コネクタ。 4 先端よりやや離れた位置は、中心導体の直径
の5倍以上離れた位置である特許請求の範囲第1
項に記載の高周波コネクタ。 5 回路に接続される構造の側では、 中心導体は常温でその先端がシエルの中空部分
に対してその物理的中心から変位する形態の形状
記憶合金により形成された 特許請求の範囲第1項に記載の高周波コネクタ。 6 回路に接続される構造の側では、中心導体の
断面は円形である特許請求の範囲第1項に記載の
高周波コネクタ。 7 中心導体の選択またはその近傍で、中心導体
に切込みが形成された特許請求の範囲第6項に記
載の高周波コネクタ。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP59132618A JPS6113583A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 高周波コネクタ |
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| EP85304446A EP0170392B2 (en) | 1984-06-27 | 1985-06-21 | High frequency connector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132618A JPS6113583A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 高周波コネクタ |
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|---|---|
| JPS6113583A JPS6113583A (ja) | 1986-01-21 |
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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