JPH0314123B2 - - Google Patents
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- JPH0314123B2 JPH0314123B2 JP15616183A JP15616183A JPH0314123B2 JP H0314123 B2 JPH0314123 B2 JP H0314123B2 JP 15616183 A JP15616183 A JP 15616183A JP 15616183 A JP15616183 A JP 15616183A JP H0314123 B2 JPH0314123 B2 JP H0314123B2
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- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 30
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
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- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 11
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は表面欠陥計測装置に係り、特に、各種
被計測物の表面欠陥を計測するのに好適な表面欠
陥計測装置に関する。
被計測物の表面欠陥を計測するのに好適な表面欠
陥計測装置に関する。
各種被計測物の表面欠陥を計測する装置とし
て、従来光学式表面欠陥計測装置が用いられてい
た。この装置は被計測物の表面に光を照射し、被
計測物の表面に照射された光の反射光を受光し、
この受光量を基に、被計測物の表面に欠陥が生じ
たか否かを計測するように構成されていた。
て、従来光学式表面欠陥計測装置が用いられてい
た。この装置は被計測物の表面に光を照射し、被
計測物の表面に照射された光の反射光を受光し、
この受光量を基に、被計測物の表面に欠陥が生じ
たか否かを計測するように構成されていた。
ところが、従来の装置では、被計測物の表面に
ごみ等が付着されていた場合でも、被計測物の表
面に傷等の欠陥が生じたこととして判定してしま
い、傷等の無い良品の物でも不良品として廃棄さ
れる恐れがあつた。そこで、従来の装置を用いて
検査する場合には、不良品になつた物を人手によ
つて再検査を行なうか又は前工程に洗浄機を設置
し、被計測物の表面を清浄することが行なわれて
いた。その為、従来の装置を用いたのでは、被計
測物の表面欠陥を計測する際、歩留りが低下した
り、再検査工数が増加したり、あるいは設備投資
額が増加するという問題があつた。
ごみ等が付着されていた場合でも、被計測物の表
面に傷等の欠陥が生じたこととして判定してしま
い、傷等の無い良品の物でも不良品として廃棄さ
れる恐れがあつた。そこで、従来の装置を用いて
検査する場合には、不良品になつた物を人手によ
つて再検査を行なうか又は前工程に洗浄機を設置
し、被計測物の表面を清浄することが行なわれて
いた。その為、従来の装置を用いたのでは、被計
測物の表面欠陥を計測する際、歩留りが低下した
り、再検査工数が増加したり、あるいは設備投資
額が増加するという問題があつた。
本発明は、前記従来の課題に鑑みて為されたも
のであり、その目的は、被計測物の表面欠陥の有
無を確実に計測することができる表面欠陥計測装
置を提供することにある。
のであり、その目的は、被計測物の表面欠陥の有
無を確実に計測することができる表面欠陥計測装
置を提供することにある。
前記目的を達成する為に、本発明は、被計測物
の表面に光を照射する投光部と、被計測物の表面
に照射された光の反射光を集光しこの光を2系統
の伝送路に分割して伝送する伝送部と、前記一方
の伝送路を伝送する光を受光し受光量に応じたレ
ベルの電気信号を出力する第1の光電変換部と、
前記他方の伝送路を伝送する光のうち、基準伝送
路を伝送する光と基準伝送路から外れた伝送路を
伝送する光を受光可能な受光面を有し、この受光
面に入射した光の位置に応じてレベルの異なる2
系統の電気信号を出力する第2の光電変換部と、
第2の光電変換部の各系統の電気信号を受け、前
記2系統の電気信号のレベルの比を求め、その求
めた比の信号を出力する演算部と、演算部の出力
レベルと被計測物の表面に物が付着したときの演
算部の出力レベルとして定められた第1の基準レ
ベルとを比較すると共に、第1の光電変換部の出
力レベルと被計測物の表面に物が付着したとき又
は被計測物の表面に欠陥が生じたときの第1の光
電変換部の出力レベルとして定められた第2の基
準レベルとを比較し、これらの比較結果を基に被
計測物に対する計測結果を判定し判定出力を発生
する判定部と、を備え、前記判定部は、演算部の
出力レベルが第1の基準レベル以下で、かつ第1
の光電変換部の出力レベルが第2の基準レベル以
下のとき被計測物の表面に欠陥が生じたことを判
定し、演算部の出力レベルが第1の基準レベルを
越え、かつ第1の光電変換部の出力レベルが第2
の基準レベル以下のとき、被計測物の表面に物が
付着したことを判定し、演算部の出力レベルが第
1の基準レベル以下で、かつ第1の光電変換部の
出力レベルが第2の基準レベルを越えたとき、被
計測物が良品であることを判定し、各判定結果に
応じた出力を発生するようにしたことを特徴とす
る。
の表面に光を照射する投光部と、被計測物の表面
に照射された光の反射光を集光しこの光を2系統
の伝送路に分割して伝送する伝送部と、前記一方
の伝送路を伝送する光を受光し受光量に応じたレ
ベルの電気信号を出力する第1の光電変換部と、
前記他方の伝送路を伝送する光のうち、基準伝送
路を伝送する光と基準伝送路から外れた伝送路を
伝送する光を受光可能な受光面を有し、この受光
面に入射した光の位置に応じてレベルの異なる2
系統の電気信号を出力する第2の光電変換部と、
第2の光電変換部の各系統の電気信号を受け、前
記2系統の電気信号のレベルの比を求め、その求
めた比の信号を出力する演算部と、演算部の出力
レベルと被計測物の表面に物が付着したときの演
算部の出力レベルとして定められた第1の基準レ
ベルとを比較すると共に、第1の光電変換部の出
力レベルと被計測物の表面に物が付着したとき又
は被計測物の表面に欠陥が生じたときの第1の光
電変換部の出力レベルとして定められた第2の基
準レベルとを比較し、これらの比較結果を基に被
計測物に対する計測結果を判定し判定出力を発生
する判定部と、を備え、前記判定部は、演算部の
出力レベルが第1の基準レベル以下で、かつ第1
の光電変換部の出力レベルが第2の基準レベル以
下のとき被計測物の表面に欠陥が生じたことを判
定し、演算部の出力レベルが第1の基準レベルを
越え、かつ第1の光電変換部の出力レベルが第2
の基準レベル以下のとき、被計測物の表面に物が
付着したことを判定し、演算部の出力レベルが第
1の基準レベル以下で、かつ第1の光電変換部の
出力レベルが第2の基準レベルを越えたとき、被
計測物が良品であることを判定し、各判定結果に
応じた出力を発生するようにしたことを特徴とす
る。
以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例を
説明する。
説明する。
第1図には、本発明の好適な実施例の構成が示
されている。
されている。
本実施例における装置は、第1図に示されるよ
うに、投光部10、伝送部12、第1の光電変換
部14、第2の光電変換部16、演算部18、判
定部20等から構成されており、投光部10と伝
送部12が、被計測物(以下ワークと称する)2
2の表面上方に設置されている。
うに、投光部10、伝送部12、第1の光電変換
部14、第2の光電変換部16、演算部18、判
定部20等から構成されており、投光部10と伝
送部12が、被計測物(以下ワークと称する)2
2の表面上方に設置されている。
投光部10はレーザ発振器24、投光レンズ2
6から構成されており、矢印X方向に移動するワ
ーク22の表面には、レーザ発振器24によるレ
ーザ光が投光レンズ26を介して照射されてい
る。ワーク22の表面に照射された光はワーク2
2の表面で反射し、その反射光が伝送部12に反
射している。
6から構成されており、矢印X方向に移動するワ
ーク22の表面には、レーザ発振器24によるレ
ーザ光が投光レンズ26を介して照射されてい
る。ワーク22の表面に照射された光はワーク2
2の表面で反射し、その反射光が伝送部12に反
射している。
伝送部12は受光レンズ28、ビームスプリツ
タ30から構成されており、ワーク22からの反
射光を受光レンズ28で集光し、集光した光をビ
ームスプリツタ30によつて、2系統の伝送路1
00,102に分割して伝送するように構成され
ている。
タ30から構成されており、ワーク22からの反
射光を受光レンズ28で集光し、集光した光をビ
ームスプリツタ30によつて、2系統の伝送路1
00,102に分割して伝送するように構成され
ている。
伝送路100の途中には、第1の光電部14を
構成する受光素子、例えばフオトダイオード、フ
オトマル等が設置されており、伝送路100を伝
送した光は受光素子14によつて受光され、この
受光量に応じたレベルの電気信号が受光素子14
から出力されている。そして、受光素子14の出
力信号は増幅器32で所定のレベルVpに増幅さ
れ判定部20に供給されている。
構成する受光素子、例えばフオトダイオード、フ
オトマル等が設置されており、伝送路100を伝
送した光は受光素子14によつて受光され、この
受光量に応じたレベルの電気信号が受光素子14
から出力されている。そして、受光素子14の出
力信号は増幅器32で所定のレベルVpに増幅さ
れ判定部20に供給されている。
又、受光素子14は、受光量に応じたレベルの
電気信号を出力するように構成されているので、
増幅器32の出力電圧Vpは、ワーク22の表面
にごみ等の物が付着したり、ワーク22の表面に
傷等の欠陥が生じて無いときには、乱反射は少な
い為高い電圧値となり、又、ワーク22の表面に
物が付着していたり、あるいはワーク22の表面
に傷等の欠陥が生じていたときには、乱反射が増
え受光量が減少する為、低い電圧値となる。その
為、増幅器32の出力電圧Vpは、ワーク22の
表面に物が付着していたり、あるいはワーク22
の表面に傷等の欠陥が生じていた場合には、第2
図に示されるように、ワーク22の移動に伴なつ
てワーク22の傷又はごみ等に照射された光に対
応した部位の電圧レベルが低下する。
電気信号を出力するように構成されているので、
増幅器32の出力電圧Vpは、ワーク22の表面
にごみ等の物が付着したり、ワーク22の表面に
傷等の欠陥が生じて無いときには、乱反射は少な
い為高い電圧値となり、又、ワーク22の表面に
物が付着していたり、あるいはワーク22の表面
に傷等の欠陥が生じていたときには、乱反射が増
え受光量が減少する為、低い電圧値となる。その
為、増幅器32の出力電圧Vpは、ワーク22の
表面に物が付着していたり、あるいはワーク22
の表面に傷等の欠陥が生じていた場合には、第2
図に示されるように、ワーク22の移動に伴なつ
てワーク22の傷又はごみ等に照射された光に対
応した部位の電圧レベルが低下する。
一方、伝送路102の途中には、第2の光電変
換部16を構成する受光素子、例えば半導体位置
検出素子、イメージセンサ等が設置されている。
この受光素子16は、第3図に示されるように、
ワーク22の表面にごみ等が付着してないときの
基準伝送路102Aを伝送する光と、ワーク22
の表面にごみ34等が付着して受光レンズ28か
らビームスプリツタ30を介して伝送する光が基
準伝送路102Aから外れた伝送路102Bを伝
送する光を受光可能な受光面を有し、この受光面
に入射した光の位置に応じてレベルの異なる2系
統の電気信号を出力するように構成されている。
すなわち、受光素子16はP・I・Nの3層で構
成されたPIN形位置検出素子であり、受光面が抵
抗層であるP層で構成され、受光面の両端(第1
図の上下方向両端)にそれぞれ電極が設けられて
いる。そして受光面に光が入射すると入射した光
のエネルギーに比例して生じたキヤリアが電流源
となり、入射点と各電極との間の抵抗に逆比例し
て分配される電流が各電極から取り出される。こ
こで、両電極間の抵抗をRとし、入射点と各電極
間の抵抗をR1,R2とすると、各電極からは次式
で示される電流i1,i2が出力される。
換部16を構成する受光素子、例えば半導体位置
検出素子、イメージセンサ等が設置されている。
この受光素子16は、第3図に示されるように、
ワーク22の表面にごみ等が付着してないときの
基準伝送路102Aを伝送する光と、ワーク22
の表面にごみ34等が付着して受光レンズ28か
らビームスプリツタ30を介して伝送する光が基
準伝送路102Aから外れた伝送路102Bを伝
送する光を受光可能な受光面を有し、この受光面
に入射した光の位置に応じてレベルの異なる2系
統の電気信号を出力するように構成されている。
すなわち、受光素子16はP・I・Nの3層で構
成されたPIN形位置検出素子であり、受光面が抵
抗層であるP層で構成され、受光面の両端(第1
図の上下方向両端)にそれぞれ電極が設けられて
いる。そして受光面に光が入射すると入射した光
のエネルギーに比例して生じたキヤリアが電流源
となり、入射点と各電極との間の抵抗に逆比例し
て分配される電流が各電極から取り出される。こ
こで、両電極間の抵抗をRとし、入射点と各電極
間の抵抗をR1,R2とすると、各電極からは次式
で示される電流i1,i2が出力される。
i1=R2/R1+R2i ……(1)
i2=R1/R1+R2i ……(2)
ここに、iは発生した全電流(i=i1+i2)を
示す 上記(1),(2)式から、受光素子16の各電極の出
力電圧VA,VBは次式によつて表わされる。
示す 上記(1),(2)式から、受光素子16の各電極の出
力電圧VA,VBは次式によつて表わされる。
VA=i1×R1 ……(3)
VB=i2×R2 ……(4)
従つて、ワーク22で反射した光が基準伝送路
102Aを介て受光素子16の受光面中央部に入
射した場合と、反射光が伝送路102Bを介して
受光素子16の受光面端部に入射した場合とでは
異なるレベルの信号が各電極から出力される。
102Aを介て受光素子16の受光面中央部に入
射した場合と、反射光が伝送路102Bを介して
受光素子16の受光面端部に入射した場合とでは
異なるレベルの信号が各電極から出力される。
ここでワーク22の表面にごみが付着していな
い場合、レーザ光はワーク22の表面で反射し、
基準伝送路102Aを伝送して受光素子16の受
光面X0の位置に入射する。
い場合、レーザ光はワーク22の表面で反射し、
基準伝送路102Aを伝送して受光素子16の受
光面X0の位置に入射する。
一方、ワーク22の表面に高さhのごみ34が
付着していた場合、レーザ光はごみ34の上部で
反射するので、その反射光は伝送路102Bを伝
送して受光素子16の受光面X1の位置に入射す
る。ここに、x0とx1の位置関係は、x1=x0+2h
となる。そして、受光素子16の2系統の電気信
号は、第4図のa,bに示されるような信号とな
つて出力され、演算部18の増幅器36,38に
供給される。
付着していた場合、レーザ光はごみ34の上部で
反射するので、その反射光は伝送路102Bを伝
送して受光素子16の受光面X1の位置に入射す
る。ここに、x0とx1の位置関係は、x1=x0+2h
となる。そして、受光素子16の2系統の電気信
号は、第4図のa,bに示されるような信号とな
つて出力され、演算部18の増幅器36,38に
供給される。
演算部18は増幅器36,38、演算器40か
ら構成されている。増幅器36,38は、受光素
子16の出力信号VA,VBの各信号をそれぞれ所
定のレベルVA′,VB′に増幅し演算器40に供給
する。演算器40は増幅器36,38の各出力信
号VA′,VB′を加算した信号(VA′+VB′)と減算
した信号(VA′−VB′)との割算した信号
(VA′−VB′/VA′+VB′)Voutを出力するように構成
されて いる。その為、第4図のa,bに示される信号が
演算器40に供給されたときには、演算器40の
出力信号Voutは第4図のcに示されるような波
形となり、この出力信号Voutが判定部20に供
給される。
ら構成されている。増幅器36,38は、受光素
子16の出力信号VA,VBの各信号をそれぞれ所
定のレベルVA′,VB′に増幅し演算器40に供給
する。演算器40は増幅器36,38の各出力信
号VA′,VB′を加算した信号(VA′+VB′)と減算
した信号(VA′−VB′)との割算した信号
(VA′−VB′/VA′+VB′)Voutを出力するように構成
されて いる。その為、第4図のa,bに示される信号が
演算器40に供給されたときには、演算器40の
出力信号Voutは第4図のcに示されるような波
形となり、この出力信号Voutが判定部20に供
給される。
判定部20は、第5図に示されるように、平均
化回路41,42、レベル判定回路44,46、
論理演算回路48、クロツク発振器50、タイミ
ングロジツク回路52から構成されており、論理
演算回路48の出力が表示器54に供給されてい
る。
化回路41,42、レベル判定回路44,46、
論理演算回路48、クロツク発振器50、タイミ
ングロジツク回路52から構成されており、論理
演算回路48の出力が表示器54に供給されてい
る。
クロツク発振器50は、第4図のlに示される
ようなクロツクパルスを発生するように構成され
ており、このクロツクパルスがタイミングロジツ
ク回路52に供給されている。タイミングロジツ
ク回路52は、クロツク発振器50からのクロツ
クパルスを基に、第4図のmに示される所定周期
のパルス信号を生成し、このパルス信号を平均化
回路41,42、論理演算回路48に供給するよ
うに構成されている。そして、平均化回路41,
42、論理演算回路48は、タイミングロジツク
回路52の出力パルスの立ち上りで計測演算を開
始し、パルスの立ち下りで計測演算を完了するよ
うに作動する。
ようなクロツクパルスを発生するように構成され
ており、このクロツクパルスがタイミングロジツ
ク回路52に供給されている。タイミングロジツ
ク回路52は、クロツク発振器50からのクロツ
クパルスを基に、第4図のmに示される所定周期
のパルス信号を生成し、このパルス信号を平均化
回路41,42、論理演算回路48に供給するよ
うに構成されている。そして、平均化回路41,
42、論理演算回路48は、タイミングロジツク
回路52の出力パルスの立ち上りで計測演算を開
始し、パルスの立ち下りで計測演算を完了するよ
うに作動する。
平均化回路41は、演算器40から第4図のc
に示される信号が与えられたとき、この信号を平
均化処理し、第4図のdに示される信号波形をレ
ベル判定回路44に供給することができる。すな
わち、平均化回路41は入力信号の単位時間当た
りの平均値の信号を順次出力するローパスフイル
タの機能を有し、演算器40の出力信号にノイズ
が重畳していた場合には、ノイズ成分が除去され
る。レベル判定回路44には、演算器40の出力
信号Voutが平均化回路41を介して供給されて
おり、レベル判定回路44は、前記出力信号を基
に、第4図のeに示されるように、演算器40の
出力レベル(ノイズ成分の除去された平均化回路
41の出力信号のレベルと等価なレベルと、ワー
ク22の表面にごみ34等の物が付着したときの
演算器40の出力レベルとして定められた第1の
基準レベルV1とを比較し、演算器40の出力レ
ベルが基準レベルV1を越えたとき、第4図のf
に示される比較出力を論理演算回路48に供給す
るように構成されている。
に示される信号が与えられたとき、この信号を平
均化処理し、第4図のdに示される信号波形をレ
ベル判定回路44に供給することができる。すな
わち、平均化回路41は入力信号の単位時間当た
りの平均値の信号を順次出力するローパスフイル
タの機能を有し、演算器40の出力信号にノイズ
が重畳していた場合には、ノイズ成分が除去され
る。レベル判定回路44には、演算器40の出力
信号Voutが平均化回路41を介して供給されて
おり、レベル判定回路44は、前記出力信号を基
に、第4図のeに示されるように、演算器40の
出力レベル(ノイズ成分の除去された平均化回路
41の出力信号のレベルと等価なレベルと、ワー
ク22の表面にごみ34等の物が付着したときの
演算器40の出力レベルとして定められた第1の
基準レベルV1とを比較し、演算器40の出力レ
ベルが基準レベルV1を越えたとき、第4図のf
に示される比較出力を論理演算回路48に供給す
るように構成されている。
平均化回路42は、増幅器32の出力信号を平
均化し、平均化された信号をレベル判定回路46
に供給するように構成されている。そして、平均
化回路42に、増幅器32から第4図のgに示さ
れる信号が供給されたとき、この出力信号を第4
図のhに示される信号に平均化し、この信号をレ
ベル判定回路46に供給することができる。すな
わち、ノイズ成分を除去した信号をレベル判定回
路46に供給することができる。そして、レベル
判定回路46は、増幅器32の出力レベルVp(ノ
イズ成分が除去された平均化回路42の出力信号
のレベルと等価なレベル)と、ワーク22の表面
にごみ等の物が付着したとき又はワーク22の表
面に傷等の欠陥が生じたときの受光素子14の出
力レベルとして定められた第2の基準レベルV2
とを比較し、増幅器32の出力レベルVpが基準
レベルV2以下のとき、第4図のjに示されるよ
うな比較出力を論理演算回路48に供給するよう
に構成されている。
均化し、平均化された信号をレベル判定回路46
に供給するように構成されている。そして、平均
化回路42に、増幅器32から第4図のgに示さ
れる信号が供給されたとき、この出力信号を第4
図のhに示される信号に平均化し、この信号をレ
ベル判定回路46に供給することができる。すな
わち、ノイズ成分を除去した信号をレベル判定回
路46に供給することができる。そして、レベル
判定回路46は、増幅器32の出力レベルVp(ノ
イズ成分が除去された平均化回路42の出力信号
のレベルと等価なレベル)と、ワーク22の表面
にごみ等の物が付着したとき又はワーク22の表
面に傷等の欠陥が生じたときの受光素子14の出
力レベルとして定められた第2の基準レベルV2
とを比較し、増幅器32の出力レベルVpが基準
レベルV2以下のとき、第4図のjに示されるよ
うな比較出力を論理演算回路48に供給するよう
に構成されている。
論理演算回路48は、レベル判定回路44,4
6の出力信号を基に、ワーク22に対する計測結
果を判定し、判定出力を表示器54に供給するよ
うに構成されている。
6の出力信号を基に、ワーク22に対する計測結
果を判定し、判定出力を表示器54に供給するよ
うに構成されている。
例えば、第6図に示されるように、演算器40
の出力レベルVoutが第1の基準レベルV1以下
で、かつ受光素子14の出力レベル、即ち増幅器
32の出力レベルVpが第2の基準レベルV2以下
のときワーク22の表面に傷等の欠陥が生じたこ
とを判定し、第4図のkに示される信号を表示器
54に与え、表示器54に、ワーク22の表面に
欠陥が生じたことを表示させる。
の出力レベルVoutが第1の基準レベルV1以下
で、かつ受光素子14の出力レベル、即ち増幅器
32の出力レベルVpが第2の基準レベルV2以下
のときワーク22の表面に傷等の欠陥が生じたこ
とを判定し、第4図のkに示される信号を表示器
54に与え、表示器54に、ワーク22の表面に
欠陥が生じたことを表示させる。
又、演算器40の出力レベルVoutが第1の基
準レベルV1を越え、かつ増幅器32の出力レベ
ルVpが第2の基準レベルV2以下のとき、ワーク
22の表面にごみ34等の物が付着したことを判
定し、第4図のfに示される信号と同じ信号を表
示器54に与え、ワーク22の表面に物が付着し
たことを表示させる。
準レベルV1を越え、かつ増幅器32の出力レベ
ルVpが第2の基準レベルV2以下のとき、ワーク
22の表面にごみ34等の物が付着したことを判
定し、第4図のfに示される信号と同じ信号を表
示器54に与え、ワーク22の表面に物が付着し
たことを表示させる。
又、さらに演算器40の出力レベルVoutが第
1の基準レベルV1以下で、かつ増幅器32の出
力レベルVpが第2の基準レベルV2を越えたとき
ワーク22が良品であることを判定し、この判定
結果を表示器54に与え、ワーク22が良品であ
ることを表示器54に表示させる。
1の基準レベルV1以下で、かつ増幅器32の出
力レベルVpが第2の基準レベルV2を越えたとき
ワーク22が良品であることを判定し、この判定
結果を表示器54に与え、ワーク22が良品であ
ることを表示器54に表示させる。
このように本実施例においては、ワーク22の
表面欠陥を計測する際、ワーク22の表面に物が
付着しているか、あるいはワーク22の表面に欠
陥が生じているか、又、ワーク22が良品である
か否かをそれぞれ判定し、各判定結果をそれぞれ
表示器54に表示することができるので、ワーク
22にごみ等が付着していて良品を不良品として
判定することが無いので、不良品を再検査する必
要もなく、又前工程に洗浄器を設置する必要がな
いので、歩留りの向上、再検査工数の削減、設備
投資額を低減することができる。
表面欠陥を計測する際、ワーク22の表面に物が
付着しているか、あるいはワーク22の表面に欠
陥が生じているか、又、ワーク22が良品である
か否かをそれぞれ判定し、各判定結果をそれぞれ
表示器54に表示することができるので、ワーク
22にごみ等が付着していて良品を不良品として
判定することが無いので、不良品を再検査する必
要もなく、又前工程に洗浄器を設置する必要がな
いので、歩留りの向上、再検査工数の削減、設備
投資額を低減することができる。
又前記実施例によれば、目視によつてワーク2
2の表面欠陥を検査しなくてもワーク22の表面
欠陥の計測を確実に行なえるので、計測作業の能
率向上が図れると共に品質の向上を図ることがで
きる。
2の表面欠陥を検査しなくてもワーク22の表面
欠陥の計測を確実に行なえるので、計測作業の能
率向上が図れると共に品質の向上を図ることがで
きる。
又前記実施例において、第1の基準レベルV1、
第2の基準レベルV2をそれぞれ受光素子14,
16の出力レベルに応じてフローチングさせるこ
とにより、レーザ発振器24の劣下、投光レンズ
26の汚れ、ワーク22の表面の状態、受光素子
14,16の劣下等によつて受光素子14,16
の出力レベルが変動した場合でも、ワーク22の
表面欠陥を確実に、精度良く計測することが可能
である。
第2の基準レベルV2をそれぞれ受光素子14,
16の出力レベルに応じてフローチングさせるこ
とにより、レーザ発振器24の劣下、投光レンズ
26の汚れ、ワーク22の表面の状態、受光素子
14,16の劣下等によつて受光素子14,16
の出力レベルが変動した場合でも、ワーク22の
表面欠陥を確実に、精度良く計測することが可能
である。
以上説明したように、本発明によれば、被計測
物の表面に光を照射し、被計測物の表面に照射さ
れた光の反射光を2系統の伝送路に分割して伝送
し、各系統の光をそれぞれ複数の受光素子に入射
し、各受光素子の出力レベルを基に被計測物が良
品であるか、被計測物の表面に物が付着したか、
あるいは被計測物の表面に欠陥が生じたか否かを
判定するようにしたので、被計測物の表面欠陥を
確実に計測することができ、表面欠陥計測の作業
能率の向上を図れると共に被測定物の品質の向上
を図ることができ、又さらに前工程の洗浄機が不
要になるので、設備費の低減を図ることができる
という優れた効果がある。
物の表面に光を照射し、被計測物の表面に照射さ
れた光の反射光を2系統の伝送路に分割して伝送
し、各系統の光をそれぞれ複数の受光素子に入射
し、各受光素子の出力レベルを基に被計測物が良
品であるか、被計測物の表面に物が付着したか、
あるいは被計測物の表面に欠陥が生じたか否かを
判定するようにしたので、被計測物の表面欠陥を
確実に計測することができ、表面欠陥計測の作業
能率の向上を図れると共に被測定物の品質の向上
を図ることができ、又さらに前工程の洗浄機が不
要になるので、設備費の低減を図ることができる
という優れた効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2
図は増幅器32の出力レベルVpとワークの移動
方向Xとの関係を示す線図、第3図は第1図に示
す受光素子16の構成を説明する為の図、第4図
a〜mはそれぞれ第1図に示す装置の作用を説明
する為の波形図、第5図は第1図に示す判定部の
構成を説明する為の構成図、第6図は増幅器32
の出力レベルVp、演算器40の出力レベルVout
とワークの移動方向Xとの関係を示す線図であ
る。 10…投光部、12…伝送部、14,16…受
光素子、18…演算部、20…判定部、24…レ
ーザ発振器、26…投光レンズ、28…受光レン
ズ、30…ビームスプリツタ、32,36,38
…増幅器、40…演算器、41,42…平均化回
路、44,46…レベル判定回路、48…論理演
算回路、54…表示器。
図は増幅器32の出力レベルVpとワークの移動
方向Xとの関係を示す線図、第3図は第1図に示
す受光素子16の構成を説明する為の図、第4図
a〜mはそれぞれ第1図に示す装置の作用を説明
する為の波形図、第5図は第1図に示す判定部の
構成を説明する為の構成図、第6図は増幅器32
の出力レベルVp、演算器40の出力レベルVout
とワークの移動方向Xとの関係を示す線図であ
る。 10…投光部、12…伝送部、14,16…受
光素子、18…演算部、20…判定部、24…レ
ーザ発振器、26…投光レンズ、28…受光レン
ズ、30…ビームスプリツタ、32,36,38
…増幅器、40…演算器、41,42…平均化回
路、44,46…レベル判定回路、48…論理演
算回路、54…表示器。
Claims (1)
- 1 被計測物の表面に光を照射する投光部と、被
計測物の表面に照射された光の反射光を集光しこ
の光を2系統の伝送路に分割して伝送する伝送部
と、前記一方の伝送路を伝送する光を受光し受光
量に応じたレベルの電気信号を出力する第1の光
電変換部と、前記他方の伝送路を伝送する光のう
ち、基準伝送路を伝送する光と基準伝送路から外
れた伝送路を伝送する光を受光可能な受光面を有
し、この受光面に入射した光の位置に応じてレベ
ルの異なる2系統の電気信号を出力する第2の光
電変換部と、第2の光電変換部の各系統の電気信
号を受け、前記2系統の電気信号のレベルの比を
求め、その求めた比の信号を出力する演算部と、
演算部の出力レベルと被計測物の表面に物が付着
したときの演算部の出力レベルとして定められた
第1の基準レベルとを比較すると共に、第1の光
電変換部の出力レベルと被計測物の表面に物が付
着したとき又は被計測物の表面に欠陥が生じたと
きの第1の光電変換部の出力レベルとして定めら
れた第2の基準レベルとを比較し、これらの比較
結果を基に被計測物に対する計測結果を判定し判
定出力を発生する判定部と、を備え、前記判定部
は、演算部の出力レベルが第1の基準レベル以下
で、かつ第1の光電変換部の出力レベルが第2の
基準レベル以下のとき被計測物の表面に欠陥が生
じたことを判定し、演算部の出力レベルが第1の
基準レベルを越え、かつ、第1の光電変換部の出
力レベルが第2の基準レベル以下のとき、被計測
物の表面に物が付着したことを判定し、演算部の
出力レベルが第1の基準レベル以下で、かつ第1
の光電変換部の出力レベルが第2の基準レベルを
越えたとき、被計測物が良品であることを判定
し、各判定結果に応じた出力を発生することを特
徴とする表面欠陥計測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15616183A JPS6047908A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 表面欠陥計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15616183A JPS6047908A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 表面欠陥計測装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047908A JPS6047908A (ja) | 1985-03-15 |
| JPH0314123B2 true JPH0314123B2 (ja) | 1991-02-26 |
Family
ID=15621678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15616183A Granted JPS6047908A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 表面欠陥計測装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047908A (ja) |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP15616183A patent/JPS6047908A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6047908A (ja) | 1985-03-15 |
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