JPH0336079B2 - - Google Patents
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- JPH0336079B2 JPH0336079B2 JP58032517A JP3251783A JPH0336079B2 JP H0336079 B2 JPH0336079 B2 JP H0336079B2 JP 58032517 A JP58032517 A JP 58032517A JP 3251783 A JP3251783 A JP 3251783A JP H0336079 B2 JPH0336079 B2 JP H0336079B2
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- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/50—Perfumes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
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- C09D9/00—Chemical paint or ink removers
- C09D9/005—Chemical paint or ink removers containing organic solvents
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は研磨加工工程において被加工物表面に
残存付着する固定用ワツクスを除去する方法に関
する。さらに詳しくは、ハロゲン化炭化水素およ
び（または）非ハロゲン化炭化水素系溶剤、特定
のフツ素化アルコールおよびハロゲン化炭化水素
および（または）非ハロゲン化炭化水素系溶剤お
よびフツ素化アルコール以外の極性有機溶剤とを
配合してなる前記固定用ワツクスを除去するため
の溶剤組成物に関する。 本発明の目的とするところは電子工業、光学工
業などにおいて用いられる被加工物、とくにシリ
コンウエハーや磁気ヘツド、レンズなどを研磨加
工する工程において、前記被加工物表面に残存付
着する固定用ワツクスを被加工物表面から除去す
る方法を提供することにある。 従来からシリコンウエハー、磁気ヘツド、レン
ズなどを研磨するときにそれらをたとえばセラミ
ツクブロツクなどの台座に一時的に固定するため
にワツクス類が使用されている。たとえば、ラツ
ピング工程においてシリコンウエハーを研磨加工
する際、シリコンウエハーをセラミツク板フラツ
ト面に固定させるためにワツクス類が用いられて
いる。しかしそれらワツクス類は研磨終了後、セ
ラミツク板フラツト面から取外したのちもシリコ
ンウエハー表面上に残存付着して来るためシリコ
ンウエハーの機能上に重大な障害が惹起する。従
来そのようなワツクスを除去するために種々の方
法、たとえばトリクロロエチレンや１，１，１−
トリクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶
剤を用いて超音波処理や沸騰浴浸漬処理により、
前記被加工物表面に付着するワツクスを除去する
方法などがとられている。 しかしながらこれらの方法では肉眼においては
シリコンウエハー、磁気ヘツド、レンズなどの表
面上における残存ワツクスはほとんど除去されて
いるものの顕微鏡（200〜400倍）で観察すると斑
点状に微細な付着物が残存しており、前記問題点
を充分解消するには至つていない。しかしてそれ
らの斑点状の付着物をシリコンウエハー、磁気ヘ
ツド、レンズなどを損傷させないで効果的に除去
する方法が見当らないのが現状である。 本発明者らは前記従来法の欠点を解消すべく鋭
意研究を重ねた結果、(a)ハロゲン化炭化水素およ
び（または）非ハロゲン化炭化水素系溶剤、(b)フ
ツ素化アルコール、および(c)成分(a)および(b)以外
の極性有機溶剤からなり、研磨加工工程において
被加工物表面に残存する固定用ワツクスを除去す
るための溶剤組成物を用いることにより前記問題
点を解決させうることを見出した。 すなわち本発明ではハロゲン化炭化水素およ
び、（または）非ハロゲン化炭化水素系溶剤、フ
ツ素化アルコール、およびハロゲン化炭化水素お
よび（または）非ハロゲン化炭化水素系溶剤およ
びフツ素化アルコール以外の極性有機溶剤との配
合物を用いることにより、前記ワツクス類を短時
間で前記微細な付着物の残存もほとんどなくシリ
コンウエハー、磁気ヘツド、レンズなどから除去
され、しかも被洗浄物を損傷することがないとい
う顕著な効果がえられる。 本発明に用いるハロゲン化炭化水素溶剤として
はメチレンクロライド、１，１，１−トリクロロ
エタン、トリクロロエチレン、パークロロエチレ
ン、１，３−ジクロロプロパン、１，３−ジクロ
ロブタン、エピクロルヒドリン、テトラクロロジ
フルオロエタン、トリクロロトリフルオロエタン
など、非ハロゲン化炭化水素系溶剤としてはオク
タン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、石
油エーテル、ソルベントナフサなどがあげられ
る。前記ハロゲン化炭化水素および非ハロゲン化
炭化水素系溶剤は単独で用いてもよく、２種以上
を混合して用いてもよい。 本発明に用いるフツ素化アルコールとしては１
分子中に少なくとも２個のフツ素原子を有する炭
素数が２個以上のアルコールであつて一般式： Ｘ（CoF2o）CnH2nOH （式中、Ｘは水素原子またはフツ素原子、ｍは１
〜３の整数、ｎは１〜10の整数である）で示され
る化合物であり、その具体例としては式： Ｈ（CF2CF2）aCH2OH Ｆ（OF2CF2）eCH2OH Ｆ（CF2CF2）gCH2CH2OH Ｆ（CF2CF2）iCH2CH2CH2OH （式中、ａ、ｃ、ｅ、ｇおよびｉは１〜５の整
数、ｂ、ｄ、ｆ、ｈおよびｊは１〜３の整数であ
る）であらわされる化合物などが例示でき、それ
らを単独で用いてもよく、２種以上を混合して用
いてもよい。 本発明に用いるハロゲン化炭化水素および（ま
たは）非ハロゲン化炭化水素溶剤およびフツ素化
アルコール以内の極性有機溶剤としてはメチルア
ルコール、エチルアルコール、プロピルアルコー
ル、イソプロピルアルコール、ブチルアルコー
ル、イソブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコー
ル、シクロヘキサノール、シクロペンタノール、
ベンジルアルコールなどのアルコール類、アセト
ン、メチルプロピルケトン、メチルイソプロピル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノンなどのケトン類、アセトニトリル、プロピオ
ニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリ
ル、ベンゾニトリルなどのニトリル類、ニトロメ
タン、ニトロエタン、ニトロプロパンなどのニト
ロアルカン類、ニトロベンゼン、メチルセロソル
ブ、セロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトー
ル、フルフラール、ホルムアミド、トリフルオロ
酢酸などがあげられ、それらを単独で用いてもよ
く、２種以上を混合して用いてもよい。 前記ハロゲン化炭化水素および（または）非ハ
ロゲン化炭化水素系溶剤とフツ素化アルコールと
ハロゲン化炭化水素および（または）非ハロゲン
化炭化水素系溶剤およびフツ素化アルコール以外
の極性有機溶剤との混合割合はとくに制限する必
要はなく、それら成分が相互に溶解する範囲で混
合して用いればよい。（ハロゲン化炭化水素およ
び（または）非ハロゲン化炭化水素系溶剤）／
（フツ素化アルコール）／（ハロゲン化炭化水素
および（または）非ハロゲン化炭化水素系溶剤お
よびフツ素化アルコール以外の極性有機溶剤）は
好ましくは重量比で90〜30／５〜65／５〜65、さ
らに好ましくは80〜60／10〜30／10〜30で用いら
れる。本発明の組成物はシリコンウエハー、磁気
ヘツド、レンズなどに付着したワツクス類に対
し、各成分が相乗的に作用し、前記ワツクス類を
短時間で微細な付着物の残存もほとんどなく除去
し、シリコンウエハー、磁気ヘツド、レンズの表
面を清浄にする。前記組成物が共沸組成物を形成
するばあいには使用後の回収、再使用が容易とな
りさらに望ましく使用されうる。 本発明の方法を用いて前記ワツクスを除去する
被加工物としてはシリコンウエハー、磁気ヘツ
ド、レンズなどがあげられる。 本発明の処理方法としては、たとえば表面にワ
ツクスの付着した被加工物を本発明の組成物の温
浴または沸騰浴中に浸漬するかあるいは該組成物
を噴霧、塗布または散布したのちふきとるなどに
より、前記付着したワツクスを被加工物表面から
除去する方法があげられる。望ましい方法として
は前記被加工物を該組成物の温浴または沸騰浴中
に浸漬し、超音波を照射するなどの方法があげら
れる。 本発明で用いる組成物には必要に応じてさらに
他の溶剤、有機酸、界面活性剤および（または）
安定剤などを配合してもよい。前記他の溶剤、界
面活性剤、有機酸または安定剤の配合量としては
本発明で用いる組成物100部（重量部、以下同様）
に対してそれぞれ通常30部以下が用いられる。 本発明の方法は前記のごとくワツクスの付着物
を効果的に除去し、被加工物を清浄化できるほ
か、樹脂被膜や油状ないしタール状のカールボン
化物質など通常の洗浄剤によつては容易に除去す
ることができない頑固な汚れをも溶解、除去する
ことができるきわめて有用なものである。 つぎに実施例および比較例をあげて本発明の方
法を具体的に説明する。 実施例１〜６および比較例１〜７ 第１表に示す組成からなる表面清浄化組成物を
70℃に保つた浴中に入れ、ステーキワツクスまた
はフラツクス（アルキス＃200。神東塗料(株)製の
アルキツド樹脂系塗料）の付着した２インチ径の
シリコンウエハーを３分間浸漬超音波照射したの
ちトリクレンに浸漬し、すすぎ洗浄したのち乾燥
させた。 えられたシリコンウエハーは肉眼観察ではワツ
クスの付着は認められずさらに200倍の顕微鏡観
察を行ない、微細な付着物が残存していないこと
を確認した。 その結果を第１表に示す。第１表から明らかな
ように、成分(a)、(b)、(c)のいずれか１つが欠けて
いる比較例に比して、フラツクスの除去作用は若
干改善されているが、固定用ワツクスの除去効果
は格段の向上が認められ、本発明の方法が固定用
ワツクスの除去に特に優れている。 なお実施例および比較例において使用したフロ
ン−112はダイキン工業(株)製のテトラクロロジフ
ルオロエタン、フツ素化アルコール（ｍ＝１、ｎ
＝２）は２，２，３，３−テトラフルオロプロピ
ルアルコール（HCF2CF2OH2OH）である。 【表】
残存付着する固定用ワツクスを除去する方法に関
する。さらに詳しくは、ハロゲン化炭化水素およ
び（または）非ハロゲン化炭化水素系溶剤、特定
のフツ素化アルコールおよびハロゲン化炭化水素
および（または）非ハロゲン化炭化水素系溶剤お
よびフツ素化アルコール以外の極性有機溶剤とを
配合してなる前記固定用ワツクスを除去するため
の溶剤組成物に関する。 本発明の目的とするところは電子工業、光学工
業などにおいて用いられる被加工物、とくにシリ
コンウエハーや磁気ヘツド、レンズなどを研磨加
工する工程において、前記被加工物表面に残存付
着する固定用ワツクスを被加工物表面から除去す
る方法を提供することにある。 従来からシリコンウエハー、磁気ヘツド、レン
ズなどを研磨するときにそれらをたとえばセラミ
ツクブロツクなどの台座に一時的に固定するため
にワツクス類が使用されている。たとえば、ラツ
ピング工程においてシリコンウエハーを研磨加工
する際、シリコンウエハーをセラミツク板フラツ
ト面に固定させるためにワツクス類が用いられて
いる。しかしそれらワツクス類は研磨終了後、セ
ラミツク板フラツト面から取外したのちもシリコ
ンウエハー表面上に残存付着して来るためシリコ
ンウエハーの機能上に重大な障害が惹起する。従
来そのようなワツクスを除去するために種々の方
法、たとえばトリクロロエチレンや１，１，１−
トリクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶
剤を用いて超音波処理や沸騰浴浸漬処理により、
前記被加工物表面に付着するワツクスを除去する
方法などがとられている。 しかしながらこれらの方法では肉眼においては
シリコンウエハー、磁気ヘツド、レンズなどの表
面上における残存ワツクスはほとんど除去されて
いるものの顕微鏡（200〜400倍）で観察すると斑
点状に微細な付着物が残存しており、前記問題点
を充分解消するには至つていない。しかしてそれ
らの斑点状の付着物をシリコンウエハー、磁気ヘ
ツド、レンズなどを損傷させないで効果的に除去
する方法が見当らないのが現状である。 本発明者らは前記従来法の欠点を解消すべく鋭
意研究を重ねた結果、(a)ハロゲン化炭化水素およ
び（または）非ハロゲン化炭化水素系溶剤、(b)フ
ツ素化アルコール、および(c)成分(a)および(b)以外
の極性有機溶剤からなり、研磨加工工程において
被加工物表面に残存する固定用ワツクスを除去す
るための溶剤組成物を用いることにより前記問題
点を解決させうることを見出した。 すなわち本発明ではハロゲン化炭化水素およ
び、（または）非ハロゲン化炭化水素系溶剤、フ
ツ素化アルコール、およびハロゲン化炭化水素お
よび（または）非ハロゲン化炭化水素系溶剤およ
びフツ素化アルコール以外の極性有機溶剤との配
合物を用いることにより、前記ワツクス類を短時
間で前記微細な付着物の残存もほとんどなくシリ
コンウエハー、磁気ヘツド、レンズなどから除去
され、しかも被洗浄物を損傷することがないとい
う顕著な効果がえられる。 本発明に用いるハロゲン化炭化水素溶剤として
はメチレンクロライド、１，１，１−トリクロロ
エタン、トリクロロエチレン、パークロロエチレ
ン、１，３−ジクロロプロパン、１，３−ジクロ
ロブタン、エピクロルヒドリン、テトラクロロジ
フルオロエタン、トリクロロトリフルオロエタン
など、非ハロゲン化炭化水素系溶剤としてはオク
タン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、石
油エーテル、ソルベントナフサなどがあげられ
る。前記ハロゲン化炭化水素および非ハロゲン化
炭化水素系溶剤は単独で用いてもよく、２種以上
を混合して用いてもよい。 本発明に用いるフツ素化アルコールとしては１
分子中に少なくとも２個のフツ素原子を有する炭
素数が２個以上のアルコールであつて一般式： Ｘ（CoF2o）CnH2nOH （式中、Ｘは水素原子またはフツ素原子、ｍは１
〜３の整数、ｎは１〜10の整数である）で示され
る化合物であり、その具体例としては式： Ｈ（CF2CF2）aCH2OH Ｆ（OF2CF2）eCH2OH Ｆ（CF2CF2）gCH2CH2OH Ｆ（CF2CF2）iCH2CH2CH2OH （式中、ａ、ｃ、ｅ、ｇおよびｉは１〜５の整
数、ｂ、ｄ、ｆ、ｈおよびｊは１〜３の整数であ
る）であらわされる化合物などが例示でき、それ
らを単独で用いてもよく、２種以上を混合して用
いてもよい。 本発明に用いるハロゲン化炭化水素および（ま
たは）非ハロゲン化炭化水素溶剤およびフツ素化
アルコール以内の極性有機溶剤としてはメチルア
ルコール、エチルアルコール、プロピルアルコー
ル、イソプロピルアルコール、ブチルアルコー
ル、イソブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコー
ル、シクロヘキサノール、シクロペンタノール、
ベンジルアルコールなどのアルコール類、アセト
ン、メチルプロピルケトン、メチルイソプロピル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノンなどのケトン類、アセトニトリル、プロピオ
ニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリ
ル、ベンゾニトリルなどのニトリル類、ニトロメ
タン、ニトロエタン、ニトロプロパンなどのニト
ロアルカン類、ニトロベンゼン、メチルセロソル
ブ、セロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトー
ル、フルフラール、ホルムアミド、トリフルオロ
酢酸などがあげられ、それらを単独で用いてもよ
く、２種以上を混合して用いてもよい。 前記ハロゲン化炭化水素および（または）非ハ
ロゲン化炭化水素系溶剤とフツ素化アルコールと
ハロゲン化炭化水素および（または）非ハロゲン
化炭化水素系溶剤およびフツ素化アルコール以外
の極性有機溶剤との混合割合はとくに制限する必
要はなく、それら成分が相互に溶解する範囲で混
合して用いればよい。（ハロゲン化炭化水素およ
び（または）非ハロゲン化炭化水素系溶剤）／
（フツ素化アルコール）／（ハロゲン化炭化水素
および（または）非ハロゲン化炭化水素系溶剤お
よびフツ素化アルコール以外の極性有機溶剤）は
好ましくは重量比で90〜30／５〜65／５〜65、さ
らに好ましくは80〜60／10〜30／10〜30で用いら
れる。本発明の組成物はシリコンウエハー、磁気
ヘツド、レンズなどに付着したワツクス類に対
し、各成分が相乗的に作用し、前記ワツクス類を
短時間で微細な付着物の残存もほとんどなく除去
し、シリコンウエハー、磁気ヘツド、レンズの表
面を清浄にする。前記組成物が共沸組成物を形成
するばあいには使用後の回収、再使用が容易とな
りさらに望ましく使用されうる。 本発明の方法を用いて前記ワツクスを除去する
被加工物としてはシリコンウエハー、磁気ヘツ
ド、レンズなどがあげられる。 本発明の処理方法としては、たとえば表面にワ
ツクスの付着した被加工物を本発明の組成物の温
浴または沸騰浴中に浸漬するかあるいは該組成物
を噴霧、塗布または散布したのちふきとるなどに
より、前記付着したワツクスを被加工物表面から
除去する方法があげられる。望ましい方法として
は前記被加工物を該組成物の温浴または沸騰浴中
に浸漬し、超音波を照射するなどの方法があげら
れる。 本発明で用いる組成物には必要に応じてさらに
他の溶剤、有機酸、界面活性剤および（または）
安定剤などを配合してもよい。前記他の溶剤、界
面活性剤、有機酸または安定剤の配合量としては
本発明で用いる組成物100部（重量部、以下同様）
に対してそれぞれ通常30部以下が用いられる。 本発明の方法は前記のごとくワツクスの付着物
を効果的に除去し、被加工物を清浄化できるほ
か、樹脂被膜や油状ないしタール状のカールボン
化物質など通常の洗浄剤によつては容易に除去す
ることができない頑固な汚れをも溶解、除去する
ことができるきわめて有用なものである。 つぎに実施例および比較例をあげて本発明の方
法を具体的に説明する。 実施例１〜６および比較例１〜７ 第１表に示す組成からなる表面清浄化組成物を
70℃に保つた浴中に入れ、ステーキワツクスまた
はフラツクス（アルキス＃200。神東塗料(株)製の
アルキツド樹脂系塗料）の付着した２インチ径の
シリコンウエハーを３分間浸漬超音波照射したの
ちトリクレンに浸漬し、すすぎ洗浄したのち乾燥
させた。 えられたシリコンウエハーは肉眼観察ではワツ
クスの付着は認められずさらに200倍の顕微鏡観
察を行ない、微細な付着物が残存していないこと
を確認した。 その結果を第１表に示す。第１表から明らかな
ように、成分(a)、(b)、(c)のいずれか１つが欠けて
いる比較例に比して、フラツクスの除去作用は若
干改善されているが、固定用ワツクスの除去効果
は格段の向上が認められ、本発明の方法が固定用
ワツクスの除去に特に優れている。 なお実施例および比較例において使用したフロ
ン−112はダイキン工業(株)製のテトラクロロジフ
ルオロエタン、フツ素化アルコール（ｍ＝１、ｎ
＝２）は２，２，３，３−テトラフルオロプロピ
ルアルコール（HCF2CF2OH2OH）である。 【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) ハロゲン化炭化水素および（または）非
ハロゲン化炭化水素系容剤、 (b) フツ素化アルコール、および (c) 成分(a)および(b)以外の極性有機溶剤 からなる溶剤組成物を、研磨加工工程において固
定用ワツクスが表面に残存付着している被加工物
に適用する固定用ワツクスの除去方法。 ２ 成分(a)／成分(b)／成分(c)が重量比で90〜30／
５〜65／５〜65である特許請求の範囲第１項記載
の方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58032517A JPS59157196A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 固定用ワックスの除去方法 |
| CA000447623A CA1221294A (en) | 1983-02-28 | 1984-02-16 | Cleaning composition for wax removal |
| KR1019840000797A KR900004555B1 (ko) | 1983-02-28 | 1984-02-20 | 용제 조성물 |
| US06/582,761 US4530776A (en) | 1983-02-28 | 1984-02-23 | Cleaning composition for wax removal |
| EP84101987A EP0120319B1 (en) | 1983-02-28 | 1984-02-24 | Cleaning composition for wax removal |
| DE8484101987T DE3480553D1 (en) | 1983-02-28 | 1984-02-24 | Cleaning composition for wax removal |
Applications Claiming Priority (1)
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