JPH0341556B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0341556B2 JPH0341556B2 JP57214552A JP21455282A JPH0341556B2 JP H0341556 B2 JPH0341556 B2 JP H0341556B2 JP 57214552 A JP57214552 A JP 57214552A JP 21455282 A JP21455282 A JP 21455282A JP H0341556 B2 JPH0341556 B2 JP H0341556B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- palladium
- bath
- phosphoric acid
- ammonia
- electrodeposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 69
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 21
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 17
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 15
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- -1 amine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/50—Electroplating: Baths therefor from solutions of platinum group metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は特に装飾および工業上の目的のための
光沢があつて亀裂のないパラジウム層を急速析
出、すなわち少なくとも10ないし25μm／minの
電着速度が得られるように電着するための水性浴
およびこの水性浴の製法並びにこの浴を使用して
のパラジウム層の電着方法に関する。
光沢があつて亀裂のないパラジウム層を急速析
出、すなわち少なくとも10ないし25μm／minの
電着速度が得られるように電着するための水性浴
およびこの水性浴の製法並びにこの浴を使用して
のパラジウム層の電着方法に関する。
アルカリ性および酸性めつき浴は原理的に区別
される。大抵の場合これらの浴には光沢形成のた
めの添加物が付与される。浴組成およびこの添加
物により、電着されるパラジウム層に例えば硫黄
のような不純物成分が混入されるおそれがあり、
それにより亀裂形成および不良な耐食性の原因が
生ずる。
される。大抵の場合これらの浴には光沢形成のた
めの添加物が付与される。浴組成およびこの添加
物により、電着されるパラジウム層に例えば硫黄
のような不純物成分が混入されるおそれがあり、
それにより亀裂形成および不良な耐食性の原因が
生ずる。
酸性領域で働くパラジウムめつき浴は、一般に
パラジウム錯体の低い安定性、低い電着速度（１
分当り１ないし8μm）および高い製造原価という
特徴を持つている。しかしこの浴は100％の電流
効率を可能にし、従つてそのコーテイングは殆ん
ど亀裂がないという利点を持つ。
パラジウム錯体の低い安定性、低い電着速度（１
分当り１ないし8μm）および高い製造原価という
特徴を持つている。しかしこの浴は100％の電流
効率を可能にし、従つてそのコーテイングは殆ん
ど亀裂がないという利点を持つ。
公知のアルカリ性パラジウムめつき浴はアンモ
ニア錯体あるいはアミン化合物を基として作り上
げられている。このめつき浴においては、PH値を
一定に保つのは一般に極めて困難である。この浴
の別の欠点は、0.25ないし1μm／minの低い電着
速度だけしか得られないことである。そのほかに
コーテイングは、残留ひずみに導く光沢剤の使用
により、あるいは100％でない電流効率によつて、
電着の際に生ずる水素が層の中に組み込まれるか
ら亀裂を形成する傾向がある。水素は公知のよう
にパラジウムによつて非常に強く吸収される。そ
のほかに、アンモニアめつき浴の場合絶えず蒸発
するアンモニアは悪臭問題のために膨大な吸気装
置を必要とする。
ニア錯体あるいはアミン化合物を基として作り上
げられている。このめつき浴においては、PH値を
一定に保つのは一般に極めて困難である。この浴
の別の欠点は、0.25ないし1μm／minの低い電着
速度だけしか得られないことである。そのほかに
コーテイングは、残留ひずみに導く光沢剤の使用
により、あるいは100％でない電流効率によつて、
電着の際に生ずる水素が層の中に組み込まれるか
ら亀裂を形成する傾向がある。水素は公知のよう
にパラジウムによつて非常に強く吸収される。そ
のほかに、アンモニアめつき浴の場合絶えず蒸発
するアンモニアは悪臭問題のために膨大な吸気装
置を必要とする。
西ドイツ国特許出願公開第2657925号公報によ
つて、無アンモニアで水性のめつき浴が公知にな
つており、それにおいては調製などのために塩化
パラジウム（PdCl2）も用いられる。しかし非常
に低い電流密度（1A／ｄm2まで）により非常に
低い電着速度が生ずるだけである。
つて、無アンモニアで水性のめつき浴が公知にな
つており、それにおいては調製などのために塩化
パラジウム（PdCl2）も用いられる。しかし非常
に低い電流密度（1A／ｄm2まで）により非常に
低い電着速度が生ずるだけである。
さらに例えば西ドイツ国特許出願公開第
2939920号によつて、めつき浴の調製のために
PdCl2、Pd（OH）2、K2Pd（NO2）4、Pd
（NH2SO3）2、Pd（NH3）2Cl2およびPd（NH3）2
（NO2）2のようなパラジウム化合物を用いること
も公知である。
2939920号によつて、めつき浴の調製のために
PdCl2、Pd（OH）2、K2Pd（NO2）4、Pd
（NH2SO3）2、Pd（NH3）2Cl2およびPd（NH3）2
（NO2）2のようなパラジウム化合物を用いること
も公知である。
本発明は、光沢があり亀裂のないパラジウム層
電着のためのもので製造原価が低廉で少なくとも
10ないし25μm／minの高い電着速度が100％の電
流効率で可能であるようなパラジウムめつき浴を
提供することを目的とする。さらに如何なる光沢
添加剤も必要とせず、しかも高い浴安定性が保証
されなければならない。恒久的な耐食性を得るた
めには電着層は硫黄を含んではならない。
電着のためのもので製造原価が低廉で少なくとも
10ないし25μm／minの高い電着速度が100％の電
流効率で可能であるようなパラジウムめつき浴を
提供することを目的とする。さらに如何なる光沢
添加剤も必要とせず、しかも高い浴安定性が保証
されなければならない。恒久的な耐食性を得るた
めには電着層は硫黄を含んではならない。
この目的はリン酸、アンモニアおよび塩化パラ
ジウムの形のパラジウムを含み、作業PH値がアン
モニアあるいはリン酸によつて調整されている光
沢があり亀裂のないパラジウム層の急速析出のた
めの電着用水性浴によつて達成される。
ジウムの形のパラジウムを含み、作業PH値がアン
モニアあるいはリン酸によつて調整されている光
沢があり亀裂のないパラジウム層の急速析出のた
めの電着用水性浴によつて達成される。
本発明による水性浴は以下の工程により製造さ
れると有利である。
れると有利である。
90℃に加熱された蒸留水600mlに、比重1.71の
リン酸を10ないし100ml、酸を中和するまでの25
％のアンモニアおよび塩化パラジウムからの５な
いし40ｇのパラジウムを順次添加する。その場合
作業PH値は塩化パラジウムの溶解の後、アンモニ
アあるいはリン酸によつて6.5ないし8.5に調整
し、浴が１になるまで蒸溜水を補充し、作業の
前に濾過する。
リン酸を10ないし100ml、酸を中和するまでの25
％のアンモニアおよび塩化パラジウムからの５な
いし40ｇのパラジウムを順次添加する。その場合
作業PH値は塩化パラジウムの溶解の後、アンモニ
アあるいはリン酸によつて6.5ないし8.5に調整
し、浴が１になるまで蒸溜水を補充し、作業の
前に濾過する。
本発明によるパラジウムめつき浴は、最も安価
なパラジウム塩の一つである塩化パラジウムを基
にしていることからも特に有利である。
なパラジウム塩の一つである塩化パラジウムを基
にしていることからも特に有利である。
そのようなめつき浴を用いての光沢があり亀裂
のないパラジウム層の電着方法は、本発明によれ
ば10ないし80℃の範囲の浴温度において、20ない
し180A／ｄm2の範囲の電流密度で電解質を動か
して作業することにより達成される。電解質の流
動は電着浴と電着すべき加工品との間の相対運動
により、例えば10mmの外径と２mmの円盤直径をも
つ回転円盤電極を使用して3600ないし10000rpm
の回転速度において回転させることにより規定さ
れる。
のないパラジウム層の電着方法は、本発明によれ
ば10ないし80℃の範囲の浴温度において、20ない
し180A／ｄm2の範囲の電流密度で電解質を動か
して作業することにより達成される。電解質の流
動は電着浴と電着すべき加工品との間の相対運動
により、例えば10mmの外径と２mmの円盤直径をも
つ回転円盤電極を使用して3600ないし10000rpm
の回転速度において回転させることにより規定さ
れる。
連続方式で作動する噴射セル装置の場合には、
２mmのノズル直径をもつ各ノズルを通して１ない
し15ml／secの電解質量が流れるときに生ずる電
解質流動を以て作業することが有効である。この
目的のために必要な噴射セル装置は例えば特開昭
57−161084号公報に記載されている。
２mmのノズル直径をもつ各ノズルを通して１ない
し15ml／secの電解質量が流れるときに生ずる電
解質流動を以て作業することが有効である。この
目的のために必要な噴射セル装置は例えば特開昭
57−161084号公報に記載されている。
この方法で層のすぐれた性質が生ずることが分
かつた。その上15000まで増大しても亀裂の無い
ことが確認された。7.3の特に好適なPH値の場合
は遊離アンモニアの含有量は、臭気問題や処理さ
れる物品ならびに装置の腐食をおそれる必配がな
いほど小さい。その上PHの安定性は他の公知のア
ルカリ性溶よりも良好である。本発明による浴中
ではパラジウムは自己還元を起こす傾向がないか
ら、浴の高い安定性が与えられる。
かつた。その上15000まで増大しても亀裂の無い
ことが確認された。7.3の特に好適なPH値の場合
は遊離アンモニアの含有量は、臭気問題や処理さ
れる物品ならびに装置の腐食をおそれる必配がな
いほど小さい。その上PHの安定性は他の公知のア
ルカリ性溶よりも良好である。本発明による浴中
ではパラジウムは自己還元を起こす傾向がないか
ら、浴の高い安定性が与えられる。
本発明によるパラジウムめつき浴は連続的に作
動するめつき装置において、場合によつては例え
ば互に一つの帯に連結されるプラグコネクタのよ
うなデバイスの部分めつきに対しても有利に使用
される。電解質流動の増進は、電解質をノズルを
用いて加工品に、吹き付けることによつて得られ
る。この場合ノズルは陽極を形成し、一方帯は陰
極として接続される。連続方式で作動する噴射セ
ル装置においては、電解質が吹き付けられる加工
品の自由端は、溝などの配置によつて絶えず電解
質により濡らされると有利である。めつきすべき
加工品の下端を絶えず濡らすことによつて焼けや
光沢のない層の電着をもたらすおそれのある電解
質におけるイオン欠乏を阻止する。溝の代りに浴
の下に軌条を配置し、この軌条の上に僅かな電解
質の堰き止めを形成し、その中に帯に連結される
加工品の端部が漬かるようにしても好適である。
動するめつき装置において、場合によつては例え
ば互に一つの帯に連結されるプラグコネクタのよ
うなデバイスの部分めつきに対しても有利に使用
される。電解質流動の増進は、電解質をノズルを
用いて加工品に、吹き付けることによつて得られ
る。この場合ノズルは陽極を形成し、一方帯は陰
極として接続される。連続方式で作動する噴射セ
ル装置においては、電解質が吹き付けられる加工
品の自由端は、溝などの配置によつて絶えず電解
質により濡らされると有利である。めつきすべき
加工品の下端を絶えず濡らすことによつて焼けや
光沢のない層の電着をもたらすおそれのある電解
質におけるイオン欠乏を阻止する。溝の代りに浴
の下に軌条を配置し、この軌条の上に僅かな電解
質の堰き止めを形成し、その中に帯に連結される
加工品の端部が漬かるようにしても好適である。
陽極−陰極の間隔、電解質流動および電流密度
の目的に適つた調整により、光沢があり孔のない
層を容易に得ることができる。浴管理は、PH値と
パラジウム含有量だけを調整して制御すればよい
ので比較的簡単である。
の目的に適つた調整により、光沢があり孔のない
層を容易に得ることができる。浴管理は、PH値と
パラジウム含有量だけを調整して制御すればよい
ので比較的簡単である。
本発明をさらに具体的に説明するために、以下
若干の実施例を記載する。個々の原料の与えられ
る量はそれぞれ１の水溶液に関する。個々の原
料は、リン酸（H3PO4）比重＝1.71、アンモニア
（NH4OH）25％、塩化パラジウム（PdCl2）99.9
％および蒸留水である。
若干の実施例を記載する。個々の原料の与えられ
る量はそれぞれ１の水溶液に関する。個々の原
料は、リン酸（H3PO4）比重＝1.71、アンモニア
（NH4OH）25％、塩化パラジウム（PdCl2）99.9
％および蒸留水である。
電解質流動の規定に対しては、10mmの直径と２
mmの円盤直径をもつ回転円盤電極あるいは２mmの
ノズル直径を持つ噴射セル装置を用いた。これら
の装置は例えば特開昭57−161084号公報に記載さ
れている。すべての例において電流効率は100％
であり、光沢から絹状曇りまでの亀裂のない層を
得る。
mmの円盤直径をもつ回転円盤電極あるいは２mmの
ノズル直径を持つ噴射セル装置を用いた。これら
の装置は例えば特開昭57−161084号公報に記載さ
れている。すべての例において電流効率は100％
であり、光沢から絹状曇りまでの亀裂のない層を
得る。
例 １
600mlの蒸溜水を60ないし65℃に加熱し、20ml
のリン酸、220mlのアンモニアおよび塩化パラジ
ウムとしての30ｇのパラジウムを順次添加する。
その場合PH値はアンモニアあるいはリン酸により
7.3に調整し、浴は蒸溜水を補充して１にする。
のリン酸、220mlのアンモニアおよび塩化パラジ
ウムとしての30ｇのパラジウムを順次添加する。
その場合PH値はアンモニアあるいはリン酸により
7.3に調整し、浴は蒸溜水を補充して１にする。
この浴は、60℃の温度と75A／ｄm2の電流密度
において、回転電極を5000rpmで駆動したときに
光沢があり亀裂のない層を生ずる。
において、回転電極を5000rpmで駆動したときに
光沢があり亀裂のない層を生ずる。
例 ２
600mlの蒸溜水を60ないし65℃に加熱し、20ml
のリン酸、220mlのアンモニアおよび塩化パラジ
ウムとしての30ｇのパラジウムを順次添加する。
その場合PH値はアンモニアあるいはリン酸により
7.3に調整し、浴は蒸溜水を補充して１にする。
のリン酸、220mlのアンモニアおよび塩化パラジ
ウムとしての30ｇのパラジウムを順次添加する。
その場合PH値はアンモニアあるいはリン酸により
7.3に調整し、浴は蒸溜水を補充して１にする。
この浴は、140A／ｄm2の電流密度とノズル当
たり2.8ml／secの電解質量における65℃の温度と
噴流ノズルを介しての電解質流動において光沢が
あり亀裂のない層を生ずる。
たり2.8ml／secの電解質量における65℃の温度と
噴流ノズルを介しての電解質流動において光沢が
あり亀裂のない層を生ずる。
例 ３
600mlの蒸溜水を60ないし65℃に加熱し、20ml
のリン酸、220mlのアンモニアおよび塩化パラジ
ウムとしての30ｇのパラジウムを順次添加する。
その場合PH値はアンモニアあるいはリン酸によつ
て7.3に調整し、浴は蒸溜水を補充して１にす
る。
のリン酸、220mlのアンモニアおよび塩化パラジ
ウムとしての30ｇのパラジウムを順次添加する。
その場合PH値はアンモニアあるいはリン酸によつ
て7.3に調整し、浴は蒸溜水を補充して１にす
る。
この浴は、ノズル当たり1.7ml／secの電解質量
における60A／ｄm2の電流密度と噴流ノズルを介
しての電解質流動において光沢があり亀裂のない
パラジウム層を生ずる。
における60A／ｄm2の電流密度と噴流ノズルを介
しての電解質流動において光沢があり亀裂のない
パラジウム層を生ずる。
例 ４
600mlの蒸溜水を60ないし65℃に加熱し、20ml
のリン酸、220mlのアンモニアおよび塩化パラジ
ウムとしての10ｇのパラジウムを順次添加する。
その場合PH値はアンモニアあるいはリン酸によつ
て7.8に調整し、浴は蒸溜水を補充して１にす
る。
のリン酸、220mlのアンモニアおよび塩化パラジ
ウムとしての10ｇのパラジウムを順次添加する。
その場合PH値はアンモニアあるいはリン酸によつ
て7.8に調整し、浴は蒸溜水を補充して１にす
る。
70℃の温度と40A／ｄm2の電流密度において、
回転円盤電極を10000rpmで駆動すると絹状曇り
から曇りまでの亀裂のない層を生ずる。
回転円盤電極を10000rpmで駆動すると絹状曇り
から曇りまでの亀裂のない層を生ずる。
例 ５
600mlの蒸溜水を60ないし65℃に加熱し、20ml
のリン酸、150mlのアンモニアおよび塩化パラジ
ウムとしての10ｇのパラジウムを順次添加する。
その場合PH値はアンモニアおよびリン酸により
7.3に調整し、浴は蒸溜水を補充して１にする。
のリン酸、150mlのアンモニアおよび塩化パラジ
ウムとしての10ｇのパラジウムを順次添加する。
その場合PH値はアンモニアおよびリン酸により
7.3に調整し、浴は蒸溜水を補充して１にする。
65℃の温度と10A／ｄm2の電流密度において、
回転円盤電極を4000rpmで駆動すると光沢があり
亀裂のないパラジウム層が生ずる。
回転円盤電極を4000rpmで駆動すると光沢があり
亀裂のないパラジウム層が生ずる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ リン酸、アンモニアおよび塩化パラジウムの
形のパラジウムを含み、作業PH値がアンモニアあ
るいはリン酸によつて調整されていることを特徴
とする、光沢があり亀裂のないパラジウム層の急
速析出のための電着用水性浴。 ２ 90℃まで加熱された600mlの蒸留水に、比重
1.71のリン酸を10ないし100ml、リン酸を中和す
るまでの25％のアンモニアおよび塩化パラジウム
の形の５ないし40ｇのパラジウムを順次添加し、
次いで作業PH値をアンモニアあるいはリン酸によ
つて6.5ないし8.5に調整し、浴を蒸留水の補充に
より１にし、作業の前に濾過することを特徴と
する、光沢があり亀裂のないパラジウム層の電着
用水性浴の製法。 ３ 20ないし80℃の範囲の浴温度において、10な
いし180A／ｄm2の範囲の電流密度で、浴と加工
品との間の相対運動により3600ないし10000rpm
の回転速度において規定される電解質流動をもつ
て作業されることを特徴とする、リン酸、アンモ
ニアおよび塩化パラジウムの形のパラジウムを含
み作業PH値がアンモニアあるいはリン酸によつて
調整される電着用水性浴を使用しての光沢があり
亀裂のないパラジウム層の電着方法。 ４ 20ないし80℃の範囲の浴温度において、10な
いし180A／ｄm2の範囲の電流密度で、連続方式
で作動する噴射セル装置において２mmのノズル直
径をもつ各ノズルを通して１ないし15ml／secの
電解質量が流れるときに生ずる電解質流動をもつ
て作業されることを特徴とする、リン酸、アンモ
ニアおよび塩化パラジウムの形のパラジウムを含
み作業PH値がアンモニアあるいはリン酸によつて
調整される電着用水性浴を使用しての光沢があり
亀裂のないパラジウム層の電着方法。 ５ 連続方式で作動する噴射セル装置において電
解質が吹き付けられる加工品の自由端が溝などの
配置によつて絶えず電解質により濡らされること
を特徴とする特許請求の範囲第４項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3148788A DE3148788C2 (de) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | Wäßriges Bad und Verfahren zum galvanischen Abscheiden von glänzenden und rißfreien Palladiumschichten sowie Verfahren zur Herstellung des Bades |
| DE3148788.2 | 1981-12-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107492A JPS58107492A (ja) | 1983-06-27 |
| JPH0341556B2 true JPH0341556B2 (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=6148299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57214552A Granted JPS58107492A (ja) | 1981-12-09 | 1982-12-06 | パラジウム層の電着用水性浴およびその製法、並びに電着方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4451336A (ja) |
| EP (1) | EP0081788B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58107492A (ja) |
| DE (2) | DE3148788C2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4622110A (en) * | 1981-10-06 | 1986-11-11 | Learonal, Inc. | Palladium plating |
| US4545868A (en) * | 1981-10-06 | 1985-10-08 | Learonal, Inc. | Palladium plating |
| DE3443420A1 (de) * | 1984-11-26 | 1986-05-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Galvanisches bad zur schnellabscheidung von palladium-legierungen |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US330149A (en) * | 1885-11-10 | Gaston pilbt and clement cabby | ||
| SU454280A1 (ru) * | 1972-10-17 | 1974-12-25 | Киевский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции | Электролит дл осаждени сплава платина-палладий |
| US3925170A (en) * | 1974-01-23 | 1975-12-09 | American Chem & Refining Co | Method and composition for producing bright palladium electrodepositions |
| US3972787A (en) * | 1974-06-14 | 1976-08-03 | Lea-Ronal, Inc. | Palladium electrolyte baths utilizing quaternized pyridine compounds as brighteners |
| DE2551988A1 (de) * | 1975-11-17 | 1977-05-26 | Schering Ag | Verfahren zur selektiven galvanischen abscheidung von metallen sowie vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| DE2657925A1 (de) * | 1976-12-21 | 1978-06-22 | Siemens Ag | Ammoniakfreies, waessriges bad zur galvanischen abscheidung von palladium bzw. palladiumlegierungen |
| FR2403399A1 (fr) * | 1977-09-19 | 1979-04-13 | Oxy Metal Industries Corp | Bains de revetement electrolytique de palladium brillant |
| GB2028870B (en) * | 1978-07-26 | 1982-11-03 | Effluent Treatment Ltd | Electrolysis method and apparatus for treating solutions |
| NL7812196A (nl) * | 1978-12-15 | 1980-06-17 | Galentan Ag | Inrichting voor het electrolytisch aanbrengen van metalen deklagen. |
| DE2939920C2 (de) * | 1979-10-02 | 1982-09-23 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Verwendung eines Amins in einem Bad zum galvanischen Abscheiden von Palladium |
| US4392921A (en) * | 1980-12-17 | 1983-07-12 | Occidental Chemical Corporation | Composition and process for electroplating white palladium |
| DE3108358C2 (de) * | 1981-03-05 | 1985-08-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum partiellen Galvanisieren von zu elektrisch leitenden Bändern, Streifen oder dgl. zusammengefaßten Teilen im Durchlaufverfahren |
| JPS58126997A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-07-28 | リ−ロ−ナル・インコ−ポレイテツド | パラジウムの電気めっき浴 |
-
1981
- 1981-12-09 DE DE3148788A patent/DE3148788C2/de not_active Expired
-
1982
- 1982-11-19 US US06/443,011 patent/US4451336A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-12-06 EP EP82111270A patent/EP0081788B1/de not_active Expired
- 1982-12-06 DE DE8282111270T patent/DE3277311D1/de not_active Expired
- 1982-12-06 JP JP57214552A patent/JPS58107492A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0081788A1 (de) | 1983-06-22 |
| DE3148788C2 (de) | 1986-08-21 |
| EP0081788B1 (de) | 1987-09-16 |
| DE3148788A1 (de) | 1983-07-21 |
| US4451336A (en) | 1984-05-29 |
| JPS58107492A (ja) | 1983-06-27 |
| DE3277311D1 (en) | 1987-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101502804B1 (ko) | Ｐｄ 및 Ｐｄ-Ｎｉ 전해질 욕조 | |
| US4428802A (en) | Palladium-nickel alloy electroplating and solutions therefor | |
| CN101333671B (zh) | 一种酸性金合金镀液 | |
| KR101198353B1 (ko) | 3가크롬도금액 및 이를 이용한 도금방법 | |
| US3925170A (en) | Method and composition for producing bright palladium electrodepositions | |
| CA2036222C (en) | Plating compositions and processes | |
| JPS5930797B2 (ja) | バナジウム還元剤を用いる３価クロム電解液およびその方法 | |
| US2984604A (en) | Platinum plating composition and process | |
| US9212429B2 (en) | Gold plating solution | |
| CN106591897B (zh) | 一种无氰离子液体镀铜溶液及镀铜工艺 | |
| US3637474A (en) | Electrodeposition of palladium | |
| CN1205360C (zh) | 用于电沉积有光泽的金和金合金镀层的酸性浴液及其所用的光泽剂 | |
| US3544435A (en) | Electrodeposition of palladium | |
| JP2010031300A (ja) | パラジウムおよびパラジウム合金の高速めっき方法 | |
| US3775265A (en) | Method of plating copper on aluminum | |
| JPH0341556B2 (ja) | ||
| CN114934303A (zh) | 一种激光辅助电化学沉积技术制备局域银镀层的方法及装置 | |
| JPS5841357B2 (ja) | エトキシル化／プロポキシル化多価アルコ−ルを使用した酸性亜鉛めっき溶液およびメッキ法 | |
| JPS6229516B2 (ja) | ||
| SE443162B (sv) | Sett att bilda en i huvudsak svart nickelbeleggning pa ett underlag jemte bad herfor | |
| SU1087565A1 (ru) | Раствор дл химического меднени | |
| US4512963A (en) | Palladium compound synthesis procedure | |
| US4990226A (en) | Electroplating wires with nickel at high-speed and a nickel fluoborate bath therefor | |
| US20250305175A1 (en) | Electroplating solutions | |
| GB2086940A (en) | Composition and Process for High Speed Electrodeposition of Silver |