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JPH0330955B2 - - Google Patents
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JPH0330955B2 - - Google Patents

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JPH0330955B2
JPH0330955B2 JP60047732A JP4773285A JPH0330955B2 JP H0330955 B2 JPH0330955 B2 JP H0330955B2 JP 60047732 A JP60047732 A JP 60047732A JP 4773285 A JP4773285 A JP 4773285A JP H0330955 B2 JPH0330955 B2 JP H0330955B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address information
circuit
preamplifier
information
output
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP60047732A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS61206997A (en
Inventor
Hidekazu Kitazawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NIPPON DENKI AISHII MAIKON SHISUTEMU KK
Original Assignee
NIPPON DENKI AISHII MAIKON SHISUTEMU KK
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はダイナミツクRAM(ランダム・アク
セス・メモリ)中のアドレス・バツフアー回路に
関し、特に外部アドレス情報と内部アドレス情報
のうち、何れか一方のアドレス情報を選び出す機
能を有するアドレス・バツフアー回路に関するも
のである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to an address buffer circuit in a dynamic RAM (random access memory), and in particular, the present invention relates to an address buffer circuit in a dynamic RAM (random access memory). The present invention relates to an address buffer circuit that has the function of selecting information.

〔従来技術〕[Prior art]

一般にダイナミツクRAMは、周知の通り電源
投入状態においても、ある時間経つと書き込んだ
データが消えてしまうため、定期的にリフレツシ
ユし、メモリセルに再書き込みする必要がある。
そこで外部よりリフレツシユ・コントロールする
ことが必要となる。この点でスタテイツクRAM
と比べタイミング・コントロールが複雑となつて
しまう。
Generally, as is well known, written data in dynamic RAM disappears after a certain period of time even when the power is turned on, so it is necessary to periodically refresh the data and rewrite the memory cells.
Therefore, external refresh control is required. At this point the static RAM
The timing control becomes more complicated than that.

そこで、近来はその煩雑さを避けるためメモリ
回路内にリフレツシユ・アドレス・カウンタを内
蔵させ、リフレツシユ情報を受けるとると、次々
にアドレスを選択してリフレツシユを完了させる
機能や、さらにリフレツシユ・タイマも内蔵させ
ることにより、ある一定の時間に1回の割り合い
で自動的にリフレツシユを繰り返す機能を設ける
方法がとられている。すなわち、今までは外部よ
り行つていたリフレツシユ・コントロールをメモ
リ回路内部で行うことにより、外部のタイミン
グ・コントロールが簡単化され、スタテイツク
RAMに近い形態で使用できる様になつた。
Therefore, in recent years, in order to avoid this complexity, a refresh address counter is built into the memory circuit, and when refresh information is received, a function is created to select addresses one after another to complete the refresh, and a refresh timer is also built in. A method has been adopted in which a function is provided to automatically repeat the refresh once every certain period of time. In other words, by performing refresh control, which was previously performed externally, inside the memory circuit, external timing control is simplified and static
It has become possible to use it in a form similar to RAM.

この方法においては、内部にリフレツシユ・カ
ウンタを備える必要があり、従つて外部からのア
ドレス情報(行及び列アドレス情報)とは別に、
内部から発生されたリフレツシユ・アドレス情報
をアドレスバツフアを通してとり込む必要があ
る。
In this method, it is necessary to provide an internal refresh counter, and therefore, apart from external address information (row and column address information),
It is necessary to take in refresh address information generated internally through an address buffer.

従来この種のメモリ回路におけるアドレス・バ
ツフアー回路は、第3図に示す様に、外部アドレ
ス情報を増幅するためのプリアンプ10およびメ
インアンプ11、内部アドレス情報を増幅するた
めのプリアンプ12およびメインアンプ13、そ
してメインアンプ11,13からの出力を選択す
る信号選択回路14で構成されており、外部アド
レス情報と内部アドレス情報を各々のプリアンプ
部10,12に入力させ、更にメインアンプ1
1,13で増幅して、このうちのいずれか一方を
選択回路14により選択して出力させるという方
法をとつていた。
Conventionally, the address buffer circuit in this type of memory circuit includes a preamplifier 10 and a main amplifier 11 for amplifying external address information, and a preamplifier 12 and a main amplifier 13 for amplifying internal address information, as shown in FIG. , and a signal selection circuit 14 that selects the output from the main amplifiers 11 and 13, inputs external address information and internal address information to the respective preamplifiers 10 and 12, and further selects the output from the main amplifier 1.
1 and 13, and one of them is selected by the selection circuit 14 and output.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上述した従来のアドレス・バツフアー回路で
は、外部アドレス情報用の増幅回路(10,1
1)と内部アドレス用の増幅回路(12,13)
を組み合わせた構成のため、実質2組の増幅回路
(10,11)と(12,13)が存在すること
となり、半導体チツプ上で大面積を要していると
いう欠点がある。
In the conventional address buffer circuit described above, an amplifier circuit (10, 1
1) and internal address amplifier circuit (12, 13)
Since the configuration is a combination of the two, there are essentially two sets of amplifier circuits (10, 11) and (12, 13), which has the drawback of requiring a large area on the semiconductor chip.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明によるアドレス・バツフアー回路は、半
導体チツプ上で占める面積を小さくするために、
外部から入力されるアドレス情報(行アドレス及
び列アドレス情報)を受けてこれを増幅するプリ
アンプと、回路内部で発生されるアドレス情報
(リフレツシユ・アドレス・カウント情報)を受
けてこれを増幅するプリアンプと、前記2個のプ
リアンプの出力を受けて何れか一方のアドレス情
報を選択する信号選択回路と、その選択された情
報を増幅して出力するメイン・アンプから構成さ
れることを特徴としている。
In order to reduce the area occupied on a semiconductor chip, the address buffer circuit according to the present invention has the following features:
A preamplifier receives and amplifies address information input from the outside (row address and column address information), and a preamplifier receives and amplifies address information generated inside the circuit (refresh address count information). , a signal selection circuit that receives the outputs of the two preamplifiers and selects one of the address information, and a main amplifier that amplifies and outputs the selected information.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例を示すブロツク図で
ある。このアドレス・バツフアー回路は、外部ア
ドレス情報プリアンプ1と、内部アドレス情報プ
リアンプ2と、信号選択回路3と、メイン・アン
プ4とにより構成されている。外部アドレス情報
と内部アドレス情報はまず各々のプリアンプ1,
2で増幅されてO1,O2が得られる。その出力情
報O1,O2は信号選択回路3に入力される。この
選択回路3は制御信号S1,S2に応答して出力O1
O2を一方を選択し、出力O3として選択情報を出
力する。これは、メインアンプ4へ入力される。
メインアンプ4を介した情報は、所要のアドレス
情報として出力される。すなわち、本アドレスバ
ツフアー回路より出力されたことになる。信号選
択回路3は例えば2つの制御信号S1とS2を備
えており、S1により外部アドレス情報を、S2
により内部アドレス情報をそれぞれ選択して出力
される。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention. This address buffer circuit is composed of an external address information preamplifier 1, an internal address information preamplifier 2, a signal selection circuit 3, and a main amplifier 4. External address information and internal address information are first stored in each preamplifier 1,
2 to obtain O 1 and O 2 . The output information O 1 and O 2 are input to the signal selection circuit 3. This selection circuit 3 outputs O 1 , O 1 in response to control signals S 1 and S 2 .
Select one of O2 and output the selection information as output O3 . This is input to the main amplifier 4.
Information via the main amplifier 4 is output as required address information. In other words, it is output from this address buffer circuit. The signal selection circuit 3 includes, for example, two control signals S1 and S2.
The internal address information is selected and output.

第2図は本アドレス・バツフアー回路の入出力
タイミングを示したものである。今、第1図の各
プリアンプ1,2の出力O1,O2が第2図a及び
bのように同時に選択回路3に入力されたとす
る。第2図cの様に、信号選択回路3への第1の
制御信号S1がまず入力されると、t1時に外部アド
レス情報(O1)がメイン・アンプ4に入力され
る。このとき内部アドレス情報(O2)は信号S
2により非選択状態となつており内部アドレス情
報はメインアンプ4に伝達されない。次に、t2
に制御信号波形S1,S2が両方とも非選択状態
になり、情報伝達が終わる。その後、内部アドレ
ス情報を取り込む為の制御信号波形S2がt3時に
選択状態となつて内部アドレス情報がメインアン
プ4に伝達され、以後同様の動作でt4時にアドレ
ス情報伝達が終了する。
FIG. 2 shows the input/output timing of this address buffer circuit. Now, suppose that the outputs O 1 and O 2 of the preamplifiers 1 and 2 shown in FIG. 1 are simultaneously input to the selection circuit 3 as shown in FIG. 2 a and b. As shown in FIG. 2c, when the first control signal S 1 is first input to the signal selection circuit 3, external address information (O 1 ) is input to the main amplifier 4 at time t 1 . At this time, the internal address information (O 2 ) is the signal S
2, it is in a non-selected state and internal address information is not transmitted to the main amplifier 4. Next, at time t2 , both control signal waveforms S1 and S2 become non-selected, and information transmission ends. Thereafter, the control signal waveform S2 for taking in internal address information becomes a selected state at time t3 , and the internal address information is transmitted to the main amplifier 4, and thereafter address information transmission ends at time t4 in the same manner.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明した様に、本発明は外部アドレス情報
を増幅したプリアンプ出力と内部アドレル情報を
増幅したプリアンプ出力を直接メイン・アンプに
入力させないで、その間に信号選択回路をはさ
み、各情報の何れか一方を選択した上でメイン・
アンプに入力させており、したがつて、従来と同
等の機能を持つアドレス・バツフアー回路が従来
よりも少ない回路構成(従来はメイン・アンプが
2個、本発明はメインアンプが1個)で実現でき
る効果がある。
As explained above, the present invention does not input the preamplifier output that amplified external address information and the preamplifier output that amplified internal address information directly to the main amplifier, but inserts a signal selection circuit between them, and selects either one of each information. Select the main
The input is input to the amplifier, and therefore the address buffer circuit with the same function as the conventional one is realized with a smaller circuit configuration than the conventional one (conventionally, there were two main amplifiers, and the present invention has one main amplifier). There is an effect that can be done.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示すブロツク図、
第2図は第1図の入出力タイミング図、第3図は
従来例を示すブロツク図である。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention;
FIG. 2 is an input/output timing diagram of FIG. 1, and FIG. 3 is a block diagram showing a conventional example.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 外部から入力されるアドレス情報を受けてこ
れを増幅する第1のプリアンプ、内部で発生され
るアドレス情報を受けてこれを増幅する第2のプ
リアンプ、前記第1および第2のプリアンプの出
力を受け何れか一方を選択して出力する信号選択
回路、および選択された情報を増幅して出力する
メインアンプを有するアドレスバツフアー回路を
備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
1. A first preamplifier that receives address information input from the outside and amplifies it, a second preamplifier that receives address information generated internally and amplifies it, and outputs of the first and second preamplifiers. 1. A semiconductor memory device comprising: a signal selection circuit that selects and outputs one of the signals received; and an address buffer circuit that includes a main amplifier that amplifies and outputs the selected information.
JP60047732A 1985-03-11 1985-03-11 Semiconductor memory device Granted JPS61206997A (en)

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JPS601711B2 (en) * 1979-09-03 1985-01-17 株式会社日立製作所 semiconductor memory

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