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JPH0337470B2 - - Google Patents
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JPH0337470B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0337470B2
JPH0337470B2 JP10715285A JP10715285A JPH0337470B2 JP H0337470 B2 JPH0337470 B2 JP H0337470B2 JP 10715285 A JP10715285 A JP 10715285A JP 10715285 A JP10715285 A JP 10715285A JP H0337470 B2 JPH0337470 B2 JP H0337470B2
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JP
Japan
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contact chip
ceramic
arc welding
coating layer
ceramic contact
Prior art date
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Expired
Application number
JP10715285A
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Japanese (ja)
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JPS61266189A (en
Inventor
Tadao Amasaka
Misao Iwata
Kazumi Fujikawa
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Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
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Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

〔産業上の利用分野〕 本発明は、アーク溶接に使用されるスパツタ付
着が少なく、寿命も長くかつ再使用可能なセラミ
ツクコンタクトチツプおよびその製造方法に関す
る。 〔従来技術〕 従来のアーク溶接用コンタクトチツプは、主と
して銅合金又はアルミニウム合金で作られていた
が、コンタクトチツプの表面が金属であるため、
アーク溶接中に飛散してくるスパツタが熱化学反
応などによりコンタクトチツプ表面に付着堆積し
て目づまりを起したり、溶接中のふく射熱により
コンタクトチツプが焼鈍軟化しワイヤ通過による
コンタクトチツプ先端部の摩耗が加速されるなど
が原因となり、アーク溶接用コンタクトチツプの
寿命が極めて短かいものであつた。 前述のような問題を解決する方法として、実開
昭52−26630号公報、実開昭59−49478号公報又は
実開昭57−8248号公報に記載されるように、コン
タクトチツプのノズル部をセラミツク製ガイド保
護する方法、あるいは実開昭50−76021号公報、
実開昭57−160887号公報に記載されるようにコン
タクトチツプをセラミツクで被覆する方法が提案
されてきている。 しかしながら前記のノズル部をセラミツクガイ
ドで保護する方法は、コンタクトチツプの構造が
複雑になり製造コスト的に問題があるばかりでな
く、広範囲に飛散するスパツタに対してコンタク
トチツプ全体を保護できないという問題があつ
た。 一方コンタクトチツプをセラミツクで被覆する
方法は、構造の複雑化およびチツプ全体に対する
スパツタ付着からの保護の問題を解決するもの
で、本発明者等もPVD法又はCVD法によりコン
タクトチツプをセラミツク被覆法を開発し、先に
実願昭59−163202号(実開昭61−77175号公報参
照)として出願した。 しかしながら、前述のセラミツク被覆コンタク
トチツプにおいても、基体自体が金属、特に銅合
金又はアルミニウム合金で構成されているため、
セラミツク被覆中の焼鈍軟化およびアーク溶接中
のふく射熱による焼鈍軟化により、耐摩耗性が低
下し寿命にはおのずから限界があつた。また、一
旦目づまりあるいはノズル部の摩耗により使用不
可能になつたものは、再生する手段がなく廃棄さ
れているのが現状であり、これもアーク溶接のコ
ストを高くする大きな要因となつていた。 また、本発明者等は、前述の問題を解決するも
のとして、コンタクトチツプ基体を92%Al2O3
SiC系又はSi3N4系などのセラミツクで構成し、
ワイヤガイド孔内壁に電気良導体を被覆したアー
ク溶接用コンタクトチツプを発明し、先に出願し
た。 この発明により、焼鈍軟化によるノズル部の摩
耗および再使用の問題が解決され、コンタクトチ
ツプの寿命は著るしく長くなつたが、溶接中のス
パツタ付着に関しては、金属製コンタクトチツプ
に比較して大巾に減少してはいるものの、前記セ
ラミツクはFeを主成分とするスパツタと多少反
応性があり未だスパツタ付着の問題は残されてい
た。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は、前述のとおりのスパツタ付着による
目づまりの問題、耐摩耗性の問題を同時に解決
し、しかも繰返し再生可能なアーク溶接用セラミ
ツクコンタクトチツプと、そのコンタクトチツプ
を安定確定に製造できる製造方法を提供すること
を目的としている。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、前述の問題点を解決する手段を鋭意
研究した結果、アーク溶接用コンタクトチツプは
電気良導体である金属で構成するという既定の概
念を転換し、第1図に示すアーク溶接用コンタク
トチツプ基体1をセラミツクで構成し、ワイヤに
給電する部分のみを電気良導体3で構成するとい
う本発明者等による前述の先願の発明に、更に第
2図に示すように、セラミツク製コンタクトチツ
プ基体1の表面に、Feを主成分とするスパツタ
との反応性が低いTiC、TiN又はTi(C+N)の
被覆層6を設けることにより、前述の目的が達成
されることを知見して完成されたものである。 更に本発明の具体的構成を詳細に説明すると、
アーク溶接用コンタクトチツプの基体1を、好ま
しくは92%Al2O3、SiC系又はSi3N4などの熱伝導
度0.03cal/cm・sec・℃以上、熱膨張係数7.3×
10-61/℃以下および曲げ強度2500Kg/cm2以上の
物理的特性を有するセラミツクで構成するととも
に、その基体1の表面にPVD法、CVD法又はプ
ラズマ溶射法などによりFeを主成分とするスパ
ツタと反応性の低いTiC、TiNまたはTi(C+N)
の被覆層6を形成し、また該基体のワイヤガイド
孔2内壁に銅、銅合金、Ni合金、金合金、銀合
金、プラチナ合金、チタン合金などの電気良導体
の被覆層を形成することにより、溶接中のスパツ
タ付着が極めて少なく、かつ摩耗の問題もなく、
繰返し使用可能なアーク溶接用セラミツクコンタ
クトチツプを得たものである。 そして、前述のアーク溶接用セラミツクコンタ
クトチツプを工業的に安定して製造する方法とし
て、予め作成したセラミツクコンタクトチツプ基
体1の表面に、TiC、TiN又はTi(C+N)を
CVD法、PVD法又はプラズマ法により被覆層6
を形成するとともに、該セラミツクコンタクトチ
ツプ基体のワイヤガイド孔2の内壁を電気良導体
で予め被覆処理したのち、該電気良導体よりなる
被覆層を電極として電気良導体3を電気メツキす
る方法、および、第3図に示すようにセラミツク
製コンタクトチツプ基体1のワイヤガイド孔2の
孔径と概略同じ外径の電気良導体のパイプ4を予
め作成しておき、これをセラミツク製コンタクト
チツプ基体1のガイド孔2に挿入する方法を開発
したものである。 前述のセラミツク製コンタクトチツプのガイド
孔内壁に電気良導体を電気メツキする方法として
は、セラミツクに金属を電気メツキする公知のい
ずれの方法でも採用できるが、本発明者等の研究
によれば次の方法によりメツキした場合良好な結
果が確実に得られることが判明している。 (イ) CVD法又はPVD法により、電気導体である
TiC又はTiNなどでガイド孔内壁を被覆した
後、その被覆したTiC又はTiNなどの電気導体
層を電極として、Cu系合金、Ni系合金、銀系
合金、金系合金、プラチタ系合金又はTi系合
金などの電気良導体を電気メツキする方法。 (ロ) 前記ガイド孔内壁に金属粉をペースト状にし
て塗布、又はどぶ付けなどにより被覆した後、
N2/H2中又は真空中で焼成するいわゆるメタ
ライズ法により該ガイド孔内壁に電気導体層を
形成させた後、(イ)と同様にして電気良導体を電
気メツキする方法。このメタライズ法において
は、種々の金属粉を用いることができるが、基
体がAl2O3などの酸化物系セラミツクである場
合はNi、Mo、Cu、Mo−Mn、基体がSiC系で
ある場合はNi、Moそして基体がSi3N4系であ
る場合はMoの組合せにおいて特に良い結果が
得られる。 (ハ) 無電解メツキ法によりガイド孔内壁に予め電
気導体を被覆した後(イ)と同様に電気メツキを施
す方法。 この無電解メツキ法によつて被覆する電気導体
は、導電性を有するものであればいずれの金属で
もよいが、安定性および導電性の点からNi又は
Cuであることが望ましい。 なお、前記電気良導体の被覆は給電効果を上げ
るためネジ部7まで行つてもよい。 〔作用〕 本発明においては、アーク溶接用コンタクトチ
ツプ基体を硬度の高く耐熱性にすぐれたセラミツ
クで構成しているため、従来の金属製コンタクト
チツプに比較して、溶接中の焼鈍軟化の問題もな
く耐摩耗性が格段にすぐれている。また本発明に
おいてはセラミツクコンタクトチツプの表面にさ
らに極めて硬度が高くかつFeを主成分とするス
パツタと反応性の低いTiC、TiN又はTi(C+N)
を被覆しているため、溶接中のスパツタの付着が
少なく、かつ一旦スパツタが付着しても容易に除
去することができる。本願発明の他の大きな利点
は、コンタクトチツプのワイヤガイド孔に設けた
電気良導体がワイヤ通過による摩擦で摩耗しワイ
ヤへの給電が不可能になつて場合でも、コンタク
トチツプ基体まで摩耗して使用不可能になること
はなく、再度電気良導体を被覆しなおして、コン
タクトチツプ基体を繰返し使用できることであ
る。 本願発明のアーク溶接用コンタクトチツプ基体
1の素材といては、市販のいずれのセラミツクを
選択しても所定の作用効果を得ることができる
が、アーク溶接中にセラミツクコンタクトチツプ
に割れが発生する機構を研究し実験を重ねた結
果、コンタクトチツプ基体の素材として、特に92
%Al2O3、SiCおよびSi3N4などの熱伝導度
0.03cal/cm・sec.℃以上、熱膨張係数7.3×
10-61/℃以下および曲げ強度2500Kg/cm2以上の
物理的特性を有するセラミツクを選択することに
より、長時間の繰返し使用によつても割れの発生
しない極めて寿命の長いアーク溶接用コンタクト
チツプが得られることが判明した。 すなわち、アーク溶接においては、コンタクト
チツプは局部加熱、急加熱が繰返し生じており、
その熱シヨツクによりコンタクトチツプに割れが
発生する機構を考察すると次のようなことが言え
る。 セラミツク製コンタクトチツプが、アーク溶接
中に割れを発生する場合は、熱によつて発生した
内部応力が曲げ強度を超えた場合である。アーク
溶接においてはコンタクトチツプは前述のとおり
局部加熱、急加熱が繰返されており、加熱部分と
その付近には大きな温度勾配が生じることにな
る。 すなわち、溶接部分は1200℃前後、そしてそれ
からのふく射熱および給電時の自己アーク熱によ
りコンタクトチツプは200〜300℃になる。そして
温度勾配を有するコンタクトチツプにおいては、
各部分がその加熱温度に応じた熱膨張を示し、そ
の熱膨張量の差が内部応力を発生させる基因とな
る。したがつてアーク溶接中の熱シヨツクによる
割れを防止、すなわち各部分の熱膨張量の差に起
因する内部応力が曲げ強度が超えないようにする
ためには、熱伝導度の高い素材を選択することに
より各部分の温度勾配を小さくすること、熱膨張
係数の小さい素材を選択することにより各部分の
熱膨張量を小さくし熱膨張量の差の絶対量を小に
することおよび曲げ強度の高い素材を選択するこ
とが考えられる。 本発明者等は、前述の考察に基づいて、表1に
示すとおり種々のセラミツクについて実験を重ね
た結果、前述のとおり、特に、熱伝導度
0.03cal/cm・sec.℃以上、熱膨張係数7.3×
10-61/℃以下および曲げ強度2500Kg/cm2の物理
的特性を有するセラミツクを素材としてアーク溶
接用コンタクトチツプ基体を作成した場合、長時
間の繰返しアーク溶接においても全く割れの生じ
ないという作用効果を得たものである。
[Industrial Field of Application] The present invention relates to a ceramic contact chip used in arc welding that causes less adhesion of spatter, has a long life, and is reusable, and a method for manufacturing the same. [Prior Art] Conventional arc welding contact tips were mainly made of copper alloy or aluminum alloy, but since the surface of the contact tip is metal,
Spatter flying during arc welding may adhere to and accumulate on the surface of the contact tip due to thermochemical reactions, causing clogging, or the contact tip may be annealed and softened by the radiant heat during welding, and the tip of the contact tip may wear out as the wire passes through it. Due to acceleration, etc., the lifespan of arc welding contact tips was extremely short. As a method to solve the above-mentioned problems, as described in Japanese Utility Model Application Publication No. 52-26630, Japanese Utility Model Application Publication No. 59-49478, or Japanese Utility Model Application Publication No. 57-8248, the nozzle part of the contact chip is Method for protecting ceramic guides, or Japanese Utility Model Application Publication No. 50-76021,
A method of coating contact chips with ceramic has been proposed as described in Japanese Utility Model Application Publication No. 57-160887. However, the above-mentioned method of protecting the nozzle part with a ceramic guide not only complicates the structure of the contact chip and causes problems in terms of manufacturing costs, but also has the problem that the entire contact chip cannot be protected from spatter that is scattered over a wide area. It was hot. On the other hand, the method of coating contact chips with ceramic solves the problems of complicating the structure and protecting the entire chip from spatter adhesion. It was developed and previously filed as Utility Model Application No. 163202/1983 (see Japanese Utility Model Application No. 77175/1983). However, even in the ceramic-coated contact chip mentioned above, since the base itself is made of metal, especially copper alloy or aluminum alloy,
Due to the annealing softening in the ceramic coating and the annealing softening due to the radiant heat during arc welding, wear resistance decreased and there was a natural limit to the service life. Furthermore, once the nozzle becomes unusable due to clogging or abrasion, there is currently no way to recycle it and it is discarded, which is another major factor that increases the cost of arc welding. . In addition, the present inventors have developed a contact chip substrate made of 92% Al 2 O 3 to solve the above-mentioned problem.
Composed of ceramics such as SiC or Si 3 N 4 ,
He invented a contact chip for arc welding in which the inner wall of the wire guide hole was coated with a good electrical conductor, and filed an application earlier. This invention solves the problem of nozzle wear and reuse caused by annealing softening, and significantly extends the life of the contact tip.However, regarding spatter adhesion during welding, it is much more common than metal contact tips. Although the width has been reduced significantly, the problem of spatter adhesion still remains because the ceramic has some reactivity with spatters whose main component is Fe. [Problems to be Solved by the Invention] The present invention provides a ceramic contact chip for arc welding that simultaneously solves the problem of clogging due to adhesion of spatter and the problem of wear resistance as described above, and is reproducible repeatedly. The purpose of this invention is to provide a manufacturing method that allows chips to be manufactured stably and reliably. [Means for Solving the Problems] As a result of intensive research into means for solving the above-mentioned problems, the present invention changes the conventional concept that arc welding contact tips are made of metal, which is a good electrical conductor, and In addition to the invention of the earlier application by the present inventors, in which the arc welding contact chip base 1 shown in FIG. 1 is made of ceramic, and only the part that feeds power to the wire is made of a good electrical conductor 3, FIG. As shown, the above object is achieved by providing a coating layer 6 of TiC, TiN or Ti (C+N), which has low reactivity with sputtering mainly composed of Fe, on the surface of a ceramic contact chip base 1. It was completed based on the knowledge that Furthermore, to explain the specific configuration of the present invention in detail,
The base body 1 of the contact tip for arc welding is preferably made of 92% Al 2 O 3 , SiC-based or Si 3 N 4 with a thermal conductivity of 0.03 cal/cm・sec・℃ or higher and a thermal expansion coefficient of 7.3×.
10 -6 1/℃ or less and bending strength of 2500 kg/cm 2 or more, and the surface of the base 1 is coated with Fe as the main component by PVD, CVD, plasma spraying, etc. TiC, TiN or Ti (C+N) with low spatter and reactivity
By forming a coating layer 6 of a good electrical conductor such as copper, copper alloy, Ni alloy, gold alloy, silver alloy, platinum alloy, titanium alloy, etc. on the inner wall of the wire guide hole 2 of the base, There is very little spatter adhesion during welding, and there are no problems with wear.
A ceramic contact chip for arc welding that can be used repeatedly is obtained. As a method for industrially stably manufacturing the ceramic contact chip for arc welding described above, TiC, TiN, or Ti (C+N) is applied to the surface of the ceramic contact chip base 1 prepared in advance.
Coating layer 6 by CVD method, PVD method or plasma method
and a third method in which the inner wall of the wire guide hole 2 of the ceramic contact chip base is previously coated with a good electrical conductor, and then electroplated with a good electrical conductor 3 using the coating layer made of the good electrical conductor as an electrode. As shown in the figure, a pipe 4 of a good electrical conductor with an outer diameter approximately the same as the diameter of the wire guide hole 2 of the ceramic contact chip base 1 is prepared in advance, and this pipe 4 is inserted into the guide hole 2 of the ceramic contact chip base 1. We have developed a method to do this. As a method for electroplating a good electrical conductor on the inner wall of the guide hole of the ceramic contact chip mentioned above, any known method for electroplating metal on ceramic can be adopted, but according to the research of the present inventors, the following method is used. It has been found that good results are reliably obtained when plating with (b) Is an electrical conductor by CVD method or PVD method
After coating the inner wall of the guide hole with TiC or TiN, etc., use the coated TiC or TiN electrically conductive layer as an electrode to conduct Cu-based alloy, Ni-based alloy, silver-based alloy, gold-based alloy, Platita-based alloy, or Ti-based A method of electroplating good electrical conductors such as alloys. (b) After coating the inner wall of the guide hole with metal powder in paste form or by gluing,
A method in which an electrically conductive layer is formed on the inner wall of the guide hole by a so-called metallization method in which firing is performed in N 2 /H 2 or in a vacuum, and then a good electrical conductor is electroplated in the same manner as in (a). In this metallization method, various metal powders can be used, but when the substrate is an oxide ceramic such as Al 2 O 3 , Ni, Mo, Cu, Mo-Mn, and when the substrate is SiC-based. Particularly good results are obtained with the combination of Ni, Mo and, if the substrate is Si 3 N 4 based, Mo. (c) A method in which the inner wall of the guide hole is coated with an electrical conductor in advance using an electroless plating method, and then electroplated in the same manner as in (a). The electrical conductor coated by this electroless plating method may be any metal as long as it has electrical conductivity, but from the viewpoint of stability and electrical conductivity, Ni or
Preferably Cu. Note that the coating with the electrically conductive material may extend up to the threaded portion 7 in order to improve the power feeding effect. [Function] In the present invention, since the contact tip base for arc welding is made of ceramic with high hardness and excellent heat resistance, there is no problem of annealing softening during welding compared to conventional metal contact tips. It has excellent wear resistance. In addition, in the present invention, the surface of the ceramic contact chip is further coated with TiC, TiN, or Ti (C+N), which has extremely high hardness and has low reactivity with spatter mainly composed of Fe.
Since it is coated with , there is less adhesion of spatter during welding, and even if spatter does adhere, it can be easily removed. Another great advantage of the present invention is that even if the electrically conductive material provided in the wire guide hole of the contact tip wears out due to the friction caused by the wire passing through it, making it impossible to supply power to the wire, the base of the contact tip will wear down and become unusable. The contact chip substrate can be used repeatedly by recoating it with a good electrical conductor. As for the material of the contact tip base 1 for arc welding of the present invention, any commercially available ceramic can be selected to obtain the desired effect, but the mechanism by which cracks occur in the ceramic contact tip during arc welding is As a result of repeated research and experiments, we found that 92
Thermal conductivity of % Al2O3 , SiC and Si3N4 etc.
0.03cal/cm・sec.℃ or more, thermal expansion coefficient 7.3×
By selecting ceramics with physical properties of 10 -6 1/℃ or less and bending strength of 2500 kg/cm 2 or more, we have created an extremely long-life arc welding contact tip that will not crack even after repeated use over long periods of time. It turned out that it was possible to obtain In other words, in arc welding, the contact tip repeatedly undergoes local heating and rapid heating.
Considering the mechanism by which cracks occur in the contact chip due to the thermal shock, the following can be said. When a ceramic contact tip cracks during arc welding, it is when the internal stress generated by heat exceeds the bending strength. In arc welding, the contact tip is repeatedly heated locally and rapidly as described above, and a large temperature gradient occurs in the heated area and its vicinity. That is, the temperature of the welded part is around 1200°C, and the temperature of the contact chip is 200 to 300°C due to the radiant heat and the self-arc heat during power supply. And in a contact chip with a temperature gradient,
Each part exhibits thermal expansion according to its heating temperature, and the difference in the amount of thermal expansion becomes a cause of generating internal stress. Therefore, in order to prevent cracking due to thermal shock during arc welding, that is, to ensure that the internal stress caused by the difference in thermal expansion of each part does not exceed the bending strength, a material with high thermal conductivity must be selected. This reduces the temperature gradient in each part, reduces the amount of thermal expansion in each part by selecting a material with a small coefficient of thermal expansion, reduces the absolute amount of difference in the amount of thermal expansion, and has high bending strength. One possibility is to select the material. Based on the above considerations, the present inventors conducted repeated experiments on various ceramics as shown in Table 1, and found that, as mentioned above, in particular, the thermal conductivity
0.03cal/cm・sec.℃ or more, thermal expansion coefficient 7.3×
When a contact chip base for arc welding is made from ceramic material with physical properties of 10 -6 1/℃ or less and a bending strength of 2500 kg/cm 2 , no cracks will occur even during long-term repeated arc welding. It was effective.

【表】 また、本発明においては、セラミツク製コンタ
クトチツプ基体のガイド孔内壁に電気良導体被覆
層を設けて、この被覆層により溶接ワイヤに電流
を給電する方式としているため、アーク溶接中の
ふく射熱はコンタクトチツプ基体によつて遮断さ
れ、ふく射熱による給電材としての前記被覆層の
溶損または焼鈍軟化に伴う耐摩耗性の低下はほと
んどみられない。 次に、本願の第2番目および第3番目の発明で
ある前記のアーク溶接用セラミツクコンタクトチ
ツプの製造方法に関してその作用効果を説明す
る。 第2番目および第3番目の発明において、セラ
ミツクコンタクトチツプ基体1の表面にスパツタ
粒と反応性の低いTiC、TiN又はTi(C+N)の
被覆層6を形成しているが、その被覆層の形成手
段としては、CVD法、PVD法あるいはプラズマ
溶射法のいずれの方法も採用し得るが、CVD法
又はPVD法を採用した場合は被覆層は数μ程度
と薄いが表面の表面粗度が高くそのままでも表面
の凹凸によるスパツタのかかえ込み現象に伴うス
パツタ付着が少ないという利点があり、一方プラ
ズマ溶射法を採用した場合は被覆層を100μ以上
に厚くすることができるが、被覆層の表面が粗い
ため、表面粗度20s以下、好ましくは0.5〜2s程度
に研磨する必要がある。 因みに、セラミツクコンタクトチツプの面粗度
とそれぞれの被覆法を採用した場合の表面粗度の
関係を示すと第2表のようになる。
[Table] Furthermore, in the present invention, an electrically conductive coating layer is provided on the inner wall of the guide hole of the ceramic contact tip base, and current is supplied to the welding wire through this coating layer, so that the radiated heat during arc welding is reduced. It is blocked by the contact chip base, and there is almost no decrease in wear resistance due to melting or annealing softening of the coating layer as a power supply material due to radiated heat. Next, the operation and effect of the method for manufacturing the ceramic contact chip for arc welding, which is the second and third invention of the present application, will be explained. In the second and third inventions, a coating layer 6 of TiC, TiN, or Ti (C+N), which has low reactivity with spatter particles, is formed on the surface of the ceramic contact chip substrate 1. CVD, PVD, or plasma spraying can be used as a method, but when CVD or PVD is used, the coating layer is as thin as a few micrometers, but the surface roughness is high and it remains as it is. However, it has the advantage that there is less adhesion of spatter due to the phenomenon of spatter being trapped due to surface irregularities.On the other hand, when plasma spraying is used, the coating layer can be thickened to more than 100μ, but because the surface of the coating layer is rough, It is necessary to polish to a surface roughness of 20 seconds or less, preferably about 0.5 to 2 seconds. Incidentally, Table 2 shows the relationship between the surface roughness of ceramic contact chips and the surface roughness when each coating method is adopted.

【表】 第2番目の発明においては、最終的には効率的
な電気メツキにより給電材となる電気良導体被覆
を形成しているが、その前処理として予めガイド
孔内壁および必要に応じてネジ部に電気導体を被
覆する処理を施しているが、これはコンタクトチ
ツプ基体を構成するセラミツクは電気伝導度が低
く、これに直接電気メツキを施すことは困難であ
り、このような電気伝導度が低いセラミツクに電
気メツキを施すためにはメツキする部分を予め電
極化しておく必要があるためである。 また、CVD法、PVD法、メタライズ法あるい
は無電解メツキ法により被覆された部分は、油脂
分などの汚染物もなく、かつ熱化学処理により活
性化しているため電気メツキが効果的に行えると
いう効果もある。 第3番目の発明においては、セラミツク製コン
タクトチツプ基体のガイド孔に、予め作成してお
いた電気良導体のパイプを嵌合することによつて
アーク溶接用コンタクトチツプを製造するもので
あるが、この製造方法の利点は、第2番目の発明
におけるような複雑なメツキ工程を必要とせず、
機械加工によるパイプの製造および該パイプをセ
ラミツク製コンタクトチツプ基体のガイド孔に嵌
合するという比較的簡単な作業により製造できる
ことおよび再生する再に摩耗したパイプを簡単に
取りはずし新しいパイプと交換できるという点を
挙げることができる。またこの製造方法のもう1
つの大きな利点は、パイプを加工硬化した状態ま
たは硬化熱処理した状態でセラミツク製コンタク
トチツプ基体に組込めるため、アーク溶接使用中
のパイプの摩耗を小さくすることができることで
ある。 なお、セラミツクコンタクトチツプ基体自体の
製造に関しては、通常のセラミツク製品の製造と
同様に、セラミツク粉体に有機バインダーを混合
して造粒した後鋳込成形法、プレス成形法又はイ
ンジエクジエクシヨン成形法によりコンタクトチ
ツプ基体を成形し、これを焼成する方法で製造す
ることができるが、アーク溶接用コンタクトチツ
プには取付けのためのネジ部7,8が設けられて
おり、このネジ部を生加工等で加工することはコ
ストの面から不利であるため、このようなアーク
溶接用セラミツクコンタクトチツプ基体の成形法
としては第6図のフローシートに示すインジエク
シヨン成形を採用することが有利である。 <実施例> (イ) セラミツクコンタクトチツプ基体の製造 92%Al2O3粉末に下記の組成比で有機バイン
ダーを添加し第4図に示すように加熱混練、ロ
ール造粒して成形用材粒を得て、 原料組成アルミナ(92%調合粉体) エチレン−酢ビ共重合体 ポリブチルメタクリレート ワツクス(ワツクスE) シリブチルフタレート 100(部) 6.0 6.5 3.0 3.0(部) 該成形用材料を下記の成形条件でインジエクシ
ヨン法によりアーク溶接用コンタクトチツプ基体
の形状に生成形した。 成形条件圧力 温度 金型温度 射出時間 冷却時間 700Kg/cm2 170〜180℃ 25℃ 5sec 20sec 前記の生成形のアーク溶接用コンタクトチツプ
基体に下記の条件で脱脂処理を施した後、焼成し
アーク溶接用コンタクトチツプ基体を作成した。 脱脂条件−(室温)〜80℃ 3Hrs 80〜360℃ 5℃/Hr 360℃ 2Hrs保持 ↓ 放 冷 焼成条件(気中)−(室温)〜1500℃ 7Hrs 1500℃ 1Hr保持 ↓ 放 冷 (ロ) セラミツクコンタクトチツプ基体表面への
TiC、TiN又はTi(C+N)被覆層の形成 前述の工程で組成した92%Al2O3よりなるセ
ラミツクコンタクトチツプ基体表面へ、CVD
法、PVD法およびプラズマ溶射法によりTiC、
TiNおよびTi(C+N)と被覆層を形成した。 (ハ) セラミツクコンタクトチツプ基体のワイヤガ
イド孔内壁への電気良導体の被覆 前述のTiC、TiNあるいはTi(C+N)被覆
層を形成されたセラミツクコンタクトチツプの
外表面にマスキングし、ワイヤガイド孔内壁の
みにNiを無電解メツキした後、該Ni無電解メ
ツキ層を陰極とし、下記の条件下で電気メツキ
を施し、0.1〜0.3mmの厚さのCu被覆層をワイヤ
ガイド孔内壁に形成した。 浴組成 メツキ条件 シアン化第1銅…120g/
電流密度 3A/dm2 シアン化ナトリウム…135g/ PH 12.6 苛性カリ…25g/ 浴 温 80℃ 遊離シアン苛ソーダ…10g/ 時 間 1.5hr (ニ) 溶接試験 前述の工程で作成したアーク溶接用コンタク
トチツプを下記の実際のアーク溶接に近い条件
で溶接試験を行つた結果は第3表に示すとおり
であつた。 溶接条件電圧…22V 電流…240A 溶接ワーク数 600ケ/日 溶接速度800mm/min 溶接長さ80mm/1ケ
[Table] In the second invention, the electrically conductive coating that will eventually become the power supply material is formed by efficient electroplating. This is because the ceramic that makes up the contact chip base has low electrical conductivity, and it is difficult to apply electroplating directly to it. This is because, in order to apply electroplating to ceramic, the part to be plated must be made into an electrode in advance. In addition, parts coated by CVD, PVD, metallization, or electroless plating are free from contaminants such as oil and fat, and are activated by thermochemical treatment, making electroplating more effective. There is also. In the third invention, a contact tip for arc welding is manufactured by fitting a previously prepared pipe with good electrical conductivity into a guide hole of a ceramic contact tip base. The advantage of the manufacturing method is that it does not require a complicated plating process as in the second invention,
The pipe can be manufactured by a relatively simple operation of manufacturing the pipe by machining and fitting the pipe into the guide hole of the ceramic contact chip base, and the worn pipe can be easily removed and replaced with a new pipe. can be mentioned. Another method of this manufacturing method is
One major advantage is that the pipe can be incorporated into the ceramic contact tip substrate in a work-hardened or heat-hardened state, thereby reducing pipe wear during arc welding use. Regarding the manufacture of the ceramic contact chip base itself, in the same way as in the manufacture of ordinary ceramic products, ceramic powder is mixed with an organic binder and granulated, followed by casting, press molding, or in-die extrusion. It can be manufactured by molding a contact chip base using a molding method and then firing it. However, contact chips for arc welding are provided with threaded parts 7 and 8 for attachment, and these threaded parts are Since processing by machining or the like is disadvantageous in terms of cost, it is advantageous to employ injection molding as shown in the flow sheet of FIG. 6 as a method of molding such a ceramic contact chip substrate for arc welding. <Example> (a) Production of ceramic contact chip substrate An organic binder was added to 92% Al 2 O 3 powder in the composition ratio shown below, heat-kneaded and roll granulated as shown in Figure 4 to obtain molding material granules. Raw material composition Alumina (92% blended powder) Ethylene-vinyl acetate copolymer polybutyl methacrylate wax (Wax E) Sibutyl phthalate 100 (parts) 6.0 6.5 3.0 3.0 (parts) The molding material was as follows. It was formed into the shape of a contact chip base for arc welding using the injection molding method under molding conditions. Molding conditions Pressure Temperature Mold temperature Injection time Cooling time 700Kg/cm 2 170-180℃ 25℃ 5sec 20sec After degreasing the contact tip base for arc welding of the above-mentioned form under the following conditions, it is fired and arc welded. A contact chip substrate was created. Degreasing conditions - (room temperature) - 80℃ 3Hrs 80 - 360℃ 5℃/Hr 360℃ Hold for 2Hrs ↓ Cooling firing conditions (in air) - (Room temperature) - 1500℃ 7Hrs 1500℃ Hold for 1H ↓ Cooling (2) Ceramic to the contact chip substrate surface.
Formation of TiC, TiN or Ti (C+N) coating layer CVD onto the surface of the ceramic contact chip base made of 92% Al 2 O 3 composed in the above process.
TiC by method, PVD method and plasma spraying method.
A coating layer was formed with TiN and Ti (C+N). (c) Coating the inner wall of the wire guide hole of the ceramic contact chip base with a good electrical conductor Masking the outer surface of the ceramic contact chip on which the TiC, TiN or Ti (C+N) coating layer described above is formed, and coating only the inner wall of the wire guide hole. After electroless plating with Ni, using the Ni electroless plating layer as a cathode, electroplating was performed under the following conditions to form a Cu coating layer with a thickness of 0.1 to 0.3 mm on the inner wall of the wire guide hole. Bath composition Metsuki conditions Cuprous cyanide...120g/
Current density 3A/dm 2Sodium cyanide...135g/PH 12.6 Caustic potash...25g/Bath temperature 80℃ Free cyanide caustic soda...10g/Time 1.5hr (d) Welding test The arc welding contact tip made in the above process was tested. Table 3 shows the results of a welding test conducted under conditions similar to actual arc welding described below. Welding conditions Voltage…22V Current…240A Number of welding workpieces 600 pieces/day Welding speed 800mm/min Welding length 80mm/1 piece

【表】【table】

【表】 命はスパツタ付着により目づまりを
発生するまでの時間
実施例 2 (イ) セラミツクコンタクトチツプ基体の製造 Si3N4の粉末に下記の組成比で有機バインダ
ーを混合し第4図に示すように加熱混練、加熱
押出し造粒して成形用材料を得、 組成窒化珪素、調合粉体 (Si3N4) ポリスチレン メタクリル酸エステル共重合体 エチレン−酢ビ共重合体 パラフインワツクス56 ステアクン酸 ジメチルスタレート 100〔部〕 7.0 5.0 4.0 5.0 1.5 4.0〔部〕 該成形用材料を下記の条件下でインジエクシヨ
ン法によりアーク溶接用コンタクトチツプ基体の
形状に成形し、 成形条件−圧 力 850Kg/cm2 温 度 220℃ 金型温度 25℃ 射出時間 5sec 冷却時間 5sec 該生成形のアーク溶接用コンタクトチツプ基体
を下記の条件で脱脂後焼成した。
[Table] Life is the time until clogging occurs due to spatter adhesion Example 2 (a) Production of ceramic contact chip substrate An organic binder was mixed with Si 3 N 4 powder in the composition ratio shown below, as shown in Figure 4. The material for molding was obtained by heat kneading and heat extrusion granulation. Composition: Silicon nitride, blended powder (Si 3 N 4 ) Polystyrene methacrylate ester copolymer Ethylene-vinyl acetate copolymer Paraffin wax 56 Dimethyl stearcinate Starlate 100 [parts] 7.0 5.0 4.0 5.0 1.5 4.0 [parts] The molding material was molded into the shape of a contact chip base for arc welding by the injection method under the following conditions, and molding conditions - pressure 850 kg/cm 2 temperature Temperature: 220°C Mold temperature: 25°C Injection time: 5 seconds Cooling time: 5 seconds The produced contact chip base for arc welding was degreased and fired under the following conditions.

【表】 (ロ) セラミツクコンタクトチツプ基体表面への
TiC、TiN又はTi(C+N)被覆層の形成 前述の工程作成したセラミツクコンタクトチ
ツプ基体表面へ、CVD法、PVD法およびプラ
ズマ溶射法によりTiC、TiNおよびTi(C+N)
と被覆層を形成した。 (ハ) セラミツクコンタクトチツプ基体のワイヤガ
イド孔内への電気良導体パイプの挿入 Cu−Cr−Zr合金(Cr:1%、Cu99%)を素
材とした外径1.90mmφ、内径1.33mmφ、のパイ
プ4にフランジ5をロウ付けしたフランジ付パ
イプを、実施例1で作成したと同様のコンタク
トチツプ基体1のガイド孔3(孔径1.90mmφ)
にポンチで強制挿入し、該ガイド孔内面密着さ
せるようにして、アーク溶接用セラミツクコン
タクトチツプを製造した。 この工程により製造したアーク溶接用コンタ
クトチツプについて実施例1と同様な溶接試験
を行つた結果第4表のとおりであつた。
[Table] (b) Ceramic contact chip substrate surface
Formation of TiC, TiN or Ti (C+N) coating layer TiC, TiN and Ti (C+N) are coated on the surface of the ceramic contact chip substrate prepared in the above process by CVD, PVD and plasma spraying.
A coating layer was formed. (c) Inserting a good electrical conductor pipe into the wire guide hole of the ceramic contact chip base Pipe 4 made of Cu-Cr-Zr alloy (Cr: 1%, Cu 99%) with an outer diameter of 1.90 mmφ and an inner diameter of 1.33 mmφ A flanged pipe with a flange 5 brazed thereto is inserted into the guide hole 3 (hole diameter 1.90 mmφ) of the contact chip base 1 similar to that made in Example 1.
A ceramic contact tip for arc welding was manufactured by forcibly inserting the tip into the guide hole with a punch and bringing it into close contact with the inner surface of the guide hole. A welding test similar to that in Example 1 was conducted on the arc welding contact chip manufactured by this process, and the results are shown in Table 4.

【表】【table】

〔効果〕〔effect〕

以上詳細に説明したとおり、本願発明は、従来
のアーク溶接用コンタクトチツプ基体は銅合金な
どの電気良導体で構成すべきであるとする既定の
概念を転換し、コンタクトチツプの基体をセラミ
ツクで構成し、更にそ表面に極めて硬度が高くか
つスパツタとの反応性の低いTiC、TiN又はTi
(C+N)を被覆し、そのワイヤ孔内壁に給電材
としての電気良導体を被覆するという新しい型の
アーク溶接用セラミツクコンタクトチツプおよび
その製造方法を開発し、しかも本発明の前記構成
のアーク溶接用セラミツクコンタクトチツプを用
いることによつて従来のアーク溶接用コンタクト
チツプを使用した場合に問題となつていたスパツ
タ付着の問題、摩耗の問題および再生再使用の問
題を同時に解決できるものであるから、本発明の
アーク溶接産業分野における利用効果は極めて大
きいものと言うことができる。
As explained in detail above, the present invention changes the conventional concept that the base of a contact tip for arc welding should be made of a good electrical conductor such as a copper alloy, and instead consists of a base of a contact tip made of ceramic. Furthermore, TiC, TiN, or Ti, which has extremely high hardness and low reactivity with spatter, is added to the surface.
We have developed a new type of ceramic contact chip for arc welding in which the inner wall of the wire hole is coated with (C+N) and a good electrical conductor as a power supply material, and a method for manufacturing the same. By using a contact tip, it is possible to simultaneously solve the problems of spatter adhesion, wear, and reuse, which were problems when using conventional arc welding contact tips. It can be said that the effects of its use in the arc welding industry are extremely large.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はアーク溶接用セラミツクコンタクトチ
ツプのワイヤガイト孔に電気良導体を形成した
図、第2図はアーク溶接用セラミツクコンタクト
チツプ基体のガイド孔内壁に電気良導体の被覆層
を形成するとともに基体表面にTiC、TiN又はTi
(C+N)を被覆した図、第3〜5図は電気良導
体のパイプをガイド孔に挿入する図および第6図
はアーク溶接用セラミツクコンタクトチツプの基
体の製造フローシートを示す図である。 1……アーク溶接用セラミツクコンタクトチツ
プ基体、2……ガイド孔、3……電気良導体被覆
層、4……電気良導体パイプ、5……フランジ、
6……TiC、TiN又はTi(C+N)の被覆層、7
……ネジ部。
Figure 1 shows a ceramic contact chip for arc welding in which a good electrical conductor is formed in the wire guide hole, and Figure 2 shows a ceramic contact chip for arc welding in which a coating layer of a good electrical conductor is formed on the inner wall of the guide hole in the base of the ceramic contact chip, and TiC is coated on the surface of the base. , TiN or Ti
(C+N) coating, FIGS. 3 to 5 are diagrams showing a pipe of good electrical conductor being inserted into a guide hole, and FIG. 6 is a diagram showing a manufacturing flow sheet for a base body of a ceramic contact chip for arc welding. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Ceramic contact chip base for arc welding, 2... Guide hole, 3... Good electrical conductor coating layer, 4... Good electrical conductor pipe, 5... Flange,
6...TiC, TiN or Ti (C+N) coating layer, 7
...Screw part.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 TiC、TiN又はTi(C+N)の被覆層を有す
るセラミツクコンタクトチツプ基体と、該コンタ
クトチツプ基体のワイヤガイド孔内壁に設けられ
た電気良導体被覆層とからなることを特徴とする
アーク溶接用セラミツクコンタクトチツプ。 2 前記セラミツクコンタクトチツプ基体が熱伝
導度0.03cal/cm・sec・℃以上、熱膨張係数7.3×
10-61/℃以下および曲げ強度2500Kg/cm2以上の
物理的特性を有するセラミツクで構成されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のア
ーク溶接用セラミツクコンタクトチツプ。 3 前記セラミツク基体が92%Al2O3、SiC系お
よびSi3N4系のセラミツクから選択されることを
特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記
載のアーク溶接用セラミツクコンタクトチツプ。 4 前記電気良導体被覆層が銅系合金、ニツケル
系合金、Ti系合金、金合金、又はプラチナ合金
で構成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項ないし第3項のいずれか記載のアーク溶
接用セラミツクコンタクトチツプ。 5 TiC、TiN又はTi(C+N)の被覆層を有す
るセラミツクコンタクトチツプ基体と、該コンタ
クトチツプ基本のワイヤガイド孔内壁に設けられ
た電気良導体被覆層とからなるアーク溶接用セラ
ミツクコンタクトチツプの製造方法において、予
め作成したセラミツクコンタクトチツプ基体表面
に、CVD法、PVD法又はプラズマ溶射法により
TiC、TiN又はTi(C+N)の被覆層を形成した
後、セラミツクコンタクトチツプ基体のワイヤガ
イド内壁を電気導体で被覆し、次に該電気導体の
被覆層を電極として電気良導体をメツキすること
を特徴とするアーク溶接用セラミツクコンタクト
チツプの製造方法。 6 TiC、TiN又はTi(C+N)の被覆層を有す
るセラミツクコンタクトチツプ基体と、該コンタ
クトチツプ基本のワイヤガイド孔内壁に設けられ
た電気良導体被覆層とからなるアーク溶接用セラ
ミツクコンタクトチツプの製造方法において、予
め作成したセラミツクコンタクトチツプ基体表面
に、CVD法、PVD法又はプラズマ溶射法により
TiC、TiN又はTi(C+N)の被覆層を形成した
後、該セラミツクコンタクトチツプ基体のワイヤ
ガイド孔径と概略同じ外径を有する電気良導体の
パイプを挿入することを特徴とするアーク溶接用
セラミツクコンタクトチツプの製造方法。
[Claims] 1. A ceramic contact chip base having a coating layer of TiC, TiN or Ti (C+N), and a good electrical conductor coating layer provided on the inner wall of the wire guide hole of the contact chip base. Ceramic contact tip for arc welding. 2 The ceramic contact chip substrate has a thermal conductivity of 0.03 cal/cm・sec・℃ or more and a thermal expansion coefficient of 7.3×
The ceramic contact tip for arc welding according to claim 1, characterized in that it is made of ceramic having physical properties of 10 -6 1/°C or less and a bending strength of 2500 Kg/cm 2 or more. 3. The ceramic contact chip for arc welding according to claim 1 or 2, wherein the ceramic base is selected from 92% Al 2 O 3 , SiC-based and Si 3 N 4 -based ceramics. . 4. According to any one of claims 1 to 3, wherein the electrically conductive coating layer is made of a copper alloy, a nickel alloy, a Ti alloy, a gold alloy, or a platinum alloy. Ceramic contact tip for arc welding. 5. A method for producing a ceramic contact chip for arc welding, comprising a ceramic contact chip base having a coating layer of TiC, TiN or Ti (C+N), and a good electrical conductor coating layer provided on the inner wall of the wire guide hole of the contact chip base. , onto the surface of the ceramic contact chip substrate prepared in advance by CVD, PVD, or plasma spraying.
After forming a coating layer of TiC, TiN or Ti (C+N), the inner wall of the wire guide of the ceramic contact chip base is coated with an electrical conductor, and then a good electrical conductor is plated using the coating layer of the electrical conductor as an electrode. A method for manufacturing ceramic contact chips for arc welding. 6. A method for manufacturing a ceramic contact chip for arc welding, comprising a ceramic contact chip base having a coating layer of TiC, TiN or Ti (C+N), and a good electrical conductor coating layer provided on the inner wall of the wire guide hole of the contact chip base. , onto the surface of the ceramic contact chip substrate prepared in advance by CVD, PVD, or plasma spraying.
A ceramic contact chip for arc welding characterized in that after forming a coating layer of TiC, TiN or Ti (C+N), a pipe of good electrical conductivity having an outer diameter approximately the same as the wire guide hole diameter of the ceramic contact chip base is inserted. manufacturing method.
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