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JPH0323500B2 - - Google Patents
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JPH0323500B2 - - Google Patents

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JPH0323500B2
JPH0323500B2 JP60175643A JP17564385A JPH0323500B2 JP H0323500 B2 JPH0323500 B2 JP H0323500B2 JP 60175643 A JP60175643 A JP 60175643A JP 17564385 A JP17564385 A JP 17564385A JP H0323500 B2 JPH0323500 B2 JP H0323500B2
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JP
Japan
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perovskite
porcelain
materials
abo
types
Prior art date
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JP60175643A
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JPS6241753A (ja
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Hideyuki Takahara
Kazuo Kiuchi
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NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Priority to EP85904295A priority patent/EP0192779B1/en
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Priority to US07/135,521 priority patent/US4885267A/en
Priority to PCT/JP1985/000490 priority patent/WO1986001497A1/ja
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は誘電率が高く、その温度依存性、電界
依存性の小さいペロブスカイト系磁器およびその
製法に関し、特に結晶粒径とそのばらつきの小さ
なペロブスカイト系磁器およびその製法に関す
る。
[従来の技術] 磁器コンデンサ用誘電体材料には、誘電率が大
きく、しかもその温度依存性、電界依存性の小さ
いことが要求される。しかし、高誘電率とそれら
依存性の低減は相反する要求であり、従来同時に
満足させることは困難であつた。この解決方法と
して、本発明者らは高誘電率を示すキユリー温度
の異なる2種類以上のペロブスカイト系磁器材料
が混在した混合焼結磁器とその製法を提案した
(特開昭61−63565号)。この磁器は第5図に示す
工程で作られる。すなわち、例えばPb(Fe2/3
W1/30.1(Fe1/2Nb1/20.9O3とPb(Fe2/3W1/30.5
(Fe1/2Nb1/20.5O3とを独立に秤量、混合、仮焼成
し、粉砕した後、混合し、2種類のペロブスカイ
トが完全に固溶することがないように本焼成する
ものである。こうして得られた磁器は従来の磁
器のように上記依存性改善のための副成分を必要
としない、10000以上の高誘電率を有しながら
しかもその温度依存性、電界依存性を従来の約1/
2に低減できる。混合する磁器材料の組み合わ
せおよびその混合比により依存性の制御が自由に
行える。といつた特徴を有している。しかしなが
ら混合するペロブスカイト系磁器材料は各々本焼
成時の粒成長速度が異なつているため均一な結晶
粒が得にくく、しかも粒成長速度の速いものは粒
径が10μmにも達するなど、改善の余地があつ
た。
[発明が解決しようとする問題点] 本発明は上記の従来法を改善して、結晶粒径が
小さく、また粒径のばらつきの小さいペロブスカ
イト系磁器およびその製法を提供することを目的
とする。
[問題点を解決するための手段] ペロブスカイトは化学式ABO3で表わされる複
酸化物で、Aは単純方格子を作り、Bはその体心
位置に、Oは面心位置に位置する。
上述の目的を達成するために、本発明において
は、ペロブスカイト系磁器材料のうちキユリー温
度の異なる2種類の材料を完全に固溶させること
なく混合焼成させるに際しペロブスカイト系磁器
ABO3のB位置を占めない元素の酸化物であつ
て、しかもそのペロブスカイト系磁器より融点が
高く、化学的に安定な金属酸化を添加することを
特徴とする。
[作用] 上述した酸化物は、焼成にさいしてペロブスカ
イト系磁器材料中にほとんど固溶されず、大部分
結晶粒界に存在し、ペロブスカイトの結晶粒成長
を抑制し、誘電特性にはほとんど変化を与えな
い。
[実施例] 本発明の一実施例として、2種類のペロブスカ
イト系磁器材料としてPb(Fe2/3W1/3X(Fe1/2
Nb1/21-XO3(0≦X≦1)のうちX=0.1の材料
とX=0.5の材料を用い、粒成長を抑止する金属
酸化物にDy2O3を用いた場合の結果について説明
する。
第1図に製造工程を示す。原料粉末PbO、
Fe2O3、WO3、Nb2O3を上述のXがそれぞれ0.1
および0.5となるように秤量し、ボールミル中で
純水と共に混合した。そして、脱水乾燥後それぞ
れ1050℃および850℃で空気中で1時仮焼成し、
さらにボールミル中で粉砕した。仮焼成後の組成
物に対し、CuKα線を用いて2θ=20〜90°の範囲の
X線回折パターンを測定し、所定のペロブスカイ
ト系磁器材料であることを確認した。これら2種
類のペロブスカイト系磁器材料を等モル混合し、
Dy2O3を加え、ポリビニルアルコール溶液バイン
ダを用いて直径約12mm、厚さ約0.7mmのペレツト
に加圧成形し、空気中1000℃で1時間本焼成を行
つた。焼成した磁器の焼成面を電子顕微鏡(倍率
1000倍)で観察し、結晶粒の平均粒径(Martin
径)を測定した。また焼成した磁器の両面にAg
電極を焼付け、誘電特性の測定は誘電率εrを1k
Hzで−40〜120℃の温度範囲で行つた。
第2図はDy2O3添加量と磁器の平均粒径および
粒径偏差との関係を示したものである。Dy2O3
添加量はX=0.1の材料とX=0.5の材料の混合物
に対するmol%で示してある。また、測定した結
晶の個数は20であつた。図より、Dy2O3の添加量
が0.1mol%まで増加すると、結晶粒径は無添加
の場合の5.0μmに比べて約1/2の2.6μmに減少し、
また粒径偏差も無添加の場合の1.5〜10μmと比較
して1〜4μmと、かなり小さくなつている。し
かしながら、0.2mol%を越えると逆に平均粒径
並びに粒径偏差が大きくなつている。従つて
Dy2O3は0.1mol%ないし0.2mol%添加した時に粒
成長抑止の効果が著しくなることがわかる。
ペロブスカイト系磁器材料(ABO3)のB位置
に他の金属イオンが置換する場合は、キユリー温
度が変化し、温度依存性に見られる誘電率のピー
クが移動する。しかし、第3図に示したDy2O3
添加の場合(図中a)と0.1mol%添加した場合
(図中b)のペロブスカイト系磁器の誘電率温度
依存性を比較すると、Dy2O3を0.1mol%添加して
も無添加の場合と同様に20℃と80℃に弱い誘電率
のピークが生じ、ピークの移動は見られない。し
かもDy2O3を添加しても誘電率およびその温度依
存性の平坦化は損われない。従つて、添加した
Dy2O3はペロブスカイト系磁器材料のX=0.1と
X=0.5の結晶粒内に拡散されるのではなく主に
粒界に存在し、単に粒成長を抑制する効果のみ発
揮するものと考えられる。
本実施例では混合する角磁器材料を仮焼成し、
粉砕した後、所望のモル比に混合する際に粒成長
を抑止する金属酸化物(例えばDy2O3)を同時に
添加し、焼成する方法について説明したが、第4
図に示すように、原料粉末を秤量する際に粒成長
を抑止する金属酸化物(例えばDy2O3)を同時に
添加し、仮焼成、粉砕を行い所望のモル比に混合
して焼成しても効果はかわらない。さらにこの場
合には、本焼成時の粒成長速度が速い方のペロブ
スカイト(本例ではX=0.5)のみに、粒成長を
抑止する金属酸化物を添加するだけで、同様の効
果か得られる。
添加する酸化物は、焼成にさいしてペロブスカ
イト系磁器に固溶しないこと、特にABO3で表わ
される一般式のB位置(体心位置)の原子と置換
しない金属元素の酸化物であることが、磁器材料
の誘電特性を損わないために必要である。また、
酸化物がペロブスカイトにほとんど固溶せず、結
晶粒界に存在することが結晶粒の成長抑制のため
に効果的である。このためにペロブスカイト系磁
器より高い融点をもち、化学的に安定な酸化物が
有効である。このような酸化物の一例として
Dy2O3(融点2375℃)の例を示した、Dd2O3(融点
2395℃)、Sm2O3(融点2250℃)も同様な効果を
示す。
第1図の方法では第5図に示した従来の方法と
仮焼成した磁器材料を混合する際に結晶粒の成長
を抑止する金属酸化物(例えばDy2O3)を添加す
ることが異なり、また第4図の方法では原料粉末
の秤量時に粒成長を抑止する金属酸化物(例えば
Dy2O3)を添加することが異なつているだけで従
来の方法と基本的には全く変わらない。なお、こ
れらの方法は3種類以上の異なるペロブスカイト
系磁器材料を混合し、焼結する場合についても適
用できることは言うまでもない。
[発明の効果] 以上説明したように、Dy2O3のような結晶粒成
長を抑止する金属酸化物の添加は2種類以上のペ
ロブスカイト系磁器材料が混在した磁器の誘電特
性を損なうことなく結晶粒が小さくし、しかも粒
径偏差をも小さくすることができるという利点が
ある。このため積層磁器コンデンサ用材料として
用いた場合は誘電体である磁器層を薄く、しかも
ピンホール等欠陥を少なくすることができるとい
う利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のペロブスカイト系磁器の製造
方法の実施例の工程を示す図、第2図はDy2O3
添加量と平均粒系の関係を示す図、第3図は
Dy2O3を添加した場合としない場合のペロブスカ
イト系磁器の誘電率温度依存性を示す図、第4図
は本発明の他の実施例の製造工程を示す図、第5
図は従来のペロブスカイト系磁器の製造工程を示
す図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 キユリー温度が異なる2種類以上の化学式
    ABO3で表わされるペロブスカイト系磁器材料が
    混在しているペロブスカイト系磁器において、前
    記ABO3のB位置を占めず、前記2種類のペロブ
    スカイト系磁器材料の融点より高い融点の金属酸
    化物を含むことを特徴とするペロブスカイト系磁
    器。 2 キユリー温度の異なる2種類以上の化学式
    ABO3で表わされるペロブスカイト系磁器材料の
    原料粉末を予め別々に仮焼してキユリー温度の異
    なる2種類以上のペロブスカイト系磁器材料とし
    た後これらの材料を粉砕して各々を零でない適当
    な比で混合する際に、前記ABO3中のB位置を占
    めない金属元素の酸化物であつて、前記2種類以
    上のペロブスカイト系磁器材料の融点より高い融
    点の金属酸化物を添加し、前記2種類以上のペロ
    ブスカイト系磁器材料を完全に固溶させることな
    く焼結させることを特徴とするペロブスカイト系
    混合焼結磁器の製法。 3 キユリー温度の異なる2種類以上の化学式
    ABO3で表わされるペロブスカイト系磁器材料の
    原料粉末の少なくとも一種類に前記ABO3のB位
    置を占めない金属元素の酸化物であつて、前記2
    種類以上のペロブスカイト系磁器材料の融点より
    高い融点の金属酸化物を添加した後、別々に仮焼
    成して、キユリー温度の異なる2種類以上のペロ
    ブスカイト系磁器材料とした後、これらを粉砕し
    て各々を零でない適当な比で混合し、完全に固溶
    させることなく焼結させることを特徴とするペロ
    ブスカイト系磁器の製法。
JP60175643A 1984-09-03 1985-08-12 ペロブスカイト系磁器とその製法 Granted JPS6241753A (ja)

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EP85904295A EP0192779B1 (en) 1984-09-03 1985-09-02 Perovskite-type ceramic material and a process for producing the same
DE8585904295T DE3584513D1 (de) 1984-09-03 1985-09-02 Keramisches material vom perowskite-typ und herstellung.
US07/135,521 US4885267A (en) 1984-09-03 1985-09-02 Perovskite ceramic and fabrication method thereof
PCT/JP1985/000490 WO1986001497A1 (fr) 1984-09-03 1985-09-02 Materiau ceramique de type perovskite et son procede de production

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