JPH0319599B2 - - Google Patents
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- JPH0319599B2 JPH0319599B2 JP57099937A JP9993782A JPH0319599B2 JP H0319599 B2 JPH0319599 B2 JP H0319599B2 JP 57099937 A JP57099937 A JP 57099937A JP 9993782 A JP9993782 A JP 9993782A JP H0319599 B2 JPH0319599 B2 JP H0319599B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resistance
- layer
- measurement
- measured
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K13/00—Thermometers specially adapted for specific purposes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
- G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、蒸着又はスパツタリングによつて
基板上に析出する薄い金属伝導層の成長中の電気
抵抗と温度を測定する装置に関する。層形成装置
としては排気可能の装填室を備える排気容器が使
用され、析出基板保持体は可動的に構成され、層
の電気抵抗は特定の形状を持ち低抵抗接触を備え
る参照基板について二点法又は四点法によつて測
定され、基板温度は抵抗温度計を使用して測定さ
れる。
基板上に析出する薄い金属伝導層の成長中の電気
抵抗と温度を測定する装置に関する。層形成装置
としては排気可能の装填室を備える排気容器が使
用され、析出基板保持体は可動的に構成され、層
の電気抵抗は特定の形状を持ち低抵抗接触を備え
る参照基板について二点法又は四点法によつて測
定され、基板温度は抵抗温度計を使用して測定さ
れる。
薄い電気伝導層例えば半導体デバイスの導体路
あるいは薄膜回路の抵抗層を製作する際には、電
気特性の許容限度とその一定性に対して高度の要
求が課せられる。例えばCr−Ni，Al−Ta，Cr−
Si等の薄膜抵抗の場合面抵抗の絶対値のチヤージ
毎の変化は少数％しか許されず、電気抵抗の温度
係数は10-6K-1程度が要求される。更に時として
厚さが10nm程度の層に対して電気抵抗の変化が
数年間に少数％内に収まることが要求される。
あるいは薄膜回路の抵抗層を製作する際には、電
気特性の許容限度とその一定性に対して高度の要
求が課せられる。例えばCr−Ni，Al−Ta，Cr−
Si等の薄膜抵抗の場合面抵抗の絶対値のチヤージ
毎の変化は少数％しか許されず、電気抵抗の温度
係数は10-6K-1程度が要求される。更に時として
厚さが10nm程度の層に対して電気抵抗の変化が
数年間に少数％内に収まることが要求される。
このように高い再現性を達成するためには、蒸
着設備又は陰極スパツタリング装置の残留ガス圧
は10-6mbar以下でなければならない。短いサイ
クル時間をもつて多量生産す製産設備という条件
の下でこのように低い残留ガス圧を達成するため
には、蒸着又はスパツタリング容器に真空装填室
を設け、この装填室を開いて基板を基板保持体例
えばパレツト上にとりつけ、装填室を閉鎖して一
定の終圧に達した後パレツトと共に基板を層形成
室に移す。この種の装填室を備えた層成長装置の
一例は西独国特許出願公開第2909804号により公
知である。成長層が要求される均一性を保つため
には層成長中基板を動かして装置内で基板が一定
の位置に固定されないようにすることが必要であ
る。
着設備又は陰極スパツタリング装置の残留ガス圧
は10-6mbar以下でなければならない。短いサイ
クル時間をもつて多量生産す製産設備という条件
の下でこのように低い残留ガス圧を達成するため
には、蒸着又はスパツタリング容器に真空装填室
を設け、この装填室を開いて基板を基板保持体例
えばパレツト上にとりつけ、装填室を閉鎖して一
定の終圧に達した後パレツトと共に基板を層形成
室に移す。この種の装填室を備えた層成長装置の
一例は西独国特許出願公開第2909804号により公
知である。成長層が要求される均一性を保つため
には層成長中基板を動かして装置内で基板が一定
の位置に固定されないようにすることが必要であ
る。
層成長過程の終りを精確に決定するためには、
層成長中その電気抵抗を測定するのが技術的に有
利である。これによつて完成した層に要求されて
いる電気的特性、例えば面抵抗が達成されたこと
を測定することができる。更に層の成長をその最
初の段階、即ち単一層の段階から追求し、適当に
制御することも可能である（特開昭56−133458号
参照）。
層成長中その電気抵抗を測定するのが技術的に有
利である。これによつて完成した層に要求されて
いる電気的特性、例えば面抵抗が達成されたこと
を測定することができる。更に層の成長をその最
初の段階、即ち単一層の段階から追求し、適当に
制御することも可能である（特開昭56−133458号
参照）。
層の成長中の基板温度（20℃乃至500℃）は層
の電気特性と安定性に敏感に影響するから、この
量を検知することも層形成過程の再現性に関して
重要である。
の電気特性と安定性に敏感に影響するから、この
量を検知することも層形成過程の再現性に関して
重要である。
この発明の目的は、層成長過程の中途で電気抵
抗を測定することができる測定装置を提供するこ
とである。この測定装置には次の諸点が考慮され
ている。
抗を測定することができる測定装置を提供するこ
とである。この測定装置には次の諸点が考慮され
ている。
ａ 装填室を備える設備を使用しなければならな
い。
い。
ｂ 均質層を作るため基板保持体が動くようにな
つている。
つている。
ｃ 電気抵抗の測定と同時に500℃までの基板温
度を測定することができる。
度を測定することができる。
この発明による測定装置は、層成長中イオン又
は電子又はその双方が基板を照射する場合にも、
測定可能であることが必要である。
は電子又はその双方が基板を照射する場合にも、
測定可能であることが必要である。
蒸着又は陰極スパツタリング装置において層成
長中抵抗を測定することは既に種々の形式で解決
されている。第一の方法は位置を固定された参照
基板を使用するもので、多数の実験によつて可動
基板と参照基板との間の対応を決めておく。別の
一例はすべり接触を使用して動く基板の電気抵抗
を検出する。この方法は基板が層成長室内の特定
の位置を占めているときに限つて有効であるか
ら、装填室のない設備又は基板が一つの軸の回り
に回転し基板保持体がこの回転軸に固定結合され
ている設備に限定される。動く基板にたわみ性の
針金を接触させる方法に対しても同様な制限があ
る。この場合層成長中に回転方向を度々反転し
て、巻き取られた針金を又巻戻すようにしなけれ
ばならない。
長中抵抗を測定することは既に種々の形式で解決
されている。第一の方法は位置を固定された参照
基板を使用するもので、多数の実験によつて可動
基板と参照基板との間の対応を決めておく。別の
一例はすべり接触を使用して動く基板の電気抵抗
を検出する。この方法は基板が層成長室内の特定
の位置を占めているときに限つて有効であるか
ら、装填室のない設備又は基板が一つの軸の回り
に回転し基板保持体がこの回転軸に固定結合され
ている設備に限定される。動く基板にたわみ性の
針金を接触させる方法に対しても同様な制限があ
る。この場合層成長中に回転方向を度々反転し
て、巻き取られた針金を又巻戻すようにしなけれ
ばならない。
層成長中基板温度を無接触測定するためには赤
外線測定器が使用されているが、この場合ガラス
フアイバ光学系の表面にも層が成長するため測定
精度に問題を生ずる。
外線測定器が使用されているが、この場合ガラス
フアイバ光学系の表面にも層が成長するため測定
精度に問題を生ずる。
この発明によれば測定系を独立したユニツトと
して可動基板保持体にとりつけ、測定データの伝
送を電磁波によつて無接触に実施することにより
宿期の目的が達成される。
して可動基板保持体にとりつけ、測定データの伝
送を電磁波によつて無接触に実施することにより
宿期の目的が達成される。
測定データの伝送に遠隔測定系を使用し、パル
ス符号変調法（PCM）によつて実施することも
この発明の枠内にある。
ス符号変調法（PCM）によつて実施することも
この発明の枠内にある。
この発明の特に有利な実施例においては、測定
装置が、 ａ 個々の測定個所（参照基板、温度）をサイク
リツクに走査しアナログ測定電圧をデイジタル
信号に変換する変換器（PCM変調器）、 ｂ 変換器および給電部分と共に独立した測定系
として可動基板保持体の上又は下に設けられた
送信器、 ｃ 層形成容器の内側に絶縁して設けられた受信
アンテナ、 ｄ 層形成容器の外側に設けられ信号の仕上げを
行なう受信器 から構成される。
装置が、 ａ 個々の測定個所（参照基板、温度）をサイク
リツクに走査しアナログ測定電圧をデイジタル
信号に変換する変換器（PCM変調器）、 ｂ 変換器および給電部分と共に独立した測定系
として可動基板保持体の上又は下に設けられた
送信器、 ｃ 層形成容器の内側に絶縁して設けられた受信
アンテナ、 ｄ 層形成容器の外側に設けられ信号の仕上げを
行なう受信器 から構成される。
測定データの遠隔伝送には、受信器としてアン
テナを備える高周波発信器、基板保持体と層形成
容器との間の誘導的又は容量的の結合、あるいは
赤外受信器を受信アンテナとする赤外送信器の使
用が考えられる。
テナを備える高周波発信器、基板保持体と層形成
容器との間の誘導的又は容量的の結合、あるいは
赤外受信器を受信アンテナとする赤外送信器の使
用が考えられる。
この発明の展開においては、測定データが始め
からデイジタル形式で与えられる場合これを直接
プロセス計算機に入れ、そこで直ちに計測を実施
する。
からデイジタル形式で与えられる場合これを直接
プロセス計算機に入れ、そこで直ちに計測を実施
する。
この発明の一つの実施例においては、全測定系
がミニアチユア化され、他の部分を妨害すること
なく基板保持体に固定することができる。このミ
ニチユア構造においては例えば導体路、抵抗、容
量およびインダクタンス等の受動素子が原膜又は
薄膜技術によりセラミツク又はガラスの基板にと
りつけられる。これらの素子を構成する層の厚さ
は10nmと5000nmの間にある。能動素子例えばダ
イオード、トランジスタ等はこの回路に後から集
積構造として設けられる。更に測定系は層成長容
器の真空度が測定系の材料の蒸発によつて低下し
ないように構成される。そのためには特殊な材料
と素子を選ぶか総ての部品をカプセルに収める。
熱源に対して反対側の基板保持体表面に熱絶縁し
て組立てることにより、測定系を層の成長温度が
高い場合にも使用することができる。測定系への
電流供給は電池によるかすべり接触部を通して外
部から、あるいはプラズマ光で照射される太陽電
池による。
がミニアチユア化され、他の部分を妨害すること
なく基板保持体に固定することができる。このミ
ニチユア構造においては例えば導体路、抵抗、容
量およびインダクタンス等の受動素子が原膜又は
薄膜技術によりセラミツク又はガラスの基板にと
りつけられる。これらの素子を構成する層の厚さ
は10nmと5000nmの間にある。能動素子例えばダ
イオード、トランジスタ等はこの回路に後から集
積構造として設けられる。更に測定系は層成長容
器の真空度が測定系の材料の蒸発によつて低下し
ないように構成される。そのためには特殊な材料
と素子を選ぶか総ての部品をカプセルに収める。
熱源に対して反対側の基板保持体表面に熱絶縁し
て組立てることにより、測定系を層の成長温度が
高い場合にも使用することができる。測定系への
電流供給は電池によるかすべり接触部を通して外
部から、あるいはプラズマ光で照射される太陽電
池による。
実施例と図面によつてこの発明を更に詳細に説
明する。
明する。
実施例として平坦な基板保持体を使用する陰極
スパツタリング設備に対する測定系をとる。層形
成材料の供給と基板の加熱は上から行われる。ス
パツタリングによつて成長する層の電気抵抗の測
定は、第１図に示した低抵抗接触部２を備える参
照基板１について行われる。この参照基板１，２
には第２図に示すように四点法による抵抗測定の
ために測定端子３，４，５，６が設けられる。こ
れらの端子は下から基板パレツト７を貫通し、参
照基板１に設けられている低抵抗接触部２がその
上に乗せられる。直流又は交流を使用し二点法に
よつて抵抗を測定することも可能である。直流抵
抗測定の場合には定電流（通常0.1μAと1mAの
間）を抵抗に流す。抵抗に生ずる電圧降下が測定
量として変換器（PCM変調器）に導かれる。良
好な測定信号を作るためPCM変調器の前にフイ
ルタと測定増幅器を接続しても良い。
スパツタリング設備に対する測定系をとる。層形
成材料の供給と基板の加熱は上から行われる。ス
パツタリングによつて成長する層の電気抵抗の測
定は、第１図に示した低抵抗接触部２を備える参
照基板１について行われる。この参照基板１，２
には第２図に示すように四点法による抵抗測定の
ために測定端子３，４，５，６が設けられる。こ
れらの端子は下から基板パレツト７を貫通し、参
照基板１に設けられている低抵抗接触部２がその
上に乗せられる。直流又は交流を使用し二点法に
よつて抵抗を測定することも可能である。直流抵
抗測定の場合には定電流（通常0.1μAと1mAの
間）を抵抗に流す。抵抗に生ずる電圧降下が測定
量として変換器（PCM変調器）に導かれる。良
好な測定信号を作るためPCM変調器の前にフイ
ルタと測定増幅器を接続しても良い。
参照基板１の上には特定の寸法の絞り板８がと
りつけられ、それによつて参照基板１上に特定形
状の層が形成される。絞り８は絞りと測定対象の
層の間に短絡が生じないように構成される。これ
は後で第４図に示されている。絞り８の形状によ
つて測定層の比電気抵抗に対応して抵抗の絶対値
を調整することができる。
りつけられ、それによつて参照基板１上に特定形
状の層が形成される。絞り８は絞りと測定対象の
層の間に短絡が生じないように構成される。これ
は後で第４図に示されている。絞り８の形状によ
つて測定層の比電気抵抗に対応して抵抗の絶対値
を調整することができる。
第３図に示したように参照基板１はパレツト７
の凹み（矢印９）内に置かれ、抵抗測定用の導線
１０，１１は下からパレツト７を貫通するばね付
きの端子１２を介して低抵抗接触部３，５に接触
する。これによつて参照基板１が基板パレツト７
に固定される。温度測定は、パレツトの表面にと
りつけられかつパレツトを貫通する測定導線１６
に結合された抵抗温度計１４，１５による。変換
器（PCM変調器）、送信器および電源から成る測
定系１８は基板パレツトの下に置かれる。そのた
めに基板パレツト７の下に第二のパレツト１７が
設けられ、熱伝導度の低い間隔片１９を介して本
来の基板パレツト７に結合されている。測定系１
８は送信器を含めてミニアチユア構造として作ら
れ、比較的大きな横方向の拡がりに対して高さは
低く、パレツト７と１７の間にはそれを収容する
充分な空間が存在する。二重パレツト系７，１７
の全高は例えば20mm程度である。２０は絶縁部品
である。
の凹み（矢印９）内に置かれ、抵抗測定用の導線
１０，１１は下からパレツト７を貫通するばね付
きの端子１２を介して低抵抗接触部３，５に接触
する。これによつて参照基板１が基板パレツト７
に固定される。温度測定は、パレツトの表面にと
りつけられかつパレツトを貫通する測定導線１６
に結合された抵抗温度計１４，１５による。変換
器（PCM変調器）、送信器および電源から成る測
定系１８は基板パレツトの下に置かれる。そのた
めに基板パレツト７の下に第二のパレツト１７が
設けられ、熱伝導度の低い間隔片１９を介して本
来の基板パレツト７に結合されている。測定系１
８は送信器を含めてミニアチユア構造として作ら
れ、比較的大きな横方向の拡がりに対して高さは
低く、パレツト７と１７の間にはそれを収容する
充分な空間が存在する。二重パレツト系７，１７
の全高は例えば20mm程度である。２０は絶縁部品
である。
第４図は第２の−線に沿う断面を示すもの
で、第１図、第２図、第３図と対応する部分には
同じ符号がつけてある。
で、第１図、第２図、第３図と対応する部分には
同じ符号がつけてある。
二重パレツト７，１７内に組み込まれた測定系
１８は第５図に示すように送信器２７と共に一つ
の独立系を構成する。回転するパレツト７，１７
からの測定データの伝送には遠隔測定系が使用さ
れ、層１，２において測定された電圧を伝送可能
なパルス符号変調信号に変換する変換器はパレツ
トの下に置かれる。送信器２７を含む測定装置１
８は電池２８によつて動作する。受信アンテナ２
１は高周波伝送技術による場合層成長容器２２内
にあつて、真空絶縁碍子２３を通して外に引き出
される。受信した遠隔測定データを処理するユニ
ツト、即ち受信装置２９は容器２２の外に置かれ
る。測定データはデイジタル信号又はアナログ信
号として計測される。デイジタル信号のときは直
接計算機３０に導き、直ちに計測し、必要があれ
ば各層成長パラメータに対する補正係数を計算し
てこのパラメータを適当に変更する。
１８は第５図に示すように送信器２７と共に一つ
の独立系を構成する。回転するパレツト７，１７
からの測定データの伝送には遠隔測定系が使用さ
れ、層１，２において測定された電圧を伝送可能
なパルス符号変調信号に変換する変換器はパレツ
トの下に置かれる。送信器２７を含む測定装置１
８は電池２８によつて動作する。受信アンテナ２
１は高周波伝送技術による場合層成長容器２２内
にあつて、真空絶縁碍子２３を通して外に引き出
される。受信した遠隔測定データを処理するユニ
ツト、即ち受信装置２９は容器２２の外に置かれ
る。測定データはデイジタル信号又はアナログ信
号として計測される。デイジタル信号のときは直
接計算機３０に導き、直ちに計測し、必要があれ
ば各層成長パラメータに対する補正係数を計算し
てこのパラメータを適当に変更する。
第５図のブロツクダイヤグラムに記入されてい
る番号は次のものを表わしている。
る番号は次のものを表わしている。
１と２：成長層、１４と１５：抵抗温度計、２
５：抵抗測定器、２６：変換器（PCM変調器）、
２７：送信機、２８：電源、２１：受信アンテ
ナ、２３：アンテナ用の真空絶縁碍子、２９：受
信機、３０：計算機。
５：抵抗測定器、２６：変換器（PCM変調器）、
２７：送信機、２８：電源、２１：受信アンテ
ナ、２３：アンテナ用の真空絶縁碍子、２９：受
信機、３０：計算機。
矢印３１は容器２２の排気を表わし、二重矢印
３２は装填室を暗示している。破線区域３３は別
の測定個所を追加できることを示す。
３２は装填室を暗示している。破線区域３３は別
の測定個所を追加できることを示す。
PCM変調器２６は各測定個所をサイクリツク
に走査し、アナログ測定電圧をデイジタル量の変
換する。
に走査し、アナログ測定電圧をデイジタル量の変
換する。
第１図は測定に使用される参照基板の平面図、
第２図は絞りと測定接点を設けた参照基板の平面
図、第３図と第４図は第２図の参照基板と測定系
の断面図、第５図は測定装置全体のブロツク接続
図である。第５図において １，２：成長層、１４，１５：抵抗温度計、２
５：抵抗測定器、２６：変換器、２７：送信器、
２１：受信アンテナ、２９：受信器、３０：計算
機。
第２図は絞りと測定接点を設けた参照基板の平面
図、第３図と第４図は第２図の参照基板と測定系
の断面図、第５図は測定装置全体のブロツク接続
図である。第５図において １，２：成長層、１４，１５：抵抗温度計、２
５：抵抗測定器、２６：変換器、２７：送信器、
２１：受信アンテナ、２９：受信器、３０：計算
機。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 層成長装置として排気可能の装填室３２を持
つ排気容器２２が使用され、成長基板保持体７，
１７が移動可能であり、層１，２の電気抵抗が特
定の形状を持ち抵抗接触２を備える参照基板１上
で二点又は四点法によつて測定され、基板温度が
抵抗温度計１４，１５を使用して測定される蒸着
又はスパツタリングによつて基板上に析出する薄
い金属伝導層の電気抵抗と温度を層の成長中に測
定する装置において、測定データの伝送がパルス
符号変調法（PCM）の電磁波によつて行われる
ように遠隔測定系１８が独立したユニツトとして
可動基板保持体７，１７にとりつけられ、該測定
系１８が以下の伝送ユニツトすなわち ａ 各測定箇所（参照基板、温度）をサイクリツ
クに走査したアナログ測定電圧をデジタル信号
に変換する変換器２５，２６、 ｂ 変換器２５，２６ならびに給電電源２８に接
続されている送信器２７、 ｃ 排気容器２２の内面に絶縁してとりつけられ
ている受信アンテナ２１、 ｄ 排気容器２２の外で受信アンテナ２１に接続
されており、信号の仕上げを行う受信器２９、 から成ることを特徴とする成長中の金属層の電気
抵抗と温度の測定装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3123427A DE3123427C2 (de) | 1981-06-12 | 1981-06-12 | Anordnung zum Messen des elektrischen Widerstandes und der Temperatur von durch Aufdampfen oder Aufstäuben auf Substraten abgeschiedenen dünnen, metallischleitenden Schichten während der Schichtherstellung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57211696A JPS57211696A (en) | 1982-12-25 |
| JPH0319599B2 true JPH0319599B2 (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=6134596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57099937A Granted JPS57211696A (en) | 1981-06-12 | 1982-06-10 | Apparatus for measuring electric resistance and temperature of growing metal layer |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4543576A (ja) |
| EP (1) | EP0067432B1 (ja) |
| JP (1) | JPS57211696A (ja) |
| AT (1) | ATE22626T1 (ja) |
| DE (1) | DE3123427C2 (ja) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3340719A1 (de) * | 1983-11-10 | 1985-05-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur messung des elektrischen widerstandes von unter dem einfluss eines plasmas hergestellten, duennen, metallischen schichten waehrend ihrer herstellung |
| DE3405559A1 (de) * | 1984-02-16 | 1985-08-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur kontrolle und regelung der zusammensetzung und der schichtdicke von metallisch leitenden legierungsschichten waehrend ihrer herstellung |
| NL8401721A (nl) * | 1984-05-29 | 1985-12-16 | Leer Koninklijke Emballage | Werkwijze en stelsel voor het produceren van een reactief gesputterde geleidende transparante metaaloxidefilm op een doorlopende materiaalbaan. |
| US4756923A (en) * | 1986-07-28 | 1988-07-12 | International Business Machines Corp. | Method of controlling resistivity of plated metal and product formed thereby |
| DE3637565A1 (de) * | 1986-11-04 | 1988-05-05 | Rolf Schuster | Temperaturmessvorrichtung |
| US4767496A (en) * | 1986-12-11 | 1988-08-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for controlling and supervising etching processes |
| US4810335A (en) * | 1987-01-20 | 1989-03-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for monitoring etching processes |
| DE3710365A1 (de) * | 1987-03-28 | 1988-10-13 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Verfahren zur reproduzierbaren bildung von materialschichten und/oder behandlung von halbleiter-materialschichten |
| DE3881251D1 (de) * | 1987-03-31 | 1993-07-01 | Siemens Ag | Sensor zur messung des stromes oder der spannung von auf einem referenzsubstrat vorhandenen elektrisch leitenden schichten. |
| FR2623291B1 (fr) * | 1987-11-17 | 1990-03-16 | France Etat | Dispositif de caracterisation electrique d'echantillons et application a la cartographie electrique d'echantillons semi-conducteurs de grande surface |
| IT1213861B (it) * | 1987-12-11 | 1990-01-05 | Galileo Spa Off | Strumento per la misura degli 'ohm per quadro' di pellicole metallizzate |
| US4868490A (en) * | 1988-09-14 | 1989-09-19 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for sheet resistance measurement of a wafer during a fabrication process |
| US4959244A (en) * | 1989-03-27 | 1990-09-25 | General Electric Company | Temperature measurement and control for photohermal processes |
| US5103182A (en) * | 1990-04-02 | 1992-04-07 | Texas Instruments Incorporated | Electromagnetic wave measurement of conductive layers of a semiconductor wafer during processing in a fabrication chamber |
| CA2039845A1 (en) * | 1990-04-09 | 1991-10-10 | Kiyoshi Nashimoto | Method and apparatus for processing substrate |
| DE4132562A1 (de) * | 1991-09-30 | 1993-04-08 | Siemens Ag | Verfahren zur in-situ bestimmung des schichtwiderstandes bzw. von prozessgroessen von unter dem einfluss eines plasmas hergestellten, duennen elektrisch leitenden schichten |
| GB9125771D0 (en) * | 1991-12-04 | 1992-02-05 | Electrotech Equipments Ltd | Deposition apparatus and methods |
| US5633033A (en) * | 1994-04-18 | 1997-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing chalcopyrite film |
| EP0706209A3 (en) * | 1994-10-06 | 1996-12-27 | Applied Materials Inc | Surface resistance measurement |
| US5747096A (en) * | 1994-12-19 | 1998-05-05 | Alliedsignal Inc. | Method for measuring the depositions, densification of etching rate of an electrically conductive body |
| US6244121B1 (en) * | 1998-03-06 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system |
| DE19958202C2 (de) | 1999-12-02 | 2003-08-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Metallschicht mit einer vorgegebenen Dicke |
| NL1017593C2 (nl) | 2001-03-14 | 2002-09-17 | Asm Int | Inspectiesysteem ten behoeve van procesapparaten voor het behandelen van substraten, alsmede een sensor bestemd voor een dergelijk inspectiesysteem en een werkwijze voor het inspecteren van procesapparaten. |
| US6668618B2 (en) | 2001-04-23 | 2003-12-30 | Agilent Technologies, Inc. | Systems and methods of monitoring thin film deposition |
| ES2247219T3 (es) * | 2002-05-10 | 2006-03-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Procedimiento para la determinacion in situ del espesor de una capa. |
| JP2004207687A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Sharp Corp | 半導体製造装置とそれを用いた半導体製造方法 |
| EP1636579A4 (en) * | 2003-06-10 | 2011-10-05 | Smiths Detection Inc | SENSOR ASSEMBLY |
| US7946759B2 (en) * | 2007-02-16 | 2011-05-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate temperature measurement by infrared transmission |
| JP5325217B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2013-10-23 | グラクソスミスクライン・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 材料加工における温度遠隔測定 |
| DE102013108988A1 (de) * | 2013-08-20 | 2015-03-12 | Von Ardenne Gmbh | Vakuumbeschichtungsanordnung |
| DE102018106466B3 (de) | 2018-03-20 | 2019-04-25 | Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf E.V. | Verfahren zur kontinuierlichen Bestimmung sämtlicher Komponenten eines Widerstandstensors von Dünnschichten |
| RU2757067C1 (ru) * | 2020-05-12 | 2021-10-11 | Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП") | Способ определения температуры горения реакционных многослойных нанопленок с эффектом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза |
| CN115424951B (zh) * | 2022-08-15 | 2025-07-18 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 反溅射率的测量方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD79240A (ja) * | ||||
| US3039355A (en) * | 1959-07-28 | 1962-06-19 | Suter Henry | Apparatus for indicating variations in the atmospheric index of refraction |
| DE1984959U (de) * | 1967-09-09 | 1968-05-02 | Dienes & Co K G | Vorrichtung zur kontaktlosen uebertragung von elektrischen messwerten. |
| US3609728A (en) * | 1969-01-21 | 1971-09-28 | Ball Corp | Portable remote location measuring system utilizing pulse width modulation |
| US3619612A (en) * | 1969-11-19 | 1971-11-09 | Caterpillar Tractor Co | Monitoring device for rotating systems |
| DD108559B1 (de) * | 1973-12-03 | 1979-11-28 | Verfahren zuer Steurung des Afdampfens von NiCr-Wiederstandsschichten | |
| US4332081A (en) * | 1978-06-22 | 1982-06-01 | North American Philips Corporation | Temperature sensor |
| DE2909804A1 (de) * | 1979-03-13 | 1980-09-18 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen duenner, dotierter metallschichten durch reaktives aufstaeuben |
| JPS5939645Y2 (ja) * | 1979-11-02 | 1984-11-06 | ダイキン工業株式会社 | 空調用フアン等回転体の流速測定装置 |
| DE3004149A1 (de) * | 1980-02-05 | 1981-08-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur reproduzierbaren herstellung metallischer schichten |
| US4422066A (en) * | 1981-10-08 | 1983-12-20 | Honeywell Inc. | Condition sensor interface means |
-
1981
- 1981-06-12 DE DE3123427A patent/DE3123427C2/de not_active Expired
-
1982
- 1982-05-25 US US06/381,898 patent/US4543576A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-06-10 JP JP57099937A patent/JPS57211696A/ja active Granted
- 1982-06-11 EP EP82105137A patent/EP0067432B1/de not_active Expired
- 1982-06-11 AT AT82105137T patent/ATE22626T1/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| JPS57211696A (en) | 1982-12-25 |
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