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JPH034138B2 - - Google Patents
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JPH034138B2 - - Google Patents

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JPH034138B2
JPH034138B2 JP18439182A JP18439182A JPH034138B2 JP H034138 B2 JPH034138 B2 JP H034138B2 JP 18439182 A JP18439182 A JP 18439182A JP 18439182 A JP18439182 A JP 18439182A JP H034138 B2 JPH034138 B2 JP H034138B2
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oscillation
output
voltage
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Fumio Kamya
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Description

【発明の詳細な説明】 (a) 発明の関連する技術分野 この発明は検出用電極と大地間の静電容量の変
化によつて近接物体を検出する静電容量形近接ス
イツチに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Technical field to which the invention relates The present invention relates to a capacitive proximity switch that detects a nearby object by a change in capacitance between a detection electrode and the ground.

(b) 従来技術とその欠点 静電容量形近接スイツチは、一般にコンデンサ
の容量変化に伴つて発振周波数の変化する発振回
路を備えている。第1図は従来の典型的な静電容
量形近接スイツチのブロツク図である。
(b) Prior art and its disadvantages A capacitive proximity switch generally includes an oscillation circuit whose oscillation frequency changes as the capacitance of a capacitor changes. FIG. 1 is a block diagram of a typical conventional capacitive proximity switch.

同図において、発振回路1は検出用電極2と大
地との間の静電容量の大きさに基づく周波数の発
振をする。その発振出力は、検波回路3で整流さ
れ、さらに積分回路4で積分されて発振周波数の
大きさに比例する電圧レベルの信号に変えられ
る。その信号はシユミツト回路5で電圧弁別さ
れ、積分後の出力レベルが一定以上であれば出力
回路6を駆動する。定電圧回路7は近接スイツチ
を安定に動作させるために各回路に定電圧を供給
する。
In the figure, an oscillation circuit 1 oscillates at a frequency based on the magnitude of capacitance between a detection electrode 2 and the ground. The oscillation output is rectified by a detection circuit 3, further integrated by an integration circuit 4, and converted into a signal with a voltage level proportional to the magnitude of the oscillation frequency. The signal is subjected to voltage discrimination by a Schmitt circuit 5, and if the output level after integration is above a certain level, an output circuit 6 is driven. A constant voltage circuit 7 supplies a constant voltage to each circuit in order to operate the proximity switch stably.

ところで、近接スイツチには通常良好な温度特
性が要求され、しかもその大きさは出来るだけ小
型化する必要がある。しかしながら、上記の構成
の従来の静電容量形近接スイツチは、各回路が総
てデイスクリート部品によつて構成されていたた
めに、素子の数が非常に多くなり小型化しにくい
とともに、検波回路3やシユミツト回路5でのス
レツシヨルドレベルが不安定になりがちで温度補
償が出来にくいという欠点があつた。
By the way, a proximity switch is usually required to have good temperature characteristics, and also needs to be as small as possible. However, in the conventional capacitive proximity switch with the above configuration, each circuit is entirely composed of discrete components, so the number of elements is extremely large, making it difficult to downsize. The drawback is that the threshold level in the Schmitt circuit 5 tends to be unstable, making it difficult to compensate for temperature.

(c) 発明の目的 この発明の目的は、構成部品が少なくて、しか
も温度に対して安定性の非常に高い静電容量形近
接スイツチを提供することにある。
(c) Object of the Invention An object of the invention is to provide a capacitive proximity switch that has a small number of components and is extremely stable against temperature.

(d) 発明の構成 この発明は、入力側に電流バイアスされた入力
トランジスタを有する高周波発振形近接スイツチ
用の集積回路(以下ICという)が実用に供され
ているという点に着目してなされたものである。
(d) Structure of the Invention The present invention was made based on the fact that integrated circuits (hereinafter referred to as ICs) for high-frequency oscillation type proximity switches having a current-biased input transistor on the input side are in practical use. It is something.

この発明は、要約すれば、 検出用電極と大地間との静電容量の大きさに応
じて発振周波数が変化する発振回路と、この発振
回路の出力端子に接続されたコンデンサ、抵抗、
コイルのLCR直列回路と、および電流バイアス
された入力トランジスタを有する上記の高周波発
振形近接スイツチ用のICとを備え、上記LCR直
列回路のコイルの端子電圧を前記ICの入力トラ
ンジスタのベースに与えるようにしたものであ
る。
In summary, the present invention includes: an oscillation circuit whose oscillation frequency changes depending on the capacitance between a detection electrode and the ground; a capacitor, a resistor, and a resistor connected to the output terminal of the oscillation circuit;
An LCR series circuit of a coil, and an IC for the above-mentioned high frequency oscillation type proximity switch having a current-biased input transistor, so as to apply the terminal voltage of the coil of the above-mentioned LCR series circuit to the base of the input transistor of the IC. This is what I did.

(e) 実施例の説明 第2図はこの発明の実施例である静電容量形近
接スイツチの回路図である。
(e) Description of Embodiment FIG. 2 is a circuit diagram of a capacitive proximity switch which is an embodiment of the present invention.

同図において、10は検出用電極、11は遮蔽
電極であつて、検出用電極10の検出信号はトラ
ンジスタTR1、トランジスタTR2を含む発振
回路Aに入力する。発振回路AのコンデンサC1
は負帰還用のコンデンサ、コンデンサC2は正帰
還用のコンデンサである。また、可変抵抗R7は
検出距離調整用の抵抗であり、トランジスタTR
1への正帰還量を調整する。発振回路Aの出力、
すなわちトランジスタTR2のエミツタ出力は、
コンデンサC3、抵抗R8、コイルL1のLCR
直列回路Bに入力する。コンデンサC3は直流分
をカツトし、抵抗R8はコイルL1の両端電圧を
適当に設定するために交流分を分圧する。IC1
は上述の高周波発振形近接スイツチ用の集積回路
であつて、その入力端子5にコイルL1と抵抗R
8の接点が接続される。
In the figure, 10 is a detection electrode, 11 is a shielding electrode, and a detection signal from the detection electrode 10 is input to an oscillation circuit A including a transistor TR1 and a transistor TR2. Capacitor C1 of oscillation circuit A
is a capacitor for negative feedback, and capacitor C2 is a capacitor for positive feedback. In addition, the variable resistor R7 is a resistor for adjusting the detection distance, and the transistor TR
Adjust the amount of positive feedback to 1. The output of oscillation circuit A,
In other words, the emitter output of transistor TR2 is
LCR of capacitor C3, resistor R8, and coil L1
Input to series circuit B. Capacitor C3 cuts off the DC component, and resistor R8 divides the AC component to appropriately set the voltage across coil L1. IC1
is an integrated circuit for the above-mentioned high frequency oscillation type proximity switch, and the input terminal 5 is connected to the coil L1 and the resistor R.
8 contacts are connected.

第3図は上記IC1の内部構成図である。 FIG. 3 is an internal configuration diagram of the IC1.

同図において、端子1は定電圧出力の交流的な
インピーダンスを下げるコンデンサを接続するた
めのものである。第2図においてコンデンサC5
がこれに相当する。トランジスタQ1,Q2はカ
レントミラー回路を構成し、抵抗R1で決定され
る電流と同じ大きさの電流をトランジスタQ3に
バイアス電流として与える。端子5とトランジス
タQ3のベース間に接続される電圧VBは、トラ
ンジスタQ3,Q4のベース、エミツタ間電圧の
温度補償を兼ねたバイアス電圧である。この電圧
VBは、例えばダイオードの順方向降下電圧で与
えられる。端子5は信号の入力端子で、このIC
回路を一般の高周波発振形近接スイツチに用いる
場合、端子5とグラウンド端子6との間にLC共
振回路を接続する。前記トランジスタQ3のエミ
ツタにはエミツタ抵抗R2,R3,R4の直列回
路が接続され、抵抗R2とR3の接点にトランジ
スタQ4のベースが接続される。トランジスタQ
4のエミツタ端子3はグラウンド端子6との間に
動作距離調整用の抵抗R9を接続するためのもの
である。トランジスタQ4のコレクタに接続され
るトランジスタQ5,Q6は、カレントミラー回
路を構成し、トランジスタQ6のコレクタ端子は
端子4に接続される。
In the figure, terminal 1 is for connecting a capacitor that lowers the alternating current impedance of the constant voltage output. In Figure 2, capacitor C5
corresponds to this. Transistors Q1 and Q2 constitute a current mirror circuit, and provide a current of the same magnitude as the current determined by resistor R1 to transistor Q3 as a bias current. The voltage VB connected between the terminal 5 and the base of the transistor Q3 is a bias voltage that also serves as temperature compensation for the voltage between the base and emitter of the transistors Q3 and Q4. this voltage
VB is given by, for example, the forward drop voltage of a diode. Terminal 5 is a signal input terminal, and this IC
When the circuit is used in a general high frequency oscillation type proximity switch, an LC resonant circuit is connected between the terminal 5 and the ground terminal 6. A series circuit of emitter resistors R2, R3, and R4 is connected to the emitter of the transistor Q3, and a base of the transistor Q4 is connected to a contact point between the resistors R2 and R3. transistor Q
The emitter terminal 3 of No. 4 is used to connect a resistor R9 for adjusting the operating distance between the emitter terminal 3 and the ground terminal 6. Transistors Q5 and Q6 connected to the collector of transistor Q4 constitute a current mirror circuit, and the collector terminal of transistor Q6 is connected to terminal 4.

以上の構成によつて、調整抵抗R9によつて決
まるトランジスタQ4のコレクタ電流をトランジ
スタQ5が検出し、その電流と同じ大きさの電流
を端子4に流し出す。この場合、端子5と端子6
間にLC共振回路が接続され、また端子4と端子
5が接続されていれば、上記トランジスタQ1〜
Q6によつて電流帰還によるLC発振が行われる。
発振出力はトランジスタQ3のエミツタから取り
出され、コンパレータ回路12で波形整形され、
さらに積分回路13で発振周波数の大きさに比例
して高くなる電圧レベルに変換し、その電圧レベ
ルの信号をコンパレータ回路14で電圧弁別して
出力回路15へと出力する。端子2は上記積分回
路13の積分用のコンデンサを接続するためのも
のである。出力回路15はコンプリメンタリ出力
端子8,9を有し、端子8は発振時常に「ロー」、
端子9は発振時常に「ハイ」となつている。定電
圧回路16は各回路に定電圧を供給し、電源リセ
ツト回路17は電源投入後一定時間コンプリメン
タリ構成の出力回路15をオフして端子8,9を
無電圧状態にする。端子7はこの電源リセツト回
路の電源リセツト時間を決定するタイマ用のコン
デンサを接続するためのものである。トランジス
タQ7はコンパレータ回路14によつて駆動さ
れ、コンパレータ回路14の出力に応じて抵抗R
2,R3,R4の分圧比を変える。すなわち、電
圧弁別の結果に応じてトランジスタQ4のバイア
スを変え、発振回路での帰還電流の大きさを調整
してヒステリシス動作を行わせるためのものであ
る。
With the above configuration, the transistor Q5 detects the collector current of the transistor Q4 determined by the adjustment resistor R9, and flows out a current having the same magnitude as the detected current to the terminal 4. In this case, terminal 5 and terminal 6
If an LC resonant circuit is connected between them, and terminals 4 and 5 are connected, the transistors Q1 to
Q6 performs LC oscillation by current feedback.
The oscillation output is taken out from the emitter of transistor Q3, and waveform-shaped by comparator circuit 12.
Further, the integrator circuit 13 converts it into a voltage level that increases in proportion to the magnitude of the oscillation frequency, and the comparator circuit 14 performs voltage discrimination on the voltage level signal and outputs it to the output circuit 15. Terminal 2 is for connecting an integrating capacitor of the integrating circuit 13. The output circuit 15 has complementary output terminals 8 and 9, and the terminal 8 is always "low" during oscillation.
Terminal 9 is always "high" during oscillation. A constant voltage circuit 16 supplies a constant voltage to each circuit, and a power supply reset circuit 17 turns off the complementary configuration output circuit 15 for a certain period of time after the power is turned on, so that the terminals 8 and 9 are in a non-voltage state. Terminal 7 is for connecting a capacitor for a timer that determines the power reset time of this power supply reset circuit. Transistor Q7 is driven by comparator circuit 14, and resistor R is driven according to the output of comparator circuit 14.
2. Change the partial pressure ratio of R3 and R4. That is, the bias of the transistor Q4 is changed according to the result of voltage discrimination, and the magnitude of the feedback current in the oscillation circuit is adjusted to perform a hysteresis operation.

以上の回路構成からなる高周波発振形近接スイ
ツチ用のIC1を第2図に示すように接続する。
すなわち、端子5にはコイルL1と抵抗R8の接
点を接続し、端子4はグラウンドに接続し、端子
2とグラウンド間には積分用のコンデンサC4を
接続し、端子3とグラウンド間には動作距離調整
用の抵抗R9を接続する。また、端子1とグラウ
ンド間には定電圧回路16のインピーダンス低下
のためのコンデンサC5を接続し、端子7と端子
6(グランド端子)間には電源リセツト期間設定
用のコンデンサC6を接続する。なお、端子8の
出力信号は、LED1を駆動し、トランジスタTR
3で増幅されて出力端子bに導かれる。ダイオー
ドD1は逆接防止用に、またツエナーダイオード
ZD1,ZD2は素子の保護用に接続されている。
The high frequency oscillation type proximity switch IC 1 having the above circuit configuration is connected as shown in FIG.
That is, the contact of coil L1 and resistor R8 is connected to terminal 5, terminal 4 is connected to ground, integrating capacitor C4 is connected between terminal 2 and ground, and operating distance is set between terminal 3 and ground. Connect the adjustment resistor R9. Further, a capacitor C5 is connected between the terminal 1 and the ground to reduce the impedance of the constant voltage circuit 16, and a capacitor C6 for setting the power supply reset period is connected between the terminal 7 and the terminal 6 (ground terminal). Note that the output signal of terminal 8 drives LED1 and transistor TR
3 and guided to output terminal b. Diode D1 is used to prevent reverse connection, and is also a Zener diode.
ZD1 and ZD2 are connected to protect the element.

次に以上の構成からなる静電容量形近接スイツ
チの動作を説明する。
Next, the operation of the capacitive proximity switch having the above structure will be explained.

電源端子a,c間に電源電圧が供給されると、
発振回路Aが発振する。そのときの発振周波数は
検出用電極10と大地間の静電容量によつて決ま
る。発振出力はトランジスタTR2のエミツタか
らLCR直列回路Bに供給される。発振信号はコ
ンデンサC3によつて直流分がカツトされ、交流
分だけが抵抗R8とコイルL1のインダクタンス
分によつて分圧され、IC1の端子5に導かれる。
端子5に入力した発振電圧は、トランジスタQ3
のベースに与えられ、エミツタフオロワーにてコ
ンパレータ回路12へ供給される。コンパレータ
回路12で波形整形された信号は、積分回路13
で積分レベルに変換され、さらにコンパレータ回
路14において電圧弁別され、出力回路15へと
導かれる。そして積分レベルが一定以上である場
合は、コンパレータ回路14が出力回路15を駆
動して端子8を「ハイ」にする。そうでないとき
は端子8を「ロー」に維持したままである。すな
わち発振回路Aでの発振周波数が一定の大きさ以
上であれば、端子8が「ハイ」となる。端子8が
「ハイ」であるときLED1が発光し、トランジス
タTR3が駆動されて出力端子bを「ロー」に設
定する。こうして物体が検出用電極1に接近して
静電容量が大きくなつたとき、出力端子bが「ロ
ー」になり、物体が検出電極1から遠ざかつたと
き出力端子bが「ハイ」になる。近接スイツチの
端子bに接続する図示しない制御回路は、この端
子bのレベルが「ロー」になつたときを検出して
検出用電極1に物体が接近したことを知ることが
出来る。
When power voltage is supplied between power terminals a and c,
Oscillation circuit A oscillates. The oscillation frequency at that time is determined by the capacitance between the detection electrode 10 and the ground. The oscillation output is supplied to the LCR series circuit B from the emitter of the transistor TR2. The DC component of the oscillation signal is cut off by the capacitor C3, and only the AC component is divided by the resistor R8 and the inductance of the coil L1 and guided to the terminal 5 of the IC1.
The oscillation voltage input to terminal 5 is applied to transistor Q3.
and is supplied to the comparator circuit 12 by the emitter follower. The signal whose waveform has been shaped by the comparator circuit 12 is sent to the integrator circuit 13.
The signal is converted to an integral level by the comparator circuit 14, subjected to voltage discrimination, and then guided to the output circuit 15. If the integral level is above a certain level, the comparator circuit 14 drives the output circuit 15 to make the terminal 8 "high". Otherwise, terminal 8 remains "low". That is, if the oscillation frequency in the oscillation circuit A is above a certain level, the terminal 8 becomes "high". When terminal 8 is "high", LED1 emits light and transistor TR3 is driven to set output terminal b to "low". When the object approaches the detection electrode 1 and the capacitance increases, the output terminal b becomes "low", and when the object moves away from the detection electrode 1, the output terminal b becomes "high". A control circuit (not shown) connected to terminal b of the proximity switch can detect when the level of terminal b becomes "low" and know that an object has approached the detection electrode 1.

ところで、この近接スイツチでは発振出力の交
流分を抵抗R8とコイルL1のインダクタンス分
によつて分圧して、IC1の端子5に入力してい
るが、このように構成することにより、端子5の
直流的なインピーダンスを小さく出来、且つ交流
的なインピーダンスを高くすることが出来る。す
なわち、トランジスタQ3のバイアス電流が端子
5側へ流れることによつて不必要なバイアス電圧
の発生を防ぐことが出来る。発振出力の分圧のた
めに単に抵抗の直列回路を用いるのでは(つまり
コイルL1の代わりに抵抗を接続する)、トラン
ジスタQ3のバイアス電流によつて端子5に不必
要なバイアス電圧が印加され、それによつてトラ
ンジスタQ3がオン状態にロツクしてしまうこと
になる。またその状態を回避するために、端子5
に接続する抵抗を小さくすると、今度は発振回路
Aの出力インピーダンスが低下して発振しなくな
つてしまう不都合が生じる。それ故、このような
電流バイアスされた入力トランジスタを有する
ICを発振回路に接続する場合、端子5にコイル
L1を接続することにより、上記の不都合を完全
に解決出来ることになる。
By the way, in this proximity switch, the AC component of the oscillation output is divided by the resistor R8 and the inductance of the coil L1, and inputted to the terminal 5 of the IC1. The current impedance can be made small, and the alternating current impedance can be made high. That is, by causing the bias current of transistor Q3 to flow to the terminal 5 side, unnecessary bias voltage can be prevented from being generated. If a series circuit of resistors is simply used to divide the voltage of the oscillation output (that is, a resistor is connected in place of the coil L1), an unnecessary bias voltage will be applied to the terminal 5 by the bias current of the transistor Q3. This causes transistor Q3 to be locked in the on state. In order to avoid this situation, terminal 5
If the resistance connected to the oscillation circuit A is made smaller, the output impedance of the oscillation circuit A will be lowered, resulting in the inconvenience that it will no longer oscillate. Therefore, with a current biased input transistor like this
When connecting the IC to an oscillation circuit, by connecting the coil L1 to the terminal 5, the above-mentioned inconvenience can be completely solved.

以上のように、高周波発振形のIC回路と発振
回路Aとの間にLCRの直列回路を接続すること
により、適性な動作を行う静電容量形近接スイツ
チを構成することが出来る。第2図から明らかな
ように、この近接スイツチでは部品点数が大幅に
少なくなり、また波形処理部にはIC1を用いて
いるために温度に対し安定性が高まり温度補償も
簡単に行うことが可能である。したがつて、スレ
ツシヨルドレベルも上下動することがなく、長期
に渡つて安定した動作を行わせることが出来る。
また、従来の波形処理部にはデイスクリート部品
を使つていたために比較的大容量のコンデンサを
必要としたが、このようにICを使用することに
よりコンデンサを小さくすることも出来る。
As described above, by connecting the LCR series circuit between the high frequency oscillation type IC circuit and the oscillation circuit A, it is possible to configure a capacitance type proximity switch that operates appropriately. As is clear from Figure 2, the number of parts in this proximity switch is significantly reduced, and since IC1 is used in the waveform processing section, stability against temperature increases and temperature compensation can be easily performed. It is. Therefore, the threshold level does not fluctuate up and down, and stable operation can be performed over a long period of time.
Furthermore, since conventional waveform processing units use discrete components, they require relatively large-capacity capacitors, but by using ICs in this way, the capacitors can be made smaller.

(f) 発明の効果 この発明によれば、従来に比較して外形の非常
に小さな静電容量形近接スイツチを構成すること
が出来、且つ動作の安定性も極めてよくなるた
め、スイツチの適用範囲を広くすることが可能に
なるとともに信頼性を大幅に向上する利点があ
る。
(f) Effects of the Invention According to the present invention, it is possible to construct a capacitive proximity switch with an extremely small external size compared to the conventional one, and the operation stability is also extremely improved, so the range of application of the switch can be expanded. This has the advantage that it can be made wider and reliability can be greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の典型的な静電容量形近接スイツ
チのブロツク図である。第2図はこの発明の実施
例である静電容量形近接スイツチの回路図であ
る。第3図は上記実施例に用いるIC1の内部構
成図である。 10……検出用電極、12……コンパレータ
(波形整形用)、13……積分回路、14……コン
パレータ(電圧弁別用)、Q3……(電流バイア
スされた)入力トランジスタ、A……発振回路、
B……LCR直列回路。
FIG. 1 is a block diagram of a typical conventional capacitive proximity switch. FIG. 2 is a circuit diagram of a capacitive proximity switch according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is an internal configuration diagram of IC1 used in the above embodiment. 10...Detection electrode, 12...Comparator (for waveform shaping), 13...Integrator circuit, 14...Comparator (for voltage discrimination), Q3...(current biased) input transistor, A...Oscillation circuit ,
B...LCR series circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 検出用電極と大地間との静電容量に応じて発
振周波数が変化する発振回路と、この発振回路の
出力端子に接続されたコンデンサ、抵抗、コイル
のLCR直列回路と、前記コイルの端子電圧がベ
ースに与えられ電流バイアスされた入力トランジ
スタおよびこの入力トランジスタの出力信号の周
波数に応じて所定の出力をする波形処理回路を含
む集積回路と、を有してなる静電容量形近接スイ
ツチ。 2 前記波形処理回路は、前記入力トランジスタ
の出力信号を波形整形する波形整形回路と、この
波形整形回路の出力を積分する積分回路と、この
積分回路の出力を電圧弁別する電圧弁別回路とで
構成される特許請求の範囲第1項記載の静電容量
形近接スイツチ。
[Claims] 1. An oscillation circuit whose oscillation frequency changes depending on the capacitance between a detection electrode and the ground, and an LCR series circuit of a capacitor, a resistor, and a coil connected to the output terminal of this oscillation circuit. , an integrated circuit including an input transistor whose base is applied with the terminal voltage of the coil and current biased, and a waveform processing circuit that produces a predetermined output according to the frequency of the output signal of the input transistor. Capacitive proximity switch. 2. The waveform processing circuit includes a waveform shaping circuit that shapes the output signal of the input transistor, an integrating circuit that integrates the output of the waveform shaping circuit, and a voltage discrimination circuit that discriminates the voltage of the output of the integrating circuit. A capacitive proximity switch according to claim 1.
JP18439182A 1982-10-19 1982-10-19 Electrostatic capacity type proximity switch Granted JPS5973825A (en)

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