JPH0328706B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0328706B2 JPH0328706B2 JP21342882A JP21342882A JPH0328706B2 JP H0328706 B2 JPH0328706 B2 JP H0328706B2 JP 21342882 A JP21342882 A JP 21342882A JP 21342882 A JP21342882 A JP 21342882A JP H0328706 B2 JPH0328706 B2 JP H0328706B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chalcogen
- alloy
- photoreceptor
- film
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は電子写真用感光体の製造方法に関する
ものである。
ものである。
（従来技術）
従来の電子写真用感光体はアルミニウム等の導
電性基板上に代表的なカルコゲン元素であるSe
（セレン）膜を真空蒸着法により蒸着して成るも
のであるが、このSe感光体は分光感度が500nm
付近までしかなく、また結晶化しやすく不安定で
ある。このSe感光体の安定性を改善したものと
して少量のAs（ヒ素）をSeに添加して成るSe−
Asカルコゲン合金感光体がある。また、分光感
度を長波長に伸ばしたものとしてSe−Te感光体
があり、これはSeにTe（テルル）を添加して成る
カルコゲン合金であるが、Teの添加量が増加す
るとSe−Te膜の電気抵抗が低下し、その結果表
面電荷の保持特性が悪くなり事実上、感光体とし
て使用できなくなる。さらにSeにBi（ビスマス）
を添加して成るSe−Biカルコゲン合金感光体が
あり、これは800nmにおいても分光感度を有す
る。さらに、このSe−Bi合金にＩ（ヨウ素）を添
加してSe−Bi−Ｉカルコゲン合金膜とすること
も行われている。そして、このSe−Bi−Ｉ合金
膜のように、カルコゲン合金にＩのようなハロゲ
ン元素を添加した材料を用いた感光体は、添加し
ないものよりも感度が高く、また残留電位も小さ
いことが良く知られている。
電性基板上に代表的なカルコゲン元素であるSe
（セレン）膜を真空蒸着法により蒸着して成るも
のであるが、このSe感光体は分光感度が500nm
付近までしかなく、また結晶化しやすく不安定で
ある。このSe感光体の安定性を改善したものと
して少量のAs（ヒ素）をSeに添加して成るSe−
Asカルコゲン合金感光体がある。また、分光感
度を長波長に伸ばしたものとしてSe−Te感光体
があり、これはSeにTe（テルル）を添加して成る
カルコゲン合金であるが、Teの添加量が増加す
るとSe−Te膜の電気抵抗が低下し、その結果表
面電荷の保持特性が悪くなり事実上、感光体とし
て使用できなくなる。さらにSeにBi（ビスマス）
を添加して成るSe−Biカルコゲン合金感光体が
あり、これは800nmにおいても分光感度を有す
る。さらに、このSe−Bi合金にＩ（ヨウ素）を添
加してSe−Bi−Ｉカルコゲン合金膜とすること
も行われている。そして、このSe−Bi−Ｉ合金
膜のように、カルコゲン合金にＩのようなハロゲ
ン元素を添加した材料を用いた感光体は、添加し
ないものよりも感度が高く、また残留電位も小さ
いことが良く知られている。
従来、電子写真用感光体は導電性基板としてア
ルミニウムを用い、この基板上にカルコゲンまた
はカルコゲン合金、たとえばSe膜、Se−As合金
膜、Se−Te合金膜、Se−Bi−Ｉ合金膜等のいず
れかの感光膜を真空蒸着法により蒸着して形成す
るものである。ここで、Se−Te合金膜等の２元
系合金の蒸着は比較的容易であるが、Se−Bi−
Ｉ合金膜の形成は、その組成が３元系であること
から希望の組成の膜を基板上に形成することは非
常に難しく特殊な方法を用いねばならない。
ルミニウムを用い、この基板上にカルコゲンまた
はカルコゲン合金、たとえばSe膜、Se−As合金
膜、Se−Te合金膜、Se−Bi−Ｉ合金膜等のいず
れかの感光膜を真空蒸着法により蒸着して形成す
るものである。ここで、Se−Te合金膜等の２元
系合金の蒸着は比較的容易であるが、Se−Bi−
Ｉ合金膜の形成は、その組成が３元系であること
から希望の組成の膜を基板上に形成することは非
常に難しく特殊な方法を用いねばならない。
第１図はこの特殊な方法の１つであり、第１の
従来例であるフラツシユ蒸着法である。図におい
て、１はアルミニウム基板、２はるつぼ、３は材
料供給器、４は真空槽である。すなわち、予め、
Se−Bi−Ｉの混合物を作成し、これを細かい粒
子状に粉砕し粒度をそろえ、これを加熱されてい
るるつぼ２に少しずつ材料供給器３から供給し、
この供給された量だけ短時間に蒸発させてアルミ
ニウム基板１に真空蒸着させる方法である。
従来例であるフラツシユ蒸着法である。図におい
て、１はアルミニウム基板、２はるつぼ、３は材
料供給器、４は真空槽である。すなわち、予め、
Se−Bi−Ｉの混合物を作成し、これを細かい粒
子状に粉砕し粒度をそろえ、これを加熱されてい
るるつぼ２に少しずつ材料供給器３から供給し、
この供給された量だけ短時間に蒸発させてアルミ
ニウム基板１に真空蒸着させる方法である。
しかるに、この方法では、Se−Bi−Ｉ合金の
均一な組成の非常に均一な粒度の材料が必要であ
り、また、材料供給速度の制御が非常に難しい。
さらに、Se−Bi−Ｉ合金のＩをＦに置き換えた
Se−Bi−Ｆ合金膜の形成をこの方法によつて行
う場合は、この３元系の材料自体を作製すること
が困難であり、この方法では不可能である。
均一な組成の非常に均一な粒度の材料が必要であ
り、また、材料供給速度の制御が非常に難しい。
さらに、Se−Bi−Ｉ合金のＩをＦに置き換えた
Se−Bi−Ｆ合金膜の形成をこの方法によつて行
う場合は、この３元系の材料自体を作製すること
が困難であり、この方法では不可能である。
次に第２図は第２の従来例を示し、５はシヤツ
ター、その他第１図と同一符号は第１図と同一部
分である。すなわち、第２の従来例は真空蒸着法
を用いた三温度法で行うもので、Se，Bi，及び
BiF3の３種の材料を３個のるつぼ２に別々に入
れ、この各々のるつぼ２の温度を熱電対（図示せ
ず）を用いて測定しながら別々の最適温度に制御
しそれぞれの蒸発量を制御する。しかし、この場
合、３個のるつぼ２のそれぞれの温度が一定にな
り、その結果蒸発量が一定になるまでには、かな
りの時間を要し、その間にるつぼ２に入れた材料
が全部蒸発してしまうことがある。また、るつぼ
２の温度制御だけでは蒸着膜の組成を厳密に制御
できないので、るつぼ２に設けたシヤツター５の
開きを加減するなどして前記蒸発量を制御する必
要がある。従つて、この方法は、実際上いくつか
の解決すべき困難な問題を抱えている。
ター、その他第１図と同一符号は第１図と同一部
分である。すなわち、第２の従来例は真空蒸着法
を用いた三温度法で行うもので、Se，Bi，及び
BiF3の３種の材料を３個のるつぼ２に別々に入
れ、この各々のるつぼ２の温度を熱電対（図示せ
ず）を用いて測定しながら別々の最適温度に制御
しそれぞれの蒸発量を制御する。しかし、この場
合、３個のるつぼ２のそれぞれの温度が一定にな
り、その結果蒸発量が一定になるまでには、かな
りの時間を要し、その間にるつぼ２に入れた材料
が全部蒸発してしまうことがある。また、るつぼ
２の温度制御だけでは蒸着膜の組成を厳密に制御
できないので、るつぼ２に設けたシヤツター５の
開きを加減するなどして前記蒸発量を制御する必
要がある。従つて、この方法は、実際上いくつか
の解決すべき困難な問題を抱えている。
（発明の開示）
そこで、本発明者等は鋭意検討を重ねた結果、
従来の真空蒸着法の代りに、SF6ガスを用いた反
応性スパツタ法で、従来添加することが困難であ
つたＦをセレン（Se）が含有されているカルコ
ゲンまたは合金に容易に添加して、Ｆを含有する
カルコゲンまたはカルコゲン合金膜を形成するこ
とが所望の高感度の電子写真用感光体を安定的に
かつ安価に製造できる方法であるとの知見を得、
本発明に到達した。
従来の真空蒸着法の代りに、SF6ガスを用いた反
応性スパツタ法で、従来添加することが困難であ
つたＦをセレン（Se）が含有されているカルコ
ゲンまたは合金に容易に添加して、Ｆを含有する
カルコゲンまたはカルコゲン合金膜を形成するこ
とが所望の高感度の電子写真用感光体を安定的に
かつ安価に製造できる方法であるとの知見を得、
本発明に到達した。
すなわち本発明は、導電性基板を準備する工程
と、前記導電性基板の上に感光膜を形成せしめる
感光膜形成工程より成り、前記感光膜形成工程は
スパツタガスにアルゴンを、反応性ガスにSF6ガ
ス（６フツ化イオウ）を用いた反応性スパツタ法
により行い、スパツタターゲツトにはセレン
（Se）が含有されているカルコゲンまたはカルコ
ゲン合金を用いて、セレン（Se）が含有されて
いるカルコゲンまたはカルコゲン合金にＦ（フツ
素）及びＳ（イオウ）を添加した薄膜を形成する
ことを特徴とする電子写真用感光体の製造方法で
あり、所望の高感度の電子写真用感光体を安定的
にかつ安価に製造することを目的とする。
と、前記導電性基板の上に感光膜を形成せしめる
感光膜形成工程より成り、前記感光膜形成工程は
スパツタガスにアルゴンを、反応性ガスにSF6ガ
ス（６フツ化イオウ）を用いた反応性スパツタ法
により行い、スパツタターゲツトにはセレン
（Se）が含有されているカルコゲンまたはカルコ
ゲン合金を用いて、セレン（Se）が含有されて
いるカルコゲンまたはカルコゲン合金にＦ（フツ
素）及びＳ（イオウ）を添加した薄膜を形成する
ことを特徴とする電子写真用感光体の製造方法で
あり、所望の高感度の電子写真用感光体を安定的
にかつ安価に製造することを目的とする。
（実施例）
以下本発明の実施例を図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
先ず、第３図に第１の実施例を示す、第３図は
高周波スパツタ装置であり、１ａはアルミニウム
基板、６はスパツタ用ターゲツト（Se98Bi2カル
コゲン合金ターゲツト）、４は真空槽、７はバリ
アブルリークバルブ、８はArガス容器、９はSF6
ガス容器である。
高周波スパツタ装置であり、１ａはアルミニウム
基板、６はスパツタ用ターゲツト（Se98Bi2カル
コゲン合金ターゲツト）、４は真空槽、７はバリ
アブルリークバルブ、８はArガス容器、９はSF6
ガス容器である。
まず始めに真空槽４を、バリアブルリークバル
ブ７を閉じた状態で10-6Torr以下の真空度にな
るように、真空ポンプ（図示せず）で高真空にす
る。このあとSF6ガスをバリアブルリークバルブ
７を調節して真空度が１×10-5Torrになるよう
に真空槽４中に導入する。このあとArガスを、
バリアブルリークバルブ７を調節して、真空度が
５×10-4Torrになるように真空槽４中に導入す
る。このようにしてArガス中のSF6ガスの割合を
２％とした。このあと、13.56MHzの高周波をAr
ガスとSF6ガスに印加し、この混合ガスをプラズ
マ化し、Se98Bi2カルコゲン合金ターゲツト６を
スパツタした。この結果、基板１ａ上にSe−Bi
−Ｆ−Ｓ合金がスパツタされて薄膜が形成され
た。ここで、ターゲツト６の直径80mm、基板１ａ
とターゲツト６間の距離50mm、高周波実効出力
80W、基板温度50℃のときの成膜速度は約0.15μ
ｍ／minであつた。また、以上のSF6ガスを用い
る反応性スパツタの反応機構、すなわちSF6がど
のような形に分解して、どのようにSe−Bi合金
にＦとＳが添加されるかは不明であるが、再現性
良くSe−Bi−Ｆ−Ｓ合金膜を形成することがで
きる。
ブ７を閉じた状態で10-6Torr以下の真空度にな
るように、真空ポンプ（図示せず）で高真空にす
る。このあとSF6ガスをバリアブルリークバルブ
７を調節して真空度が１×10-5Torrになるよう
に真空槽４中に導入する。このあとArガスを、
バリアブルリークバルブ７を調節して、真空度が
５×10-4Torrになるように真空槽４中に導入す
る。このようにしてArガス中のSF6ガスの割合を
２％とした。このあと、13.56MHzの高周波をAr
ガスとSF6ガスに印加し、この混合ガスをプラズ
マ化し、Se98Bi2カルコゲン合金ターゲツト６を
スパツタした。この結果、基板１ａ上にSe−Bi
−Ｆ−Ｓ合金がスパツタされて薄膜が形成され
た。ここで、ターゲツト６の直径80mm、基板１ａ
とターゲツト６間の距離50mm、高周波実効出力
80W、基板温度50℃のときの成膜速度は約0.15μ
ｍ／minであつた。また、以上のSF6ガスを用い
る反応性スパツタの反応機構、すなわちSF6がど
のような形に分解して、どのようにSe−Bi合金
にＦとＳが添加されるかは不明であるが、再現性
良くSe−Bi−Ｆ−Ｓ合金膜を形成することがで
きる。
以上説明した、SF6ガスを用いての反応性スパ
ツタ法により作成したSe−Bi−Ｆ−Ｓ合金膜の
組成を分析したところSe98.1Bi1.8F0.05S0.01であり、
ターゲツト組成とほぼ同組成のSe−Bi合金に少
量のＦとＳが添加されている組成であることがわ
かつた。さらにアルミニウム基板上に20μｍ厚の
このSe−Bi−Ｆ−Ｓ合金膜を形成した感光体を
作成し、その特性を測定したところ、Se−Bi−
Ｉ感光体と同様に800nmにおいても高感度を示し
た。また、この感光体は安定で、長時間のくりか
えし使用に対して結晶化、割れ等も生ぜず、残留
電位も小さかつた。
ツタ法により作成したSe−Bi−Ｆ−Ｓ合金膜の
組成を分析したところSe98.1Bi1.8F0.05S0.01であり、
ターゲツト組成とほぼ同組成のSe−Bi合金に少
量のＦとＳが添加されている組成であることがわ
かつた。さらにアルミニウム基板上に20μｍ厚の
このSe−Bi−Ｆ−Ｓ合金膜を形成した感光体を
作成し、その特性を測定したところ、Se−Bi−
Ｉ感光体と同様に800nmにおいても高感度を示し
た。また、この感光体は安定で、長時間のくりか
えし使用に対して結晶化、割れ等も生ぜず、残留
電位も小さかつた。
なお以上は、ターゲツトにSe98Bi2カルコゲン
合金を用いたが、その代りにカルコゲンである
Seをターゲツトに使用して、前記と全く同一条
件でスパツタを行い感光膜を作成したところ、成
膜速度は約0.2μｍ／minであつた。さらにこの感
光膜の組成を分析したところ、その組成はSe99.9
F0.08S0.02であり、ＦとＳがSeに添加されていた。
またこの感光体はSeとほぼ同じ分光感度を有し
ていた。
合金を用いたが、その代りにカルコゲンである
Seをターゲツトに使用して、前記と全く同一条
件でスパツタを行い感光膜を作成したところ、成
膜速度は約0.2μｍ／minであつた。さらにこの感
光膜の組成を分析したところ、その組成はSe99.9
F0.08S0.02であり、ＦとＳがSeに添加されていた。
またこの感光体はSeとほぼ同じ分光感度を有し
ていた。
このように、本発明によれば、今までカルコゲ
ン合金またはカルコゲンに添加することが困難で
あつたＦを容易に再現性良く添加することが可能
となつた。なお、Ｆと同時に添加されたＳ（イオ
ウ）は、カルコゲンそのものであり、また微量で
あり、形成された感光膜の特性にはほとんど影響
していなかつた。
ン合金またはカルコゲンに添加することが困難で
あつたＦを容易に再現性良く添加することが可能
となつた。なお、Ｆと同時に添加されたＳ（イオ
ウ）は、カルコゲンそのものであり、また微量で
あり、形成された感光膜の特性にはほとんど影響
していなかつた。
第１の実施例は平面状アルミニウム板を基板に
使用したのに対し、第２の実施例は第４図に示す
ようにドラム状の基板１０を10r.p.mの速度で回
転させながら、このドラム状基板１０の上に第１
の実施例と同じ方法でSe−Bi−Ｆ−S4元系カル
コゲン合金を均一に0.2μｍ厚形成した。このあ
と、このSe−Bi−Ｆ−Ｓ薄膜を形成したドラム
１０を真空槽４中から取り出し、ポリビニルカル
バゾールのテトラヒドロフラン溶液をスプレーコ
ーテイング法により20μｍ厚さにコーテイングし
て２層型の感光体ドラムを作成した。そして、
830nmの発光波長を持つ半導体レーザーを光源と
したレーザービームプリンタに、この感光体ドラ
ムを取り付け、印示試験を行つたところ、−5KV
の低コロナ電圧の使用でも十分にコントラストの
高い、優れた印字品質を示した。
使用したのに対し、第２の実施例は第４図に示す
ようにドラム状の基板１０を10r.p.mの速度で回
転させながら、このドラム状基板１０の上に第１
の実施例と同じ方法でSe−Bi−Ｆ−S4元系カル
コゲン合金を均一に0.2μｍ厚形成した。このあ
と、このSe−Bi−Ｆ−Ｓ薄膜を形成したドラム
１０を真空槽４中から取り出し、ポリビニルカル
バゾールのテトラヒドロフラン溶液をスプレーコ
ーテイング法により20μｍ厚さにコーテイングし
て２層型の感光体ドラムを作成した。そして、
830nmの発光波長を持つ半導体レーザーを光源と
したレーザービームプリンタに、この感光体ドラ
ムを取り付け、印示試験を行つたところ、−5KV
の低コロナ電圧の使用でも十分にコントラストの
高い、優れた印字品質を示した。
（発明の効果）
以上のように本発明による製造方法によれば、
従来の真空蒸着法の代りに、SF6ガスを用いた反
応性スパツタ法で、従来添加することが困難であ
つたＦをセレン（Se）が含有されているカルコ
ゲンまたはカルコゲン合金に容易に添加して、Ｆ
を含有するカルコゲンまたはカルコゲン合金膜を
形成するようにしたので、所望の高感度の電子写
真用感光体を安定的にかつ安価に製造できる。
従来の真空蒸着法の代りに、SF6ガスを用いた反
応性スパツタ法で、従来添加することが困難であ
つたＦをセレン（Se）が含有されているカルコ
ゲンまたはカルコゲン合金に容易に添加して、Ｆ
を含有するカルコゲンまたはカルコゲン合金膜を
形成するようにしたので、所望の高感度の電子写
真用感光体を安定的にかつ安価に製造できる。
第１図は従来のSe−Bi−Ｉ合金感光体の製造
方法を説明するための図、第２図は従来のSe−
Bi−Ｆ合金感光体の製造方法を説明するための
図、第３図および第４図は本発明による電子写真
用感光体の製造方法の各実施例を説明するための
図である。 １ａ……アルミニウム基板、４……真空槽、６
……ターゲツト、７……バリアブルリークバル
ブ、８……Arガス容器、９……SF6ガス容器、１
０……ドラム状基板。
方法を説明するための図、第２図は従来のSe−
Bi−Ｆ合金感光体の製造方法を説明するための
図、第３図および第４図は本発明による電子写真
用感光体の製造方法の各実施例を説明するための
図である。 １ａ……アルミニウム基板、４……真空槽、６
……ターゲツト、７……バリアブルリークバル
ブ、８……Arガス容器、９……SF6ガス容器、１
０……ドラム状基板。
Claims (1)
- １ 導電性基板を準備する工程と、前記導電性基
板の上に感光膜を形成せしめる感光膜形成工程よ
り成り、前記感光膜形成工程はスパツタガスにア
ルゴンを、反応性ガスにSF6ガス（６フツ化イオ
ウ）を用いた反応性スパツタ法により行い、スパ
ツタターゲツトにはセレン（Se）が含有されて
いるカルコゲンまたはカルコゲン合金を用いて、
セレン（Se）が含有されているカルコゲンまた
はカルコゲン合金にＦ（フツ素）及びＳ（イオウ）
を添加した薄膜を形成することを特徴とする電子
写真用感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21342882A JPS59104660A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21342882A JPS59104660A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104660A JPS59104660A (ja) | 1984-06-16 |
| JPH0328706B2 true JPH0328706B2 (ja) | 1991-04-19 |
Family
ID=16639060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21342882A Granted JPS59104660A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104660A (ja) |
-
1982
- 1982-12-07 JP JP21342882A patent/JPS59104660A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59104660A (ja) | 1984-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4664998A (en) | Electrophotographic image forming member having hydrogenated amorphous photoconductive layer including carbon | |
| JPH0756569B2 (ja) | 電子写真用の光導電体及び像形成部材 | |
| JPH01315766A (ja) | 電子写真用像形成部材の製造方法 | |
| US4298671A (en) | Tellurium layer allows vapor deposition of crystalline selenium thereon in making double layer electrophotographic record material | |
| JPH0328706B2 (ja) | ||
| US4822712A (en) | Reduction of selenium alloy fractionation | |
| US3984585A (en) | Vacuum evaporation plating method | |
| US4241158A (en) | Vacuum deposited electrophotographic photosensitive member | |
| US4343883A (en) | Method for producing an electrophotographic recording material having dual layer of amorphous and crystallized Se | |
| US4008082A (en) | Method for producing an electrophotographic recording material | |
| US5002734A (en) | Processes for preparing chalcogenide alloys | |
| US4894307A (en) | Processes for preparing and controlling the fractionation of chalcogenide alloys | |
| US4758487A (en) | Electrostatographic imaging members with amorphous boron | |
| US5035857A (en) | Processes for preparing chalcogenide alloys | |
| JP2574485B2 (ja) | カルコゲナイド合金の分晶抑制方法 | |
| US4210710A (en) | Photoconductor of varying light sensitivity from center to edges | |
| JPH0117572B2 (ja) | ||
| US4476209A (en) | Selenium-antimony alloy electrophotographic photoreceptors | |
| US3466183A (en) | Method of manufacturing photoconductive layers | |
| US4904559A (en) | Processes for suppressing the fractionation of chalcogenide alloys | |
| JP2959685B2 (ja) | 微粒子粉体の製造方法、微粒子粉体、この微粒子粉体を含む機能性膜の形成方法 | |
| JPH06161137A (ja) | 電子写真用セレン感光体の製造方法 | |
| RU1789966C (ru) | Электрофотографический материал | |
| US5075191A (en) | Process for controlling alloy fractionation | |
| JPS60144752A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 |