JPH0328809B2 - - Google Patents
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- JPH0328809B2 JPH0328809B2 JP57084787A JP8478782A JPH0328809B2 JP H0328809 B2 JPH0328809 B2 JP H0328809B2 JP 57084787 A JP57084787 A JP 57084787A JP 8478782 A JP8478782 A JP 8478782A JP H0328809 B2 JPH0328809 B2 JP H0328809B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reduction
- substrate
- reticle
- pattern
- lens
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子の製造工程で使用される
縮小投影露光装置の改良に係り、特に、この種の
装置において寸法精度が厳しく要求される高精度
な半導体素子作成時に生じる縮小倍率誤差を自動
的に補正する手段に関するものである。
縮小投影露光装置の改良に係り、特に、この種の
装置において寸法精度が厳しく要求される高精度
な半導体素子作成時に生じる縮小倍率誤差を自動
的に補正する手段に関するものである。
従来の縮小投影露光装置は、第3図に原理構成
を示したような光学系を基本として、原画42の
パターンを縮小レンズ43を用いて、基板44の
上に投影している。縮小レンズ43と基板44と
の距離をa、縮小レンズ43と原画42との距離
をbとすると光学系内の屈折率分布が一定である
限り縮小倍率mはm=a/b、焦点距離fは1/
f=1/a+1/bで表わされる。従来の縮小投
影露光装置においては上述距離aとbとが固定さ
れているため、原画42から基板44に至るまで
の光学系の光路内の媒体物の条件が変わつたりな
どして屈折率の分布が変化すると、光学系上の上
述距離a、bが屈折率の関数となり、変化して縮
小倍率mが変わつてしまい、基板44上に投影さ
れるパターンの寸法精度が劣化する欠点があつ
た。
を示したような光学系を基本として、原画42の
パターンを縮小レンズ43を用いて、基板44の
上に投影している。縮小レンズ43と基板44と
の距離をa、縮小レンズ43と原画42との距離
をbとすると光学系内の屈折率分布が一定である
限り縮小倍率mはm=a/b、焦点距離fは1/
f=1/a+1/bで表わされる。従来の縮小投
影露光装置においては上述距離aとbとが固定さ
れているため、原画42から基板44に至るまで
の光学系の光路内の媒体物の条件が変わつたりな
どして屈折率の分布が変化すると、光学系上の上
述距離a、bが屈折率の関数となり、変化して縮
小倍率mが変わつてしまい、基板44上に投影さ
れるパターンの寸法精度が劣化する欠点があつ
た。
このため従来は昭和55年度精機学会秋季大会学
術講演会論文集p262からp264に開示のように縮
小倍率調整に際して、寸法のあらかじめ判つた基
準パターンをウエハ上に露光し現像処理して測長
し倍率誤差を求めレンズを調整していた。
術講演会論文集p262からp264に開示のように縮
小倍率調整に際して、寸法のあらかじめ判つた基
準パターンをウエハ上に露光し現像処理して測長
し倍率誤差を求めレンズを調整していた。
しかし、縮小投影光学系内の媒体物の屈折率の
変化によるパターンの絶対寸法精度の劣化を自動
的に補正する点については考慮されておらず露光
装置の倍率合せに多大の時間を要する問題があつ
た。
変化によるパターンの絶対寸法精度の劣化を自動
的に補正する点については考慮されておらず露光
装置の倍率合せに多大の時間を要する問題があつ
た。
したがつて、本発明の目的は、縮小投影光学系
内の媒体物の屈折率分布等の変化により縮小倍率
誤差を生じて原理から基板上に縮小投影されるパ
ターンの絶対寸法精度が劣化することを防ぎ、常
に、高精度な絶対寸法の半導体素子を自動的に作
ることを可能ならしめる縮小投影露光装置を提供
することにある。
内の媒体物の屈折率分布等の変化により縮小倍率
誤差を生じて原理から基板上に縮小投影されるパ
ターンの絶対寸法精度が劣化することを防ぎ、常
に、高精度な絶対寸法の半導体素子を自動的に作
ることを可能ならしめる縮小投影露光装置を提供
することにある。
上記目的を達成するために本発明では、基板上
のマークを縮小投影レンズとレテイクルとを通し
て計測し、縮小倍率誤差を演算して、縮小投影レ
ンズを光軸方向に微動させることによつて自動的
に縮小倍率誤差を補正するように縮小投影露光装
置を構成したことを特徴としている。
のマークを縮小投影レンズとレテイクルとを通し
て計測し、縮小倍率誤差を演算して、縮小投影レ
ンズを光軸方向に微動させることによつて自動的
に縮小倍率誤差を補正するように縮小投影露光装
置を構成したことを特徴としている。
以下、本発明の一実施例を第2図により説明す
る。
る。
原画であるレテイクル22上のパターンを光源
(図示していない)からの照明光をコンデンサレ
ンズ21で集光して照明し、縮小レンズ23を通
して基板24上に縮小投影させる。第2図内で斜
線を付した部分は、固定されて不動状態の基準部
材である。
(図示していない)からの照明光をコンデンサレ
ンズ21で集光して照明し、縮小レンズ23を通
して基板24上に縮小投影させる。第2図内で斜
線を付した部分は、固定されて不動状態の基準部
材である。
基板24は光軸方向に可動なZ移動台30と光
軸と直角な平面内で可動なXY移動台31とで構
成される移動台上に設置され、縮小レンズ23に
より結像される焦点位置に基板24面が常に保持
されるように、特公昭55−18043号で示したよう
な、自動焦点機構が具備されている。基板24の
相対位置は、移動台の位置をレーザ測長計39で
測定し、演算回路35で求めることができる。
軸と直角な平面内で可動なXY移動台31とで構
成される移動台上に設置され、縮小レンズ23に
より結像される焦点位置に基板24面が常に保持
されるように、特公昭55−18043号で示したよう
な、自動焦点機構が具備されている。基板24の
相対位置は、移動台の位置をレーザ測長計39で
測定し、演算回路35で求めることができる。
縮小レンズ23は、光軸方向のみに可動なよう
に基準部材に対して案内部材32で支持され、駆
動モータ33によつて光軸方向に微動でき、その
微動量は、例えば、差動コイル34によつて測長
され、レンズ上下制御回路38に帰還される。
に基準部材に対して案内部材32で支持され、駆
動モータ33によつて光軸方向に微動でき、その
微動量は、例えば、差動コイル34によつて測長
され、レンズ上下制御回路38に帰還される。
ここで、縮小倍率の測定方法について、第1図
a,b,cを用いて述べる。
a,b,cを用いて述べる。
この縮小投影露光装置はコンデンサレンズ1、
レテイクル2、縮小投影レンズ3、基板4、およ
び第1のパターン検出器5、第2のパターン検出
器6から構成されている。原画であるレテイクル
2上には所定の間隔L(第1図b参照)を隔てた
位置に正方形の光透過性の窓7,8が設けられて
いる。第1図bは上述の窓7,8の拡大図を示し
たものである。基板4上のマーク9を縮小レンズ
3およびレテイクル2の窓7を通して見るとマー
ク9′のようになり、また、基板4を所定距離l
だけ移動して窓8かる見るとマーク9″のように
なる(第1図b参照)。
レテイクル2、縮小投影レンズ3、基板4、およ
び第1のパターン検出器5、第2のパターン検出
器6から構成されている。原画であるレテイクル
2上には所定の間隔L(第1図b参照)を隔てた
位置に正方形の光透過性の窓7,8が設けられて
いる。第1図bは上述の窓7,8の拡大図を示し
たものである。基板4上のマーク9を縮小レンズ
3およびレテイクル2の窓7を通して見るとマー
ク9′のようになり、また、基板4を所定距離l
だけ移動して窓8かる見るとマーク9″のように
なる(第1図b参照)。
パターン検出器5はレテイクル2の窓7内にお
けるマーク9′の位置を、またパターン検出器6
はレテイクル2の窓8内におけるマーク9″の位
置を各々測長することができ、2つのマーク9′
と9″との相対距離がレテイクル2の窓7と8と
の間隔Lに比べてずれている量ΔLを演算するこ
とができる。
けるマーク9′の位置を、またパターン検出器6
はレテイクル2の窓8内におけるマーク9″の位
置を各々測長することができ、2つのマーク9′
と9″との相対距離がレテイクル2の窓7と8と
の間隔Lに比べてずれている量ΔLを演算するこ
とができる。
今、縮小投影光学系の縮小倍率をm(m<1)
とすると、l=mLとなるように、基板4のマー
ク9を移動したにもかかわらずΔLだけ大きくず
れたとすると、l=(m+Δm)(L+ΔL)なる
関係を満す。Δmだけ縮小倍率誤差となり、光学
系によつて縮小しすぎていることになる。
とすると、l=mLとなるように、基板4のマー
ク9を移動したにもかかわらずΔLだけ大きくず
れたとすると、l=(m+Δm)(L+ΔL)なる
関係を満す。Δmだけ縮小倍率誤差となり、光学
系によつて縮小しすぎていることになる。
一方、第1図cに示したように、縮小投影光学
系において、レテイクル2と縮小レンズ3との間
隔bがΔbだけ大きくなつている時には、上述の
ようにマーク9をlだけ移動させた時に、ΔL/
Δb=L/bなる関係を満すΔLだけ、マーク9′
と9″とずれることになる。
系において、レテイクル2と縮小レンズ3との間
隔bがΔbだけ大きくなつている時には、上述の
ようにマーク9をlだけ移動させた時に、ΔL/
Δb=L/bなる関係を満すΔLだけ、マーク9′
と9″とずれることになる。
従つて、第1、第2のパターン検出器5,6で
検出されたマーク9の位置ずれ量ΔLからΔb=
ΔL・b/Lなる関係を満す量だけ縮小レンズ3
とレテイクル2との相対距離を狭くすれば縮小倍
率誤差Δmが零になる。ΔLが負の値の時はΔbだ
け縮小レンズ3とレテイクル2との間隔を大きく
すれば良い。
検出されたマーク9の位置ずれ量ΔLからΔb=
ΔL・b/Lなる関係を満す量だけ縮小レンズ3
とレテイクル2との相対距離を狭くすれば縮小倍
率誤差Δmが零になる。ΔLが負の値の時はΔbだ
け縮小レンズ3とレテイクル2との間隔を大きく
すれば良い。
実施例としては、1/10縮小投影露光装置の場合
として、m=0.1、f=49.2mm、a=54.127mm、b
=54.27mm、l=10mmなる値となる。この時、Δm
=0.000001(10-4%)だけ大きい縮小倍率誤差が
あると、L0=100mmのパターンは、L0(m+Δm)
から(10mm−0.1μm)の寸法となり0.1μmだけ小
さな寸法誤差を生じてしまう。このような状態を
第1、第2のパターン検出器5,6で測定する
と、長さl=10mmはL+ΔL=l/(m+Δm)、
L=100mmに対してΔL=1μm大きく検出される。
として、m=0.1、f=49.2mm、a=54.127mm、b
=54.27mm、l=10mmなる値となる。この時、Δm
=0.000001(10-4%)だけ大きい縮小倍率誤差が
あると、L0=100mmのパターンは、L0(m+Δm)
から(10mm−0.1μm)の寸法となり0.1μmだけ小
さな寸法誤差を生じてしまう。このような状態を
第1、第2のパターン検出器5,6で測定する
と、長さl=10mmはL+ΔL=l/(m+Δm)、
L=100mmに対してΔL=1μm大きく検出される。
この際、Δb=5.4μmだけ縮小レンズ3とレテ
イクル2との間隔を狭くすれば、縮小倍率誤差は
消えることになる。
イクル2との間隔を狭くすれば、縮小倍率誤差は
消えることになる。
以上述べたことから判るように、所定間隔L離
れたレテイクル2上から縮小レンズ3を通して所
定量lだけ移動した基板4上のマーク9の位置ず
れ量ΔLを測定するだけで、縮小倍率誤差が求ま
り、Δb=ΔL・b/Lなる関係を満すように縮小
レンズ3とレテイクル2との間隔を微調すること
により、縮小倍率誤差が補正できる。
れたレテイクル2上から縮小レンズ3を通して所
定量lだけ移動した基板4上のマーク9の位置ず
れ量ΔLを測定するだけで、縮小倍率誤差が求ま
り、Δb=ΔL・b/Lなる関係を満すように縮小
レンズ3とレテイクル2との間隔を微調すること
により、縮小倍率誤差が補正できる。
ところで、従来の縮小投影露光装置では、一度
正確にレテイクル2と縮小レンズ3との距離bを
固定すれば、縮小倍率は変化することはなかつ
た。
正確にレテイクル2と縮小レンズ3との距離bを
固定すれば、縮小倍率は変化することはなかつ
た。
しかし、近年、半導体素子の高精度化に併つて
原画、つまりレテイクル2面に塵埃が付着するこ
とを防ぐため、レテイクル2をカバーガラスでお
おつたり、縮小レンズ3と基板4との間に空気以
外の媒体物を介在させて作動させる縮小投影露光
装置が開発されている。このように、縮小投影光
学系に空気以外の媒体物を介在させる場合、その
媒体物の屈折率やその媒体物の厚さが一定値を保
つ限りにおいては、一度、屈折率の異なることに
よつて生じる縮小倍率誤差を修正すれば良いので
あるが、通常は、媒体物の屈折率や厚さを一定に
保持することは極めて困難であり、そのために縮
小倍率誤差を生じてしまうことになる。
原画、つまりレテイクル2面に塵埃が付着するこ
とを防ぐため、レテイクル2をカバーガラスでお
おつたり、縮小レンズ3と基板4との間に空気以
外の媒体物を介在させて作動させる縮小投影露光
装置が開発されている。このように、縮小投影光
学系に空気以外の媒体物を介在させる場合、その
媒体物の屈折率やその媒体物の厚さが一定値を保
つ限りにおいては、一度、屈折率の異なることに
よつて生じる縮小倍率誤差を修正すれば良いので
あるが、通常は、媒体物の屈折率や厚さを一定に
保持することは極めて困難であり、そのために縮
小倍率誤差を生じてしまうことになる。
そこで、本発明では、上述したような、縮小露
光光学系の間に任意の屈折率や厚さの媒体物が存
在しても、常に上述したようなパターン検出器
5,6を用いて縮小倍率誤差を検出し、補正する
ことを可能とする点に特徴がある。
光光学系の間に任意の屈折率や厚さの媒体物が存
在しても、常に上述したようなパターン検出器
5,6を用いて縮小倍率誤差を検出し、補正する
ことを可能とする点に特徴がある。
ここで、第2図の実施例にもどつて本発明をさ
らに詳細に説明する。パターン検出器25はレテ
イクル22、縮小レンズ23を通して、基板24
上のマーク29の位置を検出し、検出信号は検出
回路37、演算回路36に送られ、レンズ上下制
御回路38によつて、モータ33等の駆動系によ
り、縮小レンズ23が光軸方向に微動されること
になる。
らに詳細に説明する。パターン検出器25はレテ
イクル22、縮小レンズ23を通して、基板24
上のマーク29の位置を検出し、検出信号は検出
回路37、演算回路36に送られ、レンズ上下制
御回路38によつて、モータ33等の駆動系によ
り、縮小レンズ23が光軸方向に微動されること
になる。
任意の屈折率や厚さの媒体物は、図示していな
いが、レテイクル22と縮小レンズ23および基
板24との間のどこに存在していても、本発明の
機能が生かされる。
いが、レテイクル22と縮小レンズ23および基
板24との間のどこに存在していても、本発明の
機能が生かされる。
なお、本発明の実施例では、基板4,24上の
1つのマーク9,29を所定距離lだけ移動さ
せ、レテイクル2,22のLだけ離れた窓7,8
に対する位置を計測しているが、基板4,24上
のマーク9は、所定距離lだけ離れた2つのマー
クを、同時にパターン検出することも可能であ
る。また、同時にパターン検出し、そのレテイク
ル2,22の窓7,8に対するずれ量ΔLを測長
せず、所定の2つの窓7,8の決められた位置に
基板4,24上のマーク9が合うように、縮小レ
ンズ3,23を上下動させて制御することも応用
例として考えられる。さらに、レテイクル2,2
2上の2ケ所の窓7,8の位置は、所定の距離L
さえ判れば、任意の場所で良く、2つのパターン
検出器5,6の原点の精度が良ければ、基板4,
24上のマーク9をレテイクル2,22上の窓
7,8に対して検出せず、パターン検出器5,6
の原点に対して検出しても良い。
1つのマーク9,29を所定距離lだけ移動さ
せ、レテイクル2,22のLだけ離れた窓7,8
に対する位置を計測しているが、基板4,24上
のマーク9は、所定距離lだけ離れた2つのマー
クを、同時にパターン検出することも可能であ
る。また、同時にパターン検出し、そのレテイク
ル2,22の窓7,8に対するずれ量ΔLを測長
せず、所定の2つの窓7,8の決められた位置に
基板4,24上のマーク9が合うように、縮小レ
ンズ3,23を上下動させて制御することも応用
例として考えられる。さらに、レテイクル2,2
2上の2ケ所の窓7,8の位置は、所定の距離L
さえ判れば、任意の場所で良く、2つのパターン
検出器5,6の原点の精度が良ければ、基板4,
24上のマーク9をレテイクル2,22上の窓
7,8に対して検出せず、パターン検出器5,6
の原点に対して検出しても良い。
また、パターン検出器5,6は独立に2台設け
なくても、1台のパターン検出器を所定距離Lだ
け移動させ、あるいは、そのような機能や検出範
囲を1台のパターン検出器にもたせることも可能
である。
なくても、1台のパターン検出器を所定距離Lだ
け移動させ、あるいは、そのような機能や検出範
囲を1台のパターン検出器にもたせることも可能
である。
本発明の実施例では、縮小レンズ3,23とレ
テイクル2,22との相対間隔調整を縮小レンズ
3,23を上下させることで達しているが、両者
の相対距離を調整すれば良いのであるから、縮小
レンズ3,23と同様に、光軸方向のみに可動な
公知の案内駆動手段でレテイクル2,22を上下
することで目的を達することも可能である。
テイクル2,22との相対間隔調整を縮小レンズ
3,23を上下させることで達しているが、両者
の相対距離を調整すれば良いのであるから、縮小
レンズ3,23と同様に、光軸方向のみに可動な
公知の案内駆動手段でレテイクル2,22を上下
することで目的を達することも可能である。
なお、縮小倍率の調整によつて、結像面の最適
焦点位置までの距離aが変わり、それに伴つて縮
小倍率も若干変わるが、通常、縮小レンズ3,2
3は、テレセントリツクな結線光学レンズを用い
るため距離aの変化による縮小倍率誤差や焦点ボ
ケはわずかである。従つて、先ず、媒体物が変化
した際には、基板4,24上のマーク9,29へ
の焦点合わせを行なつた後に、上述の方法で、縮
小倍率誤差の補正を行ない、さらに、高精度な補
正を必要とする場合には、再度、焦点合わせを行
なつた後、縮小倍率の補正を繰返せば良いこと
は、容易に考えられる。
焦点位置までの距離aが変わり、それに伴つて縮
小倍率も若干変わるが、通常、縮小レンズ3,2
3は、テレセントリツクな結線光学レンズを用い
るため距離aの変化による縮小倍率誤差や焦点ボ
ケはわずかである。従つて、先ず、媒体物が変化
した際には、基板4,24上のマーク9,29へ
の焦点合わせを行なつた後に、上述の方法で、縮
小倍率誤差の補正を行ない、さらに、高精度な補
正を必要とする場合には、再度、焦点合わせを行
なつた後、縮小倍率の補正を繰返せば良いこと
は、容易に考えられる。
また、本発明の応用例としては、基板の位置に
パターン検出器を設置して、原画であるレテイク
ルの所定間隔のマークを計測して、縮小倍率を調
整することも、既述の縮小倍率誤差を補正する方
法を縮小投影レンズを介して逆さに考えれば、容
易に類推できる。
パターン検出器を設置して、原画であるレテイク
ルの所定間隔のマークを計測して、縮小倍率を調
整することも、既述の縮小倍率誤差を補正する方
法を縮小投影レンズを介して逆さに考えれば、容
易に類推できる。
本発明によれば、投影露光光学系の距離の変動
や、任意の屈折率や厚さの媒体物が介在すること
等により生じる、基板上に縮小投影される原画パ
ターンの縮小倍率誤差を検出し、自動的に補正す
ることができるので、従来よりさらに高精度な半
導体素子を本発明の縮小投影露光装置で製造でき
ることになる。
や、任意の屈折率や厚さの媒体物が介在すること
等により生じる、基板上に縮小投影される原画パ
ターンの縮小倍率誤差を検出し、自動的に補正す
ることができるので、従来よりさらに高精度な半
導体素子を本発明の縮小投影露光装置で製造でき
ることになる。
第1図a,b,cは本発明の原理を説明するた
めの説明図であつて、同図aは縮小投影露光装置
とパターン検出器との概略構成図、同図bは原画
であるレテイクル上の窓から見た基板上のマーク
の模式図、同図cは縮小倍率誤差説明用の光学系
の模式図、第2図は本発明による縮小投影露光装
置の実施例の概略構成図、第3図は縮小投影光学
系の原理説明図である。 1,21……コンデンサレンズ、2,22,4
2……レテイクル、3,23,43……縮小レン
ズ、4,24,44……基板、5,6,25……
パターン検出器、7,8……窓、9,9′,9″,
29……パターン、30……Z移動台、31……
XY移動台、32……案内部材、33……駆動モ
ータ、34……差動コイル、35,36……演算
回路、37……検出回路、38……レンズ上下制
御回路。
めの説明図であつて、同図aは縮小投影露光装置
とパターン検出器との概略構成図、同図bは原画
であるレテイクル上の窓から見た基板上のマーク
の模式図、同図cは縮小倍率誤差説明用の光学系
の模式図、第2図は本発明による縮小投影露光装
置の実施例の概略構成図、第3図は縮小投影光学
系の原理説明図である。 1,21……コンデンサレンズ、2,22,4
2……レテイクル、3,23,43……縮小レン
ズ、4,24,44……基板、5,6,25……
パターン検出器、7,8……窓、9,9′,9″,
29……パターン、30……Z移動台、31……
XY移動台、32……案内部材、33……駆動モ
ータ、34……差動コイル、35,36……演算
回路、37……検出回路、38……レンズ上下制
御回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 原画であるレテイクル上のパターンを基板上
に縮小投影するための縮小レンズと、所定のマー
クを上記縮小レンズを通して検出する検出手段
と、上記縮小レンズを用いて投影される原画パタ
ーンの縮小倍率の誤差を上記検出手段で検出され
たマークに基づいて演算する演算手段と、上記縮
小倍率が所定値になるように上記縮小レンズの位
置と上記原画の位置との光学的な相対間隔を微調
整する機構とを具備してなることを特徴とする縮
小投影露光装置。 2 請求項1記載の縮小投影露光装置において、
上記検出手段として上記基板上に設けられた所定
のマークの位置を検出するため所定の距離だけ間
隔を設けて設置された第1と第2のパターン検出
器を用い、上記演算手段が、上記基板上に設けら
れた上記所定のマークを上記第1のパターン検出
器で検出した時の上記基板の第1の位置と上記第
2のパターン検出器で検出した時の上記基板の第
2の位置とから上記縮小倍率を演算する手段であ
ることを特徴とする縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57084787A JPS58202449A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57084787A JPS58202449A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 縮小投影露光装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4054756A Division JPH0712019B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 投影露光方法及び投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58202449A JPS58202449A (ja) | 1983-11-25 |
| JPH0328809B2 true JPH0328809B2 (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=13840403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57084787A Granted JPS58202449A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58202449A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2516194B2 (ja) * | 1984-06-11 | 1996-07-10 | 株式会社日立製作所 | 投影露光方法 |
| JPS63164212A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
| JPS6442820A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-15 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
| JP2555274B2 (ja) * | 1994-07-13 | 1996-11-20 | 株式会社日立製作所 | 投影露光装置 |
| JP5404216B2 (ja) * | 2009-07-02 | 2014-01-29 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP57084787A patent/JPS58202449A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58202449A (ja) | 1983-11-25 |
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