JPH0323353B2 - - Google Patents
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- JPH0323353B2 JPH0323353B2 JP56107896A JP10789681A JPH0323353B2 JP H0323353 B2 JPH0323353 B2 JP H0323353B2 JP 56107896 A JP56107896 A JP 56107896A JP 10789681 A JP10789681 A JP 10789681A JP H0323353 B2 JPH0323353 B2 JP H0323353B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- reflectance
- recording
- laser
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/24—Ablative recording, e.g. by burning marks; Spark recording
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板上に形成された薄膜層にレーザ・
ビームを照射してその反射率或いは透過率を変化
させることにより、光学的信号を記録再生するレ
ーザ記録媒体材料に関するものである。
ビームを照射してその反射率或いは透過率を変化
させることにより、光学的信号を記録再生するレ
ーザ記録媒体材料に関するものである。
レーザ・ビームによる熱的効果を記録に利用す
るヒート・モード記録方式は、(1)経年変化がなく
記録保存性が良い、(2)実時間で追加記録及び再生
ができる、(3)記録密度が磁気記録等に比べ高密度
であるという特徴のため、ビデオ・デイスク等へ
の応用が注目されている。
るヒート・モード記録方式は、(1)経年変化がなく
記録保存性が良い、(2)実時間で追加記録及び再生
ができる、(3)記録密度が磁気記録等に比べ高密度
であるという特徴のため、ビデオ・デイスク等へ
の応用が注目されている。
従来、ヒート・モード形の記録媒体としては、
基板上に染料及びバインダで記録層が形成された
もの（米国特許第1117419号）や金属薄膜、金属
酸化物、カルコゲナイトガラス層を記録層として
用いるレーザ記録媒体材料が知られている。（例
えばM.L.Vevene
“ElectronIonandLaserBeamTechnology”第11
回シンポジウム記録（1969），Electronics誌
（1968）3.18.P.50、特開昭50−46317号公報） しかし、上述したレーザ記録媒体材料では記録
閾値エネルギが高いため、Arレーザ、He−Ne
レーザ等高出力レーザ光源を必要とし変調偏光器
も大型のものを使用せねばならなかつた。また感
度は使用するレーザで最大となるように工夫され
ていた。近年光源の小型化、変調の高速化に対応
すべく半導体レーザがレーザ記録に用いられるよ
うになつたが、レーザ出力（パワー）が小さく、
発振波長が近赤外域（≒800nm）であるため従来
の記録媒体では感度が低く使用が困難であつた。
基板上に染料及びバインダで記録層が形成された
もの（米国特許第1117419号）や金属薄膜、金属
酸化物、カルコゲナイトガラス層を記録層として
用いるレーザ記録媒体材料が知られている。（例
えばM.L.Vevene
“ElectronIonandLaserBeamTechnology”第11
回シンポジウム記録（1969），Electronics誌
（1968）3.18.P.50、特開昭50−46317号公報） しかし、上述したレーザ記録媒体材料では記録
閾値エネルギが高いため、Arレーザ、He−Ne
レーザ等高出力レーザ光源を必要とし変調偏光器
も大型のものを使用せねばならなかつた。また感
度は使用するレーザで最大となるように工夫され
ていた。近年光源の小型化、変調の高速化に対応
すべく半導体レーザがレーザ記録に用いられるよ
うになつたが、レーザ出力（パワー）が小さく、
発振波長が近赤外域（≒800nm）であるため従来
の記録媒体では感度が低く使用が困難であつた。
一方、記録媒体として多量の情報を記録するた
め記録面は広面積化を促しており、均一化が望ま
れるレーザ記録媒体材料はバインダ塗布などの工
程の省略及び製造法の簡便さも材料に対して要求
されるようになつた。
め記録面は広面積化を促しており、均一化が望ま
れるレーザ記録媒体材料はバインダ塗布などの工
程の省略及び製造法の簡便さも材料に対して要求
されるようになつた。
本発明は、半導体レーザの発振波長に適合する
ような近赤外域の光エネルギーを用いて物質の状
態変化を利用したレーザ記録媒体材料に関するも
ので、特定の有機物中に特定の金属を微粒子で分
散させた薄膜を用いることを特徴とし、その目的
は従来の材料に比べて高感度かつ製造の容易なレ
ーザ記録媒体材料を堤供することにある。
ような近赤外域の光エネルギーを用いて物質の状
態変化を利用したレーザ記録媒体材料に関するも
ので、特定の有機物中に特定の金属を微粒子で分
散させた薄膜を用いることを特徴とし、その目的
は従来の材料に比べて高感度かつ製造の容易なレ
ーザ記録媒体材料を堤供することにある。
即ち、本発明はフルオロセイン、デイスポーズ
イエロー51、スクアリリウム色素及びポリパラキ
シリレンから選ばれる有機物とTe，Bi，Agから
選ばれる金属とを同時に真空蒸着することによ
り、透明な有機物膜中に金属微粒子を分散させた
金属光沢を呈する薄膜からなることを特徴とする
レーザ記録媒体材料である。
イエロー51、スクアリリウム色素及びポリパラキ
シリレンから選ばれる有機物とTe，Bi，Agから
選ばれる金属とを同時に真空蒸着することによ
り、透明な有機物膜中に金属微粒子を分散させた
金属光沢を呈する薄膜からなることを特徴とする
レーザ記録媒体材料である。
上記金属微粒子は、粒径100Å以下のものを用
いることが望ましい。
いることが望ましい。
なお、上記有機物に対する金属微粒子の分散量
は80Vol％以上にすることが望ましい。金属微粒
子の分散量は、形成する薄膜の厚さを考慮するこ
とが必要で、該薄膜を薄くする場合は金属微粒子
の分散量を上記範囲内でも多い側に設定すること
が好ましい。
は80Vol％以上にすることが望ましい。金属微粒
子の分散量は、形成する薄膜の厚さを考慮するこ
とが必要で、該薄膜を薄くする場合は金属微粒子
の分散量を上記範囲内でも多い側に設定すること
が好ましい。
次に、本発明の実施例を説明する。
第１図は以下の実施例１〜７で用いるレーザ記
録媒体材料の製造装置である。図中１１は真空容
器であり、この真空容器１１の上部内壁には基板
ホルダ１２が懸下されている。この基板ホルダ１
２の下方にはシヤツタ１３が配設されている。前
記真空容器１１の下部には高融点金属からなる２
つの蒸着ボート１４1，１４2が設けられ、かつこ
れらボート１４1，１４2には加熱電源１５1，１
５2が夫々接続されている。また、前記真空容器
１１には該容器１１内のガスを排気するための真
空ポンプ１６が連結されている。
録媒体材料の製造装置である。図中１１は真空容
器であり、この真空容器１１の上部内壁には基板
ホルダ１２が懸下されている。この基板ホルダ１
２の下方にはシヤツタ１３が配設されている。前
記真空容器１１の下部には高融点金属からなる２
つの蒸着ボート１４1，１４2が設けられ、かつこ
れらボート１４1，１４2には加熱電源１５1，１
５2が夫々接続されている。また、前記真空容器
１１には該容器１１内のガスを排気するための真
空ポンプ１６が連結されている。
上述した製造装置を用いてレーザ記録媒体材料
を作製するには、まず基板ホルダ１２に所望の基
板１７を保持させ、真空ポンプ１６を作動して真
空容器１１内を真空した後、有機物を一方の蒸着
ボート１４1に収容し、該ボート１４1に加熱電源
１５1から通電して加熱し、真空容器１１を有機
物の蒸気で満たし、一定圧に保つ。つづいて、他
方の蒸着ボート１４2に金属を収容し、同様に加
熱して金属を蒸発させる。蒸着ボード１４2から
蒸発した金属は真空容器１１内の有機物蒸気と衝
突して微粒子を形成する。この状態でシヤツタ１
３を開くことにより基板１７上に有機物層に金属
微粒子が分散した薄膜１８が形成される。こうし
た薄膜１８の形成に際し、有機物蒸気の圧力調整
によつて金属微粒子の径及び薄膜中の金属微粒子
の含有量を制御することができる。
を作製するには、まず基板ホルダ１２に所望の基
板１７を保持させ、真空ポンプ１６を作動して真
空容器１１内を真空した後、有機物を一方の蒸着
ボート１４1に収容し、該ボート１４1に加熱電源
１５1から通電して加熱し、真空容器１１を有機
物の蒸気で満たし、一定圧に保つ。つづいて、他
方の蒸着ボート１４2に金属を収容し、同様に加
熱して金属を蒸発させる。蒸着ボード１４2から
蒸発した金属は真空容器１１内の有機物蒸気と衝
突して微粒子を形成する。この状態でシヤツタ１
３を開くことにより基板１７上に有機物層に金属
微粒子が分散した薄膜１８が形成される。こうし
た薄膜１８の形成に際し、有機物蒸気の圧力調整
によつて金属微粒子の径及び薄膜中の金属微粒子
の含有量を制御することができる。
以下にこの装置を用いて作製したレーザ記録媒
体の実施例を示す。
体の実施例を示す。
実施例 １
有機物としてフルオレセインを用い金属として
Teを用い、ガラス基板上で蒸着速度が体積比２
対１になる様に各蒸着ボート１４1，１４2への電
流を制御したのちシヤツター１３を開くと基板１
７上にTe金属微粒子が分散したフルオレセイン
膜が生成する。フルオレセイン蒸気圧が１×
10-5Torr程度でTe微粒子は約100Åの大きさとな
る。全体の膜厚を0.3μmにした時点で蒸着を終え
る。生成した膜はオレンジ色透明のフルオレセイ
ン膜に分散Teが混ざり、表面は金属光沢を呈し
た灰オレンジ色の膜となる。
Teを用い、ガラス基板上で蒸着速度が体積比２
対１になる様に各蒸着ボート１４1，１４2への電
流を制御したのちシヤツター１３を開くと基板１
７上にTe金属微粒子が分散したフルオレセイン
膜が生成する。フルオレセイン蒸気圧が１×
10-5Torr程度でTe微粒子は約100Åの大きさとな
る。全体の膜厚を0.3μmにした時点で蒸着を終え
る。生成した膜はオレンジ色透明のフルオレセイ
ン膜に分散Teが混ざり、表面は金属光沢を呈し
た灰オレンジ色の膜となる。
得られたレーザ記録媒体材料は、分散させた
Te微粒子の吸収のため半導体レーザ発振領域
（800nm）で105cm-1以上の吸収係数を持つ。こ
の媒体に光ビーム径1.5×1.8μm、媒体面でのパワ
ー6.0mWの半導体レーザパルス（830nm）で書
き込みを行なつたところ、第２図に示す如く、入
射レーザ光が基板２１上の薄膜２２に吸収され、
熱でTe微粒子及びフルオレセインが蒸発昇華し
薄膜２２に記録ピツト２３が形成された。この
時、ピツト形成に必要なパルス幅は100nsecが閾
値となり約30mJ／cm2の感度に相当する値を示し
た。ピツト形成により薄膜表面反射率が減少し、
パワーを弱めたレーザ光で走査することにより第
３図に示す如く薄膜表面での反射率が変化し、信
号記録の有無を知ることができた。なお、第３図
中の３１は未記録部の反射率、３２は記録ピツト
の反射率で３１に比べて低下している。
Te微粒子の吸収のため半導体レーザ発振領域
（800nm）で105cm-1以上の吸収係数を持つ。こ
の媒体に光ビーム径1.5×1.8μm、媒体面でのパワ
ー6.0mWの半導体レーザパルス（830nm）で書
き込みを行なつたところ、第２図に示す如く、入
射レーザ光が基板２１上の薄膜２２に吸収され、
熱でTe微粒子及びフルオレセインが蒸発昇華し
薄膜２２に記録ピツト２３が形成された。この
時、ピツト形成に必要なパルス幅は100nsecが閾
値となり約30mJ／cm2の感度に相当する値を示し
た。ピツト形成により薄膜表面反射率が減少し、
パワーを弱めたレーザ光で走査することにより第
３図に示す如く薄膜表面での反射率が変化し、信
号記録の有無を知ることができた。なお、第３図
中の３１は未記録部の反射率、３２は記録ピツト
の反射率で３１に比べて低下している。
実施例 ２
実施例１と同様にガラス基板上にフルオレセイ
ン層中にBi微粒子を体積比で２対１の割合にて
分散させた薄膜を作製した。得られた薄膜に前記
実施例１と同条件の半導体レーザパルスで書き込
みを行なつたところ、第４図に示す如く入射レー
ザ光が基板４１上の薄膜４２に吸収され、フルオ
レセイン及びBi微粒子の一部が蒸発昇華し、薄
膜４２に記録ピツト４３が形成されると共に、残
りのBi微粒子が融解してピツト４３の周辺にフ
リンジ部４４が形成された。この時、ピツト形成
に必要なパルス幅は120nsecで約35mJ／cm2の感度
に相当する値を示した。ピツト形成により薄膜表
面の反射率が減少し、パワーを弱めたレーザ光で
走査することにより第５図に示す如く薄膜表面で
の反射率が変化し、信号記録の有無を知ることが
できた。なお、第５図中の５１は未記録部の反射
率、５２はフリンジ部の反射率、５３は記録ピツ
トの反射率を示す。
ン層中にBi微粒子を体積比で２対１の割合にて
分散させた薄膜を作製した。得られた薄膜に前記
実施例１と同条件の半導体レーザパルスで書き込
みを行なつたところ、第４図に示す如く入射レー
ザ光が基板４１上の薄膜４２に吸収され、フルオ
レセイン及びBi微粒子の一部が蒸発昇華し、薄
膜４２に記録ピツト４３が形成されると共に、残
りのBi微粒子が融解してピツト４３の周辺にフ
リンジ部４４が形成された。この時、ピツト形成
に必要なパルス幅は120nsecで約35mJ／cm2の感度
に相当する値を示した。ピツト形成により薄膜表
面の反射率が減少し、パワーを弱めたレーザ光で
走査することにより第５図に示す如く薄膜表面で
の反射率が変化し、信号記録の有無を知ることが
できた。なお、第５図中の５１は未記録部の反射
率、５２はフリンジ部の反射率、５３は記録ピツ
トの反射率を示す。
実施例 ３
まず、ガラス基板上に0.20μmのフルオレセイ
ン膜を形成し、更にTe微粒子とフルオレセイン
を体積比で９：１の割合にて含む厚さ200Åの薄
膜を前記フルオレセイン膜上に形成した。得られ
た二層構造膜は反射率が40％以上となる。この二
層構造膜に前記実施例１と同条件の半導体レーザ
パルスで書き込みを行なつたところ、第６図に示
す如く入射レーザ光が基板６１のフルオレセイン
膜６２上の薄膜６３にほとんど吸収され、この薄
膜６３のレーザ入射部が蒸発昇華して記録ピツト
６４が形成された。この時、記録閾値は80nsecで
約25mJ／cm2感度に相当する値を示した。また、
前記実施例１と同様にレーザ光で走査することに
より第７図に示す如く薄膜表面での反射率が変化
し、信号記録の有無を知ることができた。なお、
第７図中の７１は未記録部の反射率、７２は基板
上のフルオレセイン膜の反射率、７３は記録ピツ
トの反射率を示す。
ン膜を形成し、更にTe微粒子とフルオレセイン
を体積比で９：１の割合にて含む厚さ200Åの薄
膜を前記フルオレセイン膜上に形成した。得られ
た二層構造膜は反射率が40％以上となる。この二
層構造膜に前記実施例１と同条件の半導体レーザ
パルスで書き込みを行なつたところ、第６図に示
す如く入射レーザ光が基板６１のフルオレセイン
膜６２上の薄膜６３にほとんど吸収され、この薄
膜６３のレーザ入射部が蒸発昇華して記録ピツト
６４が形成された。この時、記録閾値は80nsecで
約25mJ／cm2感度に相当する値を示した。また、
前記実施例１と同様にレーザ光で走査することに
より第７図に示す如く薄膜表面での反射率が変化
し、信号記録の有無を知ることができた。なお、
第７図中の７１は未記録部の反射率、７２は基板
上のフルオレセイン膜の反射率、７３は記録ピツ
トの反射率を示す。
実施例 ４
ガラス基板上に実施例１と同様な方法でAg微
粒子とデイスパースイエロー51を体積比で２：１
の割合にて含む厚さ200Åの薄膜を形成した。得
られた薄膜にパルス幅500nsec以下の半導体レー
ザパルスで書き込みを行なつたところ、第８図に
示す如く基板８１上の薄膜８２に色素層の結晶化
による反射率が増加した記録ピツト８３と昇華に
よる記録ピツト８４が形成された。この時、記録
閾値は80nsecで約25mJ／cm2の感度に相当する値
を示した。こうした薄膜をレーザ光で走査するこ
とにより第９図に示す如く薄膜表面での反射率が
変化し、信号記録の有無を知ることができた。な
お、第９図中の９１は未記録部の反射率、９２は
結晶化による記録ピツトの反射率、９３は昇華に
よる記録ピツトの反射率を示す。
粒子とデイスパースイエロー51を体積比で２：１
の割合にて含む厚さ200Åの薄膜を形成した。得
られた薄膜にパルス幅500nsec以下の半導体レー
ザパルスで書き込みを行なつたところ、第８図に
示す如く基板８１上の薄膜８２に色素層の結晶化
による反射率が増加した記録ピツト８３と昇華に
よる記録ピツト８４が形成された。この時、記録
閾値は80nsecで約25mJ／cm2の感度に相当する値
を示した。こうした薄膜をレーザ光で走査するこ
とにより第９図に示す如く薄膜表面での反射率が
変化し、信号記録の有無を知ることができた。な
お、第９図中の９１は未記録部の反射率、９２は
結晶化による記録ピツトの反射率、９３は昇華に
よる記録ピツトの反射率を示す。
また、パルス幅500nsec以上の半導体レーザで
書き込みを行なつたところ、Ag微粒子の融解と
染料の昇華によつて反射率の低下した記録ピツト
が形成された。この記録閾値は500nsecで約
300mJ／cm2の感度に相当する値を示した。
書き込みを行なつたところ、Ag微粒子の融解と
染料の昇華によつて反射率の低下した記録ピツト
が形成された。この記録閾値は500nsecで約
300mJ／cm2の感度に相当する値を示した。
実施例 ５
ポリパラキシリレン（パリレン）を有機物と
する場合、以下の方法を用いる。蒸発炉で蒸発さ
れたパラキシリレン・ダイマーは650℃前後に加
熱された分解炉を通りモノマーに分解された後、
25℃の低温ガスとし蒸着室へ導入される。蒸着室
は第１図に示した蒸着ボート１４1，１４2があり
それからTeが蒸着される。この方法で基板１７
にTe微粒子を体積比２：１で分散させたTe分散
ポリパラキシリレン薄膜を作製した。この薄膜に
半導体レーザパルスの書き込みを行なつたとこ
ろ、分散されたTe微粒子の結晶化が起こり、第
１０図に示す如く基板１０１上の薄膜１０２に反
射率が増加した記録ピツト１０３が形成された。
この記録閾値は200nsecで約60mJ／cm2の感度に相
当した。こうした薄膜をレーザ光で走査すること
により、第１１図に示す如く薄膜表面での反射率
が変化し、信号記録の有無を知ることができた。
なお、第１１図中の１１１は未記録部の反射率、
１１２は記録ピツトの反射率を示す。
する場合、以下の方法を用いる。蒸発炉で蒸発さ
れたパラキシリレン・ダイマーは650℃前後に加
熱された分解炉を通りモノマーに分解された後、
25℃の低温ガスとし蒸着室へ導入される。蒸着室
は第１図に示した蒸着ボート１４1，１４2があり
それからTeが蒸着される。この方法で基板１７
にTe微粒子を体積比２：１で分散させたTe分散
ポリパラキシリレン薄膜を作製した。この薄膜に
半導体レーザパルスの書き込みを行なつたとこ
ろ、分散されたTe微粒子の結晶化が起こり、第
１０図に示す如く基板１０１上の薄膜１０２に反
射率が増加した記録ピツト１０３が形成された。
この記録閾値は200nsecで約60mJ／cm2の感度に相
当した。こうした薄膜をレーザ光で走査すること
により、第１１図に示す如く薄膜表面での反射率
が変化し、信号記録の有無を知ることができた。
なお、第１１図中の１１１は未記録部の反射率、
１１２は記録ピツトの反射率を示す。
実施例 ６
基板に鏡面を作る金属、例えばＡを蒸着して
反射層とし、更にこの反射層上に厚さ0.25μmの
フルオレセイン膜を蒸着した後、Te微粒子をフ
ルオレセイン層に体積比９：１で分散させた厚さ
200Åの薄膜を積層した。こうした積層構造にす
ることによつて書き込みレーザ光は反射層と薄膜
との間で干渉を起こし、反射率は５％以下に減少
する。このままでレーザ記録媒体として用いるこ
とが可能であるが、更に表面にポリパラキシリレ
ン層を0.5μm積層し、保護層を形成した。
反射層とし、更にこの反射層上に厚さ0.25μmの
フルオレセイン膜を蒸着した後、Te微粒子をフ
ルオレセイン層に体積比９：１で分散させた厚さ
200Åの薄膜を積層した。こうした積層構造にす
ることによつて書き込みレーザ光は反射層と薄膜
との間で干渉を起こし、反射率は５％以下に減少
する。このままでレーザ記録媒体として用いるこ
とが可能であるが、更に表面にポリパラキシリレ
ン層を0.5μm積層し、保護層を形成した。
得られた積層膜に半導体レーザパルスで書き込
みを行なつたところ、第１２図に示す如くレーザ
光が基板１２１に積層された反射膜１２２及びフ
ルオレセイン膜１２３上の薄膜１２４に吸収さ
れ、昇華及び融解して露出した薄膜１２４に記録
ピツト１２５が形成されると共に保護層１２７下
の薄膜１２４にも記録ピツト１２６が形成され
た。この時の記録閾値は保護層のない箇所では
20nsec、保護層の存在する箇所では30nsecで、各
約6mJ／cm2、約10mJ／cm2の感度に相当する値を
示した。また、かかる積層膜をレーザ光で走査す
ることにより第１３図に示す如く積層膜表面での
反射率が変化し、信号記録の有無を知ることがで
きた。なお、第１３図中の１３１は保護層のない
箇所での未記録部の反射率、１３２は保護層の存
在する箇所での未記録部の反射率、１３３は保護
層のない箇所での記録ピツトの反射率、１３４は
保護層の存在する箇所での記録ピツトの反射率、
を示す。
みを行なつたところ、第１２図に示す如くレーザ
光が基板１２１に積層された反射膜１２２及びフ
ルオレセイン膜１２３上の薄膜１２４に吸収さ
れ、昇華及び融解して露出した薄膜１２４に記録
ピツト１２５が形成されると共に保護層１２７下
の薄膜１２４にも記録ピツト１２６が形成され
た。この時の記録閾値は保護層のない箇所では
20nsec、保護層の存在する箇所では30nsecで、各
約6mJ／cm2、約10mJ／cm2の感度に相当する値を
示した。また、かかる積層膜をレーザ光で走査す
ることにより第１３図に示す如く積層膜表面での
反射率が変化し、信号記録の有無を知ることがで
きた。なお、第１３図中の１３１は保護層のない
箇所での未記録部の反射率、１３２は保護層の存
在する箇所での未記録部の反射率、１３３は保護
層のない箇所での記録ピツトの反射率、１３４は
保護層の存在する箇所での記録ピツトの反射率、
を示す。
参照例
実施例１と同様にアクリル基板上にBiの微粒
子を銅フタロシアニン膜中に体積比１対２の割合
で分散させた薄膜を作製した。この薄膜に半導体
レーザパルスで書き込みを行なつたところ、第１
４図に示す如く基板１４１上の薄膜１４２の銅フ
タロシアニン及びBi微粒子の一部が蒸発昇華し
て記録ピツト１４３が形成されると共に残りの
Bi微粒子が融解してピツト１４３の周近にフリ
ンジ１４４が形成された。この記録ピツト形成に
必要なレーザのパルス幅は140nsecで約40mJ／cm2
の記録感度に相当した。また、こうした薄膜をレ
ーザ光で走査することにより第１５図に示す如く
薄膜表面での反射率が変化し、信号記録の有無を
知ることができた。なお、第１５図中の１５１は
未記録部の反射率、１５２は記録ピツトの反射率
を示している。
子を銅フタロシアニン膜中に体積比１対２の割合
で分散させた薄膜を作製した。この薄膜に半導体
レーザパルスで書き込みを行なつたところ、第１
４図に示す如く基板１４１上の薄膜１４２の銅フ
タロシアニン及びBi微粒子の一部が蒸発昇華し
て記録ピツト１４３が形成されると共に残りの
Bi微粒子が融解してピツト１４３の周近にフリ
ンジ１４４が形成された。この記録ピツト形成に
必要なレーザのパルス幅は140nsecで約40mJ／cm2
の記録感度に相当した。また、こうした薄膜をレ
ーザ光で走査することにより第１５図に示す如く
薄膜表面での反射率が変化し、信号記録の有無を
知ることができた。なお、第１５図中の１５１は
未記録部の反射率、１５２は記録ピツトの反射率
を示している。
実施例 ７
実施例１と同様にガラス基板上にTeの微粒子
をジメチルアミノスクアリリウム膜中に体積比１
対３の割合で分散させた薄膜を作製した。得られ
た薄膜に半導体レーザパルスで書き込みを行なつ
たところ、第１６図に示す如く基板１６１上の薄
膜１６２中のジメチルアミノスクアリリウム及び
Te微粒子の一部が蒸発昇華して、薄膜１６２に
は記録ピツト１６３が形成された。ピツト形成に
必要なレーザのパルス幅は100nsecで約30mJ／cm2
の記録感度に対応している。また、こうした薄膜
をレーザ光で走査することにより第１７図に示す
如く薄膜表面での反射率が変化し、信号記録の有
無を知ることができた。なお、第１７図中の１７
１は未記録部の反射率、１７２は記録ピツトの反
射率を示す。
をジメチルアミノスクアリリウム膜中に体積比１
対３の割合で分散させた薄膜を作製した。得られ
た薄膜に半導体レーザパルスで書き込みを行なつ
たところ、第１６図に示す如く基板１６１上の薄
膜１６２中のジメチルアミノスクアリリウム及び
Te微粒子の一部が蒸発昇華して、薄膜１６２に
は記録ピツト１６３が形成された。ピツト形成に
必要なレーザのパルス幅は100nsecで約30mJ／cm2
の記録感度に対応している。また、こうした薄膜
をレーザ光で走査することにより第１７図に示す
如く薄膜表面での反射率が変化し、信号記録の有
無を知ることができた。なお、第１７図中の１７
１は未記録部の反射率、１７２は記録ピツトの反
射率を示す。
上記実施例１〜７より明らかな如く本発明で得
られたレーザ記録媒体材料は基板上への２種類の
物質の蒸着といつた方法で基板加熱などを用いず
に簡便かつ均一なレーザ記録媒体を得ることがで
きる。このため基板材質はプラスチツクス等熱に
よつて変形する物質も用いることができる。
られたレーザ記録媒体材料は基板上への２種類の
物質の蒸着といつた方法で基板加熱などを用いず
に簡便かつ均一なレーザ記録媒体を得ることがで
きる。このため基板材質はプラスチツクス等熱に
よつて変形する物質も用いることができる。
また半導体レーザ光を吸収するTe，Bi，Ag等
金属、半金属の物質（吸収係数大）が微粒子状と
なり、熱伝導率が金属類と比べ非常に小さな昇華
性有機物マトリツクス（吸収係数小）に分散され
ているため、レーザ光照射により以下の作用でピ
ツトが形成される。
金属、半金属の物質（吸収係数大）が微粒子状と
なり、熱伝導率が金属類と比べ非常に小さな昇華
性有機物マトリツクス（吸収係数小）に分散され
ているため、レーザ光照射により以下の作用でピ
ツトが形成される。
(1) 照射レーザ光は分散された金属微粒子に吸収
される。微粒子状のため表面積は同一体積の連
続した蒸着膜に比べ非常に大きくて有効に吸収
され、内部で熱に変換される。
される。微粒子状のため表面積は同一体積の連
続した蒸着膜に比べ非常に大きくて有効に吸収
され、内部で熱に変換される。
(2) 発生した熱によつて微粒子状Te，Bi，Agは
各々それ自身昇華、融解するが、同時に熱拡散
によつて周囲に熱を伝える。ところが有機物マ
トリツクスは熱伝導率が非常に小さいため、発
生した熱は金属・半金属膜と比べて拡散が少な
く局部に集中するため極めて高温となる。
各々それ自身昇華、融解するが、同時に熱拡散
によつて周囲に熱を伝える。ところが有機物マ
トリツクスは熱伝導率が非常に小さいため、発
生した熱は金属・半金属膜と比べて拡散が少な
く局部に集中するため極めて高温となる。
(3) 有機物マトリツクス自身も金属に比べ同等か
それ以下の温度で昇華性を持つているため、有
機物マトリツクスは昇華蒸発すると同時に吸収
体である金属微粒子も昇華・融解を始める。こ
の結果、レーザ記録媒体はレーザ光照射によつ
て昇華・融解による記録ピツトを生じることに
なる。
それ以下の温度で昇華性を持つているため、有
機物マトリツクスは昇華蒸発すると同時に吸収
体である金属微粒子も昇華・融解を始める。こ
の結果、レーザ記録媒体はレーザ光照射によつ
て昇華・融解による記録ピツトを生じることに
なる。
以上詳述した如く、本発明によつて得られたレ
ーザ記録媒体は、金属・半金属のみの蒸着膜、或
いは有機物マトリツクスのみの膜（例えばTe膜、
フルオレセイン膜）に比べて有効な光吸収と熱の
集中を持たらすため高い半導体レーザ記録感度を
持ち、更に分散させる金属微粒子に濃度勾配を持
たせることによつて実施例６の如く薄膜干渉効果
を用いて、記録ピツトの読み出し時のコントラス
トを高めることができ、もつて高感度かつ高コン
トラストの読み出し性を持ち、大面積均一媒体も
容易に達成できる等顕著な効果を有する。
ーザ記録媒体は、金属・半金属のみの蒸着膜、或
いは有機物マトリツクスのみの膜（例えばTe膜、
フルオレセイン膜）に比べて有効な光吸収と熱の
集中を持たらすため高い半導体レーザ記録感度を
持ち、更に分散させる金属微粒子に濃度勾配を持
たせることによつて実施例６の如く薄膜干渉効果
を用いて、記録ピツトの読み出し時のコントラス
トを高めることができ、もつて高感度かつ高コン
トラストの読み出し性を持ち、大面積均一媒体も
容易に達成できる等顕著な効果を有する。
第１図は本発明のレーザ記録媒体材料を得るた
めの製造装置の一形態を示す概略図、第２図は本
発明の実施例１で得られたレーザ記録媒体の書き
込み後の状態を示す概略図、第３図は第２図の記
録媒体の反射率を示す特性図、第４図は本発明の
実施例２で得られたレーザ記録媒体の書き込み後
の状態を示す概略図、第５図は第４図の同媒体の
反射率を示す特性図、第６図は本発明の実施例３
で得られたレーザ記録媒体の書き込み後の状態を
示す概略図、第７図は第６図の同媒体の反射率を
示す特性図、第８図は本発明の実施例４で得られ
たレーザ記録媒体の書き込み後の状態を示す概略
図、第９図は第８図の同媒体の反射率を示す特性
図、第１０図は本発明の実施例５により得られた
レーザ記録媒体の書き込み後の状態を示す概略
図、第１１図は第１０図の同媒体の反射率を示す
特性図、第１２図は本発明の実施例６により得ら
れたレーザ記録媒体の書き込み後の状態を示す概
略図、第１３図は第１２図の同媒体の反射率を示
す特性図、第１４図は本発明の実施例７により得
られたレーザ記録媒体の書き込み後の状態を示す
概略図、第１５図は第１４図の同媒体の反射率を
示す特性図、第１６図は本発明の実施例８により
得られたレーザ記録媒体の書き込み後の状態を示
す概略図、第７図は第１６図の同媒体の反射率を
示す特性図である。 １１……真空容器、１３……シヤツタ、１４1，
１４2……吸着ボート、１５1，１５2……加熱電
源、１６……真空ポンプ、１７，２１，４１，６
１，８１，１０１，１２１，１４１，１６１……
基板、２２，４２，６３，８２，１０２，１２
４，１４２，１６２………薄膜（媒体）、２３，
４３，６４，８４，１０３，１２５，１２６，１
４３，１６３……記録ピツト。
めの製造装置の一形態を示す概略図、第２図は本
発明の実施例１で得られたレーザ記録媒体の書き
込み後の状態を示す概略図、第３図は第２図の記
録媒体の反射率を示す特性図、第４図は本発明の
実施例２で得られたレーザ記録媒体の書き込み後
の状態を示す概略図、第５図は第４図の同媒体の
反射率を示す特性図、第６図は本発明の実施例３
で得られたレーザ記録媒体の書き込み後の状態を
示す概略図、第７図は第６図の同媒体の反射率を
示す特性図、第８図は本発明の実施例４で得られ
たレーザ記録媒体の書き込み後の状態を示す概略
図、第９図は第８図の同媒体の反射率を示す特性
図、第１０図は本発明の実施例５により得られた
レーザ記録媒体の書き込み後の状態を示す概略
図、第１１図は第１０図の同媒体の反射率を示す
特性図、第１２図は本発明の実施例６により得ら
れたレーザ記録媒体の書き込み後の状態を示す概
略図、第１３図は第１２図の同媒体の反射率を示
す特性図、第１４図は本発明の実施例７により得
られたレーザ記録媒体の書き込み後の状態を示す
概略図、第１５図は第１４図の同媒体の反射率を
示す特性図、第１６図は本発明の実施例８により
得られたレーザ記録媒体の書き込み後の状態を示
す概略図、第７図は第１６図の同媒体の反射率を
示す特性図である。 １１……真空容器、１３……シヤツタ、１４1，
１４2……吸着ボート、１５1，１５2……加熱電
源、１６……真空ポンプ、１７，２１，４１，６
１，８１，１０１，１２１，１４１，１６１……
基板、２２，４２，６３，８２，１０２，１２
４，１４２，１６２………薄膜（媒体）、２３，
４３，６４，８４，１０３，１２５，１２６，１
４３，１６３……記録ピツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ フルオレセイン、デイスポーズイエロー51、
スクアリリウム色素及びポリパラキシリレンから
選ばれる有機物とTe，Bi，Agから選ばれる金属
とを同時に真空蒸着することにより、透明な有機
物膜中に金属微粒子を分散させた金属光沢を呈す
る薄膜からなることを特徴とするレーザ記録媒体
材料。 ２ 薄膜の上面に保護膜層を、同薄膜の下面に反
射層を被覆したことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のレーザ記録媒体材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107896A JPS588695A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | レ−ザ記録媒体材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107896A JPS588695A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | レ−ザ記録媒体材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS588695A JPS588695A (ja) | 1983-01-18 |
| JPH0323353B2 true JPH0323353B2 (ja) | 1991-03-28 |
Family
ID=14470811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56107896A Granted JPS588695A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | レ−ザ記録媒体材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS588695A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59231750A (ja) * | 1983-06-13 | 1984-12-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 情報記録媒体 |
| NL8701176A (nl) * | 1987-05-15 | 1988-12-01 | Stork Screens Bv | Dessineerdeklaag voor een metalen zeefdruksjabloon; zeefdruksjabloon voorzien van een dessineerdeklaag en werkwijze voor het aanbrengen van een dessineerpatroon in een deklaag welke aanwezig is op een metalen zeefdruksjabloon. |
| JP2003178419A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 記録媒体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56154086A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-28 | Fujitsu Ltd | Medium for optical recording |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP56107896A patent/JPS588695A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS588695A (ja) | 1983-01-18 |
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