JPH0315295B2 - - Google Patents
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- JPH0315295B2 JPH0315295B2 JP56057296A JP5729681A JPH0315295B2 JP H0315295 B2 JPH0315295 B2 JP H0315295B2 JP 56057296 A JP56057296 A JP 56057296A JP 5729681 A JP5729681 A JP 5729681A JP H0315295 B2 JPH0315295 B2 JP H0315295B2
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 3
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子または陽イオンを放出する電界
放出形銃、特に、実際に使用されるビームの部分
における電流を正確に測定しかつ制御するためお
よびビーム雑音を補償するために制御電極に供給
される補正信号を形成するための回路装置に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a field emission gun for emitting electrons or cations, in particular for accurately measuring and controlling the current in the part of the beam that is actually used and for compensating for beam noise. The present invention relates to a circuit arrangement for forming a correction signal which is supplied to a control electrode for a control electrode.
電界放出のために使用される高真空室内の尖つ
た電界放出源の汚れおよび腐食によつて惹起され
る雑音の結果として、電界放出形銃からの電子ま
たはイオンビーム電流は変動する。この種の銃を
正確にするためには、このフリツカ雑音は使用さ
れるビームの部分においては取除かれるかまたは
大幅に低減されなければならない。この固有の雑
音は、陰極材料を浄化しかつ作動条件を改善する
ことによつてある程度低減することができる。さ
らに適当なビーム電流を測定できかつビームの非
集束およびずれに関連した2次的な作用を回避で
きるならば、フイードバツク技術を使用すること
によつて、このフリツカ雑音を低減または抑圧す
ることができる。 The electron or ion beam current from a field emission gun fluctuates as a result of noise caused by dirt and corrosion of the sharp field emission source in the high vacuum chamber used for field emission. For this type of gun to be accurate, this flickering noise must be eliminated or significantly reduced in the portion of the beam used. This inherent noise can be reduced to some extent by cleaning the cathode material and improving operating conditions. Additionally, if a suitable beam current can be measured and the secondary effects associated with beam defocusing and shear can be avoided, this flicker noise can be reduced or suppressed by using feedback techniques. .
フイードバツク技術手段の使用による電界放出
電流の安定化には、ビーム電流を正確に測定する
ことが必要である。大抵の電界電子放出銃装置に
おいては実際には電子ビームのほんの僅かな部分
しか使用されずかつこの僅かな部分は、陰極近傍
に位置せられた加速電極の中央の小さな開口を通
りかつ放出されたビーム路において陽極電位にあ
る試料に到達せられる。その際放出されたビーム
が一様かつ一定の電子密度を有していれば、ビー
ム電流の測定は、陰極に電界を発生するこの抽出
電極上の電流をサンプリングすることによつて行
うことができる。しかし不都合なことに、分配雑
音として知られている効果のため、全体の放出電
流における雑音は加速陽極の開口を通過するビー
ムにおける雑音とは異なつてくるので、その結果
フイードバツク雑音補償を実現するために電流測
定は、電界にさらされた実際の試料に衝突するビ
ームで行わなければならない。 Stabilization of the field emission current through the use of feedback techniques requires accurate measurement of the beam current. In most field emission gun devices, only a small portion of the electron beam is actually used, and this small portion is emitted through a small opening in the center of an accelerating electrode located near the cathode. A sample at an anodic potential is reached in the beam path. If the emitted beam then has a uniform and constant electron density, measurements of the beam current can be carried out by sampling the current on this extraction electrode, which generates an electric field at the cathode. . Unfortunately, however, due to an effect known as split noise, the noise in the overall emitted current will be different from the noise in the beam passing through the aperture of the accelerating anode, thus making it difficult to achieve feedback noise compensation. Current measurements must be made with the beam impinging on a real sample exposed to an electric field.
ビームを通した分配雑音の問題を考慮した複数
の公知の装置では、電流測定を行うことができる
環状のコレクタが使用される。これらの装置にお
けるコレクタには、放出されたビームの中央の部
分を通し、かつそこからビーム電流をサンプリグ
して取り出すための小さな中央の開口が設けられ
ている。例えば米国特許第3925706号明細書にお
いて記載されているような別の公知の装置では実
際に、陽極で使用される全部のビーム電流を測定
し、かつ測定された値を陽極近傍の制御電極に供
給されるフイードバツク信号を形成するために使
用する。この公知の方法では陽極に受取られたビ
ーム電流の測定が行われるが、測定された電流を
いつも同時に使用できるとは限らず、従つて陰極
でのビームに適切な制御を行うことができない。
更に基準陽極電位またはその付近で行われる電流
測定の結果として誤差信号が生じ、それは陰極に
関連する電源に供給される前に非常に高い負の電
圧に変換されなければならず、従つて誤差が加算
的に生じる可能性がある。しかしながら次の理由
からもつと大きな誤差が生じる。即ち放出ビーム
内の電流は通例、高電圧ループ内を流れる電流の
ほんの一部にすぎないからである。その際残りの
電流はリーク、コロナ、隣接する素子にエネルギ
ーを放射するシールドされていない浮動電源によ
つて発生される電流並びに電力を基準電位から給
電装置に伝送する際に生じるピツクアツプ部分か
ら成る。この種の装置はいづれも、陽極と陰極の
近傍にある制御電極との間で測定誤差を招きがち
である。これらの誤差は、以下に説明する回路に
おいては排除されている。 Several known devices, taking into account the problem of distributed noise through the beam, use annular collectors capable of making current measurements. The collector in these devices is provided with a small central aperture for passing the central portion of the emitted beam and sampling the beam current therefrom. Another known device, as described for example in US Pat. No. 3,925,706, actually measures the total beam current used at the anode and supplies the measured value to a control electrode near the anode. used to form a feedback signal. Although this known method provides a measurement of the beam current received at the anode, it is not always possible to use the measured current at the same time and therefore no suitable control of the beam at the cathode can be carried out.
Additionally, current measurements made at or near the reference anode potential result in an error signal that must be converted to a very high negative voltage before being fed to the power supply associated with the cathode, thus increasing the error signal. May occur additively. However, large errors occur due to the following reasons. That is, the current in the emitted beam is typically only a fraction of the current flowing in the high voltage loop. The remaining current then consists of leakage, corona, the current generated by the unshielded floating power supply which radiates energy to adjacent components, as well as the pick-up portion that occurs when transmitting the power from the reference potential to the power supply. All devices of this type are prone to measurement errors between the anode and the control electrode in the vicinity of the cathode. These errors are eliminated in the circuit described below.
簡潔に述べれば、本発明の回路は、放出電極、
その浮動給電電源並びに電流検出および制御回路
のすべてを、局部基準電位にある導電性のシール
ドによつて取囲みかつ取り囲まれた回路のすべて
がこの局部基準電位に接続されているようにした
ことによつて放出電極からのエミツシヨン流を制
御する。この第1のシールドは、第2のシールド
から絶縁されて、このシールドによつて取囲まれ
ている。第2のシールドは、それ自体アース電位
に接続されている高電圧源の高電圧端子に直接接
続されている。アースに流れるビーム電流は、ウ
エーネルト電極における電圧を変調することによ
つてエミツシヨン流を制御するために(負帰還)
変換されている。電圧変換された電流が基準レベ
ルと比較されて得られる誤差信号は、ビーム電流
を放出する電極とチツプの近傍にあるウエーネル
トまたは制御電極に供給され、これにより一定の
ビーム電流を維持するためにそのエミツシヨンの
大きさを変調する。このようにピツクアツプおよ
びリークに影響されやすい種々の回路を取囲む2
重構造のシールドを使用することによつて、実際
に放出されたビーム電流は、装置内のスプリアス
電流から容易に区別される。 Briefly, the circuit of the present invention includes an emission electrode,
All of its floating power supply and current sensing and control circuits are surrounded by a conductive shield at a local reference potential and all of the enclosed circuits are connected to this local reference potential. Thus controlling the emission flow from the emission electrode. The first shield is insulated from and surrounded by the second shield. The second shield is connected directly to a high voltage terminal of a high voltage source which is itself connected to ground potential. The beam current flowing to ground is used to control the emission flow by modulating the voltage at the Wehnelt electrode (negative feedback).
has been converted. The error signal obtained by comparing the voltage-converted current with a reference level is applied to a Wehnelt or control electrode in the vicinity of the beam current emitting electrode and the chip, thereby adjusting the beam current in order to maintain a constant beam current. Modulate the size of the emission. 2 surrounding various circuits that are thus susceptible to pick-up and leakage.
By using a heavy shield, the actual emitted beam current is easily distinguished from spurious currents within the device.
次に本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説
明する。 Next, the present invention will be explained in detail based on illustrated embodiments.
第1図のブロツク回路図には従来の電界放出形
エミツシヨンチツプ10が図示されている。この
電界放出形エミツシヨンチツプは、局部基準電位
に電気的に直接接続されており、かつ10-9mmHg
のオーダの高真空に維持されている(図示されて
いない)室内に密閉されている。チツプ10の尖
端はその軸線が真空室内の小さな開口を通るよう
に配列されているので、その結果エミツシヨンチ
ツプ10から放出される電子またはイオンビーム
は開口を通つて、接地された電極12に配置せら
れた試料に到達する。 A conventional field emission type emission chip 10 is shown in the block circuit diagram of FIG. This field emission type emission chip is electrically connected directly to a local reference potential and is 10 -9 mmHg
It is sealed in a chamber (not shown) maintained at a high vacuum on the order of . The tip of the chip 10 is arranged so that its axis passes through a small aperture in the vacuum chamber, so that the electron or ion beam emitted from the emission chip 10 passes through the aperture and onto the grounded electrode 12. Reach the placed sample.
接地電極12と電界放出形エミツシヨンチツプ
10に接続された回路との間には、放出されるビ
ームに加速電圧を供給する高電圧源14が設けら
れている。高電圧源14が電極12に高い負の電
圧を供給するように接続されていれば、装置はチ
ツプ10から陽イオンを発生するために使用され
る。これに対して高電圧源14が図示のように電
極12に高い正の電圧を供給するように接続され
ていれば、チツプ10は今日の高密度高速度走査
電子ビーム装置において所望されているような電
子ビームを放出する。 A high voltage source 14 is provided between the ground electrode 12 and a circuit connected to the field emission type emission chip 10 for supplying an accelerating voltage to the emitted beam. If the high voltage source 14 is connected to supply a high negative voltage to the electrodes 12, the device is used to generate positive ions from the chip 10. On the other hand, if the high voltage source 14 were connected to provide a high positive voltage to the electrode 12 as shown, the chip 10 would be removed as desired in today's high density, high speed scanning electron beam equipment. emits an electron beam.
正確なビーム電流測定は陰極電界エミツシヨン
チツプ10の電位で行われる。その理由は冒頭に
述べたように、接地されている陽極試料電極で電
流測定を行う場合測定値をアース電位に対してマ
イナス数千ボルトの陰極電圧付近の電流調整信号
に変換する際に不正確さが生じるからである。更
にコロナ、漏れ電流等が原因となる測定誤差を回
避するために、電流検出回路は外部の影響から遮
へいされなければならない。従つて第1図に示さ
れているように、シールド16は電界放出形エミ
ツシヨンチツプ10を完全に取り囲む。このシー
ルド16は局部基準電位に接地されている回路の
接続点17に接続されている。更にこのシールド
16は、第2のまたは外側の同心のシールド18
から絶縁されて取り囲まれている。シールド18
の方は電気的に高電圧源14のマイナス極に直接
接続されている。外側のシールド18はアース電
位に比べて非常に高い電位にあるが、局部接地接
続点17の電位、従つてまた内側のシールド16
に関してそれは仮想の基準電位にある。内側の同
心のシールドにより付加的に、検出回路と浮動高
電圧源との電気的な絶縁が行われる。 Accurate beam current measurements are made at the potential of the cathode field emission chip 10. The reason for this is, as mentioned at the beginning, that when current is measured with a grounded anode sample electrode, there is an inaccuracy when converting the measured value into a current adjustment signal near the cathode voltage, which is several thousand volts minus the ground potential. This is because it causes sadness. Furthermore, the current sensing circuit must be shielded from external influences to avoid measurement errors caused by corona, leakage currents, etc. Thus, as shown in FIG. 1, the shield 16 completely surrounds the field emission type emission chip 10. This shield 16 is connected to a connection point 17 of the circuit which is grounded to a local reference potential. Additionally, this shield 16 is connected to a second or outer concentric shield 18
insulated from and surrounded by shield 18
is electrically connected directly to the negative pole of the high voltage source 14. Although the outer shield 18 is at a very high potential compared to earth potential, the potential of the local earth connection 17 and therefore also the inner shield 16
, it is at a virtual reference potential. The inner concentric shield additionally provides electrical isolation between the detection circuit and the floating high voltage source.
ビーム電流検出は陰極電位において、接地電極
12に到達する放出されたビーム電流を検出する
ことによつて行われる。帰還抵抗22を備えた演
算増幅器20を有する従来の電流電圧変換器がビ
ーム電流を検出するために設けられている。増幅
器20の反転入力側は外側のシールド18および
帰還抵抗22に接続されている。増幅器20の非
反転入力側は局部基準電位点17および内側のシ
ールド16に接続されている。ビーム電流と帰還
抵抗22との積の値に相応する増幅器20の出力
電圧は、通例の演算増幅コンパレータ24の反転
入力側に接続されている。このコンパレータの非
反転入力側はポテンシヨメータ25に接続されて
いる。ポテンシヨメータは、局部基準電位と、調
整可能なビーム電流基準信号をコンパレータ24
に供給するための正の基準電源との間に接続され
ている。コンパレータ24の誤差出力電圧は、そ
こから放出される電流を制御するために電界放出
形エミツシヨンチツプ10の極めて近傍に位置せ
られているウエーネルトまたは制御電極26に供
給される。 Beam current detection is performed by detecting the emitted beam current reaching the ground electrode 12 at cathode potential. A conventional current to voltage converter having an operational amplifier 20 with a feedback resistor 22 is provided to detect the beam current. The inverting input side of amplifier 20 is connected to outer shield 18 and feedback resistor 22 . The non-inverting input side of the amplifier 20 is connected to the local reference potential point 17 and to the inner shield 16. The output voltage of the amplifier 20, which corresponds to the value of the product of the beam current and the feedback resistor 22, is connected to the inverting input of a conventional operational amplifier comparator 24. The non-inverting input side of this comparator is connected to a potentiometer 25. The potentiometer connects the local reference potential and the adjustable beam current reference signal to a comparator 24.
connected between the positive reference power supply and the power supply. The error output voltage of comparator 24 is applied to a Wehnelt or control electrode 26 located in close proximity to field emission emission chip 10 to control the current emitted therefrom.
第1図に図示の実施例では、中央に開口を有す
る第1の陽極28が使用される。その際放出され
たビームの一部がその開口を通過して接地されて
いる陽極12に到達する。第1の陽極28には、
放出されたビームを加速するために正の電圧が加
えられる。この陽極はその電圧を複数の局部給電
装置30の1つから得る。この給電装置はその他
に、電流電圧変換増幅器20、コンパレータ24
および電流基準ポテンシヨメータ25にも電力を
供給する。図からもわかるように局部給電装置3
0並びに増幅器20および24も内側のシールド
内に配置されているので、その結果浮動高電圧源
または演算増幅器20,24からの濡れ電流は、
内側のシールド16と外側のシールド18との間
の電流検出には関係しない。即ち電流検出は陰極
チツプ10の局部基準電位で行われるので、既述
したような、接地電極12に到来する真のビーム
電流の検出に障害となる種々様々な濡れ電流を排
除できる利点がある。。 In the embodiment shown in FIG. 1, a first anode 28 having a central opening is used. A part of the emitted beam passes through the aperture and reaches the grounded anode 12. The first anode 28 has
A positive voltage is applied to accelerate the emitted beam. This anode derives its voltage from one of a plurality of local power supplies 30. This power supply device also includes a current-voltage conversion amplifier 20 and a comparator 24.
and a current reference potentiometer 25 as well. As can be seen from the figure, local power supply device 3
0 and amplifiers 20 and 24 are also placed within the inner shield, so that the wetting current from the floating high voltage source or operational amplifiers 20, 24 is
Current sensing between inner shield 16 and outer shield 18 is not involved. That is, since the current detection is performed using the local reference potential of the cathode chip 10, there is an advantage that various wetting currents that interfere with the detection of the true beam current arriving at the ground electrode 12, as described above, can be eliminated. .
第2図には、第1図に示した実施例に比べて、
第1図の第1の陽極28が省略されている点だけ
が相異する、電界放出2極形銃がブロツク図にお
いて示されている。第2図の実施例の2極形銃
は、加速電圧の範囲を狭くしなければならずその
結果電界放出加速ビームをエミツシヨンチツプ3
4から接地された電極36へ発生するためには唯
一の高電圧供給装置32だけを使用すればよい場
合に使用される。第2図に図示の実施例では電流
測定は、第1図の回路において使用された回路と
同じ回路で同じ方法で行われる。局部給電装置3
0はここでも、電流電圧変換増幅器40およびコ
ンパレータ42に必要な電力を供給するために、
内側のシールド38内で局部基準電位に接続され
ている。 FIG. 2 shows that compared to the embodiment shown in FIG.
A field emission bipolar gun is shown in the block diagram, differing only in that the first anode 28 of FIG. 1 is omitted. In the bipolar gun of the embodiment shown in FIG. 2, the accelerating voltage range must be narrowed so that the field emission accelerated beam is
It is used when only one high voltage supply 32 needs to be used to generate from 4 to the grounded electrode 36. In the embodiment illustrated in FIG. 2, current measurements are made in the same circuit and in the same manner as used in the circuit of FIG. Local power supply device 3
0 is again used to provide the necessary power to the current-to-voltage conversion amplifier 40 and comparator 42.
It is connected within the inner shield 38 to a local reference potential.
第1図は、2重のシールド内に格納された電界
放出形銃およびそれに接続された給電装置並びに
電流検出回路の、本発明の第1の実施例のブロツ
ク図、第2図は電界放出ダイオード銃を有する、
第1図の回路とは別の実施例のブロツク図であ
る。
10,34……電界放出形エミツシヨンチツ
プ、12,36……試料電極、14,32……高
電圧源、16,18,38……シールド、20,
40……電流電圧変換器、24,42……コンパ
レータ、17……局部基準電位接続点、25……
ポテンシヨメータ、26……制御電極、28……
第1の陽極、30……局部給電装置。
Fig. 1 is a block diagram of a first embodiment of the present invention of a field emission gun housed in a double shield, a power supply device connected to it, and a current detection circuit, and Fig. 2 shows a field emission diode. have a gun,
2 is a block diagram of an alternative embodiment to the circuit of FIG. 1; FIG. 10, 34... Field emission type emission chip, 12, 36... Sample electrode, 14, 32... High voltage source, 16, 18, 38... Shield, 20,
40... Current voltage converter, 24, 42... Comparator, 17... Local reference potential connection point, 25...
Potentiometer, 26... Control electrode, 28...
First anode, 30...Local power supply device.
Claims (1)
されている銃から放出されるビーム電流を、エミ
ツシヨンチツプの近傍に配置された制御電極の制
御電圧を制御することによつて調整するためのビ
ーム調整装置を備え、前記銃がアース電位に接続
された試料電極と、第1の端子がアース電位にあ
る前記試料電極に接続されていてまた第2の端子
が仮想基準電位に接続されている高電圧源とを含
む電流安定化された電界放出形銃において、前記
ビーム調整装置は、実質的に前記エミツシヨンチ
ツプの局部基準電位にて浮動している、前記高電
圧源を介して流れる電流を検出するための電流検
出回路を有し、該電流検出回路は、前記高電圧源
および前記エミツシヨンチツプに接続されており
かつエミツシヨンチツプ電流を制御するために使
用される電圧に変換される、アース基準電位に衝
突する電流に相応する出力電圧を発生し、また前
記ビーム調整装置は前記検出回路の出力電圧と前
以つて決められたビーム電流基準電圧とを比較し
かつ前記エミツシヨンチツプの近傍に配置された
前記制御電極に誤差出力電圧信号を供給する比較
回路を有することを特徴とする電流安定化された
電界放出形銃。 2 エミツシヨンチツプ、該エミツシヨンチツプ
の近傍の制御電極、電流検出回路、比較回路およ
びこれらに接続された局部給電装置は、前記エミ
ツシヨンチツプの局部基準電位に接続されている
第1の静電シールドによつて取囲まれている特許
請求の範囲第1項記載の電流安定化された電界放
出形銃。 3 第1の静電シールドは、高電圧源の第2の端
子に接続されている第2の静電シールドから絶縁
されて取囲まれており、かつ電流検出回路はビー
ム電流を測定するために第1および第2の静電シ
ールドに接続されている特許請求の範囲第2項記
載の電流安定化された電界放出形銃。 4 高電圧源を第2のシールドに接地された試料
電極に対して正の電圧が供給されるように接続し
て、それによりエミツシヨンチツプが陽イオンビ
ームを発生するようにした特許請求の範囲第3項
記載の電流安定化された電界放出形銃。 5 高電圧源を、第2のシールドに接地された試
料電極に対して負の電圧が供給されるように接続
して、それによりエミツシヨンチツプが電子ビー
ムを発生するようにした特許請求の範囲第3項記
載の電流安定化された電界放出形銃。 6 電界放出形銃は更に、電子ビーム路中に配置
されている第1の加速陽極を有しており、該陽極
は電子ビームの一部を試料電極に通過せしめるた
めの開口を有しておりかつ該陽極はエミツシヨン
チツプの局部基準電位と比べれば正の電位にある
ように、第1の静電シールド内に配置されている
電源から正の電圧が供給されるように接続されて
いる特許請求の範囲第5項記載の電流安定化され
た電界放出形銃。[Claims] 1. A beam current emitted from a gun that measures a beam current and is connected to a local reference potential by controlling a control voltage of a control electrode placed near an emission chip. a beam adjustment device for adjusting the beam, the gun having a sample electrode connected to ground potential, a first terminal connected to the sample electrode at ground potential, and a second terminal connected to a virtual reference; In a current stabilized field emission gun, the beam conditioning device includes a high voltage source connected to an electrical potential, the beam conditioning device comprising a high voltage source, which is floating substantially at a local reference potential of the emission chip. a current detection circuit for detecting the current flowing through the voltage source, the current detection circuit being connected to the high voltage source and the emission chip and for controlling the emission chip current; the beam conditioning device generates an output voltage corresponding to the current impinging on the earth reference potential, which is converted to a voltage used for 1. A current stabilized field emission gun, comprising a comparator circuit for comparing the voltage and supplying an error output voltage signal to the control electrode disposed in the vicinity of the emission chip. 2. The emission chip, the control electrode in the vicinity of the emission chip, the current detection circuit, the comparison circuit, and the local power supply device connected thereto are connected to a first local reference potential of the emission chip. A current stabilized field emission gun as claimed in claim 1 surrounded by an electrostatic shield. 3. The first electrostatic shield is insulated and surrounded by a second electrostatic shield connected to the second terminal of the high voltage source, and the current sensing circuit is configured to measure the beam current. 3. A current stabilized field emission gun as claimed in claim 2, wherein the gun is connected to first and second electrostatic shields. 4. A high voltage source is connected to the second shield so that a positive voltage is supplied to the grounded sample electrode, thereby causing the emission chip to generate a positive ion beam. A current-stabilized field emission gun according to scope 3. 5. A high voltage source is connected to the second shield in such a way that a negative voltage is supplied to the grounded sample electrode, thereby causing the emission chip to generate an electron beam. A current-stabilized field emission gun according to scope 3. 6. The field emission gun further includes a first accelerating anode disposed in the electron beam path, the anode having an aperture for passing a portion of the electron beam to the sample electrode. and the anode is connected to be supplied with a positive voltage from a power source disposed within the first electrostatic shield such that the anode is at a positive potential compared to a local reference potential of the emission chip. A current stabilized field emission gun according to claim 5.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56057296A JPS57180864A (en) | 1981-04-17 | 1981-04-17 | Beam controller in field discharge type gun unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56057296A JPS57180864A (en) | 1981-04-17 | 1981-04-17 | Beam controller in field discharge type gun unit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57180864A JPS57180864A (en) | 1982-11-08 |
| JPH0315295B2 true JPH0315295B2 (en) | 1991-02-28 |
Family
ID=13051583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56057296A Granted JPS57180864A (en) | 1981-04-17 | 1981-04-17 | Beam controller in field discharge type gun unit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57180864A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009187684A (en) * | 2008-02-02 | 2009-08-20 | Stanley Electric Co Ltd | Electron flow control method for field emission electron source |
-
1981
- 1981-04-17 JP JP56057296A patent/JPS57180864A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57180864A (en) | 1982-11-08 |
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