JPH0315321B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0315321B2 JPH0315321B2 JP12230582A JP12230582A JPH0315321B2 JP H0315321 B2 JPH0315321 B2 JP H0315321B2 JP 12230582 A JP12230582 A JP 12230582A JP 12230582 A JP12230582 A JP 12230582A JP H0315321 B2 JPH0315321 B2 JP H0315321B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- glass tube
- oxygen partial
- partial pressure
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガラス封入形非直線抵抗器の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
小形のガラス封入形部品は、ダイオードに代表
される第１図に示すような構成である。すなわ
ち、ガラス管３の中で、頭部がジメツト線でなる
一対のスラグリード２で素子１を挾持し、加熱す
ることによつてガラス管３が溶融し、ガラスとジ
メツト部が融着して固定・密封されている。この
ような構成の部品は、形状の使い易さや、環境条
件に特性が影響され難く高信頼性であるなどの特
徴から、サーミスタなど他の部品でも実用化され
ている。
される第１図に示すような構成である。すなわ
ち、ガラス管３の中で、頭部がジメツト線でなる
一対のスラグリード２で素子１を挾持し、加熱す
ることによつてガラス管３が溶融し、ガラスとジ
メツト部が融着して固定・密封されている。この
ような構成の部品は、形状の使い易さや、環境条
件に特性が影響され難く高信頼性であるなどの特
徴から、サーミスタなど他の部品でも実用化され
ている。
ところで、本構成部品は通常グラフアイト製の
治具内に、ガラス管、素子、スラグリードを設置
した後に、真空または窒素雰囲気中で昇温して作
られる。昇温の手段は、トンネル式などの炉やグ
ラフアイト製治具に電流を通じて、その抵抗分に
よるジユール熱を利用するなどの方法がとられて
いる。また、真空や窒素雰囲気で処理される理由
は、グラフアイトの酸化による損耗防止、ジメツ
ト部表面の亜酸化銅の維持、スラグリードの酸化
防止などによる。さらに、グラフアイトが使われ
る理由は、高温でも安定で、溶融したガラスと融
着せず、加工性にも優れているためである。
治具内に、ガラス管、素子、スラグリードを設置
した後に、真空または窒素雰囲気中で昇温して作
られる。昇温の手段は、トンネル式などの炉やグ
ラフアイト製治具に電流を通じて、その抵抗分に
よるジユール熱を利用するなどの方法がとられて
いる。また、真空や窒素雰囲気で処理される理由
は、グラフアイトの酸化による損耗防止、ジメツ
ト部表面の亜酸化銅の維持、スラグリードの酸化
防止などによる。さらに、グラフアイトが使われ
る理由は、高温でも安定で、溶融したガラスと融
着せず、加工性にも優れているためである。
これら部品の製造条件で、酸化亜鉛を主成分と
する非直線抵抗器を製造した場合、その非直線性
は封止工程で大きく劣化し、本来の機能が得られ
ない。その理由は明確ではないが、素子の吸着酸
素が離脱することによつて特性が変化しているも
のと思われる。
する非直線抵抗器を製造した場合、その非直線性
は封止工程で大きく劣化し、本来の機能が得られ
ない。その理由は明確ではないが、素子の吸着酸
素が離脱することによつて特性が変化しているも
のと思われる。
本発明は、実験の結果適当な範囲内の酸素分圧
中で優れた特性をもつZnOを主体とする非直線抵
抗器が得られることを導いたものであつて、他の
ガラス封入形部品とほぼ同様の製造方法で非直線
抵抗器を実用化したものである。
中で優れた特性をもつZnOを主体とする非直線抵
抗器が得られることを導いたものであつて、他の
ガラス封入形部品とほぼ同様の製造方法で非直線
抵抗器を実用化したものである。
以下、実施例に基づいて本発明の製造方法を説
明する。
明する。
酸化亜鉛（ZnO）に酸化ビスマス、酸化コバル
トなどの数種の添加物を加えて混合し、得られた
粉末を40mmφ×20mmｔに成形し、これを空気中
1250℃で焼成した。このようにして作られたブロ
ツクを0.3mmｔにスライスした後、両主面に銀電
極を塗布焼付けた。このようにして得られた薄板
素子を1.0mm×1.0mmにダイシングマシンで切断し
た。このようにして得た素子を、鉛ガラスの管内
で頭部がジメツト線でなる一対のスラグリードで
挾持して、グラフアイト製の治具にセツトした。
これをタンクに入れて減圧し、各酸素分圧に調整
した後、グラフアイト製治具に通電して660℃で
１分間加熱した後、放冷した。これによりガラス
管が溶融し、ガラスとジメツト部が融着、封止さ
れることになる。ここで、各酸素分圧での結果は
第２図に示す通りであつて、酸素分圧が0.5Torr.
未満の場合は素子の非直線指数αは10以下であ
り、酸化亜鉛系バリスタの本来の特性が得られて
いない。この領域では酸素が微量であるため、そ
の効果が得られないものである。そして、酸素分
圧を0.5Torr.より増すと非直線指数αは向上し、
素子封止前の特性が得られた。ところが酸素分圧
が30Torr.を超えると、スラグリードの酸化が激
しく、またジメツト部表面も酸化銅が支配的にな
つて封止具合に欠陥が生じた。さらに、グラフア
イトの損耗が急激に進行することが認められた。
トなどの数種の添加物を加えて混合し、得られた
粉末を40mmφ×20mmｔに成形し、これを空気中
1250℃で焼成した。このようにして作られたブロ
ツクを0.3mmｔにスライスした後、両主面に銀電
極を塗布焼付けた。このようにして得られた薄板
素子を1.0mm×1.0mmにダイシングマシンで切断し
た。このようにして得た素子を、鉛ガラスの管内
で頭部がジメツト線でなる一対のスラグリードで
挾持して、グラフアイト製の治具にセツトした。
これをタンクに入れて減圧し、各酸素分圧に調整
した後、グラフアイト製治具に通電して660℃で
１分間加熱した後、放冷した。これによりガラス
管が溶融し、ガラスとジメツト部が融着、封止さ
れることになる。ここで、各酸素分圧での結果は
第２図に示す通りであつて、酸素分圧が0.5Torr.
未満の場合は素子の非直線指数αは10以下であ
り、酸化亜鉛系バリスタの本来の特性が得られて
いない。この領域では酸素が微量であるため、そ
の効果が得られないものである。そして、酸素分
圧を0.5Torr.より増すと非直線指数αは向上し、
素子封止前の特性が得られた。ところが酸素分圧
が30Torr.を超えると、スラグリードの酸化が激
しく、またジメツト部表面も酸化銅が支配的にな
つて封止具合に欠陥が生じた。さらに、グラフア
イトの損耗が急激に進行することが認められた。
以上から、昇温〜封止時の雰囲気は酸素分圧
0.5〜30Torr.で正常な特性が得られ、かつ商品と
なり得る範囲である。これによつて、ガラス封止
形の酸化亜鉛系非直線抵抗器を実用に供すること
が可能となつたものであり、本発明の産業性は大
なるものである。
0.5〜30Torr.で正常な特性が得られ、かつ商品と
なり得る範囲である。これによつて、ガラス封止
形の酸化亜鉛系非直線抵抗器を実用に供すること
が可能となつたものであり、本発明の産業性は大
なるものである。
第１図は一般的なガラス封止形部品の一部を断
面にて示す正面図、第２図は本発明を説明するた
めの酸素分圧と非直線指数αとの関係を示す図で
ある。 １……素子、２……スラグリード、３……ガラ
ス管。
面にて示す正面図、第２図は本発明を説明するた
めの酸素分圧と非直線指数αとの関係を示す図で
ある。 １……素子、２……スラグリード、３……ガラ
ス管。
Claims (1)
- １ 頭部がジメツト線でなる一対のスラグリード
でZnOを主成分とする焼結体の非直線抵抗素子を
ガラス管の中で挾持し、酸素分圧が0.5〜30Torr.
の雰囲気中で昇温して上記ガラス管を溶融させ、
ガラスとジメツト線を融着、封止することを特徴
とするガラス封入形非直線抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57122305A JPS5913302A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | ガラス封入形非直線抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57122305A JPS5913302A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | ガラス封入形非直線抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913302A JPS5913302A (ja) | 1984-01-24 |
| JPH0315321B2 true JPH0315321B2 (ja) | 1991-02-28 |
Family
ID=14832661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57122305A Granted JPS5913302A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | ガラス封入形非直線抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913302A (ja) |
-
1982
- 1982-07-13 JP JP57122305A patent/JPS5913302A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5913302A (ja) | 1984-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4087778A (en) | Termination for electrical resistor and method of making the same | |
| US3013328A (en) | Method of forming a conductive film | |
| JPH0315321B2 (ja) | ||
| US6515572B2 (en) | Circuit arrangement comprising an SMD-component, in particular a temperature sensor, and a method of manufacturing a temperature sensor | |
| US1954832A (en) | Automatic starter | |
| JPH1183641A (ja) | ガラス封止型サーミスタ | |
| US3767597A (en) | High temperature thermistor composition | |
| US3574930A (en) | Method of forming a printed thermistor on a metal sheet | |
| KR900005267B1 (ko) | Ptc 더어미스터의 제조법 | |
| US3221393A (en) | Method of making bead type thermistors | |
| US3629670A (en) | Electrical contact to silicon carbide | |
| US2183755A (en) | Thermonegative resistor | |
| JPS6322444B2 (ja) | ||
| JPH01235307A (ja) | ガラス封入サーミスタの製造法 | |
| JPS6333282B2 (ja) | ||
| JP2701052B2 (ja) | サージ吸収素子 | |
| JPS63190301A (ja) | サ−ミスタ | |
| JP2638903B2 (ja) | ガラス封入型サーミスタの製造方法 | |
| JPH02159756A (ja) | タンタル薄膜抵抗素子 | |
| JPS6180783A (ja) | サ−ジ吸収素子の気密封止方法 | |
| JPS6378502A (ja) | サ−ミスタの製造方法 | |
| JPH10284305A (ja) | ガラス封止型サーミスタ及びその製造方法 | |
| JPH03136205A (ja) | ガラス封止型サーミスタ | |
| JPH0236501A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1050503A (ja) | ガラス封止形サーミスタ及びその製造方法 |