JPH0327052B2 - - Google Patents
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- JPH0327052B2 JPH0327052B2 JP59010844A JP1084484A JPH0327052B2 JP H0327052 B2 JPH0327052 B2 JP H0327052B2 JP 59010844 A JP59010844 A JP 59010844A JP 1084484 A JP1084484 A JP 1084484A JP H0327052 B2 JPH0327052 B2 JP H0327052B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared sensor
- net
- shield
- shield case
- optical filter
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は焦電素子と電界効果型トランジスタ
（FET）とが用いられている赤外線センサに関す
る。
（FET）とが用いられている赤外線センサに関す
る。
この種の赤外線センサの回路構成を第１図に示
す。図において、１は焦電効果を有する焦電素
子、２はFETで、ドレイン電極Ｄ、ソース電極
Ｓ及びゲート電極Ｇを夫々有している。Rgはゲ
ート抵抗として用いられるダイオード、Rsはソ
ース抵抗、３はドレイン電極Ｄに＋Ｂ電源を供給
する電源端子、４はソース電極Ｓから検出電圧
V0を取り出す出力端子、５はアース端子である。
す。図において、１は焦電効果を有する焦電素
子、２はFETで、ドレイン電極Ｄ、ソース電極
Ｓ及びゲート電極Ｇを夫々有している。Rgはゲ
ート抵抗として用いられるダイオード、Rsはソ
ース抵抗、３はドレイン電極Ｄに＋Ｂ電源を供給
する電源端子、４はソース電極Ｓから検出電圧
V0を取り出す出力端子、５はアース端子である。
上記構成によれば、焦電素子１で受光される赤
外線の変化に応じてゲート電位が微小に変化し、
これによりFET２のドレイン電流が変化してこ
の電流がソース抵抗Rsを流れることにより、端
子４，５間に検出電圧V0を得ることができる。
外線の変化に応じてゲート電位が微小に変化し、
これによりFET２のドレイン電流が変化してこ
の電流がソース抵抗Rsを流れることにより、端
子４，５間に検出電圧V0を得ることができる。
このような赤外線センサにおいて、第１図の回
路はシールドケース６内に組み込まれており、こ
のシールドケース６から端子３，４，５を夫々リ
ード線を用いて導出している。しかしながら、こ
れらのリード線は高周波に対してインダクタンス
を持つており、このため周囲にUHF帯の無線通
信等による協力な高周波電界が存在すると、これ
らのリード線に容易に起電力が誘起される。この
ようにして誘起された電圧は、FET２の検波作
用や増幅作用によつて端子４，５間にノイズとな
つて現れ、誤検出の大きな原因となつていた。
路はシールドケース６内に組み込まれており、こ
のシールドケース６から端子３，４，５を夫々リ
ード線を用いて導出している。しかしながら、こ
れらのリード線は高周波に対してインダクタンス
を持つており、このため周囲にUHF帯の無線通
信等による協力な高周波電界が存在すると、これ
らのリード線に容易に起電力が誘起される。この
ようにして誘起された電圧は、FET２の検波作
用や増幅作用によつて端子４，５間にノイズとな
つて現れ、誤検出の大きな原因となつていた。
本出願人は、このような問題点を解決するため
に、第１図に示すように、FETのドレイン電極
Ｄとアース端子５及びソース電極Ｓとアース端子
５との間に小容量コンデンサC1及びC2を夫々設
けた赤外線センサを既に提案している。このよう
なコンデンサC1，C2を用いることにより、UHF
帯の無線通信につて誘起された高周波電流は
FET２の手前でアース端子５に流れてしまう。
従つて、焦電素子１による低周波の検出電圧V0
に対してノイズとなることが防止される。
に、第１図に示すように、FETのドレイン電極
Ｄとアース端子５及びソース電極Ｓとアース端子
５との間に小容量コンデンサC1及びC2を夫々設
けた赤外線センサを既に提案している。このよう
なコンデンサC1，C2を用いることにより、UHF
帯の無線通信につて誘起された高周波電流は
FET２の手前でアース端子５に流れてしまう。
従つて、焦電素子１による低周波の検出電圧V0
に対してノイズとなることが防止される。
しかしながら、上記のような構成では、UHF
帯の無線通信による影響を除去することはできる
が、例えば3GHz以上のマイクロ波による影響を
除去することはできなかつた。このようなマイク
ロ波は、ボールや自動車等の速度検知器や自動ド
アの開閉制御用ドアセンサ等に使用されている。
特に、上記のような赤外線センサを侵入検知器と
して用いる場合には、上記ドアセンサに近接して
設置されることがあり、マイクロ波による影響を
無視することはできない。
帯の無線通信による影響を除去することはできる
が、例えば3GHz以上のマイクロ波による影響を
除去することはできなかつた。このようなマイク
ロ波は、ボールや自動車等の速度検知器や自動ド
アの開閉制御用ドアセンサ等に使用されている。
特に、上記のような赤外線センサを侵入検知器と
して用いる場合には、上記ドアセンサに近接して
設置されることがあり、マイクロ波による影響を
無視することはできない。
このような問題点を是正するために、赤外線セ
ンサのシールドケースに設けられた検出用窓に電
気良導体からなる網状部材を取り付けることが考
えられる。
ンサのシールドケースに設けられた検出用窓に電
気良導体からなる網状部材を取り付けることが考
えられる。
次に、このように構成した赤外線センサの具体
例を第２図に示す参考例につき説明する。
例を第２図に示す参考例につき説明する。
赤外線センサは、図示のような円筒状のシール
ドケース６を具備している。このシールドケース
６内には、焦電素子１、FET２、チツプコンデ
ンサC1，C2等からなる第１図と同様の回路構成
が内蔵されている。そしてシールドケース６の後
端側から電源端子３、出力端子４及びアース端子
５が夫々導出されている。一方シールドケース６
の前面には、焦電素子１と対向する位置に円形の
検出用窓７が設けられており、この検出用窓７に
シリコン等からなる赤外線透過用の光学フイルタ
８が内側から取り付けられている。
ドケース６を具備している。このシールドケース
６内には、焦電素子１、FET２、チツプコンデ
ンサC1，C2等からなる第１図と同様の回路構成
が内蔵されている。そしてシールドケース６の後
端側から電源端子３、出力端子４及びアース端子
５が夫々導出されている。一方シールドケース６
の前面には、焦電素子１と対向する位置に円形の
検出用窓７が設けられており、この検出用窓７に
シリコン等からなる赤外線透過用の光学フイルタ
８が内側から取り付けられている。
本例においては、シールドケース６の検出用窓
７に図示のようなシールドネツト９が外側から取
り付けられている。このシールドネツト９は金属
線、例えば、0.05〜0.1mmφ程度の銅線１０を網
状に組み立てて構成されており、各銅線１０の交
差部にボンデイング、半田付等により互いに電気
的に接続されている。またシールドネツト９の網
目の大きさは約１mm×１mmである。
７に図示のようなシールドネツト９が外側から取
り付けられている。このシールドネツト９は金属
線、例えば、0.05〜0.1mmφ程度の銅線１０を網
状に組み立てて構成されており、各銅線１０の交
差部にボンデイング、半田付等により互いに電気
的に接続されている。またシールドネツト９の網
目の大きさは約１mm×１mmである。
シールドネツト９は、シールドネツト６の前面
に半田付、ドータイト（商品名）付け、ボンデイ
ング等によつて取り付けられている。従つてシー
ルドネツト９の各部がシールドケース６と略同電
位（アース電位）となり、マイクロ波に対して良
好なシールド効果（約−20dB程度）を有する。
一方赤外線の検出出力V0は約30％減程度であり、
実用上全く問題はない。
に半田付、ドータイト（商品名）付け、ボンデイ
ング等によつて取り付けられている。従つてシー
ルドネツト９の各部がシールドケース６と略同電
位（アース電位）となり、マイクロ波に対して良
好なシールド効果（約−20dB程度）を有する。
一方赤外線の検出出力V0は約30％減程度であり、
実用上全く問題はない。
本発明は、上述の参考例よりも簡単な構成でも
つてマイクロ波の影響を除去しようとするもので
あつて、赤外線センサのシールドケースに設けら
れた検出用窓に赤外線透過用の光学フイルタが配
置され、この光学フイルタに金属薄膜が網状パタ
ーンに例えば蒸着によつて形成されている。
つてマイクロ波の影響を除去しようとするもので
あつて、赤外線センサのシールドケースに設けら
れた検出用窓に赤外線透過用の光学フイルタが配
置され、この光学フイルタに金属薄膜が網状パタ
ーンに例えば蒸着によつて形成されている。
以下、本発明を実施例につき第３図〜第５図を
参照して説明する。
参照して説明する。
第３Ａ図及び第３Ｂ図に本発明の実施例を示
す。
す。
本例においては、シールドケース６の検出用窓
７に取り付けられる赤外線透過用の光学フイルタ
１１に金属薄膜１２が網状パターンに蒸着されて
いる。光学フイルタ１１の基材としてシリコン、
サフアイア、ゲルマニウム、NaCl、KCl等を用
いることができる。また、蒸着する金属として
は、比抵抗ができるだけ小さいもの、例えばNi、
Al、Cr等が好ましく、コスト的な問題が解決さ
れればAnも好ましく用い得る。
７に取り付けられる赤外線透過用の光学フイルタ
１１に金属薄膜１２が網状パターンに蒸着されて
いる。光学フイルタ１１の基材としてシリコン、
サフアイア、ゲルマニウム、NaCl、KCl等を用
いることができる。また、蒸着する金属として
は、比抵抗ができるだけ小さいもの、例えばNi、
Al、Cr等が好ましく、コスト的な問題が解決さ
れればAnも好ましく用い得る。
蒸着パターンは、蒸着マスクのパターンによつ
て変更し得るが、本発明による効果を得るために
は、網状パターンの線のピツチ（網目の巾）が約
0.5〜2.5mm、各線の巾が約0.01〜１mm、線の厚み
（蒸着膜の厚み）が約500Å〜1μの範囲にあるの
が好ましい。これらの範囲は検出用窓７から赤外
光がより多く入射し、且つマイクロ波をより侵入
し難くする条件である。
て変更し得るが、本発明による効果を得るために
は、網状パターンの線のピツチ（網目の巾）が約
0.5〜2.5mm、各線の巾が約0.01〜１mm、線の厚み
（蒸着膜の厚み）が約500Å〜1μの範囲にあるの
が好ましい。これらの範囲は検出用窓７から赤外
光がより多く入射し、且つマイクロ波をより侵入
し難くする条件である。
上記のような赤外線透過用の光学フイルタ１１
を製造する場合には、第３Ａ図に示すように、複
数の光学フイルタ１１を同時に製造し、これを分
割して各フイルタ１１を得るのがコスト的に好ま
しい。即ち、各フイルタ１１の大きさに合せて予
め碁盤目状の切り溝を入れた基材１３に金属薄膜
１２を網状パターンに蒸着し、しかる後、これを
上記切り溝に沿つて分割するのである。
を製造する場合には、第３Ａ図に示すように、複
数の光学フイルタ１１を同時に製造し、これを分
割して各フイルタ１１を得るのがコスト的に好ま
しい。即ち、各フイルタ１１の大きさに合せて予
め碁盤目状の切り溝を入れた基材１３に金属薄膜
１２を網状パターンに蒸着し、しかる後、これを
上記切り溝に沿つて分割するのである。
このようにして得られた光学フイルタ１１は、
第３Ｂ図に示すように、赤外線センサのシールド
ケース６の前面に設けられた検出用窓７に内側か
ら取り付けられる。このとき、蒸着面を保護する
ために光学フイルタ１１の金属蒸着面が内側に向
くように配され、かつ、金属薄膜１２とシールド
ケース６とが互いに導通されるように、例えばド
ータイト付け１４等により固定される。このよう
に金属薄膜１２とシールドケース６とを互いに導
通させることにより、金属薄膜１２の各部がシー
ルドケース６と略同電位（アース電位）となり、
マイクロ波に対して良好なシールド効果（例え
ば、約−９〜−15dB程度）を有する。一方赤外
線の検出出力V0はやはり約30％減程度であり、
実用上全く問題はない。
第３Ｂ図に示すように、赤外線センサのシールド
ケース６の前面に設けられた検出用窓７に内側か
ら取り付けられる。このとき、蒸着面を保護する
ために光学フイルタ１１の金属蒸着面が内側に向
くように配され、かつ、金属薄膜１２とシールド
ケース６とが互いに導通されるように、例えばド
ータイト付け１４等により固定される。このよう
に金属薄膜１２とシールドケース６とを互いに導
通させることにより、金属薄膜１２の各部がシー
ルドケース６と略同電位（アース電位）となり、
マイクロ波に対して良好なシールド効果（例え
ば、約−９〜−15dB程度）を有する。一方赤外
線の検出出力V0はやはり約30％減程度であり、
実用上全く問題はない。
第４図に上記実施例による赤外線センサの好ま
しい使用例を示す。
しい使用例を示す。
図において、１５はAl等からなるシールドボ
ツクスであり、このシールドボツクス１５の中に
電源部、プリアンプ部等が内蔵されている。赤外
線センサは、図示のように、このシールドボツク
ス１５の前面部に設けられた筒状ソケツト部１６
内に収容されて取り付けられている。この筒状ソ
ケツト部１６の前端面には、銅等からなるアース
板１７がビス止めされて取り付けられている。こ
のアース板１７は、赤外線センサのシールドケー
ス６の前面部と電気的に接触するように設けられ
ている。また、このアース板１７によつて、赤外
線センサのシールドケース６とシールドボツクス
１５の筒状ソケツト部１６との間に〓間１８が完
全に閉塞されるようになされている。アース板１
７の中央部には、赤外線センサの検出用窓７と対
応する位置に検出用孔１９が設けられている。
ツクスであり、このシールドボツクス１５の中に
電源部、プリアンプ部等が内蔵されている。赤外
線センサは、図示のように、このシールドボツク
ス１５の前面部に設けられた筒状ソケツト部１６
内に収容されて取り付けられている。この筒状ソ
ケツト部１６の前端面には、銅等からなるアース
板１７がビス止めされて取り付けられている。こ
のアース板１７は、赤外線センサのシールドケー
ス６の前面部と電気的に接触するように設けられ
ている。また、このアース板１７によつて、赤外
線センサのシールドケース６とシールドボツクス
１５の筒状ソケツト部１６との間に〓間１８が完
全に閉塞されるようになされている。アース板１
７の中央部には、赤外線センサの検出用窓７と対
応する位置に検出用孔１９が設けられている。
このような構成によつて、シールドボツクス１
５と赤外線センサのシールドケース６と光学フイ
ルタ１１に設けられた網状パターン１２とが略同
電位（アース電位）となり、かつ〓間１８から侵
入するマイクロ波を完全にシールドすることがで
きる。この結果、後述する実験例からも明らかな
ように、一層良好なマイクロ波シールド効果（約
−40〜−50dB程度）を得ることができる。
５と赤外線センサのシールドケース６と光学フイ
ルタ１１に設けられた網状パターン１２とが略同
電位（アース電位）となり、かつ〓間１８から侵
入するマイクロ波を完全にシールドすることがで
きる。この結果、後述する実験例からも明らかな
ように、一層良好なマイクロ波シールド効果（約
−40〜−50dB程度）を得ることができる。
次に本発明を実験例につき説明する。
実験は第４図に示したようなシールドボツクス
１５内に赤外線センサを挿入して取り付け、この
センサの手前10センチの距離からｆ＝10.525GHz
のマイクロ波を発信して行つた。
１５内に赤外線センサを挿入して取り付け、この
センサの手前10センチの距離からｆ＝10.525GHz
のマイクロ波を発信して行つた。
結果を第５図のグラフに示す。このグラフにお
いて、Ａは赤外線センサに網状部材も前縁アース
手段も用いない従来の状態、Ｂは赤外線センサの
検出用窓に第２図に示したような銅製のシールド
ネツト９をドータイト付けした状態、ＣはＢの状
態に更に第４図に示したような銅板のアース手段
１７を赤外線センサの前縁部に取り付けた状態の
データである。焦電素子１としてはポリフツ化ビ
ニリデン樹脂を用い、又チツプコンデンサC1，
C2として27PFのものを夫々使用した。グラフの
縦軸は対数目盛で表したセンサ出力（ｍＶ／Ｐ−
Ｐ）である。
いて、Ａは赤外線センサに網状部材も前縁アース
手段も用いない従来の状態、Ｂは赤外線センサの
検出用窓に第２図に示したような銅製のシールド
ネツト９をドータイト付けした状態、ＣはＢの状
態に更に第４図に示したような銅板のアース手段
１７を赤外線センサの前縁部に取り付けた状態の
データである。焦電素子１としてはポリフツ化ビ
ニリデン樹脂を用い、又チツプコンデンサC1，
C2として27PFのものを夫々使用した。グラフの
縦軸は対数目盛で表したセンサ出力（ｍＶ／Ｐ−
Ｐ）である。
この結果から分かるように、何の処理も施さな
い従来の状態(A)ではマイクロ波によつて約304ｍ
Ｖ／Ｐ−Ｐの出力が現れるのに対し、本参考例に
よるシールドネツトを施した状態(B)では出力が約
24ｍＶ／Ｐ−Ｐ（約−22dB）に下がり、更に前縁
アースを施した状態(C)では約1.196ｍＶ／Ｐ−Ｐ
（約−48.1dB）にまで改善される。
い従来の状態(A)ではマイクロ波によつて約304ｍ
Ｖ／Ｐ−Ｐの出力が現れるのに対し、本参考例に
よるシールドネツトを施した状態(B)では出力が約
24ｍＶ／Ｐ−Ｐ（約−22dB）に下がり、更に前縁
アースを施した状態(C)では約1.196ｍＶ／Ｐ−Ｐ
（約−48.1dB）にまで改善される。
一方、第３Ａ図及び第３Ｂ図に示したような蒸
着ネツトを施した赤外線センサ（焦電素子１とし
てポリフツ化ビニリデン樹脂、チツプコンデンサ
C1，C2として夫々100PFのもの、光学フイルタ１
１の基材１３として10μ厚のシリコン板を夫々用
いた）では、次のような結果を得た。
着ネツトを施した赤外線センサ（焦電素子１とし
てポリフツ化ビニリデン樹脂、チツプコンデンサ
C1，C2として夫々100PFのもの、光学フイルタ１
１の基材１３として10μ厚のシリコン板を夫々用
いた）では、次のような結果を得た。
即ち、処理を施さない従来のものが約136ｍ
Ｖ／Ｐ−Ｐ（約−6.1dB）であつた。同様に、ニ
ツケル蒸着の場合には、ネツト無しのものが約
27.2ｍＶ／Ｐ−Ｐであつたのに対し、ニツケル蒸
着ネツト付きのものは約8.795ｍＶ／Ｐ−Ｐ（約−
9.8dB）であつた。又、ニツケル蒸着ネツトの他
の実験により約−15dB程度の改善が見られた。
Ｖ／Ｐ−Ｐ（約−6.1dB）であつた。同様に、ニ
ツケル蒸着の場合には、ネツト無しのものが約
27.2ｍＶ／Ｐ−Ｐであつたのに対し、ニツケル蒸
着ネツト付きのものは約8.795ｍＶ／Ｐ−Ｐ（約−
9.8dB）であつた。又、ニツケル蒸着ネツトの他
の実験により約−15dB程度の改善が見られた。
一方、赤外線検出出力V0は、例えば、ニツケ
ル蒸着ネツトを施さないもの（但し、チツプコン
デンサC1，C2は夫々47PF）が約675μV／Ｐ−Ｐ
であつたのに対し、ニツケル蒸着ネツトを施した
ものが約505μV／Ｐ−Ｐ（約25％減）であり、実
用上全く問題はない。
ル蒸着ネツトを施さないもの（但し、チツプコン
デンサC1，C2は夫々47PF）が約675μV／Ｐ−Ｐ
であつたのに対し、ニツケル蒸着ネツトを施した
ものが約505μV／Ｐ−Ｐ（約25％減）であり、実
用上全く問題はない。
以上説明したように、本発明においては、赤外
線センサのシールドケースに設けられた検出用窓
に赤外線透過用の光学フイルタが配置され、この
光学フイルタに金属薄膜が網状パターンに形成さ
れている。従つて、簡単な構成でもつて、検出用
窓から入る赤外線を選択的に透過させることがで
き、同時にこの検出用窓から侵入するマイクロ波
を効果的にシールドでき、マイクロによるノイズ
や誤検出を防止することができる。また、赤外線
の検出出力の低下は実用上全く問題がない範囲に
抑えることができる。
線センサのシールドケースに設けられた検出用窓
に赤外線透過用の光学フイルタが配置され、この
光学フイルタに金属薄膜が網状パターンに形成さ
れている。従つて、簡単な構成でもつて、検出用
窓から入る赤外線を選択的に透過させることがで
き、同時にこの検出用窓から侵入するマイクロ波
を効果的にシールドでき、マイクロによるノイズ
や誤検出を防止することができる。また、赤外線
の検出出力の低下は実用上全く問題がない範囲に
抑えることができる。
また、光学フイルタはセンサ内部を気密にする
機能を併せて持つことができる。
機能を併せて持つことができる。
第１図は従来の赤外線センサの回路図である。
第２図は本発明の参考例による赤外線センサの分
解斜視図、第３Ａ図は本発明の実施例による赤外
線センサの分解斜視図、第３Ｂ図は同上の縦断面
図、第４図は本発明の赤外線センサの使用例を示
す部分断面図、第５図は実験例を示すグラフであ
る。 なお図面に用いた符号において、１……焦電素
子、２……FET、６……シールドケース、７…
…検出用窓、９……シールドネツト、１１……光
学フイルタ、１２……金属薄膜（網状パターン）
である。
第２図は本発明の参考例による赤外線センサの分
解斜視図、第３Ａ図は本発明の実施例による赤外
線センサの分解斜視図、第３Ｂ図は同上の縦断面
図、第４図は本発明の赤外線センサの使用例を示
す部分断面図、第５図は実験例を示すグラフであ
る。 なお図面に用いた符号において、１……焦電素
子、２……FET、６……シールドケース、７…
…検出用窓、９……シールドネツト、１１……光
学フイルタ、１２……金属薄膜（網状パターン）
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 焦電素子と電界効果型トランジスタとがシー
ルドケース内に組み込まれてなる赤外線センサに
おいて、 上記シールドケースに設けられた検出用窓に赤
外線透過用の光学フイルタが配置され、この光学
フイルタに金属薄膜が網状パターンに形成されて
いることを特徴とする赤外線センサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010844A JPS60154122A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 赤外線センサ |
| EP84308489A EP0145457B1 (en) | 1983-12-09 | 1984-12-06 | An infrared sensor |
| DE8484308489T DE3478496D1 (en) | 1983-12-09 | 1984-12-06 | An infrared sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010844A JPS60154122A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 赤外線センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154122A JPS60154122A (ja) | 1985-08-13 |
| JPH0327052B2 true JPH0327052B2 (ja) | 1991-04-12 |
Family
ID=11761656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59010844A Granted JPS60154122A (ja) | 1983-12-09 | 1984-01-24 | 赤外線センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154122A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10033263A1 (de) * | 2000-07-10 | 2002-02-28 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Optische Positionsmesseinrichtung |
| JP2009168462A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Toyota Central R&D Labs Inc | マイクロ波加熱用温度分布測定装置およびマイクロ波加熱用温度分布測定方法 |
| JP2009236888A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Toyota Central R&D Labs Inc | マイクロ波加熱用温度分布測定装置およびマイクロ波加熱用温度分布測定方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55170625U (ja) * | 1979-05-28 | 1980-12-08 |
-
1984
- 1984-01-24 JP JP59010844A patent/JPS60154122A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60154122A (ja) | 1985-08-13 |
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