JPH0315365B2 - - Google Patents
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- JPH0315365B2 JPH0315365B2 JP3127086A JP3127086A JPH0315365B2 JP H0315365 B2 JPH0315365 B2 JP H0315365B2 JP 3127086 A JP3127086 A JP 3127086A JP 3127086 A JP3127086 A JP 3127086A JP H0315365 B2 JPH0315365 B2 JP H0315365B2
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Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は、負の所定値から正の所定値迄変化す
る等価リアクタンスを発生させることの出来る可
変リアクタンス回路に関するもので、特に前記可
変リアクタンス回路が異常発振するのを防止せん
とするものである。[Detailed Description of the Invention] (a) Industrial Application Field The present invention relates to a variable reactance circuit that can generate an equivalent reactance that changes from a predetermined negative value to a predetermined positive value, and particularly relates to a variable reactance circuit that can generate an equivalent reactance that changes from a predetermined negative value to a predetermined positive value. The purpose is to prevent abnormal oscillation of the circuit.
(ロ) 従来の技術
特開昭59−57515号公報には、負の所定値から
正の所定値迄変化する等価リアクタンスを発生さ
せることの出来る可変リアクタンス回路が記載さ
れている。前記可変リアクタンス回路は、第2図
に示す如く、エミツタが共通接続された第1及び
第2トランジスタ1及び2と、同じくエミツタが
共通接続された第3及び第4トランジスタ3及び
4と、第1及び第4トランジスタ1及び4の共通
ベースと第2及び第4トランジスタ2及び4の共
通コレクタとの間に接続された帰還用のコンデン
サ5と、第1及び第4トランジスタ1及び4の共
通ベースと第2及び第3トランジスタ2及び3の
共通ベースとの間に接続された抵抗6と、第1及
び第3トランジスタ1及び3のコレクタ電流を反
転して第2及び第4トランジスタ2及び4の共通
コレクタに供給する電流反転回路7と、第1及び
第2トランジスタ1及び2の共通エミツタに接続
された第1可変電流源8と、第3及び第4トラン
ジスタ3及び4の共通エミツタに接続された第2
可変電流源9と、第2及び第3トランジスタ2及
び3の共通ベースに接続された定電圧源10とに
よつて構成されている。(b) Prior Art Japanese Unexamined Patent Publication No. 59-57515 describes a variable reactance circuit that can generate an equivalent reactance that varies from a predetermined negative value to a predetermined positive value. As shown in FIG. 2, the variable reactance circuit includes first and second transistors 1 and 2 whose emitters are commonly connected, third and fourth transistors 3 and 4 whose emitters are also commonly connected, and a first transistor. and a feedback capacitor 5 connected between the common base of the fourth transistors 1 and 4 and the common collector of the second and fourth transistors 2 and 4, and the common base of the first and fourth transistors 1 and 4. A resistor 6 connected between the common base of the second and third transistors 2 and 3 and a common base of the second and fourth transistors 2 and 4 by inverting the collector currents of the first and third transistors 1 and 3. a current inversion circuit 7 that supplies the collector; a first variable current source 8 connected to the common emitters of the first and second transistors 1 and 2; and a first variable current source 8 connected to the common emitters of the third and fourth transistors 3 and 4. Second
It is composed of a variable current source 9 and a constant voltage source 10 connected to the common base of the second and third transistors 2 and 3.
第1可変電流源8に所定の電流を流し、第2可
変電流源9の動作を停止させると、第2図の可変
リアクタンス回路は、第1及び第2トランジスタ
1及び2を主体とする負のリアクタンス回路とし
て動作し、出力端子11から見た等価アドミツタ
ンスY1は、
Y1=1−gmR/R+1/jωC ……(1)
[ただし、gmは相互コンダクタンス、Rは抵抗
6の抵抗値、Cはコンデンサ5の容量、ωは角周
波数]
となる。前記第(1)式において、gmR≫1、R≪
1/ωCとすれば、
Y1=−jωgmRC ……(2)
となり、第2図の回路は負のリアクタンスを呈
し、その値は−gmRCとなる。その場合、第1可
変電流源8に流れる電流に応じて、第1及び第2
トランジスタ1及び2の相互コンダクタンスgm
が変化する為、リアクタンスも変化し、結局第2
図の回路は負の所定値から零迄のリアクタンスを
有するコンデンサと等価なものになる。 When a predetermined current is applied to the first variable current source 8 and the operation of the second variable current source 9 is stopped, the variable reactance circuit of FIG. It operates as a reactance circuit, and the equivalent admittance Y1 seen from the output terminal 11 is Y1 = 1-gmR/R+1/jωC...(1) [However, gm is the mutual conductance, R is the resistance value of the resistor 6, and C is the capacitance of the capacitor 5, and ω is the angular frequency]. In the above formula (1), gmR≫1, R≪
If 1/ωC, then Y 1 =−jωgmRC (2), and the circuit of FIG. 2 exhibits negative reactance, the value of which is −gmRC. In that case, depending on the current flowing through the first variable current source 8, the first and second
Mutual conductance gm of transistors 1 and 2
changes, so the reactance also changes, and eventually the second
The circuit shown in the figure is equivalent to a capacitor having a reactance ranging from a predetermined negative value to zero.
一方、第2可変電流源9に所定の電流を流し、
第1可変電流源8の動作を停止させると、第2図
の可変リアクタンス回路は、第3及び第4トラン
ジスタ3及び4を主体とする正のリアクタンス回
路として動作し、出力端子11から見た等価アド
ミツタンスY2は、
Y2=1+gmR/R+1/jωC ……(3)
となる。前記第(3)式において、gmR≫1、R≪
1/ωCとすれば、
Y1=jωgmRC ……(4)
となり、第2図の回路は正のリアクタンスを呈
し、その値はgmRCとなる。そして、第2可変電
流源9に流れる電流に応じて、第3及び第4トラ
ンジスタ1及び2の相互コンダクタンスgmが変
化するので、リアクタンスも変化し、結局第2図
の回路は零から正の所定値迄のリアクタンスを有
するコンデンサと等価なものになる。従つて、第
2図の回路を用いれば、負の所定値から正の所定
値迄変化するリアクタンスを有する等価コンデン
サを得ることが出来る。 On the other hand, a predetermined current is applied to the second variable current source 9,
When the operation of the first variable current source 8 is stopped, the variable reactance circuit shown in FIG. 2 operates as a positive reactance circuit mainly composed of the third and fourth transistors 3 and 4, and the equivalent The admittance Y 2 is as follows: Y 2 =1+gmR/R+1/jωC (3). In the above formula (3), gmR≫1, R≪
If 1/ωC, then Y 1 =jωgmRC (4), and the circuit shown in FIG. 2 exhibits a positive reactance, the value of which is gmRC. Since the mutual conductance gm of the third and fourth transistors 1 and 2 changes according to the current flowing through the second variable current source 9, the reactance also changes, and the circuit of FIG. It becomes equivalent to a capacitor with reactance up to the value. Therefore, by using the circuit shown in FIG. 2, it is possible to obtain an equivalent capacitor having a reactance that varies from a predetermined negative value to a predetermined positive value.
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
しかしながら、第2図のリアクタンス回路は、
高域周波数において寄生発振が生ずる危険があつ
た。すなわち、周波数が高くなると1/ωCが小にな
り、R〓1/ωCという条件がくずれてくる為、前記
第(1)式の実数部が虚数部に対して無視出来なくな
り、帰還用のコンデンサ5が正帰還コンデンサと
して働き、寄生発振を生じる可能性が出て来る。
もし寄生発振が生じると、第2図のリアクタンス
回路が負のリアクタンス回路としての正常動作を
行なわなくなるので、第2図のリアクタンス回路
を使用する場合、周波数帯域を制限せざるを得な
かつた。(c) Problems to be solved by the invention However, the reactance circuit in FIG.
There was a risk of parasitic oscillation occurring at high frequencies. In other words, as the frequency increases, 1/ωC becomes smaller, and the condition R = 1/ωC breaks down, so the real part of equation (1) cannot be ignored with respect to the imaginary part, and the feedback capacitor 5 acts as a positive feedback capacitor, potentially causing parasitic oscillation.
If parasitic oscillation occurs, the reactance circuit shown in FIG. 2 will not operate normally as a negative reactance circuit, so when using the reactance circuit shown in FIG. 2, it is necessary to limit the frequency band.
第1及び第2トランジスタ1及び2を主体とす
る負のリアクタンス回路が寄生発振するのを防止
する為には、第1トランジスタ1のベース・コレ
クタ間の発振防止用のコンデンサを接続すればよ
い。トランジスタのベース・コレクタ間にコンデ
ンサを接続して発振防止を計る技術は、此種分野
における技術的常套手段であるが、第2図の如き
可変リアクタンス回路に適用すると、別の欠点を
生じ好ましくない。第1トランジスタ1のベー
ス・コレクタ間に発振防止用コンデンサを挿入す
ると、前記コンデンサは第3トランジスタ3のコ
レクタと第4トランジスタ4のベースとの間にも
挿入されることになり、第3及び第4トランジス
タ3及び4から成る正のリアクタンス回路に悪影
響を及ぼす。すなわち、前記コンデンサが挿入さ
れると、第3トランジスタ3のコレクタから第4
トランジスタ4のベースへの不要な正帰還路が形
成される為、寄生発振を生じ、第3及び第4トラ
ンジスタ3及び4を主体とする正のリアクタンス
回路が正常動作を行なわなくなるという問題が生
じる。更に、前記コンデンサを挿入すると、第2
図のリアクタンス回路を発振回路の発振周波数制
御の為に用い、正のリアクタンス回路を動作させ
た場合、前記寄生発振の周波数でスプリアス発振
を生じ、発振周波数の大幅な変化を招き使用に耐
えなくなるという問題があつた。 In order to prevent parasitic oscillation in the negative reactance circuit mainly composed of the first and second transistors 1 and 2, an oscillation prevention capacitor may be connected between the base and collector of the first transistor 1. The technique of connecting a capacitor between the base and collector of a transistor to prevent oscillation is a common technical means in this field, but when applied to a variable reactance circuit like the one shown in Figure 2, it causes another disadvantage and is undesirable. . When an oscillation prevention capacitor is inserted between the base and collector of the first transistor 1, the capacitor is also inserted between the collector of the third transistor 3 and the base of the fourth transistor 4. The positive reactance circuit consisting of four transistors 3 and 4 is adversely affected. That is, when the capacitor is inserted, the voltage from the collector of the third transistor 3 to the fourth transistor
Since an unnecessary positive feedback path to the base of the transistor 4 is formed, parasitic oscillation occurs, causing a problem that the positive reactance circuit mainly composed of the third and fourth transistors 3 and 4 does not operate normally. Furthermore, when the capacitor is inserted, the second
If the reactance circuit shown in the figure is used to control the oscillation frequency of an oscillation circuit and a positive reactance circuit is operated, spurious oscillation will occur at the frequency of the parasitic oscillation, resulting in a significant change in the oscillation frequency and making it unusable. There was a problem.
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明は、上述の点に鑑み成されたもので、負
のリアクタンス回路を構成する第1トランジスタ
のベース・コレクタ間にコンデンサを接続すると
ともに、前記第1トランジスタのコレクタと正の
リアクタンス回路を構成する第3トランジスタの
コレクタとの間に、前記負のリアクタンス回路が
不動作のとき高インピーダンスとなる手段を設け
たことを特徴とする。(d) Means for Solving the Problems The present invention has been made in view of the above points, and includes connecting a capacitor between the base and collector of the first transistor constituting the negative reactance circuit, and The present invention is characterized in that means is provided between the collector of one transistor and the collector of a third transistor constituting the positive reactance circuit, for making the impedance high when the negative reactance circuit is inactive.
(ホ) 作用
本発明に依れば、コンデンサの挿入により負の
リアクタンス回路の寄生発振を防止出来る。ま
た、負のリアクタンス回路が不動作のとき高イン
ピーダンスとなる手段を設けている為、前記コン
デンサの挿入により正のリアクタンス回路が寄生
発振するのを防止出来る。(E) Effect According to the present invention, parasitic oscillation of the negative reactance circuit can be prevented by inserting a capacitor. Further, since a means is provided for making the negative reactance circuit high impedance when it is not in operation, parasitic oscillation in the positive reactance circuit can be prevented by inserting the capacitor.
(ヘ) 実施例
第1図は、本発明の一実施例を示す回路図で、
12は第1トランジスタ1のベース・コレクタ間
に接続された発振防止用のコンデンサ、及び13
は前記第1トランジスタ1のコレクタと第3トラ
ンジスタ3のコレクタとの間に接続されたダイオ
ード接続型の第5トランジスタである。尚、第1
図において、第2図と同一の回路素子には同一の
符号を付し、その説明を省略する。(F) Embodiment FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
12 is an oscillation prevention capacitor connected between the base and collector of the first transistor 1, and 13
is a diode-connected fifth transistor connected between the collector of the first transistor 1 and the collector of the third transistor 3. Furthermore, the first
In the figure, circuit elements that are the same as those in FIG. 2 are given the same reference numerals, and their explanations will be omitted.
第1及び第2トランジスタ1及び2を主体とす
る負のリアクタンス回路は、第1可変電流源8に
流れる電流を応じた負のリアクタンスを呈し、そ
のアドミツタンスは第(1)式の如くなる。そして、
第1トランジスタ1のベース・コレクタ間に発振
防止用のコンデンサ12が接続されているので、
前記負のリアクタンス回路が寄生発振を生ずるこ
とが無い。第1可変電流源8に流れる電流は、第
1及び第2トランジスタ1及び2で分流され、第
1トランジスタ1のコレクタ電流は、電流反転回
路7からダイオード接続された第5トランジスタ
13を介して供給される。その際、第5トランジ
スタ13のコレクタ・エミツタ間インピーダンス
は非常に小であるので、第5トランジスタ13は
負のリアクタンス回路の正常動作を妨げない。 The negative reactance circuit mainly composed of the first and second transistors 1 and 2 exhibits a negative reactance depending on the current flowing through the first variable current source 8, and its admittance is as shown in equation (1). and,
Since the capacitor 12 for preventing oscillation is connected between the base and collector of the first transistor 1,
The negative reactance circuit does not cause parasitic oscillation. The current flowing through the first variable current source 8 is divided by the first and second transistors 1 and 2, and the collector current of the first transistor 1 is supplied from the current inverting circuit 7 via the diode-connected fifth transistor 13. be done. At this time, since the collector-emitter impedance of the fifth transistor 13 is very small, the fifth transistor 13 does not interfere with the normal operation of the negative reactance circuit.
第3及び第4トランジスタ3及び4を主体とす
る正のリアクタンス回路は、第2可変電流源9に
流れる電流に応じた正のリアクタンスを呈し、そ
のアドミツタンスは第(3)式の如くなる。その際、
第1可変電流源8には電流が流れていない為、ダ
イオード接続された第5トランジスタ13にも電
流が流れず、第5トランジスタ13のコレクタ・
エミツタ間インピーダンスは高インピーダンスと
なる。従つてコンデンサ12の挿入に起因する第
3トランジスタ3のコレクタと第4トランジスタ
4のベースとの間に正帰還路が遮断され、正のリ
アクタンス回路の正常動作が妨げられなくなる。 The positive reactance circuit mainly composed of the third and fourth transistors 3 and 4 exhibits a positive reactance in accordance with the current flowing through the second variable current source 9, and its admittance is as shown in equation (3). that time,
Since no current flows through the first variable current source 8, no current flows through the diode-connected fifth transistor 13, and the collector of the fifth transistor 13
The impedance between the emitters becomes high. Therefore, the positive feedback path between the collector of the third transistor 3 and the base of the fourth transistor 4 due to the insertion of the capacitor 12 is cut off, and the normal operation of the positive reactance circuit is no longer disturbed.
第1図の実施例の場合、第1電流源8が不動作
になるとき高インピーダンスとなる手段として、
ダイオード接続型の第5トランジスタ13を用い
ている為、第5トランジスタ13における電圧降
下がVBE(=0.7V)と小になり、5V程度の低電源
電圧で使用可能な可変リアクタンス回路を提供出
来る。しかしながら、電源電圧に制限が無い場合
は、前記高インピーダンスとなる手段として、
10KΩ程度の高抵抗を使用することも出来る。ま
た、前記高インピーダンスとなる手段としては、
第1電流源8に流れる電流を検出する検出回路の
出力に応じて開閉するスイツチを用いることも可
能である。その場合は、前記検出回路が前記電流
を検出したとき前記スイツチを閉成し、前記検出
回路が前記電流を検出しないとき前記スイツチを
開放すればよい。 In the embodiment of FIG. 1, the means for achieving high impedance when the first current source 8 is inoperable is as follows:
Since the diode-connected fifth transistor 13 is used, the voltage drop in the fifth transistor 13 is as small as V BE (=0.7V), making it possible to provide a variable reactance circuit that can be used with a power supply voltage as low as 5V. . However, if there is no limit to the power supply voltage, as a means for achieving the high impedance,
A high resistance of about 10KΩ can also be used. Further, as the means for achieving high impedance,
It is also possible to use a switch that opens and closes depending on the output of a detection circuit that detects the current flowing through the first current source 8. In that case, the switch may be closed when the detection circuit detects the current, and the switch may be opened when the detection circuit does not detect the current.
(ト) 発明の効果
以上述べた如く、本発明に依れば、正及び負の
等価リアクタンスを呈する可変リアクタンス回路
が寄生発振するのを確実に防止出来る。その為、
前記可変リアクタンス回路の正常動作周波数範囲
の拡大を計ることが出来、利用範囲を拡大するこ
とが出来る。特に、前記可変リアクタンス回路を
発振回路の発振周波数制御用に用いた場合には、
スプリアス発振の防止も計れる。また、第1図の
実施例の如く、ダイオード接続されたトランジス
タを用いれば、低電源電圧で動作する可変リアク
タンス回路を提供出来る。(G) Effects of the Invention As described above, according to the present invention, it is possible to reliably prevent parasitic oscillation in a variable reactance circuit exhibiting positive and negative equivalent reactances. For that reason,
The normal operating frequency range of the variable reactance circuit can be expanded, and the range of use can be expanded. In particular, when the variable reactance circuit is used for controlling the oscillation frequency of an oscillation circuit,
It can also prevent spurious oscillations. Furthermore, if diode-connected transistors are used as in the embodiment shown in FIG. 1, a variable reactance circuit that operates at a low power supply voltage can be provided.
第1図は、本発明の一実施例を示す回路図及び
第2図は従来の可変リアクタンス回路を示す回路
図である。
1,2,3,4……第1、第2、第3、第4ト
ランジスタ、5……コンデンサ、6……抵抗、7
……電流反転回路、8,9……第1、第2可変電
流源、12……コンデンサ、13……第5トラン
ジスタ。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional variable reactance circuit. 1, 2, 3, 4...first, second, third, fourth transistor, 5...capacitor, 6...resistor, 7
...Current inversion circuit, 8, 9...First and second variable current sources, 12...Capacitor, 13...Fifth transistor.
Claims (1)
ンジスタと、エミツタが共通接続された第3及び
第4トランジスタと、第1及び第4トランジスタ
の共通ベースと第2及び第4トランジスタの共通
コレクタとの間に接続されたコンデンサと、第1
及び第4トランジスタの共通ベースとバイアス源
との間に接続された抵抗と、第1及び第3トラン
ジスタの共通コレクタと第2及び第4トランジス
タの共通コレクタとの間に接続された電流反転回
路と、第1及び第2トランジスタの共通エミツタ
に接続された第1可変電流源と、第3及び第4ト
ランジスタの共通エミツタに接続された第2可変
電流源とを備え、第1可変電流源に流れる電流に
応じて第2及び第4トランジスタの共通コレクタ
に接続された出力端子に負の等価リアクタンス
を、第2可変電流源に流れる電流に応じて出力端
子に正の等価リアクタンスを発生させる可変リア
クタンス回路において、第1トランジスタのベー
ス・コレクタ間に発振防止用のコンデンサを挿入
するとともに、第1トランジスタのコレクタと第
3トランジスタのコレクタとの間に第1可変電流
源に電流が流れないとき高インピーダンスとなる
手段を配置したことを特徴とする可変リアクタン
ス回路。1. First and second transistors whose emitters are commonly connected, third and fourth transistors whose emitters are commonly connected, and a common base of the first and fourth transistors and a common collector of the second and fourth transistors. a capacitor connected between the first
and a resistor connected between the common base of the fourth transistor and the bias source, and a current inversion circuit connected between the common collectors of the first and third transistors and the common collectors of the second and fourth transistors. , a first variable current source connected to the common emitters of the first and second transistors, and a second variable current source connected to the common emitters of the third and fourth transistors; A variable reactance circuit that generates a negative equivalent reactance at the output terminal connected to the common collector of the second and fourth transistors depending on the current, and a positive equivalent reactance at the output terminal depending on the current flowing through the second variable current source. In this method, a capacitor for preventing oscillation is inserted between the base and collector of the first transistor, and a high impedance is formed between the collector of the first transistor and the collector of the third transistor when no current flows in the first variable current source. A variable reactance circuit characterized by having a means arranged therein.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3127086A JPS62188513A (en) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | Variable reactance circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3127086A JPS62188513A (en) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | Variable reactance circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188513A JPS62188513A (en) | 1987-08-18 |
| JPH0315365B2 true JPH0315365B2 (en) | 1991-02-28 |
Family
ID=12326641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3127086A Granted JPS62188513A (en) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | Variable reactance circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
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-
1986
- 1986-02-14 JP JP3127086A patent/JPS62188513A/en active Granted
Also Published As
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|---|---|---|---|
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