JPH0322697B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0322697B2 JPH0322697B2 JP25617085A JP25617085A JPH0322697B2 JP H0322697 B2 JPH0322697 B2 JP H0322697B2 JP 25617085 A JP25617085 A JP 25617085A JP 25617085 A JP25617085 A JP 25617085A JP H0322697 B2 JPH0322697 B2 JP H0322697B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- fet
- microwave
- measurement system
- coplanar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に関し、特に半導体基
板上に形成された電界効果トランジスタ（以下
FETと記す）の電極パターン形状に関するもの
である。
板上に形成された電界効果トランジスタ（以下
FETと記す）の電極パターン形状に関するもの
である。
第２図は従来のこの種の半導体装置のFETの
パターン形状を示す図であり、以下、砒化ガリウ
ムFETを例にとり説明する。
パターン形状を示す図であり、以下、砒化ガリウ
ムFETを例にとり説明する。
図において、半導体基板１中の破線で囲まれた
動作層５上に対向して形成された２つのソース電
極２ｃ，２ｄ及びドレイン電極３と、その間に形
成したゲート電極４ａ及び４ｂによりイントリン
シツクなFET部６が構成されており、ソース電
極２ｃ，２ｄ、ドレイン電極３及びゲート電極４
ａ，４ｂに、それぞれボンデイング用のソースパ
ツド７ａ，７ｂ、ドレインパツド８及びゲートパ
ツド９が付属している。
動作層５上に対向して形成された２つのソース電
極２ｃ，２ｄ及びドレイン電極３と、その間に形
成したゲート電極４ａ及び４ｂによりイントリン
シツクなFET部６が構成されており、ソース電
極２ｃ，２ｄ、ドレイン電極３及びゲート電極４
ａ，４ｂに、それぞれボンデイング用のソースパ
ツド７ａ，７ｂ、ドレインパツド８及びゲートパ
ツド９が付属している。
次にこのような電極パターンを有する従来の
FETのマイクロ波特性をオンウエハ状態で測定
する場合の動作について説明する。FETの数Ｇ
Hz以上におけるマイクロ波特性を絵オンウエハ状
態で測定する場合には、第２図ｃで示すような高
誘電体基板１０ａ，１０ｂ上に形成されたコプレ
ナー線路よりなるプローブニードル１３ａ，１３
ｂをFETの所定の電極と接触させて行なう、い
わゆるRFプロービング法が用いられている。
FETのマイクロ波特性をオンウエハ状態で測定
する場合の動作について説明する。FETの数Ｇ
Hz以上におけるマイクロ波特性を絵オンウエハ状
態で測定する場合には、第２図ｃで示すような高
誘電体基板１０ａ，１０ｂ上に形成されたコプレ
ナー線路よりなるプローブニードル１３ａ，１３
ｂをFETの所定の電極と接触させて行なう、い
わゆるRFプロービング法が用いられている。
この図において、１１ａ，１１ｂは信号線、１
２ａ〜１２ｄはグランド線であり、その特性イン
ピーダンスは、図中のａ及びｂの長さによりプロ
ープニードル１３ａ，１３ｂが接続される測定系
及び接続用伝送線路の特性インピーダンスZ0（通
常50Ω）と同一になるように設計されている。
２ａ〜１２ｄはグランド線であり、その特性イン
ピーダンスは、図中のａ及びｂの長さによりプロ
ープニードル１３ａ，１３ｂが接続される測定系
及び接続用伝送線路の特性インピーダンスZ0（通
常50Ω）と同一になるように設計されている。
このRFプローブニードルを用いて従来のFET
のソース接地でマイクロ波特性を測定する場合、
第２図ｂに示すように、入力用プローブニードル
１３ａの信号線１１ａをゲート電極４に、出力用
プローブニードル１３ｂの信号線１１ｂをドレイ
ン電極３に、またグランド線１２ｂ，１２ｃを２
個のソース電極２ｄ，２ｃの各々に接触させて行
なう必要があつた。しかしながら、このような方
法でFETの特性を測定する場合には、コプレナ
ー線路とグランド線１２ａ及び１２ｄはソース電
極と接触しておらず、その結果コプレナー線路１
２ａ，１２ｂは同電位とはならないものであつ
た。なおこれはコプレナー線路１２ｃ，１２ｄに
ついても同様である。
のソース接地でマイクロ波特性を測定する場合、
第２図ｂに示すように、入力用プローブニードル
１３ａの信号線１１ａをゲート電極４に、出力用
プローブニードル１３ｂの信号線１１ｂをドレイ
ン電極３に、またグランド線１２ｂ，１２ｃを２
個のソース電極２ｄ，２ｃの各々に接触させて行
なう必要があつた。しかしながら、このような方
法でFETの特性を測定する場合には、コプレナ
ー線路とグランド線１２ａ及び１２ｄはソース電
極と接触しておらず、その結果コプレナー線路１
２ａ，１２ｂは同電位とはならないものであつ
た。なおこれはコプレナー線路１２ｃ，１２ｄに
ついても同様である。
従来の半導体装置は以上のように構成されてお
り、各プローブニードルの２つのコプレナー線路
が同電位にならないので、プローブニードルを含
む測定系とイントリンシツクFET部とのインピ
ーダンス整合がとれず、RF信号を半導体装置に
入力する際に反射、損失が増大し、イントリンシ
ツクFET部のマイクロ波特性の正確な値が得ら
れないなどの欠点があつた。
り、各プローブニードルの２つのコプレナー線路
が同電位にならないので、プローブニードルを含
む測定系とイントリンシツクFET部とのインピ
ーダンス整合がとれず、RF信号を半導体装置に
入力する際に反射、損失が増大し、イントリンシ
ツクFET部のマイクロ波特性の正確な値が得ら
れないなどの欠点があつた。
この発明は、上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、オンウエハでFETのマイ
クロ波特性を精度よく測定可能な半導体装置を得
ることを目的とする。
めになされたもので、オンウエハでFETのマイ
クロ波特性を精度よく測定可能な半導体装置を得
ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、電界効果トラン
ジスタが形成された半導体基板上に、イントリン
シツクな上記電界効果トランジスタに接続される
ように形成されマイクロ波測定系と特性インピー
ダンスの等しいコプレナー線路を設けるようにし
たものである。
ジスタが形成された半導体基板上に、イントリン
シツクな上記電界効果トランジスタに接続される
ように形成されマイクロ波測定系と特性インピー
ダンスの等しいコプレナー線路を設けるようにし
たものである。
この発明においては、半導体装置にマイクロ波
測定系と特性インピーダンスの等しいコプレナー
線路が形成されているから、該コプレナー線路に
よりマイクロ波測定系と半導体装置の電界効果ト
ランジスタとのインピーダンスが整合される。
測定系と特性インピーダンスの等しいコプレナー
線路が形成されているから、該コプレナー線路に
よりマイクロ波測定系と半導体装置の電界効果ト
ランジスタとのインピーダンスが整合される。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置を
示し、図において、１は半導体基板、２ａ，２ｂ
はソース電極、３はドレイン電極、４はゲート電
極、５は動作層、６はイントリンシツクFET部、
１３ａ，１３ｂはマイクロ波測定系及び接続用伝
送線路と同一の特性インピーダンスZ0（通常50Ω）
を有するプローブニードル、１４ａ，１４ｂはマ
イクロ波測定系と等しい特性インピーダンスZ0
（通常50Ω）を持つように設計したコプレナー線
路である。
示し、図において、１は半導体基板、２ａ，２ｂ
はソース電極、３はドレイン電極、４はゲート電
極、５は動作層、６はイントリンシツクFET部、
１３ａ，１３ｂはマイクロ波測定系及び接続用伝
送線路と同一の特性インピーダンスZ0（通常50Ω）
を有するプローブニードル、１４ａ，１４ｂはマ
イクロ波測定系と等しい特性インピーダンスZ0
（通常50Ω）を持つように設計したコプレナー線
路である。
本実施例装置は、半導体基板１上にマイクロ波
測定系と特性インピーダンスの等しいコプレナー
線路１４ａ，１４ｂを設け、イントリンシツクな
FET部のゲート電極４とドレイン電極３とをそ
れぞれコプレナー線路の信号線の入力部分と出力
部分とに接続し、ソース電極２ａ，２ｂをコプレ
ナー線路１４ａ，１４ｂのグランド線に接続する
ようにしたものである。
測定系と特性インピーダンスの等しいコプレナー
線路１４ａ，１４ｂを設け、イントリンシツクな
FET部のゲート電極４とドレイン電極３とをそ
れぞれコプレナー線路の信号線の入力部分と出力
部分とに接続し、ソース電極２ａ，２ｂをコプレ
ナー線路１４ａ，１４ｂのグランド線に接続する
ようにしたものである。
次に作用効果について説明する。RFプローバ
でかかる発明の半導体装置をマイクロ波測定しよ
うとする場合、第１図ｂに示すように、入力用プ
ローブニードル１３ａの信号線１１ａをゲート電
極４に、出力用プローブニードル１３ｂの信号線
１１ｂをドレイン電極３に、またグランド線１２
ａ，１２ｂをコプレナー線路１４ａを形成するソ
ース電極２ａ，２ｂに、グランド線１２ｃ，１２
ｂをコプレナー線路１４ｂを形成するソース電極
２ａ，２ｂにそれぞれ接続すればよい。
でかかる発明の半導体装置をマイクロ波測定しよ
うとする場合、第１図ｂに示すように、入力用プ
ローブニードル１３ａの信号線１１ａをゲート電
極４に、出力用プローブニードル１３ｂの信号線
１１ｂをドレイン電極３に、またグランド線１２
ａ，１２ｂをコプレナー線路１４ａを形成するソ
ース電極２ａ，２ｂに、グランド線１２ｃ，１２
ｂをコプレナー線路１４ｂを形成するソース電極
２ａ，２ｂにそれぞれ接続すればよい。
このように、本実施例ではマイクロ波測定系の
際に従来のものでは接触できなかつた、グランド
線１２ａ，１２ｄとソース電極２ａ，２ｂとをそ
れぞれ接触させることが可能となり、その結果特
性インピーダンスZ0（通常50Ω）のコプレナー線
路中のグランド線１２ａと１２ｂ，１２ｃと１２
ｄが同電位となり、プローブニードルとイントリ
ンシツクFETとのインピーダンス整合がとれ、
FETの正確なマイクロ波特性をオンウエハ状態
で測定できる。
際に従来のものでは接触できなかつた、グランド
線１２ａ，１２ｄとソース電極２ａ，２ｂとをそ
れぞれ接触させることが可能となり、その結果特
性インピーダンスZ0（通常50Ω）のコプレナー線
路中のグランド線１２ａと１２ｂ，１２ｃと１２
ｄが同電位となり、プローブニードルとイントリ
ンシツクFETとのインピーダンス整合がとれ、
FETの正確なマイクロ波特性をオンウエハ状態
で測定できる。
なお、上記実施例では半導体基板１の物質とし
てGaAsを用いたものを示したが、Siあるいは他
の−族、−族半導体を用いてもよい。
てGaAsを用いたものを示したが、Siあるいは他
の−族、−族半導体を用いてもよい。
また上記実施例ではGaAsFETを例にとつて説
明したが、マイクロ波測定を行なう他の半導体素
子にも適用できることはいうまでもない。
明したが、マイクロ波測定を行なう他の半導体素
子にも適用できることはいうまでもない。
以上のように、この発明に係る半導体装置によ
れば、イントリンシツクFET部にマイクロ波測
定系と同じ特性インピーダンスを有するコプレナ
ー線路を接続してFETを構成するようにしたの
で、イントリンシツクFET部のマイクロ波特性
の正確な値がオンウエハ状態で得られるという効
果がある。
れば、イントリンシツクFET部にマイクロ波測
定系と同じ特性インピーダンスを有するコプレナ
ー線路を接続してFETを構成するようにしたの
で、イントリンシツクFET部のマイクロ波特性
の正確な値がオンウエハ状態で得られるという効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置
を示す平面図、第２図は従来の半導体装置及びマ
イクロ波測定系のプローブニードルを示す平面図
である。 図において、１は半導体基板、６はイントリン
シツクFET部、１３はプローブニードル、１４
はコプレナー線路である。なお図中同一符号は同
一又は相当部分を示す。
を示す平面図、第２図は従来の半導体装置及びマ
イクロ波測定系のプローブニードルを示す平面図
である。 図において、１は半導体基板、６はイントリン
シツクFET部、１３はプローブニードル、１４
はコプレナー線路である。なお図中同一符号は同
一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に電界効果トランジスタが形成された
半導体装置において、 イントリンシツクな上記電界効果トランジスタ
に接続されるように上記基板上に形成されマイク
ロ波測定系と等しい特性インピーダンスを有する
コプレナー線路を備えたことを特徴とする半導体
装置。 ２ 上記基板は、砒化ガリウム、シリコンまたは
他の−族、−族半導体からなるものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25617085A JPS62115783A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25617085A JPS62115783A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62115783A JPS62115783A (ja) | 1987-05-27 |
| JPH0322697B2 true JPH0322697B2 (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=17288880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25617085A Granted JPS62115783A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62115783A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3235476B2 (ja) * | 1996-06-28 | 2001-12-04 | 株式会社村田製作所 | 高周波半導体デバイス |
| JP3189691B2 (ja) * | 1996-07-10 | 2001-07-16 | 株式会社村田製作所 | 高周波半導体デバイス |
| TW328645B (en) * | 1997-04-14 | 1998-03-21 | Chyng-Guang Juang | The package for dual mode micro/nano-meter wave IC |
| KR100686438B1 (ko) * | 2004-09-22 | 2007-02-23 | 학교법인 동국대학교 | 초고주파 반도체 소자 |
-
1985
- 1985-11-14 JP JP25617085A patent/JPS62115783A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62115783A (ja) | 1987-05-27 |
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