JPH0339315B2 - - Google Patents
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- JPH0339315B2 JPH0339315B2 JP59262421A JP26242184A JPH0339315B2 JP H0339315 B2 JPH0339315 B2 JP H0339315B2 JP 59262421 A JP59262421 A JP 59262421A JP 26242184 A JP26242184 A JP 26242184A JP H0339315 B2 JPH0339315 B2 JP H0339315B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- liquid crystal
- substrate
- transparent conductive
- segment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
<技術分野>
本発明は液晶表示パネル、より詳しくは、カメ
ラや光学プリンタ等の写し込み用表示装置として
用いられる液晶表示パネルに関する。
ラや光学プリンタ等の写し込み用表示装置として
用いられる液晶表示パネルに関する。
<従来技術>
カメラや光学プリンタ等の写し込み用表示装置
として用いられる液晶表示パネルでは、写し込み
パターンのフイルムや感光紙における位置ずれ等
が発生しないようにするために、液晶表示パネル
写し込みパターン以外の部分における光の遮蔽性
を如何に高めるかが最も要求される点である。
として用いられる液晶表示パネルでは、写し込み
パターンのフイルムや感光紙における位置ずれ等
が発生しないようにするために、液晶表示パネル
写し込みパターン以外の部分における光の遮蔽性
を如何に高めるかが最も要求される点である。
第7図はこの写し込み用液晶表示パネルの従来
例を示す。第7図ではセグメント基板101を形
成するガラス基板103とコモン基板102を形
成するガラス基板104の相対向する面に透明導
電膜105,106がそれぞれのパターン形成さ
れ、2枚のガラス基板103,104の外面に偏
光板107,108がそれぞれ形成される。そし
て、透明導電膜105,106が液晶材料109
を介して対向するように、セグメント基板101
とコモン基板102とが配置される。
例を示す。第7図ではセグメント基板101を形
成するガラス基板103とコモン基板102を形
成するガラス基板104の相対向する面に透明導
電膜105,106がそれぞれのパターン形成さ
れ、2枚のガラス基板103,104の外面に偏
光板107,108がそれぞれ形成される。そし
て、透明導電膜105,106が液晶材料109
を介して対向するように、セグメント基板101
とコモン基板102とが配置される。
この場合、写し込み用として表示するパターン
は、透明導電膜105,106により決定される
が、写し込みパターン以外の部分では上下の偏光
板107,108によつてのみ光の遮蔽が行なわ
れ、この偏光板107,108による光の遮蔽性
が悪いため、入射光を完全に遮蔽することができ
なかつた。例えば、上下の偏光板107,108
による光の遮蔽率は高々97〜98.5%(於400〜
760nm)であり、偏光板を上下2枚にしても遮
蔽率は99〜99.5%である。
は、透明導電膜105,106により決定される
が、写し込みパターン以外の部分では上下の偏光
板107,108によつてのみ光の遮蔽が行なわ
れ、この偏光板107,108による光の遮蔽性
が悪いため、入射光を完全に遮蔽することができ
なかつた。例えば、上下の偏光板107,108
による光の遮蔽率は高々97〜98.5%(於400〜
760nm)であり、偏光板を上下2枚にしても遮
蔽率は99〜99.5%である。
このため、従来では、光の遮蔽率の高めるため
に、第8図に示すように、コモン基板110の透
明導電膜106の上側(あるいは下側)に写し込
みパターン以外の部分を光遮蔽する金属膜による
メタルマスク111を形成する方法が採用されて
いた。しかしながら、この方法では、100%の光
遮蔽率が達成できるが、コモン基板110の透明
導電膜106が単一の回路パターンであるいわゆ
るスタテイツク駆動の場合にのみ採用することが
でき、コモン電極の透明導電膜が複数の回路パタ
ーンであるいわゆるダイナミツク駆動の場合にお
いては、透明導電膜とメタルマスクとの間に電気
的リークのために、採用できないという問題点を
有していた。
に、第8図に示すように、コモン基板110の透
明導電膜106の上側(あるいは下側)に写し込
みパターン以外の部分を光遮蔽する金属膜による
メタルマスク111を形成する方法が採用されて
いた。しかしながら、この方法では、100%の光
遮蔽率が達成できるが、コモン基板110の透明
導電膜106が単一の回路パターンであるいわゆ
るスタテイツク駆動の場合にのみ採用することが
でき、コモン電極の透明導電膜が複数の回路パタ
ーンであるいわゆるダイナミツク駆動の場合にお
いては、透明導電膜とメタルマスクとの間に電気
的リークのために、採用できないという問題点を
有していた。
第9図ないし第11図はスタテイツク駆動の場
合の液晶表示パネルの構成パターンを示し、第9
図はセグメント電極のパターン、第10図はコモ
ン電極のパターン、第11図はメタルマスクを形
成したコモン電極とセグメント電極を重ね合せた
ときのパターンのそれぞれ示す。メタルマスク
は、8の字と小数点の写し込みパターンを除いた
部分の引出し配線部分やパターン間部分等を光遮
蔽するように、コモン電極の透明導電膜の上側
(あるいは下側)にパターン形成される。
合の液晶表示パネルの構成パターンを示し、第9
図はセグメント電極のパターン、第10図はコモ
ン電極のパターン、第11図はメタルマスクを形
成したコモン電極とセグメント電極を重ね合せた
ときのパターンのそれぞれ示す。メタルマスク
は、8の字と小数点の写し込みパターンを除いた
部分の引出し配線部分やパターン間部分等を光遮
蔽するように、コモン電極の透明導電膜の上側
(あるいは下側)にパターン形成される。
液晶表示パネルによつて多様なパターン情報の
写し込みを行なうためには、液晶表示パネルのダ
イナミツク駆動が必要になる。しかるに、上述の
ように、従来ではメタルマスクが採用できるのが
スタテイツク駆動の場合のみであるので、写し込
みのパターン情報としては、例えば年月日や時分
秒等を表わす4桁の8の字パターンや所定のシン
ボルマーク等の簡単な固定表示に限られる。
写し込みを行なうためには、液晶表示パネルのダ
イナミツク駆動が必要になる。しかるに、上述の
ように、従来ではメタルマスクが採用できるのが
スタテイツク駆動の場合のみであるので、写し込
みのパターン情報としては、例えば年月日や時分
秒等を表わす4桁の8の字パターンや所定のシン
ボルマーク等の簡単な固定表示に限られる。
上述の問題点を避けるために、メタルマスクを
液晶表示セルの外側に形成する方法もあるが、写
し込みパターンが細いので、この方法ではガラス
基板の屈折率や厚みの影響からパターンのぼけや
位置ずれ等が発生する。また、メタルマスク以外
に、黒色ペイントや黒色樹脂等を液晶セルの外側
に形成する方法も、同様の理由で、細いパターン
の写し込みができないという欠点を有していた。
液晶表示セルの外側に形成する方法もあるが、写
し込みパターンが細いので、この方法ではガラス
基板の屈折率や厚みの影響からパターンのぼけや
位置ずれ等が発生する。また、メタルマスク以外
に、黒色ペイントや黒色樹脂等を液晶セルの外側
に形成する方法も、同様の理由で、細いパターン
の写し込みができないという欠点を有していた。
<発明の目的>
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであ
り、その目的は、メタルマスクを形成ししかもダ
イナミツク駆動を可能にした写し込み用液晶表示
パネルを提供することである。
り、その目的は、メタルマスクを形成ししかもダ
イナミツク駆動を可能にした写し込み用液晶表示
パネルを提供することである。
<発明の構成>
上記の目的を達成するために、本発明では、セ
グメント基板およびコモン基板に、それぞれ所定
パターンのメタルマスクと、このメタルマスクの
表面のみを被覆する絶縁膜と、透明導電膜を順次
に形成し、さらに、この各透明導電膜を、それぞ
れ写し込みパターンに相応する部分が基板に接触
し、かつ、複数のパターンに分割している。
グメント基板およびコモン基板に、それぞれ所定
パターンのメタルマスクと、このメタルマスクの
表面のみを被覆する絶縁膜と、透明導電膜を順次
に形成し、さらに、この各透明導電膜を、それぞ
れ写し込みパターンに相応する部分が基板に接触
し、かつ、複数のパターンに分割している。
<実施例>
以下、本発明の一実施例について説明する。
第1図は液晶表示パネルの断面構成を示す。セ
グメント基板1のコモン基板2とが、液晶材料3
を介して対向する。セグメント基板1は、液晶材
料3と接する面において、ガラス基板4の上に金
属膜メタルマスク5がパターン形成され、この金
属膜メタルマスク5の上部と側部に金属酸化絶縁
膜6が形成される。さらに、この金属酸化絶縁膜
6及び写し込みパターン部分のガラス基板4の上
に透明導電膜7がダイナミツクパターン及びリー
ド配線パターンに形成される。セグメント基板1
の外面には、偏光板8が形成される。
グメント基板1のコモン基板2とが、液晶材料3
を介して対向する。セグメント基板1は、液晶材
料3と接する面において、ガラス基板4の上に金
属膜メタルマスク5がパターン形成され、この金
属膜メタルマスク5の上部と側部に金属酸化絶縁
膜6が形成される。さらに、この金属酸化絶縁膜
6及び写し込みパターン部分のガラス基板4の上
に透明導電膜7がダイナミツクパターン及びリー
ド配線パターンに形成される。セグメント基板1
の外面には、偏光板8が形成される。
一方、コモン基板2は、液晶材料3と接する面
において、ガラス基板9の上に金属膜メタルマス
ク10がパターン形成され、この金属膜メタルマ
スク10の上部と側部に金属酸化絶縁膜11が形
成される。さらに、この金属酸化絶縁膜11及び
写し込みパターン部分のガラス基板9の上に透明
導電膜12がダイナミツクパターン及びリード配
線パターンに形成される。コモン基板2の外面
に、偏光板13が形成される。
において、ガラス基板9の上に金属膜メタルマス
ク10がパターン形成され、この金属膜メタルマ
スク10の上部と側部に金属酸化絶縁膜11が形
成される。さらに、この金属酸化絶縁膜11及び
写し込みパターン部分のガラス基板9の上に透明
導電膜12がダイナミツクパターン及びリード配
線パターンに形成される。コモン基板2の外面
に、偏光板13が形成される。
セグメント基板1のメタルマスク5と金属酸化
絶縁膜6の形成方法は、先ず、Ta(タンタル)が
4000〜20000Åの厚さでスパツタされ、次にリア
クテイブイオンエツチング法(RIE法)によつて
ガラス基板4の上にパターン形成され、このTa
の表面及び側面に陽極酸化法によつてTa2O5(5
酸化タンタル)が2000〜10000Åの厚さで形成さ
れる。このようにして、電気良導体のメタルマス
ク5の表面及び側面に絶縁体である金属酸化絶縁
膜6が形成される。そして、この金属酸化絶縁膜
6の上及び写し込みパターンの部分となるガラス
基板4の上に、酸化インジウムと2参加スズから
なる透明導電膜7がフオトリソグラフイツクによ
つてパターン形成される。
絶縁膜6の形成方法は、先ず、Ta(タンタル)が
4000〜20000Åの厚さでスパツタされ、次にリア
クテイブイオンエツチング法(RIE法)によつて
ガラス基板4の上にパターン形成され、このTa
の表面及び側面に陽極酸化法によつてTa2O5(5
酸化タンタル)が2000〜10000Åの厚さで形成さ
れる。このようにして、電気良導体のメタルマス
ク5の表面及び側面に絶縁体である金属酸化絶縁
膜6が形成される。そして、この金属酸化絶縁膜
6の上及び写し込みパターンの部分となるガラス
基板4の上に、酸化インジウムと2参加スズから
なる透明導電膜7がフオトリソグラフイツクによ
つてパターン形成される。
コモン基板2のメタルマスク10と金属酸化絶
縁膜11及び透明導電膜12は、上述のセグメン
ト基板1のメタルマスク5と金属酸化絶縁膜6及
び透明導電膜7の形成方法の同様の方法でガラス
基板9の上に形成される。
縁膜11及び透明導電膜12は、上述のセグメン
ト基板1のメタルマスク5と金属酸化絶縁膜6及
び透明導電膜7の形成方法の同様の方法でガラス
基板9の上に形成される。
第2図はセグメント基板1の構成パターンを示
す。図中、部分Aがメタルマスク5と金属酸化絶
縁膜6で形成され、部分Bが透明導電膜7で形成
される。部分Bは、写し込みパターン部分及び引
き出し配線部分を含む。部分Aと部分Bとの境界
部分では、メタルマスク5と透明導電膜7との間
に金属酸化絶縁膜6が介在する。このダイナミツ
クパターンは、前述の第9図のスタテイツクパタ
ーンに比べて、引出し配線の数を大幅に減らすこ
とができる。
す。図中、部分Aがメタルマスク5と金属酸化絶
縁膜6で形成され、部分Bが透明導電膜7で形成
される。部分Bは、写し込みパターン部分及び引
き出し配線部分を含む。部分Aと部分Bとの境界
部分では、メタルマスク5と透明導電膜7との間
に金属酸化絶縁膜6が介在する。このダイナミツ
クパターンは、前述の第9図のスタテイツクパタ
ーンに比べて、引出し配線の数を大幅に減らすこ
とができる。
第3図はコモン電極2の構成パターンを示す。
図中、部分Cがメタルマスク10と金属酸化絶縁
膜11で形成され、部分Dが透明導電膜12で形
成される。部分Cと部分Dとの境界部分では、メ
タルマスク10と透明導電膜12との間に金属酸
化絶縁膜11が介在する。このコモン基板2に
は、3つの部分Dからなる回路パターンが透明導
電膜12により形成される。
図中、部分Cがメタルマスク10と金属酸化絶縁
膜11で形成され、部分Dが透明導電膜12で形
成される。部分Cと部分Dとの境界部分では、メ
タルマスク10と透明導電膜12との間に金属酸
化絶縁膜11が介在する。このコモン基板2に
は、3つの部分Dからなる回路パターンが透明導
電膜12により形成される。
上述のように、コモン基板2が3つの回路パタ
ーンで構成される場合には、この液晶表示パネル
は1/3デユーテイのダイナミツク駆動となる。こ
のように、ダイナミツク駆動では、コモン電極の
回路パターンがスタテイツク駆動の場合の1つの
回路パターン(第10図)に比べて複数になる
が、コモン電極の回路パターンの数に応じてセグ
メント電極の引出し配線の数を減らすことができ
る。また、コモン電極のパターンは、セグメント
電極のパターンより大きくし、パターンずれに対
して余裕をもたせることができる。
ーンで構成される場合には、この液晶表示パネル
は1/3デユーテイのダイナミツク駆動となる。こ
のように、ダイナミツク駆動では、コモン電極の
回路パターンがスタテイツク駆動の場合の1つの
回路パターン(第10図)に比べて複数になる
が、コモン電極の回路パターンの数に応じてセグ
メント電極の引出し配線の数を減らすことができ
る。また、コモン電極のパターンは、セグメント
電極のパターンより大きくし、パターンずれに対
して余裕をもたせることができる。
第4図はセグメント基板1のパターンとコモン
基板2のパターンとを重ね合せて得られる写し込
みパターンを示す。
基板2のパターンとを重ね合せて得られる写し込
みパターンを示す。
上述のセグメント基板1のコモン基板2とを液
晶材料を介して組み合せて、ダイナミツク駆動の
写し込み用液晶表示パネルが形成される。このダ
イナミツク駆動では、例えば第2図のセグメント
基板1の部分Bのイと第3図のコモン基板2の部
分Dのへとの間、同様に、部分Bのロと部分Dの
ニ,ホ,ヘとの間、部分Bのハと部分Dのホとの
間、にそれぞれ電圧を加えることによつて、第4
図のパターンa,b,c,d,eが点灯して3の
字が写し込まれる。
晶材料を介して組み合せて、ダイナミツク駆動の
写し込み用液晶表示パネルが形成される。このダ
イナミツク駆動では、例えば第2図のセグメント
基板1の部分Bのイと第3図のコモン基板2の部
分Dのへとの間、同様に、部分Bのロと部分Dの
ニ,ホ,ヘとの間、部分Bのハと部分Dのホとの
間、にそれぞれ電圧を加えることによつて、第4
図のパターンa,b,c,d,eが点灯して3の
字が写し込まれる。
上述のように、セグメント基板1とコモン基板
2とを組み合せることにより、写し込みパターン
はセグメント基板1のメタルマスク5とコモン基
板2のメタルマスク10で規定され、しかも、写
し込みパターンは同一の桁で1、2、……、9、
0の切替えが可能になる。そして、この写し込み
用液晶表示パネルでは、ダイナミツク駆動が可能
であるので、上述の7セグメントパターンの数字
のみではなく、例えば、行パターンと列パターン
を透明導電膜で形成して、第5図と第6図に示す
5×7ドツトパターンの数字や英字の写し込み、
さらには、n行×m列のドツトパターンによる多
様なパターン情報の写し込みが可能になる。
2とを組み合せることにより、写し込みパターン
はセグメント基板1のメタルマスク5とコモン基
板2のメタルマスク10で規定され、しかも、写
し込みパターンは同一の桁で1、2、……、9、
0の切替えが可能になる。そして、この写し込み
用液晶表示パネルでは、ダイナミツク駆動が可能
であるので、上述の7セグメントパターンの数字
のみではなく、例えば、行パターンと列パターン
を透明導電膜で形成して、第5図と第6図に示す
5×7ドツトパターンの数字や英字の写し込み、
さらには、n行×m列のドツトパターンによる多
様なパターン情報の写し込みが可能になる。
<発明の効果>
以上説明したように、本発明においては、メタ
ルマスクの上に金属酸化絶縁膜を形成し、この金
属酸化絶縁膜の上に透明導電膜を形成したので、
カメラやプリンタ等の写し込み用液晶表示パネル
においてダイナミツク駆動が可能になり、多様な
パターン情報の写し込みができる。また、メタル
マスクをゼグメント基板およびコモン基板の双方
に形成したので、組み立て時にその両者の基板間
における位置ずれ等が生じても、例えば日文字パ
ターンの電極間における〓間を完全に遮光でき、
写し込みの文字形状が変形することがない。さら
に、セグメント基板およびコモン基板の透明導電
膜をそれぞれを分割したので、その分割パターン
を、例えば3パターンとした場合には、日文字の
各セグメトンをそれぞれ個別に分離することが可
能となり、これにより、二つの透明電極間に電圧
印加してセグメント遮光をした際に、その非遮光
部の文字形状が非常に整つた形状になる。
ルマスクの上に金属酸化絶縁膜を形成し、この金
属酸化絶縁膜の上に透明導電膜を形成したので、
カメラやプリンタ等の写し込み用液晶表示パネル
においてダイナミツク駆動が可能になり、多様な
パターン情報の写し込みができる。また、メタル
マスクをゼグメント基板およびコモン基板の双方
に形成したので、組み立て時にその両者の基板間
における位置ずれ等が生じても、例えば日文字パ
ターンの電極間における〓間を完全に遮光でき、
写し込みの文字形状が変形することがない。さら
に、セグメント基板およびコモン基板の透明導電
膜をそれぞれを分割したので、その分割パターン
を、例えば3パターンとした場合には、日文字の
各セグメトンをそれぞれ個別に分離することが可
能となり、これにより、二つの透明電極間に電圧
印加してセグメント遮光をした際に、その非遮光
部の文字形状が非常に整つた形状になる。
以上のことから、本発明を例えばカメラや光学
プリンタ等の写し込み用表示装置に適用した場
合、写し込みパターン部分とマスク部分とのコン
トラスト比を極めて高くすることができ、鮮明な
ネガフイルムおよび写真の作成、あるいは鮮明な
印刷が可能となつて、写し込みパターンの表示品
位が向上する。
プリンタ等の写し込み用表示装置に適用した場
合、写し込みパターン部分とマスク部分とのコン
トラスト比を極めて高くすることができ、鮮明な
ネガフイルムおよび写真の作成、あるいは鮮明な
印刷が可能となつて、写し込みパターンの表示品
位が向上する。
なお、各透明導電膜の写し込みパターンに相応
する部分はそれぞれ基板に直接形成されるので、
絶縁膜の種類やその表面状態に関係なく、その部
分の膜厚を均質とすることができ、これにより、
透明導電膜の写し込みパターン部の抵抗値を正確
に制御することが可能になるという点の効果もあ
る。
する部分はそれぞれ基板に直接形成されるので、
絶縁膜の種類やその表面状態に関係なく、その部
分の膜厚を均質とすることができ、これにより、
透明導電膜の写し込みパターン部の抵抗値を正確
に制御することが可能になるという点の効果もあ
る。
第1図は本発明実施例の断面図、第2図は本発
明実施例のセグメント基板の平面図、第3図は本
発明実施例のコモン基板の平面図、第4図は本発
明実施例の写し込みパターンを示す図、第5図は
数字のドツトパターンを示す図、第6図は英字の
ドツトパターンを示す図、第7図は従来例を示す
断面図、第8図は他の従来例を示す断面図、第9
図は従来例のセグメント電極の平面図、第10図
は従来例のコモン電極の平面図、第11図は従来
例の写し込みパターンを示す図である。 1……セグメント基板、2……コモン基板、3
……液晶材料、4,9……ガラス基板、5,10
……メタルマスク、6,11……金属酸化絶縁
膜、7,12……透明導電膜。
明実施例のセグメント基板の平面図、第3図は本
発明実施例のコモン基板の平面図、第4図は本発
明実施例の写し込みパターンを示す図、第5図は
数字のドツトパターンを示す図、第6図は英字の
ドツトパターンを示す図、第7図は従来例を示す
断面図、第8図は他の従来例を示す断面図、第9
図は従来例のセグメント電極の平面図、第10図
は従来例のコモン電極の平面図、第11図は従来
例の写し込みパターンを示す図である。 1……セグメント基板、2……コモン基板、3
……液晶材料、4,9……ガラス基板、5,10
……メタルマスク、6,11……金属酸化絶縁
膜、7,12……透明導電膜。
Claims (1)
- 1 液晶材料を挟んで互いに対向するセグメント
基板およびコモン基板を有する液晶表示バネルに
おいて、上記二つの基板には、それぞれ所定パタ
ーンのメタルマスクと、このメタルマスクの表面
のみを被覆する絶縁膜と、透明導電膜が順次に形
成され、この各透明導電膜は、それぞれ写し込み
パターンに相応する部分が上記基板に接触し、か
つ、複数のパターンに分割されていることを特徴
とする、液晶表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59262421A JPS61140981A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59262421A JPS61140981A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 液晶表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61140981A JPS61140981A (ja) | 1986-06-28 |
| JPH0339315B2 true JPH0339315B2 (ja) | 1991-06-13 |
Family
ID=17375548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59262421A Granted JPS61140981A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61140981A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2874446B1 (fr) * | 2004-08-17 | 2007-01-12 | Nemoptic Sa | Afficheur a cristal liquide perfectionne notamment par suppression d'effets nefastes sur les bords de zones adressees |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2904961C2 (de) * | 1979-02-03 | 1986-12-11 | Hüttenes-Albertus Chemische Werke GmbH, 4000 Düsseldorf | Bindemittel für Gießerei-Formstoffmischungen |
| JPS59129828A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-26 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
-
1984
- 1984-12-12 JP JP59262421A patent/JPS61140981A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61140981A (ja) | 1986-06-28 |
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Legal Events
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |