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JPH0317171B2 - - Google Patents
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JPH0317171B2 - - Google Patents

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JPH0317171B2
JPH0317171B2 JP15674481A JP15674481A JPH0317171B2 JP H0317171 B2 JPH0317171 B2 JP H0317171B2 JP 15674481 A JP15674481 A JP 15674481A JP 15674481 A JP15674481 A JP 15674481A JP H0317171 B2 JPH0317171 B2 JP H0317171B2
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transistor
relay
circuit
transistors
flip
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JP15674481A
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Inventor
Yoshihisa Ishigami
Yoshihiko Yamakawa
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、リレーコイルを一旦励磁した後には
その励磁状態を解除してもリレースイツチのスイ
ツチング状態を自己保持するいわゆるラツチング
リレーを駆動するための回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a circuit for driving a so-called latching relay that self-maintains the switching state of a relay switch even if the relay coil is once energized and then the energized state is released.

この種ラツチングリレーの駆動回路として公知
例では実公昭52−48702号が存在する。この考案
の回路ではコンデンサの充放電によつてリレーコ
イルに一方向及び逆方向の電流を流して交互に動
作させているが、コンデンサの容量が大きく、こ
の回路の半導体集積回路(IC)化を意図した場
合、このことが大きな障害となる。又、或る先行
技術では、いわゆる2巻線形ラツチングリレーの
一方のリレーコイルおよび一方のスイツチング用
NPNトランジスタから成る直列回路、ならびに
他方のリレーコイルおよび他方のスイツチング用
NPNトランジスタから成る直列回路を、電源の
両出力端子間に、並列に接続し、前記一方のリレ
ーコイルと前記一方のスイツチング用トランジス
タとの接続点に前記他方のスイツチング用トラン
ジスタのベースを接続する構成が採られている。
この構成では前記一方スイツチング用トランジス
タのベースに信号を与えてこれを遮断することに
よつて、他方のスイツチング用トランジスタが導
通し、これによつて前記他方のリレーコイルが励
磁される。また前記一方のスチツチング用トラン
ジスタを導通することによつて、前記一方のリレ
ーコイルが励磁される。このような先行技術で
は、前記他方のスイツチング用トランジスタのベ
ースには前記一方のリレーコイルを介して電流が
供給される。そのため、前記他方のトランジスタ
のベース電流が過渡時に振動し、したがつてこの
振動するベース電流の増幅された他方のリレーコ
イルのための励磁電流が大きく変動することにな
る。そのためラツチングリレーのスイツチング態
様が入力信号に正確に応答せず、誤動作を生じる
ことになる。またこのような先行技術では、前記
各直列回路に高い入力電圧が印加された場合には
リレーコイルによつて大きな電力が消費されるこ
とになつた。
A known example of a drive circuit for this type of latching relay is Utility Model Publication No. 48702/1983. In the circuit of this invention, current is passed in one direction and the opposite direction to the relay coil by charging and discharging the capacitor to operate it alternately, but the capacitor has a large capacity, so it is difficult to convert this circuit into a semiconductor integrated circuit (IC). This poses a major obstacle if this is the intention. Also, in some prior art, one relay coil and one switching coil of a so-called two-winding latching relay are used.
For series circuits consisting of NPN transistors and one relay coil and the other switching
A series circuit consisting of NPN transistors is connected in parallel between both output terminals of a power supply, and the base of the other switching transistor is connected to the connection point between the one relay coil and the one switching transistor. is taken.
In this configuration, by applying a signal to the base of the one switching transistor to cut it off, the other switching transistor becomes conductive, thereby exciting the other relay coil. Further, by making the one stitching transistor conductive, the one relay coil is excited. In such prior art, current is supplied to the base of the other switching transistor via the one relay coil. Therefore, the base current of the other transistor oscillates during a transient period, and therefore, the excitation current for the other relay coil, which is amplified by this oscillating base current, fluctuates greatly. Therefore, the switching mode of the latching relay does not respond accurately to the input signal, resulting in malfunction. Further, in such prior art, when a high input voltage is applied to each of the series circuits, a large amount of power is consumed by the relay coil.

本発明の目的は、ラツチングリレーのスイツチ
ング態様が入力信号に正確に応答することができ
るようにした駆動回路を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a drive circuit that allows the switching behavior of a latching relay to accurately respond to input signals.

第1図は、本発明の一実施例の電気回路構成を
示すブロツク図であり、又、第2図は具体的な回
路構成を示す図である。以下に第1図および第2
図を参照して本発明を詳しく説明する。いわゆる
2巻線形のラツチングリレー1は、リレーコイル
2,3と、リレースイツチ4,5とを有する。こ
のラツチングリレー1の一方のリレーコイル2が
一旦励磁されると、その励磁が解除された後にお
いても、リレースイツチ4は導通したままに自己
保持される。もう1つのリレーコイル3が一旦励
磁されると、その励磁が解除された後において
も、リレースイツチ4が遮断したままに自己保持
される。リレースイツチ5は、外部接続されるた
めのものであり、リレーコイル2,3の励磁によ
つてスイツチング状態が切換えられて自己保持さ
れる。リレーコイル2,3には、スイツチング素
子としてのトランジスタ6,7が直列にそれぞれ
接続され、且つ逆起電圧防止用ダイオードD1
D2も備えられている。これらによりリレードラ
イブ回路Aを構成する。これらリレードライブ回
路Aはトランジスタなどからなるフリツプフロツ
プBのリセツト出力およびセツト出力Qにそれ
ぞれ接続される。このフリツプフロツプBはリレ
ードライブ回路Aの各々のトランジスタ6,7の
ベースにコレクタを接続したトランジスタ8,9
と、リレードライブ回路Aの各々のトランジスタ
6,7のベースにエミツタを接続したNPNトラ
ンジスタ10,11及びこのトランジスタ10,
11のベースにコレクタを接続したトランジスタ
12,13、更にこのトランジスタ12,13の
ベースに並列接続された2対のトランジスタ14
と15,16と17とでなつている。フリツプフ
ロツプBのトランジスタ8,9のベース電圧を供
給するラインaはパルス発生回路Cの出力につら
なつている。このパルス発生回路は7個のトラン
ジスタ18〜24と8個の抵抗R1〜R8及び初段
の抵抗R1とでトランジスタ18のベースに電圧
を印加するコンデンサ25aとで構成されてい
る。このコンデンサ25aは抵抗R1の位置がつ
らなるラインdがハイレベルとなつたとき、抵抗
R1を通して充電され、その端子電圧が第1段目
トランジスタ18の導通しうる値となつたところ
で、第1段トランジスタ18をオンする。第2段
乃至第7段トランジスタはそれぞれ前段側トラン
ジスタのコレクタに接続されているので、トラン
ジスタ18がオン状態となることにより第2段オ
フ、第3段オン…と第7段オンと遅延してパルス
を出力する。パルス発生回路Cは、コンデンサ2
5a,25b及び各段のトランジスタ18乃至2
4及び抵抗R1乃至R8による遅延機能を有してい
る。トランジスタ28からラインdに第3図1に
示す波形が導出されたとき、トランジスタ18の
コレクタは、第3図2に示すように遅延時間T1
だけ遅れてローレベルとなる。そのためトランジ
スタ19はしや断し、この接合容量と抵抗R3
充電回路が形成され、第3図3に示すようにトラ
ンジスタ19のしや断時間から時間T2だけ遅れ
てコレクタがハイレベルとなる。トランジスタ2
0は、トランジスタ19のコレクタからの出力に
応答して導通する。以下同様にしてトランジスタ
21、トランジスタ23の動作で時間T3、T4
遅延時間が得られ、トランジスタ24のコレクタ
からは第3図5に示すようにパルス幅が(T1
T2+T3+T4)の出力パルスが出力される。この
ようにしてシユミツト回路を含む電力制御用回路
Dに第3図1に示される入力信号が与えられたと
き、パルス発生回路Cのラインには時間(T1
T2+T3+T4)のパルス幅を有するパルスが導出
される。パルス発生回路Cはシユミツト回路構成
を採用する電力制御用回路Dの出力によつて動作
する。この電力制御用回路Dではラインbを介し
て入力される入力信号が予め定める弁別レベルを
越えることによつてダイオードD3が導通するが、
その前に抵抗9,10を介してトランジスタ25
がオンし、電流はトランジスタ26のエミツタと
の接続点から抵抗R11を通つて流れる。しかしな
がらダイオードD3が導通することによりトラン
ジスタ26がオン状態になると、トランジスタ2
5のベースエミツタ間にはトランジスタ26のコ
レクタ・エミツタ間の飽和電圧が印加されるにと
どまり、トランジスタ25はオフし、トランジス
タ27には2個のダイオードD4,D5を通してベ
ースバイアスが供給されトランジスタ27がオン
し、トランジスタ28もオンしてラインdには出
力が生じる。この電力制御用回路Dの入力はライ
ンをbとするが、このラインbは定電圧回路Eに
接続される。定電圧回路Eではトランジスタ2
9,30でサイリスタが構成されている。ライン
cの電圧V1がトランジスタ29が導通しうるベ
ース・エミツタ間電圧V2以上になると、トラン
ジスタ29,30が導通したままになる。トラン
ジスタ29のベースに接続された複数のダイオー
ドD6〜D11の順方向電圧降下の和をVdとし、ト
ランジスタ30が導通しうるコレクタ・エミツタ
間の電圧をV3とするとき、 V1>Vd+V3 ……(1) が成立すると、トランジスタ29,31のベース
電圧はVdに固定される。トランジスタ29,3
0には関連してダイオードD12が接続されてお
り、トランジスタ30のコレクタ・エミツタ間に
は、抵抗R12が接続されている。前述の抵抗R12
は、ラインcに電圧V1が印加されたときにおけ
るトランジスタ29,30から成るサイリスタを
動作させる働きをし、高抵抗値を有する。トラン
ジスタ29には、直列に抵抗R13が接続されてい
る。
FIG. 1 is a block diagram showing an electric circuit configuration of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a specific circuit configuration. Figures 1 and 2 are shown below.
The present invention will be explained in detail with reference to the figures. A so-called two-winding latching relay 1 has relay coils 2 and 3 and relay switches 4 and 5. Once one relay coil 2 of the latching relay 1 is energized, the relay switch 4 is self-maintained in a conductive state even after the energization is released. Once the other relay coil 3 is energized, the relay switch 4 is self-maintained in the cut-off state even after the other relay coil 3 is de-energized. The relay switch 5 is for external connection, and is self-maintained by changing its switching state by excitation of the relay coils 2 and 3. Transistors 6 and 7 as switching elements are connected in series to the relay coils 2 and 3, respectively, and back electromotive force prevention diodes D 1 ,
D2 is also provided. These constitute a relay drive circuit A. These relay drive circuits A are respectively connected to a reset output and a set output Q of a flip-flop B consisting of a transistor or the like. This flip-flop B consists of transistors 8 and 9 whose collectors are connected to the bases of each transistor 6 and 7 of the relay drive circuit A.
and NPN transistors 10 and 11 whose emitters are connected to the bases of each transistor 6 and 7 of relay drive circuit A, and this transistor 10,
transistors 12 and 13 whose collectors are connected to the bases of transistors 11 and 2 pairs of transistors 14 which are connected in parallel to the bases of transistors 12 and 13;
and 15, 16, and 17. A line a supplying the base voltage of transistors 8 and 9 of flip-flop B is connected to the output of pulse generating circuit C. This pulse generating circuit is composed of seven transistors 18 to 24, eight resistors R1 to R8 , a first stage resistor R1 , and a capacitor 25a that applies a voltage to the base of the transistor 18. This capacitor 25a resistor
When it is charged through R 1 and its terminal voltage reaches a value that allows the first stage transistor 18 to conduct, the first stage transistor 18 is turned on. The second to seventh stage transistors are each connected to the collector of the previous stage transistor, so when the transistor 18 is turned on, the second stage is turned off, the third stage is turned on, and so on, and the seventh stage is turned on with a delay. Outputs pulses. Pulse generation circuit C is connected to capacitor 2
5a, 25b and transistors 18 to 2 in each stage
4 and resistors R 1 to R 8 have a delay function. When the waveform shown in FIG. 31 is derived from the transistor 28 to the line d, the collector of the transistor 18 has a delay time T 1 as shown in FIG.
becomes low level with a delay of Therefore, the transistor 19 is cut off, and a charging circuit is formed by this junction capacitance and the resistor R3 , and as shown in FIG. Become. transistor 2
0 conducts in response to the output from the collector of transistor 19. Thereafter, the delay times T 3 and T 4 are obtained by the operation of the transistors 21 and 23 in the same manner, and the pulse width from the collector of the transistor 24 is (T 1 +
T 2 + T 3 + T 4 ) output pulses are output. In this way, when the input signal shown in FIG. 3 is applied to the power control circuit D including the Schmitt circuit, the line of the pulse generation circuit C has a time (T 1 +
A pulse having a pulse width of T 2 +T 3 +T 4 ) is derived. The pulse generating circuit C is operated by the output of the power control circuit D employing a Schmitt circuit configuration. In this power control circuit D, when the input signal input via line b exceeds a predetermined discrimination level, the diode D3 becomes conductive.
Before that, a transistor 25 is connected via resistors 9 and 10.
turns on, and current flows from the connection point with the emitter of transistor 26 through resistor R11 . However, when transistor 26 is turned on due to conduction of diode D3 , transistor 2
Only the saturation voltage between the collector and emitter of transistor 26 is applied between the base and emitter of transistor 5, transistor 25 is turned off, and base bias is supplied to transistor 27 through two diodes D 4 and D 5 . is turned on, transistor 28 is also turned on, and an output is produced on line d. The input of this power control circuit D is line b, and this line b is connected to a constant voltage circuit E. In constant voltage circuit E, transistor 2
9 and 30 constitute a thyristor. When the voltage V 1 on line c exceeds the base-emitter voltage V 2 at which transistor 29 becomes conductive, transistors 29 and 30 remain conductive. When the sum of the forward voltage drops of the plurality of diodes D 6 to D 11 connected to the base of the transistor 29 is Vd, and the collector-emitter voltage at which the transistor 30 can be conductive is V3, V1>Vd+V3... When (1) is established, the base voltages of the transistors 29 and 31 are fixed to Vd. Transistor 29,3
A diode D 12 is connected to the transistor 30, and a resistor R 12 is connected between the collector and emitter of the transistor 30. The aforementioned resistance R 12
acts to operate the thyristor consisting of transistors 29 and 30 when voltage V1 is applied to line c, and has a high resistance value. A resistor R 13 is connected in series to the transistor 29 .

このような状態で、ラインcの電圧が変動して
も、ダイオードD12,D6〜D11、トランジスタ2
9,30および抵抗R13から成る構成によつて、
定電流動作が達成される。したがつてダイオード
D6〜D11間の順方向電圧降下Vdは常に一定であ
り、ラインbには安定な一定の電圧が出力され
る。この定電流値I1は第2式で決定される。
In this state, even if the voltage on line c fluctuates, diodes D 12 , D 6 to D 11 and transistor 2
9, 30 and resistor R 13 ,
Constant current operation is achieved. Therefore the diode
The forward voltage drop Vd between D 6 and D 11 is always constant, and a stable constant voltage is output to line b. This constant current value I1 is determined by the second equation.

I1=Vd−V2/R13 ……(2) このような定電圧回路Eを、ラインcとライン
bとの間に介在させることによつて、ラインcに
高い電圧が印加された場合であつても、ラインb
の電圧はそれよりも低い一定の電圧に保たれる。
したがつてリレーコイル2,3における電力消費
が無駄に浪費されることが抑えられる。またライ
ンbの電圧が安定化されることによつて、パルス
発生回路C、電力制御用回路Dの動作が安定とな
り、ラツチングリレー1の動作を確実に行なうこ
とができるようになる。
I1=Vd-V2/R 13 ...(2) By interposing such a constant voltage circuit E between line c and line b, when a high voltage is applied to line c, However, line b
voltage is kept at a constant voltage lower than that.
Therefore, the power consumption in the relay coils 2 and 3 is prevented from being wasted. Furthermore, by stabilizing the voltage on line b, the operations of the pulse generating circuit C and the power control circuit D become stable, and the latching relay 1 can operate reliably.

再び第1図を参照して、スイツチ32を介する
直流電源33からの信号は、ラインcから定電圧
回路Eを経てラインbに与えられる。
Referring again to FIG. 1, a signal from DC power supply 33 via switch 32 is applied from line c through constant voltage circuit E to line b.

第4図を参照して、スイツチ32を押圧操作す
ることによりラインbに第4図bに示す波形を有
する入力信号を与えた場合を想定する。シユミツ
ト回路を含む電力制御用回路Dは、ラインdに第
4図dに示す波形出力を導出し、このラインdが
ハイレベルにあると、パルス発生回路Cが動作す
る。パルス発生回路Cは第4図aに示す波形を電
力制御用回路Dからの出力に応答して導出する。
ここで、フリツプフロツプBは、セツト状態にあ
り、したがつてリレースイツチ4がオフしている
ものとする。これによつて反転回路Hの出力はハ
イレベルであり反転回路Fの出力はローレベルと
なり反転回路Gの出力はハイレベルとなる。反転
回路Hからの出力波形は第4図eに示される。
NANDゲートJからは第4図gに示されるパル
スが導出され、これによつてフリツプフロツプB
がリセツトされる。リセツト出力の出力波形は
第4図hに示される。こうしてトランジスタ6が
導通状態となり、リレーコイル2が励磁され、リ
レースイツチ4,5のスイツチング状態が変化
し、リレースイツチ4は導通することになる。リ
レースイツチ4のスイツチング態様は、第4図i
に示される。スイツチ32をオフすることによつ
て、電力制御用回路Dが遮断し、これによつてフ
リツプフロツプBおよびリレーコイル2,3の電
力付勢が解除される。このときリレースイツチ
4,5のスイツチング態様は自己保持される。
Referring to FIG. 4, assume that an input signal having a waveform shown in FIG. 4b is applied to line b by pressing the switch 32. The power control circuit D including the Schmitt circuit derives a waveform output shown in FIG. 4D on the line d, and when the line d is at a high level, the pulse generation circuit C operates. The pulse generating circuit C derives the waveform shown in FIG. 4a in response to the output from the power control circuit D.
Here, it is assumed that flip-flop B is in the set state and therefore relay switch 4 is off. As a result, the output of the inverting circuit H becomes high level, the output of the inverting circuit F becomes low level, and the output of the inverting circuit G becomes high level. The output waveform from inverting circuit H is shown in FIG. 4e.
The pulse shown in FIG. 4g is derived from the NAND gate J, which causes the flip-flop B
is reset. The output waveform of the reset output is shown in FIG. 4h. In this way, the transistor 6 becomes conductive, the relay coil 2 is excited, the switching states of the relay switches 4 and 5 change, and the relay switch 4 becomes conductive. The switching mode of relay switch 4 is shown in Fig. 4i.
is shown. By turning off switch 32, power control circuit D is cut off, thereby de-energizing flip-flop B and relay coils 2 and 3. At this time, the switching mode of relay switches 4 and 5 is self-maintained.

再びスイツチ32を導通すると、リレースイツ
チ4は前述のとおりオンしているので、反転回路
Fの出力はハイレベルである。従つてパルス発生
回路Cからの出力はNANDゲートIを介して第
4図kに示されるように導出される。これによつ
てドライブ回路Aのトランジスタ7がオンし、リ
レーコイル3が励磁され、応じてリレースイツチ
4がオフし、リレースイツチ5のスイツチング態
様が変わる。その後、スイツチ32をオフする
と、リレーコイル3の励磁が解除されるけれど
も、その後においてはリレースイツチ4,5のス
イツチング態様が自己保持される。
When the switch 32 is turned on again, the output of the inverting circuit F is at a high level because the relay switch 4 is on as described above. Therefore, the output from the pulse generating circuit C is derived via the NAND gate I as shown in FIG. 4k. As a result, the transistor 7 of the drive circuit A is turned on, the relay coil 3 is excited, and the relay switch 4 is accordingly turned off, changing the switching mode of the relay switch 5. Thereafter, when the switch 32 is turned off, the excitation of the relay coil 3 is canceled, but thereafter the switching mode of the relay switches 4 and 5 is self-maintained.

反転回路Kはパルス発生回路Cの出力をベース
電圧とするトランジスタ34で構成され、反転回
路G及びHはリレースイツチ4の出力をベース電
圧とするトランジスタ35,36で構成され、更
に反転回路Fは反転回路Hを構成するトランジス
タ36のコレクタに生じる出力をもつてベース電
圧としたトランジスタ37で構成されている。
The inverting circuit K is composed of a transistor 34 whose base voltage is the output of the pulse generating circuit C, the inverting circuits G and H are composed of transistors 35 and 36 whose base voltage is the output of the relay switch 4, and the inverting circuit F is composed of transistors 35 and 36 whose base voltage is the output of the relay switch 4. The inversion circuit H is composed of a transistor 37 whose base voltage is an output generated at the collector of a transistor 36.

NAND回路I,Jは互いに順方向ダイオード
D13,D14,D15,D16をベースに接続したトラン
ジスタ38と39によつて構成されている。V〜
ZはIC化した場合に外部端子となる端子である。
NAND circuits I and J are forward diodes
It is composed of transistors 38 and 39 whose bases are connected to D 13 , D 14 , D 15 , and D 16 . V~
Z is a terminal that becomes an external terminal when integrated into an IC.

以上説明したように本発明によれば、入力信号
をレベル弁別し、これによつてパルス発生してフ
リツプフロツプの安定状態を変化させ、そのフリ
ツプフロツプ出力に応じてラツチングリレーのリ
レースイツチのスイツチング態様を切換えるよう
にしたので、ラツチングリレーのコイルのインダ
クタンスの悪影響によつて誤動作が生じることは
全くなく、入力信号に正確に応答したスイツチン
グ態様の切換えが可能となる。
As explained above, according to the present invention, the input signal is level-discriminated, pulses are generated thereby to change the stable state of the flip-flop, and the switching mode of the relay switch of the latching relay is changed according to the flip-flop output. Since the latching relay is switched, malfunctions do not occur due to the adverse effects of the inductance of the coil of the latching relay, and the switching mode can be changed accurately in response to the input signal.

更に本発明は、従来の如くコンデンサの充放電
によつてラツチングリレーのセツト、リセツトを
行なわずして、フリツプフロツプのNANDゲー
ト及び反転回路との組合せによつて行つたから
IC化が可能となり、小型化への進展が図れる効
果がある。
Furthermore, the present invention does not set and reset the latching relay by charging and discharging a capacitor as in the prior art, but instead uses a flip-flop in combination with a NAND gate and an inverting circuit.
This has the effect of making it possible to use ICs and progressing toward miniaturization.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図面は本発明ラツチングリレーのIC化駆動制
御回路の一実施例を示し、第1図はブロツク図、
第2図は具体的回路図、第3図はパルス発生回路
の波形図、第4図は第2図の動作を説明するため
の波形図である。 1……2巻線ラツチングリレー、2,3……リ
レーコイル、A……リレードライブ回路、B……
フリツプフロツプ、C……パルス発生回路、D…
…電力制御用回路、E……定電圧回路、F,G,
H,K……反転回路、I,J……NANDゲート、
33……スイツチ。
The drawings show an embodiment of the IC drive control circuit for the latching relay of the present invention, and FIG. 1 is a block diagram;
2 is a specific circuit diagram, FIG. 3 is a waveform diagram of the pulse generating circuit, and FIG. 4 is a waveform diagram for explaining the operation of FIG. 2. 1... 2-winding latching relay, 2, 3... Relay coil, A... Relay drive circuit, B...
Flip-flop, C...Pulse generation circuit, D...
...Electric power control circuit, E... Constant voltage circuit, F, G,
H, K...inversion circuit, I, J...NAND gate,
33...Switch.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 フリツプフロツプの2つの安定状態に応答し
てラツチングリレーのスイツチング状態を変える
リレーコイルを励磁するリレードライブ回路部
と、定電圧源に1個のダイオードを介してベース
が接続される第1のトランジスタ、同第1のトラ
ンジスタのコレクタエミツタ回路がベースエミツ
タ間に接続されるとともに、ベースが抵抗を介し
て前記定電圧源に接続され、前記ダイオードの導
通前に導通し、前記第1のトランジスタの導通で
しや断される第2のトランジスタおよび同第2の
トランジスタで制御され、同第2のトランジスタ
のしや断時に導通して出力パルスを発生する第3
のトランジスタとを含んで構成される電力制御用
回路部と、直列接続された複数個のダイオードと
トランジスタを含み、前記定電圧源を構成する定
電圧回路部と、複数個のトランジスタを縦属接続
して構成され、前記電力制御回路部の出力に応答
して動作し、同出力の発生後所定の時間遅れをも
つて所定のパルス幅の出力パルスを発生するパル
ス発生回路部と、同回路部の出力パルスと前記ラ
ツチングリレーの1つのスイツチング状態に応答
し、他の1つのスイツチング状態に対応した安定
状態に前記フリツプフロツプを設定する2個の
NANDゲートとを具備していることを特徴とす
るラツチングリレーの駆動回路。
1. A relay drive circuit section that excites a relay coil that changes the switching state of the latching relay in response to the two stable states of the flip-flop, and a first transistor whose base is connected to a constant voltage source via one diode. , the collector-emitter circuit of the first transistor is connected between the base and emitter, and the base is connected to the constant voltage source via a resistor, and is made conductive before the diode is made conductive, and the first transistor is made conductive. and a third transistor that is controlled by the second transistor and conducts when the second transistor is disconnected to generate an output pulse.
a power control circuit section that includes a transistor, a constant voltage circuit section that includes a plurality of series-connected diodes and transistors and that constitutes the constant voltage source, and a plurality of transistors that are connected in series. a pulse generation circuit section configured as shown in FIG. two flip-flops responsive to the output pulse of the latching relay and the switching state of one of the latching relays to set the flip-flop in a stable state corresponding to the switching state of the other one.
A latching relay drive circuit characterized by comprising a NAND gate.
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