JPH0337850B2 - - Google Patents
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- JPH0337850B2 JPH0337850B2 JP59136666A JP13666684A JPH0337850B2 JP H0337850 B2 JPH0337850 B2 JP H0337850B2 JP 59136666 A JP59136666 A JP 59136666A JP 13666684 A JP13666684 A JP 13666684A JP H0337850 B2 JPH0337850 B2 JP H0337850B2
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- electrodes
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- electrode
- auxiliary
- ceramic
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/255—Means for correcting the capacitance value
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
産業上の利用分野:
本発明は非常に小さいコンデンサボデーの両端
まで拡がる1組の主電極を有する調節可能のモノ
リシツクセラミツクコンデンサ、詳細には主電極
の間に補助電極を有するこのようなコンデンサに
関する。 従来の技術: モノリシツクセラミツクコンデンサは一般に2
群の主電極を埋設した誘電性セラミツクボデーか
らなる。ターミナルおよび電気的接続のため1つ
の群はボデーの1つの側面へ、他の群は他の側面
へ拡がる。コンデンサ中に得られる電気容量は主
として隣接電極間の誘導体厚さ、セラミツクの誘
電率(k)および隣接電極間の重なり方のような
多くの変数の関数である。モノリシツクコンデン
サの生産ロツトの容量値が40%変化することは異
常ではない。 隣接電極間の誤つた重なりは米国特許第
3896354号明細書に記載のように、隣接電極間に
一定の所定の重なり領域が存在するように電極パ
ターンを設計することによつて容量値変化の因と
して除去することができる。 与えられた方法で得られるより狭い容量誤差が
望まれる場合、ボデーへ孔を削り、それによつて
いくつかの電極の中央部および包囲するセラミツ
クを除去し、容量を所望値へ低下することも公知
である。このような方法は米国特許第3456170号
に記載される。しかし研削法は電極重なり面積が
コンデンサボデー断面積に比して小さい非常に小
形のコンデンサに使用するためには実用的でな
い。 容量を調節するもう1つの公知法はセラミツク
ボデーのさらにもう1つの側面へ拡がる多数の補
助電極を備えることからなる。この補助電極はコ
ンデンサの同じ主ターミナルまで拡がる2つの主
電極の間に埋設され、外側でコンデンサの他の主
ターミナルに接続した場合、容量が上昇する。 発明が解決しようとする問題点: 本発明の目的はモノリシツクセラミツクコンデ
ンサの容量値を調節する選択的方法を得ることで
ある。もう1つの目的は非常に小さい寸法のコン
デンサに適用しうる改善された調節が可能なモノ
リシツクセラミツクコンデンサを得ることであ
る。 問題点を解決するための技術的手段: 本発明によりセラミツクボデー内の主電極間に
埋設した補助電極はボデーの1端において主電極
に接続するためのボデーの側面まで達する。 一般に本発明のモノリシツクセラミツクコンデ
ンサは誘電性セラミツクボデー内に埋設した2つ
の主シート電極を有する。2つの主電極はボデー
の中心層によつて離される。2つの主電極はそれ
ぞれボデーの2つの相対する端面まで拡がり、ボ
デーの2つの相対する端面および2つの側面から
離れた領域で互いに重なる。したがつて重なり領
域は最大可能面積より著しく小さく、とくにその
33%より小さい。少なくとも2つの離れた補助シ
ート電極は主電極間の中心セラミツク層内に埋設
され、前記側面の1つまたは両方まで拡がる。 相対するボデー端面で主電極間に測定される容
量は補助電極のいずれか1つを主電極のいずれか
1つに接続する際上昇する。 本発明はとくに有効重なり領域がセラミツクボ
デー内の主電極の全面積によつて表わされる最大
可能面積の1/3以下である小さいモノリシツクセ
ラミツクコンデンサに関する。 実施例: 図示のセラミツクコンデンサは2つの主電極1
2および14を埋設した誘導性セラミツクボデー
10を有する。電極12はX−Y平面にあり、T
形である。電極12および14はボデー10の中
心領域で重なり、ここでほぼすべての電気容量が
電極間に形成される。1組の補助電極16および
18が誘電性セラミツク内の2つの主電極12お
よび14の前記重なり領域内に埋設される。 ボデー10の長さ(X方向)は2.03mm(0.080
インチ)、幅(Y方向)は1.27mm(0.050インチ)
である。主電極12および14の有効容量重なり
領域はそれゆえボデー10内にあるX−Y平面の
全面積の1小部分すなわち約18%なので、外側タ
ーミナル20および22を設ける際不注意な短絡
を避けるため、電極間(たとえば16と18の
間、および18と14の間)に適当なスペースが
設けられる。 k=約70のセラミツク材料および主電極12と
14の間の誘導性スペース0.076mm(3ミル)を
使用し、補助電極16および18を結合せずに電
気的にフロートさせて(20bおよび22bのよ
うな接続なしに)主電極12および14間の容量
は約3.4pFである。 補助電極16および18は主電極12から約
0.025mm(1ミル)離され、主電極14から約
0.051mm(2ミル)離される。補助電極16また
は18のいずれかを主電極14に接続すると、タ
ーミナル20と22の間に現れる容量は3.4pFか
ら4.0pFへ上昇する。これに反し補助電極16ま
たは18のいずれかを主電極12に接続するとタ
ーミナル20と22の間の容量は3.4pFから5.7pF
へ上昇する。補助電極接続の組合せによつて得ら
れる可能な容量値は下記のとおりである:
まで拡がる1組の主電極を有する調節可能のモノ
リシツクセラミツクコンデンサ、詳細には主電極
の間に補助電極を有するこのようなコンデンサに
関する。 従来の技術: モノリシツクセラミツクコンデンサは一般に2
群の主電極を埋設した誘電性セラミツクボデーか
らなる。ターミナルおよび電気的接続のため1つ
の群はボデーの1つの側面へ、他の群は他の側面
へ拡がる。コンデンサ中に得られる電気容量は主
として隣接電極間の誘導体厚さ、セラミツクの誘
電率(k)および隣接電極間の重なり方のような
多くの変数の関数である。モノリシツクコンデン
サの生産ロツトの容量値が40%変化することは異
常ではない。 隣接電極間の誤つた重なりは米国特許第
3896354号明細書に記載のように、隣接電極間に
一定の所定の重なり領域が存在するように電極パ
ターンを設計することによつて容量値変化の因と
して除去することができる。 与えられた方法で得られるより狭い容量誤差が
望まれる場合、ボデーへ孔を削り、それによつて
いくつかの電極の中央部および包囲するセラミツ
クを除去し、容量を所望値へ低下することも公知
である。このような方法は米国特許第3456170号
に記載される。しかし研削法は電極重なり面積が
コンデンサボデー断面積に比して小さい非常に小
形のコンデンサに使用するためには実用的でな
い。 容量を調節するもう1つの公知法はセラミツク
ボデーのさらにもう1つの側面へ拡がる多数の補
助電極を備えることからなる。この補助電極はコ
ンデンサの同じ主ターミナルまで拡がる2つの主
電極の間に埋設され、外側でコンデンサの他の主
ターミナルに接続した場合、容量が上昇する。 発明が解決しようとする問題点: 本発明の目的はモノリシツクセラミツクコンデ
ンサの容量値を調節する選択的方法を得ることで
ある。もう1つの目的は非常に小さい寸法のコン
デンサに適用しうる改善された調節が可能なモノ
リシツクセラミツクコンデンサを得ることであ
る。 問題点を解決するための技術的手段: 本発明によりセラミツクボデー内の主電極間に
埋設した補助電極はボデーの1端において主電極
に接続するためのボデーの側面まで達する。 一般に本発明のモノリシツクセラミツクコンデ
ンサは誘電性セラミツクボデー内に埋設した2つ
の主シート電極を有する。2つの主電極はボデー
の中心層によつて離される。2つの主電極はそれ
ぞれボデーの2つの相対する端面まで拡がり、ボ
デーの2つの相対する端面および2つの側面から
離れた領域で互いに重なる。したがつて重なり領
域は最大可能面積より著しく小さく、とくにその
33%より小さい。少なくとも2つの離れた補助シ
ート電極は主電極間の中心セラミツク層内に埋設
され、前記側面の1つまたは両方まで拡がる。 相対するボデー端面で主電極間に測定される容
量は補助電極のいずれか1つを主電極のいずれか
1つに接続する際上昇する。 本発明はとくに有効重なり領域がセラミツクボ
デー内の主電極の全面積によつて表わされる最大
可能面積の1/3以下である小さいモノリシツクセ
ラミツクコンデンサに関する。 実施例: 図示のセラミツクコンデンサは2つの主電極1
2および14を埋設した誘導性セラミツクボデー
10を有する。電極12はX−Y平面にあり、T
形である。電極12および14はボデー10の中
心領域で重なり、ここでほぼすべての電気容量が
電極間に形成される。1組の補助電極16および
18が誘電性セラミツク内の2つの主電極12お
よび14の前記重なり領域内に埋設される。 ボデー10の長さ(X方向)は2.03mm(0.080
インチ)、幅(Y方向)は1.27mm(0.050インチ)
である。主電極12および14の有効容量重なり
領域はそれゆえボデー10内にあるX−Y平面の
全面積の1小部分すなわち約18%なので、外側タ
ーミナル20および22を設ける際不注意な短絡
を避けるため、電極間(たとえば16と18の
間、および18と14の間)に適当なスペースが
設けられる。 k=約70のセラミツク材料および主電極12と
14の間の誘導性スペース0.076mm(3ミル)を
使用し、補助電極16および18を結合せずに電
気的にフロートさせて(20bおよび22bのよ
うな接続なしに)主電極12および14間の容量
は約3.4pFである。 補助電極16および18は主電極12から約
0.025mm(1ミル)離され、主電極14から約
0.051mm(2ミル)離される。補助電極16また
は18のいずれかを主電極14に接続すると、タ
ーミナル20と22の間に現れる容量は3.4pFか
ら4.0pFへ上昇する。これに反し補助電極16ま
たは18のいずれかを主電極12に接続するとタ
ーミナル20と22の間の容量は3.4pFから5.7pF
へ上昇する。補助電極接続の組合せによつて得ら
れる可能な容量値は下記のとおりである:
【表】
本発明のコンデンサはモノリシツクセラミツク
コンデンサに公知の方法のいずれかによつて製造
することができる。要約すればセラミツク粉末の
スラリーをベヒクルとしてのキシレン、結合剤と
してのメチルメタクリレートおよびレシチンのよ
うな表面活性剤からなる液体媒体中で形成する。
セラミツクスラリーの被覆を逐次基板上に沈着さ
せ、それぞれの被覆を次の沈着前に乾燥する。乾
燥した被覆のいくつかの上にパラジウム含有電極
インキのパターンをスクリーン印刷する。この堆
積を次に空気中1000〜1400℃で就成のため焼成す
る。電極が拡がる側面および端面をさらに完全に
電極が露出するように研削することができ、銀含
有塗料をこの側面および端面に塗布する。次にボ
デーを約760℃で焼成して銀塗料を硬化させ、そ
れぞれ埋設電極12,16,14および18のい
ずれかに接触する導電ターミナル20a,20
b,22aおよび22bを形成する。 ボデー10へターミナルを設置する際ターミナ
ル部分20bおよび22bの1つもしくは両方を
使用し、または両方を使用しなくてよい。このよ
うな選択は容量の分散の狭いコンデンサボデー製
造バツチに対して適用することができる。選択的
にターミナルは第2図に示すように完全に設置
し、次にターミナル20および22の1つまたは
両方の一部を切除して補助電極18および16の
1つまたは両方を電気的にフロートさせ、その容
量値への影響を除去することができる。たとえば
補助電極18の接続を断つため、ターミナル部分
22bの中央領域を切除することができる。 多くの場合もつとも有利な第3の実施例として
ターミナル部分20aおよび22aのみをすべて
のボデーに設置する。これらの端面ターミナルを
有するボデーを次に試験して容量により多数の群
に分類する。各群に対しすべての容量を所望の呼
称容量値に近づけるように必要に応じてターミナ
ル部分20bおよび22bを設置する。
コンデンサに公知の方法のいずれかによつて製造
することができる。要約すればセラミツク粉末の
スラリーをベヒクルとしてのキシレン、結合剤と
してのメチルメタクリレートおよびレシチンのよ
うな表面活性剤からなる液体媒体中で形成する。
セラミツクスラリーの被覆を逐次基板上に沈着さ
せ、それぞれの被覆を次の沈着前に乾燥する。乾
燥した被覆のいくつかの上にパラジウム含有電極
インキのパターンをスクリーン印刷する。この堆
積を次に空気中1000〜1400℃で就成のため焼成す
る。電極が拡がる側面および端面をさらに完全に
電極が露出するように研削することができ、銀含
有塗料をこの側面および端面に塗布する。次にボ
デーを約760℃で焼成して銀塗料を硬化させ、そ
れぞれ埋設電極12,16,14および18のい
ずれかに接触する導電ターミナル20a,20
b,22aおよび22bを形成する。 ボデー10へターミナルを設置する際ターミナ
ル部分20bおよび22bの1つもしくは両方を
使用し、または両方を使用しなくてよい。このよ
うな選択は容量の分散の狭いコンデンサボデー製
造バツチに対して適用することができる。選択的
にターミナルは第2図に示すように完全に設置
し、次にターミナル20および22の1つまたは
両方の一部を切除して補助電極18および16の
1つまたは両方を電気的にフロートさせ、その容
量値への影響を除去することができる。たとえば
補助電極18の接続を断つため、ターミナル部分
22bの中央領域を切除することができる。 多くの場合もつとも有利な第3の実施例として
ターミナル部分20aおよび22aのみをすべて
のボデーに設置する。これらの端面ターミナルを
有するボデーを次に試験して容量により多数の群
に分類する。各群に対しすべての容量を所望の呼
称容量値に近づけるように必要に応じてターミナ
ル部分20bおよび22bを設置する。
第1図は調節可能のモノリシツクセラミツクコ
ンデンサの斜視図、第2図は第1図X−Y平面の
断面図、第3図は第1図X−Z平面の断面を3の
方向へ見た図、第4図は第1図コンデンサを形成
する3つの電極沈着セラミツク層の展開図であ
る。 10……セラミツクボデー、12,14……主
電極、16,18……補助電極、20,22……
ターミナル。
ンデンサの斜視図、第2図は第1図X−Y平面の
断面図、第3図は第1図X−Z平面の断面を3の
方向へ見た図、第4図は第1図コンデンサを形成
する3つの電極沈着セラミツク層の展開図であ
る。 10……セラミツクボデー、12,14……主
電極、16,18……補助電極、20,22……
ターミナル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 セラミツクボデー、このボデー内に埋設され
た、セラミツクボデーの中心層によつて離された
少なくとも2つの主シート電極を有し、この主電
極のそれぞれがボデーの相対する端面まで拡が
り、この2つの主電極がボデー両端面および両側
面から離れた重なり領域を有し、さらにセラミツ
クボデー中心層に埋設された、少なくとも1つの
側面まで拡がる少なくとも2つの離れた補助シー
ト電極を備え、2つの主電極間の容量が補助電極
の1つをいずれかの主電極に電気的に接続する際
に上昇することを特徴とするモノリシツクセラミ
ツクコンデンサ。 2 2つの補助電極が同じ平面内にあり、それぞ
れ反対側のボデー側面まで拡がる特許請求の範囲
第1項記載のコンデンサ。 3 補助電極と1つの主電極の間のスペースがこ
の補助電極と他の主電極の間のスペースより小さ
い特許請求の範囲第1項記載のコンデンサ。 4 2つの主電極の重なり領域がボデー内の主電
極平面の全面積によつて表わされる最大可能面積
の1/3より小さい特許請求の範囲第1項記載のコ
ンデンサ。 5 主電極の重なり領域の部分がボデー側面から
離れ、主電極の相対するボデー端面部分がボデー
側面まで拡がり、少なくとも1つのボデー側面上
の平らな金属ターミナルフイルムが1つの補助電
極を1つの主電極に接続する特許請求の範囲第1
項記載のコンデンサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/511,416 US4466045A (en) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | Adjustable monolithic ceramic capacitor |
| US511416 | 1983-07-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037710A JPS6037710A (ja) | 1985-02-27 |
| JPH0337850B2 true JPH0337850B2 (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=24034814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59136666A Granted JPS6037710A (ja) | 1983-07-06 | 1984-07-03 | モノリシツクセラミツクコンデンサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4466045A (ja) |
| EP (1) | EP0131422B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6037710A (ja) |
| CA (1) | CA1205534A (ja) |
| DE (1) | DE3471398D1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2136206B (en) * | 1983-03-02 | 1986-10-08 | Standard Telephones Cables Ltd | Fused ceramic capacitor |
| JPS61236110A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-21 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミツクコンデンサ |
| US4720767A (en) * | 1986-09-22 | 1988-01-19 | Avx Corporation | Internally fused variable value ceramic capacitor and circuit |
| JPS63110019U (ja) * | 1987-01-10 | 1988-07-15 | ||
| JPH03215915A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-20 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ |
| US5018047A (en) * | 1990-07-20 | 1991-05-21 | American Technical Ceramics Corporation | Adjustable multilayer capacitor |
| US5495387A (en) * | 1991-08-09 | 1996-02-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | RC array |
| DE4231616C2 (de) * | 1992-09-22 | 1995-08-24 | Seichter Gmbh | Kapazitiver Sensor |
| US5367430A (en) * | 1992-10-21 | 1994-11-22 | Presidio Components, Inc. | Monolithic multiple capacitor |
| US6038134A (en) * | 1996-08-26 | 2000-03-14 | Johanson Dielectrics, Inc. | Modular capacitor/inductor structure |
| US7152291B2 (en) | 2002-04-15 | 2006-12-26 | Avx Corporation | Method for forming plated terminations |
| KR100826410B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-04-29 | 삼성전기주식회사 | 캐패시터 및 이를 이용한 캐패시터 내장형 다층 기판 구조 |
| DE102013110978A1 (de) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | Epcos Ag | Keramischer Vielschichtkondensator |
| KR102762876B1 (ko) * | 2019-09-17 | 2025-02-07 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
| CN113053668B (zh) * | 2021-03-09 | 2023-05-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 电容元件 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3586933A (en) * | 1970-01-15 | 1971-06-22 | Gulton Ind Inc | Trimmable monolithic capacitor and method of making the same |
| US3688361A (en) * | 1971-06-18 | 1972-09-05 | Gulton Ind Inc | Method of making a trimmable monolithic capacitor |
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| US3898541A (en) * | 1973-12-17 | 1975-08-05 | Vitramon Inc | Capacitors and method of adjustment |
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