JPH0332910B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0332910B2 JPH0332910B2 JP57181337A JP18133782A JPH0332910B2 JP H0332910 B2 JPH0332910 B2 JP H0332910B2 JP 57181337 A JP57181337 A JP 57181337A JP 18133782 A JP18133782 A JP 18133782A JP H0332910 B2 JPH0332910 B2 JP H0332910B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
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- pattern
- signal
- detection
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路の製造工程の中で使
用される縮小投影露光装置において、ウエーハま
たはマスクなどの位置合わせのための精密位置計
測に好適なパターン検出装置の改良に関するもの
である。
用される縮小投影露光装置において、ウエーハま
たはマスクなどの位置合わせのための精密位置計
測に好適なパターン検出装置の改良に関するもの
である。
縮小投影露光装置では、」までも「縮小投影露
光装置に搭載されている従来のパタン検出装置の
構成は、例えば特公昭62−36635号に示されてい
る。この例を第１図を用いて説明する。回路パタ
ーンの原画であるレテイクル２を照明系１で照明
し、縮小レンズ３を通してウエーハ４上にパター
ンを形成する際に前工程でウエーハ４上に形成さ
れたパターン５の位置に合わせて新たなパターン
を形成する必要がある。そのためのウエーハ位置
検出は以下の方法で行われていた。すなわち、オ
プテイカルフアイバ等で導かれた光源７を用い
て、レテイクル２上の基準パターン６６および縮
小レンズ３を通してウエーハ上の位置合わせ用パ
ターン（図示していない）を照明する。反射光は
拡大光学系８を通してスリツト９を有する往復移
動台１１の移動面上に拡大結像される。この結像
面をスリツト９で走査し、スリツト９の移動量を
リニアエンコーダ１２により計測しながらスリツ
ト通過光の明暗を光電変換素子１０により電気信
号に変換する。このとき、縦軸に光電変換出力を
横軸にスリツト位置座標をとると、第２図Ａに示
すような検出信号（取込み信号）が得られる。
光装置に搭載されている従来のパタン検出装置の
構成は、例えば特公昭62−36635号に示されてい
る。この例を第１図を用いて説明する。回路パタ
ーンの原画であるレテイクル２を照明系１で照明
し、縮小レンズ３を通してウエーハ４上にパター
ンを形成する際に前工程でウエーハ４上に形成さ
れたパターン５の位置に合わせて新たなパターン
を形成する必要がある。そのためのウエーハ位置
検出は以下の方法で行われていた。すなわち、オ
プテイカルフアイバ等で導かれた光源７を用い
て、レテイクル２上の基準パターン６６および縮
小レンズ３を通してウエーハ上の位置合わせ用パ
ターン（図示していない）を照明する。反射光は
拡大光学系８を通してスリツト９を有する往復移
動台１１の移動面上に拡大結像される。この結像
面をスリツト９で走査し、スリツト９の移動量を
リニアエンコーダ１２により計測しながらスリツ
ト通過光の明暗を光電変換素子１０により電気信
号に変換する。このとき、縦軸に光電変換出力を
横軸にスリツト位置座標をとると、第２図Ａに示
すような検出信号（取込み信号）が得られる。
しかし、検出信号からパターン位置を算出する
に当り、その演算処理の高精度化と高速化とを両
立させることについては配慮されていない。精度
が高い信号処理法については、特開昭53−69063
号に示されている。上記処理法では前記第２図Ａ
に示すスリツト位置Ｉにおいて得られる検出値Ｘ
（Ｉ）を用いて、第２図Ｂに示すような対称性の
度合を示す関数 Ｚ（Ｉ）＝n 〓j=1 ｛Ｘ（Ｉ−ｊ）−Ｘ（Ｉ＋ｊ）｝2 (1) を求め、これが最小となる位置Ｉをパターン位置
としていた。本方法では、例えば2500個の点Ｉに
対する検出信号Ｘ（Ｉ）を一度メモリに格納し、
その後に特定の範囲内の点Ｉに対してコンピユー
タを用いて式(1)の演算を行なつていた。しかしな
がら式(1)の計算は、信号の雑音の影響を受けずら
いという利点はあるものの演算ステツプ数が多い
ため演算処理時間が長くなるという欠点があつ
た。例えば、パターン検出器の分解能をウエーハ
上換算で0.04μmとし、検出範囲±5μm内の点Ｉ
に対して式(1)の計算を通常使用されるミニコンピ
ユータ（例えばHITAC10；日立製作所製品）
で行なうと、ｍ＝200として演算処理時間は約0.7
秒となる。また縮小投影露光装置に用いられるパ
ターン検出器の機能としては検出範囲がより広い
ことが望まれるが、上記方法を±15μmの検出範
囲い適用すると演算時間は約９倍となり、逆に機
能低下の要因となりかねない。特にウエーハ上に
形成されている各チツプごとに位置合わせを行な
う場合、演算時間が長くなると縮小投影露光装置
のウエーハ処理能力低下の原因となるため、位置
計測に要する演算時間の短縮化が望まれていた。
に当り、その演算処理の高精度化と高速化とを両
立させることについては配慮されていない。精度
が高い信号処理法については、特開昭53−69063
号に示されている。上記処理法では前記第２図Ａ
に示すスリツト位置Ｉにおいて得られる検出値Ｘ
（Ｉ）を用いて、第２図Ｂに示すような対称性の
度合を示す関数 Ｚ（Ｉ）＝n 〓j=1 ｛Ｘ（Ｉ−ｊ）−Ｘ（Ｉ＋ｊ）｝2 (1) を求め、これが最小となる位置Ｉをパターン位置
としていた。本方法では、例えば2500個の点Ｉに
対する検出信号Ｘ（Ｉ）を一度メモリに格納し、
その後に特定の範囲内の点Ｉに対してコンピユー
タを用いて式(1)の演算を行なつていた。しかしな
がら式(1)の計算は、信号の雑音の影響を受けずら
いという利点はあるものの演算ステツプ数が多い
ため演算処理時間が長くなるという欠点があつ
た。例えば、パターン検出器の分解能をウエーハ
上換算で0.04μmとし、検出範囲±5μm内の点Ｉ
に対して式(1)の計算を通常使用されるミニコンピ
ユータ（例えばHITAC10；日立製作所製品）
で行なうと、ｍ＝200として演算処理時間は約0.7
秒となる。また縮小投影露光装置に用いられるパ
ターン検出器の機能としては検出範囲がより広い
ことが望まれるが、上記方法を±15μmの検出範
囲い適用すると演算時間は約９倍となり、逆に機
能低下の要因となりかねない。特にウエーハ上に
形成されている各チツプごとに位置合わせを行な
う場合、演算時間が長くなると縮小投影露光装置
のウエーハ処理能力低下の原因となるため、位置
計測に要する演算時間の短縮化が望まれていた。
本発明の目的は、取込まれた検出信号からパタ
ーン位置を求める信号処理において、検出精度を
保ちつつ従来から用いられていた対称性演算の回
数を低減し、パターン検出信号の高速処理手段を
提供することにある。
ーン位置を求める信号処理において、検出精度を
保ちつつ従来から用いられていた対称性演算の回
数を低減し、パターン検出信号の高速処理手段を
提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明のパターン
検出装置では取込まれた検出信号に対してその１
次モーメントと積分値との比からパターン位置を
高速に検出する手段を新たに設け、次にその検出
値を中心とした狭い範囲内で対称性演算を行なう
ことによりパターン位置を高速かつ正確に求める
処理方法を採用した。
検出装置では取込まれた検出信号に対してその１
次モーメントと積分値との比からパターン位置を
高速に検出する手段を新たに設け、次にその検出
値を中心とした狭い範囲内で対称性演算を行なう
ことによりパターン位置を高速かつ正確に求める
処理方法を採用した。
まず本発明の原理を図を用いて説明する。第３
図は、パターン部のみから大きな信号レベルが得
られる矩形波の検出信号を示したものである。こ
こでパターン中心位置は、信号波形と座標軸とで
囲まれた図形（斜線部）の重心位置ＧのＩ座標で
あると考えることができる。パターンの検出領域
をI1ＩI2とすれば、重心の定義から IG＝｛∫I2 I1Ｘ（Ｉ）・IdI｝ ／｛∫I2 I1Ｘ（Ｉ）dI｝ (2) が成立する。得られる信号がデイジタル値の場合
は式(1)の積分表示を加算表示にすればよい。すな
わち IG＝｛I2 〓I=I1 Ｘ(I)・Ｉ｝／｛I2 〓I=I1 Ｘ(I)｝ (3) と表わせる。式(2)の分子，分母をそれぞれ検出信
号波形の１次モーメント，検出信号波形の積分値
と呼ぶことにする。
図は、パターン部のみから大きな信号レベルが得
られる矩形波の検出信号を示したものである。こ
こでパターン中心位置は、信号波形と座標軸とで
囲まれた図形（斜線部）の重心位置ＧのＩ座標で
あると考えることができる。パターンの検出領域
をI1ＩI2とすれば、重心の定義から IG＝｛∫I2 I1Ｘ（Ｉ）・IdI｝ ／｛∫I2 I1Ｘ（Ｉ）dI｝ (2) が成立する。得られる信号がデイジタル値の場合
は式(1)の積分表示を加算表示にすればよい。すな
わち IG＝｛I2 〓I=I1 Ｘ(I)・Ｉ｝／｛I2 〓I=I1 Ｘ(I)｝ (3) と表わせる。式(2)の分子，分母をそれぞれ検出信
号波形の１次モーメント，検出信号波形の積分値
と呼ぶことにする。
実際の検出信号は、第４図Ａに示すようにパタ
ーン部以外からもバツクグランドレベルに相当す
る信号が取込まれる。この場合は検出信号の低周
波成分を除去するフイルタ（雑音除去演算部）を
通して、同図Ｂに示すようなパターン部の信号変
化のみを示す信号を取出し、その後に式(3)を適用
すればパターン位置が求められる。
ーン部以外からもバツクグランドレベルに相当す
る信号が取込まれる。この場合は検出信号の低周
波成分を除去するフイルタ（雑音除去演算部）を
通して、同図Ｂに示すようなパターン部の信号変
化のみを示す信号を取出し、その後に式(3)を適用
すればパターン位置が求められる。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明す
る。本実施例では、低周波成分を除去した検出信
号の絶対値をメモリに応納し、次にメモリに格納
された信号の値の和すなわち信号の積分値、およ
び信号の値とそれを応納しているメモリアドレス
を示すカウンタ値との積の和すなわち信号の１次
モーメントをそれぞれ求め、後者と前者で除算し
た値を求めている。この除算値はパターン位置の
近似値を表わしている。最後に上記近似値を中心
とした狭い範囲内で対称性演算を行う処理方法を
採用している。
る。本実施例では、低周波成分を除去した検出信
号の絶対値をメモリに応納し、次にメモリに格納
された信号の値の和すなわち信号の積分値、およ
び信号の値とそれを応納しているメモリアドレス
を示すカウンタ値との積の和すなわち信号の１次
モーメントをそれぞれ求め、後者と前者で除算し
た値を求めている。この除算値はパターン位置の
近似値を表わしている。最後に上記近似値を中心
とした狭い範囲内で対称性演算を行う処理方法を
採用している。
第５図は、本発明の実施例を示すパターン検出
信号処理回路のブロツク図を示している。図にお
いて、２０は検出信号取込み部であり、光電変換
素子１０の出力は増幅器２１を通してＡ／Ｄ変換
器２２でデイジタル値に変換されメモリ２３に格
納される。第６図Ａは格納された取込み信号Ｘ
（Ｉ）を示している。ここにＸ（Ｉ）はＩ番目のメ
モリ番地に格納されているデイジタル値を示す。
信号Ｘ（Ｉ）はウエーハ上のパターン段差による
微細な明暗の変化のほかに、一般にウエーハ上に
塗布されたホトレジスト厚さの変化に伴う等厚干
渉縞が現われて低周波の明暗の変化を含む。そこ
で低周波成分を除去するために、低周波成分除去
演算回路２４を用いて、 XC（Ｉ）＝Ｘ（Ｉ）−１／2n−１2o-1 〓j=1 Ｘ（Ｉ−ｎ＋ｊ）
(4) 但し、ｎ≒100（ｎの値は経験的にこの位に選ぶ
と、信号処理に不必要な低周波成分が除去でき
る。）なる演算を行ない、パターン段差による明
暗の変化のみを含む信号XC（Ｉ）をメモリ２５に
格納す。第６図Ｂはメモリ２５に格納された検出
信号XC（Ｉ）を示している。
信号処理回路のブロツク図を示している。図にお
いて、２０は検出信号取込み部であり、光電変換
素子１０の出力は増幅器２１を通してＡ／Ｄ変換
器２２でデイジタル値に変換されメモリ２３に格
納される。第６図Ａは格納された取込み信号Ｘ
（Ｉ）を示している。ここにＸ（Ｉ）はＩ番目のメ
モリ番地に格納されているデイジタル値を示す。
信号Ｘ（Ｉ）はウエーハ上のパターン段差による
微細な明暗の変化のほかに、一般にウエーハ上に
塗布されたホトレジスト厚さの変化に伴う等厚干
渉縞が現われて低周波の明暗の変化を含む。そこ
で低周波成分を除去するために、低周波成分除去
演算回路２４を用いて、 XC（Ｉ）＝Ｘ（Ｉ）−１／2n−１2o-1 〓j=1 Ｘ（Ｉ−ｎ＋ｊ）
(4) 但し、ｎ≒100（ｎの値は経験的にこの位に選ぶ
と、信号処理に不必要な低周波成分が除去でき
る。）なる演算を行ない、パターン段差による明
暗の変化のみを含む信号XC（Ｉ）をメモリ２５に
格納す。第６図Ｂはメモリ２５に格納された検出
信号XC（Ｉ）を示している。
次に、予め指定したメモリ番地内において検出
信号の絶対値を求める変換回路２６によりXC
（Ｉ）の絶対値を求め、かつ絶対値信号からパタ
ーンのない部分の信号レベルすなわち雑音成分の
信号レベルに相当する一定値を差引き、結果が負
の場合にはこれを零と置きかえる。なお、取込み
信号の変化分に対して雑音成分が小さい場合に
は、その処理は必ずしも必要ではなく、省略して
もよい。
信号の絶対値を求める変換回路２６によりXC
（Ｉ）の絶対値を求め、かつ絶対値信号からパタ
ーンのない部分の信号レベルすなわち雑音成分の
信号レベルに相当する一定値を差引き、結果が負
の場合にはこれを零と置きかえる。なお、取込み
信号の変化分に対して雑音成分が小さい場合に
は、その処理は必ずしも必要ではなく、省略して
もよい。
以上の処理を施した信号をＹ（Ｉ）とすると、
第６図Ｃに示す波形となる。ただし信号Ｙ（Ｉ）
はメモリに格納する必要はなく、以下に示す演算
を行なうとき、信号XC（Ｉ）からその都度Ｙ（Ｉ）
を求めてよい。
第６図Ｃに示す波形となる。ただし信号Ｙ（Ｉ）
はメモリに格納する必要はなく、以下に示す演算
を行なうとき、信号XC（Ｉ）からその都度Ｙ（Ｉ）
を求めてよい。
第５図における２７はメモリのアドレスを示す
カウンタである。予め指定したI1≦Ｉ≦I2内にあ
る全ての格納番地Ｉに対して乗算回路２８により Y1（Ｉ）＝Ｙ（Ｉ）×Ｉ (5) なる演算を行ない、更に加算回路２９，３０によ
りY1（Ｉ）およびＹ（Ｉ）を加算していく。加算
結果をそれぞれＭ，Ｓとし、演算回路（除算回
路）３１により Ig＝Ｍ／Ｓ＝ （I2 〓I=I1 Ｙ(I)×１）／（I2 〓I=I1 Ｙ(I) (6) を求める。Ｍは信号Ｙ（Ｉ）の１次モーメント、
Ｓは信号Ｙ（Ｉ）の積分値に相当し、Igは信号Ｙ
（Ｉ）と座標軸とで囲まれた図形の重心位置を示
している。式(6)の除算を１回行なつた時点で真の
パターン位置に近い値の検出（粗検出）が終了す
る。
カウンタである。予め指定したI1≦Ｉ≦I2内にあ
る全ての格納番地Ｉに対して乗算回路２８により Y1（Ｉ）＝Ｙ（Ｉ）×Ｉ (5) なる演算を行ない、更に加算回路２９，３０によ
りY1（Ｉ）およびＹ（Ｉ）を加算していく。加算
結果をそれぞれＭ，Ｓとし、演算回路（除算回
路）３１により Ig＝Ｍ／Ｓ＝ （I2 〓I=I1 Ｙ(I)×１）／（I2 〓I=I1 Ｙ(I) (6) を求める。Ｍは信号Ｙ（Ｉ）の１次モーメント、
Ｓは信号Ｙ（Ｉ）の積分値に相当し、Igは信号Ｙ
（Ｉ）と座標軸とで囲まれた図形の重心位置を示
している。式(6)の除算を１回行なつた時点で真の
パターン位置に近い値の検出（粗検出）が終了す
る。
本実施例では、ウエーハ上幅40μmにわたつて
信号を取込み、幅6μmのパターン位置を算出し
た。実験の結果、パターンが±15μmの検出範囲
内のどこにあろうとも式(6)で与えられるIgは、真
のパターン位置を中心として±1μmの範囲内にあ
ることが確認できた。
信号を取込み、幅6μmのパターン位置を算出し
た。実験の結果、パターンが±15μmの検出範囲
内のどこにあろうとも式(6)で与えられるIgは、真
のパターン位置を中心として±1μmの範囲内にあ
ることが確認できた。
第７図は上記本発明による粗検出の精度すなわ
ちパターン位置と検出値Igの検出誤差との関係の
例を示したものである。
ちパターン位置と検出値Igの検出誤差との関係の
例を示したものである。
パターンの正確な位置を求める方法としては、
従来の対称性の良否を求める式(1)の演算を実行す
ればよく、演算回路（対称性演算部）３２により
メモリ２５に格納されている検出信号に対して演
算を実施する。この場合、式(1)を計算するＩの範
囲は±1μm程度と狭くできるため、対称性演算に
要する時間は約1/5となる。
従来の対称性の良否を求める式(1)の演算を実行す
ればよく、演算回路（対称性演算部）３２により
メモリ２５に格納されている検出信号に対して演
算を実施する。この場合、式(1)を計算するＩの範
囲は±1μm程度と狭くできるため、対称性演算に
要する時間は約1/5となる。
本実施例では、検出信号の重心位置を求めるこ
とにより対称性演算の計算範囲を±1μmと狭くで
きるため、±5μmの範囲内にわたつて対称性演算
を施す従来法に比べて演算処理時間の短縮化が実
現できた。更に従来の対称性演算をそのまま±
15μmにまで検出範囲を広げて実施すると、演算
範囲および式(1)の加算幅ｍがそれぞれ３倍となる
ため演算処理時間は約９倍となるが、本実施例で
はパターンが±15μmの範囲内のどこにあろうと
も短時間で位置検出できる。
とにより対称性演算の計算範囲を±1μmと狭くで
きるため、±5μmの範囲内にわたつて対称性演算
を施す従来法に比べて演算処理時間の短縮化が実
現できた。更に従来の対称性演算をそのまま±
15μmにまで検出範囲を広げて実施すると、演算
範囲および式(1)の加算幅ｍがそれぞれ３倍となる
ため演算処理時間は約９倍となるが、本実施例で
はパターンが±15μmの範囲内のどこにあろうと
も短時間で位置検出できる。
なお、本実施例では、検出信号取込み部２０に
取込まれた信号Ｘ（Ｉ）からパターン段差による
明暗の変化のみを示す検出信号XC（Ｉ）を求める
方法として、式(4)による低周波成分を除去する方
法を採用した。しかし高周波成分のみを示す検出
信号を取出すためには他の方法も考えられ、例え
ば取込み信号の差分信号（微分した信号）を検出
信号としてメモリ２５に格納しても同様の効果が
得られる。
取込まれた信号Ｘ（Ｉ）からパターン段差による
明暗の変化のみを示す検出信号XC（Ｉ）を求める
方法として、式(4)による低周波成分を除去する方
法を採用した。しかし高周波成分のみを示す検出
信号を取出すためには他の方法も考えられ、例え
ば取込み信号の差分信号（微分した信号）を検出
信号としてメモリ２５に格納しても同様の効果が
得られる。
以上のように、本発明を実施すれば検出すべき
パターンの位置が検出範囲内のどこにあろうとも
検出信号と座標軸とで囲まれた図形の重心位置を
求める演算により±1μm程度の狭い範囲内に位置
検出できる。その結果、従来最も演算時間を要す
る対称性演算１を実行する範囲を±1μm程度と狭
くでき、演算処理時間の短縮化が実現できる。
パターンの位置が検出範囲内のどこにあろうとも
検出信号と座標軸とで囲まれた図形の重心位置を
求める演算により±1μm程度の狭い範囲内に位置
検出できる。その結果、従来最も演算時間を要す
る対称性演算１を実行する範囲を±1μm程度と狭
くでき、演算処理時間の短縮化が実現できる。
第１図は従来のパターン検出装置の一構成例を
示した説明図、第２図Ａ，Ｂはそれぞれ取込み信
号、従来は処理信号を示す図、第３図及び第４図
Ａ，Ｂはいずれも本発明の原理を説明するための
信号波形図、第５図は本発明の信号処理回路を示
したブロツク図、第６図Ａ，Ｂ，Ｃは本発明で処
理した信号波形図、第７図は本発明で実施した粗
検出精度を示す図である。 １０……光電変換素子、２０……検出信号取込
み部、２１……増幅器、２２……Ａ／Ｄ変換器、
２３……メモリ、２４……低周波成分除去演算回
路、２５……メモリ、２６……変換回路、２７…
…カウンタ、２８……乗算回路、２９，３０……
加算回路、３１……演算回路（除算回路）、３２
……演算回路（対称性演算部）。
示した説明図、第２図Ａ，Ｂはそれぞれ取込み信
号、従来は処理信号を示す図、第３図及び第４図
Ａ，Ｂはいずれも本発明の原理を説明するための
信号波形図、第５図は本発明の信号処理回路を示
したブロツク図、第６図Ａ，Ｂ，Ｃは本発明で処
理した信号波形図、第７図は本発明で実施した粗
検出精度を示す図である。 １０……光電変換素子、２０……検出信号取込
み部、２１……増幅器、２２……Ａ／Ｄ変換器、
２３……メモリ、２４……低周波成分除去演算回
路、２５……メモリ、２６……変換回路、２７…
…カウンタ、２８……乗算回路、２９，３０……
加算回路、３１……演算回路（除算回路）、３２
……演算回路（対称性演算部）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 試料を照明し該試料からの反射光あるいは透
過光の強度分布を光電変換し検出信号として取込
む検出信号取込み部と、該取込まれた検出信号か
ら試料位置を計測するための信号処理を行なう演
算処理部を備えたパターン検出装置において、上
記演算処理部は、上記検出信号の１次モーメント
を求める手段と上記検出信号の積分値を求める手
段および該手段により求められた１次モーメント
を積分値で除算する手段を有してなる検出信号の
重心位置演算部と、該重心位置演算部で算出され
た検出信号の重心位置近傍で試料位置を精密に検
出するための対称性演算部を具備して構成したこ
とを特徴とするパターン検出装置。 ２ 前記検出信号取込み部は、光電変換信号をデ
イジタル値に変換するＡ／Ｄ変換器とＡ／Ｄ変換
された検出信号の値を格納するメモリを有し、前
記１次モーメントを求める手段は、上記メモリに
格納された信号の値と該信号が格納されているメ
モリアドレスを示すカウンタ値とを乗算する乗算
回路と乗算結果を加算する加算回路を有して構成
したものである特許請求の範囲第１項記載のパタ
ーン検出装置。 ３ 試料を照明し該試料からの反射光あるいは透
過光の強度分布を光電変換し検出信号として取込
む検出信号取込み部と、該取込まれた検出信号か
ら試料位置を計測するための信号処理を行なう演
算処理部を備えたパターン検出方法において、上
記検出信号取込み部で取込んだ検出信号に対して
その１次モーメントと積分値との比からパターン
位置を検出し、該検出値を中心に対称性演算を行
い、上記パターン位置を求めることを特徴とする
パターン検出方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181337A JPS5972134A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | パタ−ン検出装置 |
| US06/539,760 US4597669A (en) | 1982-10-18 | 1983-10-07 | Pattern detector |
| DE8383110336T DE3369378D1 (en) | 1982-10-18 | 1983-10-17 | Pattern detector |
| EP83110336A EP0106346B1 (en) | 1982-10-18 | 1983-10-17 | Pattern detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181337A JPS5972134A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | パタ−ン検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5972134A JPS5972134A (ja) | 1984-04-24 |
| JPH0332910B2 true JPH0332910B2 (ja) | 1991-05-15 |
Family
ID=16098928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57181337A Granted JPS5972134A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | パタ−ン検出装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4597669A (ja) |
| EP (1) | EP0106346B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5972134A (ja) |
| DE (1) | DE3369378D1 (ja) |
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| JPH0626178B2 (ja) * | 1985-06-03 | 1994-04-06 | 株式会社日立製作所 | パターン位置検出方法とその装置 |
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| DE2846316A1 (de) * | 1978-10-24 | 1980-06-04 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zur automatischen ausrichtung von zwei aufeinander einzujustierenden objekten |
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-
1982
- 1982-10-18 JP JP57181337A patent/JPS5972134A/ja active Granted
-
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- 1983-10-17 EP EP83110336A patent/EP0106346B1/en not_active Expired
- 1983-10-17 DE DE8383110336T patent/DE3369378D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0106346A1 (en) | 1984-04-25 |
| JPS5972134A (ja) | 1984-04-24 |
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