JPH0314148B2 - - Google Patents
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- JPH0314148B2 JPH0314148B2 JP58053081A JP5308183A JPH0314148B2 JP H0314148 B2 JPH0314148 B2 JP H0314148B2 JP 58053081 A JP58053081 A JP 58053081A JP 5308183 A JP5308183 A JP 5308183A JP H0314148 B2 JPH0314148 B2 JP H0314148B2
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
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- G01V9/005—Prospecting or detecting by methods not provided for in groups G01V1/00 - G01V8/00 by thermal methods, e.g. after generation of heat by chemical reactions
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Description
【発明の詳細な説明】
イ 産業上の利用分野
本発明は、熱材検出装置に関し、防犯、玩具、
警報装置、自動点滅装置、温度計測、その他あら
ゆる物体の熱材検出装置に用いる事ができる。[Detailed Description of the Invention] A. Field of Industrial Application The present invention relates to a thermal material detection device, and relates to a device for detecting a thermal material, for crime prevention, toys, etc.
It can be used for alarm devices, automatic flashing devices, temperature measurement, and other devices for detecting heat materials of all kinds of objects.
ロ 従来の技術
従来の熱材検出装置は、第１図に示す如く、被
検出熱材より放射される赤外光を、光電変換器１
（光電変換器１は感知部が２素子のデユアルタイ
プである）、ソース抵抗２、バイパスコンデンサ
３で熱電変換を行なつている。第２図ａに出力信
号波形ａを示す。出力信号波形ａは初段増幅器２
０に入力される。初段増幅器２０は帯域フイルタ
であり、その周辺の抵抗４、コンデンサ５でロー
カツトフイルタ、抵抗６、コンデンサ７でハイカ
ツトフイルタを構成している。第２図ｂに出力信
号波形ｂを示す。この出力信号波形ｂは次段増幅
器２１へ入力される。ここで前記初段増幅器２０
と同じ様に見なせば、抵抗８、コンデンサ９でロ
ーカツトフイルタ、抵抗１０、コンデンサ１１で
ハイカツトフイルタの構成となる。また、抵抗１
３，１４，１５，１６とコンデンサ１２により、
次段増幅器２１の動作レベルを決定している。第
２図ｃに出力信号波形ｃを示す。出力信号波形ｃ
がウインドコンパレータ入力となる。ウインドコ
ンパレータは、比較器２２，２３で構成されてお
り、熱材検出レベルの設定を行なつている。抵抗
１３，１４，１５，１６で決めた基準電位に対し
て出力信号波形ｃが越えるかどうかで動作しこの
信号はNPNトランジスタ１９のベースに入力さ
れて出力信号波形ｄを出力する。第２図ｄにこの
出力信号波形ｄを示す。B. Prior Art As shown in FIG.
(The photoelectric converter 1 is a dual-type sensor with two elements.) A source resistor 2 and a bypass capacitor 3 perform thermoelectric conversion. FIG. 2a shows the output signal waveform a. Output signal waveform a is first stage amplifier 2
It is input to 0. The first stage amplifier 20 is a bandpass filter, and the resistor 4 and capacitor 5 surrounding it constitute a low-cut filter, and the resistor 6 and capacitor 7 constitute a high-cut filter. FIG. 2b shows the output signal waveform b. This output signal waveform b is input to the next stage amplifier 21. Here, the first stage amplifier 20
If viewed in the same way, the resistor 8 and capacitor 9 constitute a low-cut filter, and the resistor 10 and capacitor 11 constitute a high-cut filter. Also, resistance 1
3, 14, 15, 16 and capacitor 12,
The operating level of the next stage amplifier 21 is determined. FIG. 2c shows the output signal waveform c. Output signal waveform c
becomes the window comparator input. The window comparator is composed of comparators 22 and 23, and sets the heating material detection level. It operates depending on whether the output signal waveform c exceeds the reference potential determined by the resistors 13, 14, 15, and 16, and this signal is input to the base of the NPN transistor 19 and outputs the output signal waveform d. FIG. 2d shows this output signal waveform d.
ハ 発明の目的
本発明は、従来の性能は維持するとともに、部
品点数を少なくし、コストダウンを計る事を目的
とする。C. Purpose of the Invention The present invention aims to reduce costs by reducing the number of parts while maintaining conventional performance.
ニ 発明の構成
本発明は、第３図に示す如く、被検出材より放
射される赤外光を、光電変換器３１で熱電変換を
行なつている。光電変換器３１の感知部は単一素
子のシングルタイプである。第４図ｅは、この出
力信号波形ｅを示す。出力信号波形ｅは、GND
から数百mVの点に直流バイアス点を持ち、人が
近づく事により、前記直流バイアス点から数mV
＋側に立ち上る。また人が遠ざかる事により数
mV−側へ立ち下る。この出力信号波形ｅは、初
段増幅器４５に入力され、抵抗３２，３４で増幅
度を決定し、コンデンサ３３，３５とで初段増幅
器４２を構成している。ここでは、前記出力信号
波形４４を、数Ｖに増幅している。第４図ｆに、
この出力信号波形ｆを示す。この出力信号波形ｆ
がダイオード３８に入力されるとダイオードの順
方向電圧（約0.6V）以下のレベルが除去された
波形のみが出力される。すなわちここでは、ダイ
オード３８の順方向電圧が熱材検出レベルになつ
ている。この為風による温度変化、気温度変化等
によるノイズを除去することができる。第４図ｇ
に、この出力信号波形ｇを示す。D. Structure of the Invention In the present invention, as shown in FIG. 3, infrared light emitted from a material to be detected is subjected to thermoelectric conversion using a photoelectric converter 31. The sensing section of the photoelectric converter 31 is of a single type with a single element. FIG. 4e shows this output signal waveform e. The output signal waveform e is GND
The DC bias point is several hundred mV from the DC bias point, and when a person approaches the
Stand up on the + side. In addition, as people move away, the number of
Falling to the mV− side. This output signal waveform e is input to the first stage amplifier 45, the degree of amplification is determined by the resistors 32 and 34, and the first stage amplifier 42 is constituted by the capacitors 33 and 35. Here, the output signal waveform 44 is amplified to several volts. In Figure 4 f,
This output signal waveform f is shown. This output signal waveform f
When the voltage is input to the diode 38, only the waveform in which the level below the forward voltage of the diode (approximately 0.6V) is removed is output. That is, here, the forward voltage of the diode 38 is at the heating material detection level. Therefore, noise caused by temperature changes due to wind, air temperature changes, etc. can be removed. Figure 4g
This output signal waveform g is shown in FIG.
この出力信号波形ｇが、次段増幅器４６に入力
される。抵抗３９，４０により増幅度を決定し、
次段増幅器４６を構成している。ここで出力信号
波形ｇを数Ｖに増幅している。抵抗４１は次段増
幅器４６の動作レベルを決めている。第４図ｈに
この出力信号波形ｈを示す。出力信号波形ｈは従
来の回路図第１図の出力信号波形ｄの箇所と同じ
となり、比較器２１，２２と抵抗１２，１３，１
４，１５，１６コンデンサ１２が不要となる。こ
の出力信号波形ｈが、NPNトランジスタ４３の
ベースに入力されて出力信号波形ｉを出力する。
第４図ｉにこの出力信号波形ｉを示す。 This output signal waveform g is input to the next stage amplifier 46. The degree of amplification is determined by resistors 39 and 40,
It constitutes the next stage amplifier 46. Here, the output signal waveform g is amplified to several volts. The resistor 41 determines the operating level of the next stage amplifier 46. FIG. 4h shows this output signal waveform h. The output signal waveform h is the same as the output signal waveform d in the conventional circuit diagram of FIG.
4, 15, and 16 capacitors 12 are no longer necessary. This output signal waveform h is input to the base of the NPN transistor 43 and outputs an output signal waveform i.
FIG. 4i shows this output signal waveform i.
ホ 発明の効果
本発明は、従来の熱材検出装置と比べ性能を変
えることなく、光電変換器の感知部が２素子であ
るデユアルタイプから感知部が単一素子であるシ
ングルタイプに交換し、ソース抵抗が除去され
た。また熱材検出レベルの設定は、比較器２つに
よるウインドコンパレータから初段増幅器の後に
接続したダイオードでできる様になり、従来の回
路では、光電変換器から出力された微小信号も初
段・次段増幅器により増幅されていたが、本発明
に於いては、初段増巾器の後に接続した、光電変
換器からの微小信号であつても除去できる様にな
つた。また、熱材検出レベルを更に高くしたい場
合は、ダイオードを順方向に直列に接続する事に
より、使用者の要望している熱材検出レベルを設
定できる。Effects of the Invention The present invention replaces a dual type photoelectric converter with a two-element sensing part to a single type with a single sensing part without changing the performance compared to conventional thermal material detection devices. Source resistance removed. In addition, the heating material detection level can now be set using a window comparator with two comparators and a diode connected after the first-stage amplifier. However, in the present invention, even a minute signal from a photoelectric converter connected after the first stage amplifier can be removed. Furthermore, if the user wants to further increase the heating material detection level, by connecting diodes in series in the forward direction, the heating material detection level desired by the user can be set.
以上の様に、部品点数が少なくなることにより
コストダウンがはかられた。 As described above, costs were reduced by reducing the number of parts.
尚、センサーを変えることにより温度センサ等
にも使用可能である。 In addition, by changing the sensor, it can also be used as a temperature sensor, etc.
第１図は、従来の回路図である。
１……光電変換器、２……ソース抵抗、３……
バイパスコンデンサ、４，６，８，１０，１３，
１４，１５，１６，１７，１８……抵抗、５，
７，９，１１，１２……コンデンサ、１９……
NPNトランジススタ、２０……初段増幅器、２
１……次段増幅器、２２……比較器、２３……比
較器。
第２図は、従来の各部出力信号波形である。
ａ……光電変換器後の出力信号波形、ｂ……初
段増幅器後の出力信号波形、ｃ……次段増幅器後
の出力信号波形、ｄ……NPNトランジススタ後
の出力信号波形。
第３図は、本発明の回路図である。
３１……光電変換器、３２，３４，３６，４
０，４１，４２，４４……抵抗、３３，３５，３
７……コンデンサ、３８……ダイオード、３９…
…次段増幅器動作レベル設定用抵抗、４３……
NPNトランジススタ。
第４図は、本発明の各部出力信号波形図であ
る。
ｅ……光電変換器後の出力信号波形、ｆ……初
段増幅器後の出力信号波形、ｇ……ダイオード後
の出力信号波形、ｈ……次段増幅器後の出力信号
波形、ｉ……NPNトランジススタの出力信号波
形。
FIG. 1 is a conventional circuit diagram. 1...Photoelectric converter, 2...Source resistance, 3...
Bypass capacitor, 4, 6, 8, 10, 13,
14, 15, 16, 17, 18...Resistance, 5,
7, 9, 11, 12... Capacitor, 19...
NPN transistor, 20...First stage amplifier, 2
1...Next stage amplifier, 22...Comparator, 23...Comparator. FIG. 2 shows the conventional output signal waveforms of each part. a... Output signal waveform after the photoelectric converter, b... Output signal waveform after the first stage amplifier, c... Output signal waveform after the next stage amplifier, d... Output signal waveform after the NPN transistor. FIG. 3 is a circuit diagram of the present invention. 31...Photoelectric converter, 32, 34, 36, 4
0,41,42,44...Resistance, 33,35,3
7... Capacitor, 38... Diode, 39...
...Resistor for setting the operating level of the next stage amplifier, 43...
NPN transistor. FIG. 4 is a diagram of output signal waveforms of each part of the present invention. e...Output signal waveform after the photoelectric converter, f...Output signal waveform after the first stage amplifier, g...Output signal waveform after the diode, h...Output signal waveform after the next stage amplifier, i...NPN transistor Star output signal waveform.
Claims (1)
手段と、前記光電変換手段の出力に応じて熱材検
出信号を発生する出力手段より成る熱材検出装置
に於て、 前記光電変換手段の出力を増幅する第１の増幅
器と、 前記第１の増幅器出力を増幅する第２の増幅器
と、 前記第１の増幅器と前記第２の増幅器との間に
直列に接続された１以上のダイオードとを有し、 除去するノイズレベルが前記１以上のダイオー
ドの順方向電圧の合計以下となるように前記第１
の増幅器の増幅度を設定したことを特徴とする熱
材検出装置。[Scope of Claims] 1. A thermal material detection device comprising a photoelectric conversion means for receiving infrared light from a thermal material to be detected, and an output means for generating a heating material detection signal in accordance with the output of the photoelectric conversion means. a first amplifier that amplifies the output of the photoelectric conversion means; a second amplifier that amplifies the output of the first amplifier; and a serial connection between the first amplifier and the second amplifier. one or more diodes, and the first
A thermal material detection device characterized in that the amplification degree of the amplifier is set.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58053081A JPS59178384A (en) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | Thermal material detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58053081A JPS59178384A (en) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | Thermal material detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59178384A JPS59178384A (en) | 1984-10-09 |
| JPH0314148B2 true JPH0314148B2 (en) | 1991-02-26 |
Family
ID=12932843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58053081A Granted JPS59178384A (en) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | Thermal material detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59178384A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010119936A1 (en) | 2009-04-17 | 2010-10-21 | 株式会社アネロファーマ・サイエンス | Lactic acid bacterium mutated into obligatory anaerobe, method for constructing same, and expression vector functioning in obligatory anaerobic lactic acid bacterium |
| WO2011049154A1 (en) | 2009-10-22 | 2011-04-28 | 株式会社ヤクルト本社 | Agent for reducing risk of developing cancer |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5186411B2 (en) * | 2009-02-23 | 2013-04-17 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | State determination device |
-
1983
- 1983-03-29 JP JP58053081A patent/JPS59178384A/en active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010119936A1 (en) | 2009-04-17 | 2010-10-21 | 株式会社アネロファーマ・サイエンス | Lactic acid bacterium mutated into obligatory anaerobe, method for constructing same, and expression vector functioning in obligatory anaerobic lactic acid bacterium |
| WO2011049154A1 (en) | 2009-10-22 | 2011-04-28 | 株式会社ヤクルト本社 | Agent for reducing risk of developing cancer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59178384A (en) | 1984-10-09 |
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