Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPH0338745B2 - - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPH0338745B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0338745B2
JPH0338745B2 JP59071654A JP7165484A JPH0338745B2 JP H0338745 B2 JPH0338745 B2 JP H0338745B2 JP 59071654 A JP59071654 A JP 59071654A JP 7165484 A JP7165484 A JP 7165484A JP H0338745 B2 JPH0338745 B2 JP H0338745B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
groove
power element
power transistor
hybrid integrated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59071654A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6065538A (ja
Inventor
Kikuo Isoyama
Akira Kazami
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP59071654A priority Critical patent/JPS6065538A/ja
Publication of JPS6065538A publication Critical patent/JPS6065538A/ja
Publication of JPH0338745B2 publication Critical patent/JPH0338745B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331—Connecting techniques
    • H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/351—Materials of die-attach connectors
    • H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
    • H10W72/354—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics comprising polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
    • H10W74/127—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed characterised by arrangements for sealing or adhesion

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明はヒートシンクの製造方法、特に混成集
積回路等に用いるヒートシンクの製造方法に関す
る。
(ロ) 従来技術 従来の混成集積回路は第１図に示す如く、セラ
ミツクスあるいは表面を陽極酸化したアルミニウ
ム等の絶縁基板１と、該基板１上に任意の形状に
設けた導電路２と、該導電路２上に半田で固着さ
れたヒートシンク３と、ヒートシンク３に固着さ
れたパワートランジスタ４と、パワートランジス
タ４を被覆保護する封止樹脂層５と、基板１の周
端に接着シート６で接着され全体を覆う蓋体７と
で構成されていた。
斯る構造の混成集積回路はテレビ、ラジオ、ス
テレオ等の比較的良好な使用環境を有する電子機
器では十分な封止と評価されていた。しかしなが
ら自動車の電装部品等の如く極めて使用環境の悪
いものにおいては十分な封止構造とはいえず、特
に電力を消費するパワートランジスタの劣化が極
めて問題となつていた。即ちヒートサイクルの結
果、封止樹脂層５にクラツクが発生し、クラツク
から入る酸素により半田酸化が起こり、パワート
ランジスタ４とヒートシンク３との熱抵抗が増大
してパワートランジスタ４が二次破壊されるので
ある。
(ハ) 発明の目的 本発明は斯点に鑑みてなされ、混成集積回路に
組み込むパワートランジスタの良好な封止構造を
実現するヒートシンクの簡便な製造方法を提供す
ることを目的とする。
(ニ) 発明の構成 本発明に依れば、平板上のヒートシンク上面に
溝を形成し、該溝の内側端部をプレスして逆テー
パー面を形成する様に構成されている。
(ホ) 実施例 本実施例に依れば第２図Ａに示す如く、13mm角
で厚さ３mmの銅片より成る平板状のヒートシンク
１３を準備する。ヒートシンク１３の上面には第
２図Ｂに示す如く、周辺に連続してあるいは不連
続して溝１９をプレスにより形成する。溝１９は
巾500μｍ、深さ300μｍ程度の逆台形状に形成さ
れる。続いて第２図Ｃに示す如く、溝１９の内側
端部を部分的に平プレスしてプレスによる変形を
利用して逆テーパー面１８を形成する。
なお逆テーパー面１８は溝１９の内側斜面でも
外側斜面でも形成して良い。
斯上した本発明に依るヒートシンク１３は第３
図に示す如く、混成集積回路に組み込まれる。混
成集積回路はセラミツクスあるいは表面を陽極酸
化したアルミニウム等の絶縁基板１１と、該基板
１１上に任意の形状に設けた銅箔より成る導電路
１２と、導電路１２上に半田で固着されたヒート
シンク１３と、ヒートシンク１３上に固着したパ
ワートランジスタ１４と、本考案の特徴とする溝
１９と、パワートランジスタ１４を被覆する封止
樹脂層１５より構成されている。
パワートランジスタ１４はヒートシンク１３の
溝１９の内側に半田で固着され、エポキシ樹脂等
の封止樹脂層１５を塗布してパワートランジスタ
１４を被覆して保護する。この際封止樹脂層１５
は溝１９内にも充填される。その結果、ヒートシ
ンク１３に溝１９に逆テーパー面が形成されてい
るためにヒートサイクルによつて封止樹脂層に応
力が加わつたとしても逆テーパー面がもどり形状
になつているために封止樹脂層の剥離を防止する
ことができる。
(ヘ) 発明の効果 本発明に依ればヒートシンク１３に逆テーパー
面１８を２回のプレス工程で容易に形成できる利
点を有する。そして混成集積回路に組み込めばヒ
ートサイクルに強いパワートランジスタ１４の封
止構造を実現できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の混成集積回路を説明する断面
図、第２図Ａ，Ｂ，Ｃは本発明のヒートシンクの
製造方法を説明する断面図、第３図は本発明のヒ
ートシンクを用いた混成集積回路を説明する断面
図である。 主な図番の説明、１３はヒートシンク、１９は
溝、１８は逆テーパー面である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ パワー素子のみが固着され、且つ、前記パワ
    ー素子を封止する封止樹脂がその上面に配置され
    る平板状のヒートシンクの製造方法において、 前記平板状のヒートシンク上に前記パワー素子
    が固着される周辺近傍に、前記パワー素子を取り
    囲むように溝を形成し、 前記パワー素子を取り囲む前記溝の内側端部を
    プレスして逆テーパー面を形成することを特徴と
    するヒートシンクの製造方法。
JP59071654A 1984-04-10 1984-04-10 ヒ−トシンクの製造方法 Granted JPS6065538A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59071654A JPS6065538A (ja) 1984-04-10 1984-04-10 ヒ−トシンクの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59071654A JPS6065538A (ja) 1984-04-10 1984-04-10 ヒ−トシンクの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6065538A JPS6065538A (ja) 1985-04-15
JPH0338745B2 true JPH0338745B2 (ja) 1991-06-11

Family

ID=13466807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59071654A Granted JPS6065538A (ja) 1984-04-10 1984-04-10 ヒ−トシンクの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6065538A (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54128279A (en) * 1978-03-29 1979-10-04 Hitachi Ltd Heat sink for resin-sealed semiconductor device and its manufacture

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6065538A (ja) 1985-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010014930A (ko) 반도체장치
JP2013258334A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2698278B2 (ja) 混成集積回路装置
JPH10149901A (ja) 電気抵抗器および電気抵抗器の製造方法
US20240178094A1 (en) Semiconductor package
US20070102190A1 (en) Circuit device and method of manufacturing the same
JPH0338745B2 (ja)
JPH0338746B2 (ja)
JP2698259B2 (ja) ヒートシンクの製造方法
JPH0410742B2 (ja)
JPS6233330Y2 (ja)
JPH0730215A (ja) 混成集積回路装置
US20230282566A1 (en) Semiconductor package having negative patterned substrate and method of manufacturing the same
JPH11260968A (ja) 複合半導体装置
JPH025539Y2 (ja)
JPS6311735Y2 (ja)
JPH0210578B2 (ja)
JPH09246433A (ja) モジュールの放熱構造
JPS63293958A (ja) 電子装置
JPH0159755B2 (ja)
JPH0621231Y2 (ja) 電解コンデンサ
JPS6239036A (ja) ハイブリツドｉｃ
JPS6334277Y2 (ja)
JPS6020942Y2 (ja) 半導体装置
JP2019096827A (ja) 回路構成体