JPH0341903B2 - - Google Patents
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- JPH0341903B2 JPH0341903B2 JP62131143A JP13114387A JPH0341903B2 JP H0341903 B2 JPH0341903 B2 JP H0341903B2 JP 62131143 A JP62131143 A JP 62131143A JP 13114387 A JP13114387 A JP 13114387A JP H0341903 B2 JPH0341903 B2 JP H0341903B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザ、特に複数個の半導体レ
ーザ素子からなり、ビデオ情報やデイジタル情報
の情報処理装置に用いて好適な半導体レーザ光源
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor laser, and particularly to a semiconductor laser light source that is composed of a plurality of semiconductor laser elements and is suitable for use in an information processing device for video information or digital information.
従来、いわゆる光学的ビデオデイスク装置ある
いは光学的情報記録再生装置にはHe−Neレーザ
あるいはArレーザ等のガスレーザが用いられて
いたため装置全体は大きくかつ高価格となつてい
た。この問題を解決するために半導体レーザを光
源として用いる方法が発明されたが、そこでは、
半導体レーザは単にガスレーザを、そのままおき
かえただけの構成となつていた。
Conventionally, so-called optical video disc devices or optical information recording and reproducing devices have used gas lasers such as He--Ne lasers or Ar lasers, making the entire device large and expensive. In order to solve this problem, a method using a semiconductor laser as a light source was invented, but in this method,
The semiconductor laser was simply a replacement of the gas laser.
また、複数個の半導体レーザ素子を光源に用い
た光学的情報処理装置も提案されている(例えば
特開昭51−134516号公報参照)。 Furthermore, an optical information processing device using a plurality of semiconductor laser elements as a light source has also been proposed (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 134516/1983).
ところで、複数個の半導体レーザを光源に用い
ると、通常の半導体レーザは発光端面からの光線
の拡がり角が30°〜40°と大きいために、それぞれ
の半導体レーザの出力光を別々にとり出すために
は、光検出器の受光面積を小さくして、半導体レ
ーザに近づけて配置するか、それとも、ガラスフ
アイバーを半導体レーザの発光端面と光検出器の
間に配置することにより、光を光検出器に有効に
とりこむ等の方法が行なわれるが、いずれも構造
が複雑になり、かつコストが高くなる。
By the way, when multiple semiconductor lasers are used as a light source, since the divergence angle of the light beam from the light emitting end face of a normal semiconductor laser is as large as 30° to 40°, it is necessary to extract the output light of each semiconductor laser separately. To direct light to the photodetector, either reduce the light-receiving area of the photodetector and place it closer to the semiconductor laser, or place a glass fiber between the light-emitting end surface of the semiconductor laser and the photodetector. Although methods such as effective incorporation have been used, the structure becomes complicated and the cost increases in either case.
そこで、本発明は、複数個の半導体レーザを用
いていても1個の光検出器でそれぞれの半導体レ
ーザの出力光を別々にとり出すことができる、簡
素にして低コストの半導体レーザ光源を提供する
ことを目的とする。 Therefore, the present invention provides a simple and low-cost semiconductor laser light source that can separately extract the output light of each semiconductor laser using a single photodetector even when a plurality of semiconductor lasers are used. The purpose is to
本発明の半導体レーザ光源は、それぞれが反対
方向に光を出射する1対の出射面を有する複数個
の半導体レーザと、上記半導体レーザを周波数あ
るいは、位相の異なる信号で駆動するレーザ駆動
手段と、上記半導体レーザの一方の出射面からの
出射光を共通に受けるよう上記半導体レーザに近
接して配置された1個の光検出器と、上記光検出
器からの出力を受け、周波数あるいは位相の相違
により上記半導体レーザからの出射光に対応する
信号をそれぞれ分離して取り出す手段とを具備す
ることを特徴とする。
A semiconductor laser light source of the present invention includes a plurality of semiconductor lasers each having a pair of emission surfaces that emit light in opposite directions, a laser driving means for driving the semiconductor lasers with signals of different frequencies or phases, one photodetector disposed close to the semiconductor laser so as to commonly receive light emitted from one emission surface of the semiconductor laser; The present invention is characterized by comprising means for separating and extracting signals corresponding to the light emitted from the semiconductor laser.
本発明では、それぞれが反対方向に光を出射す
る1対の出射端面を有する複数個の半導体レーザ
のそれぞれの一方の出射面からの出射光をすべて
1つの光検出器で受光し、構造を簡単にする。こ
のとき、いずれの半導体レーザからの出射光によ
る信号かを区別するために、半導体レーザを周波
数あるいは位相の異なる信号で駆動せしめ、光検
出器からの出力を周波数あるいは位相の相違によ
りそれぞれの半導体レーザからの出射光に対応す
る信号を分離して取り出す。
In the present invention, a single photodetector receives all the light emitted from one output surface of a plurality of semiconductor lasers each having a pair of output end surfaces that emit light in opposite directions, thereby simplifying the structure. Make it. At this time, in order to distinguish which semiconductor laser is emitting a signal, the semiconductor laser is driven with signals of different frequencies or phases, and the output from the photodetector is determined by the difference in frequency or phase. The signal corresponding to the emitted light is separated and extracted.
以下、本発明の半導体レーザ光源を光デイスク
装置の光源に用いた実施例によつて詳細に説明す
る。以下の実施例における光デイスク装置では、
半導体レーザの自己カツプリング効果を用いて、
情報及び自動焦点用誤差信号を検出する。半導体
レーザの自己カツプリング効果とは、半導体レー
ザの一方の端面から送出された光を対物レンズ等
のレンズ系でデイスク面(情報記録面)上に集光
し、そのデイスク面からの放射光を再び上記レン
ズ系で上記端面に戻すことによつて、光源である
上記半導体レーザの発振状態を上記反射光の光量
の変化に応じて変化させ、上記半導体レーザの他
の端面から送出される放射線の光量を検出するこ
とにより、上記デイスクからの反射光量の変化を
検出するものであり、例えば文献(「半導体レー
ザによる光メモリ読出し」光・フイルム技術研究
会、資料番号47、テレビジヨン学会、昭和51年3
月17日)に開示されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments in which the semiconductor laser light source of the present invention is used as a light source for an optical disk device will be described in detail. In the optical disk device in the following embodiments,
Using the self-coupling effect of a semiconductor laser,
Detects information and autofocus error signals. The self-coupling effect of a semiconductor laser refers to the fact that the light emitted from one end facet of the semiconductor laser is focused onto the disk surface (information recording surface) using a lens system such as an objective lens, and the emitted light from the disk surface is re-coupled. By returning the radiation to the end surface using the lens system, the oscillation state of the semiconductor laser as a light source is changed according to the change in the amount of reflected light, and the amount of radiation sent out from the other end surface of the semiconductor laser is changed. By detecting this, changes in the amount of light reflected from the disk are detected.
(Monthly 17th).
自動焦点合せは、デイスク面からの反射光の光
量が焦点で最大となり、その前後で漸次減少し、
焦点に対して対称となることを利用する。この自
動焦点用誤差信号を検出する原理を第1図及び第
2図を用いて説明する。第1図において、3つの
半導体レーザ1a,1b及び1cのそれぞれの端
面2a,2b及び3cから送出された光4a,4
b,4cは対物レンズ5によつて、デイスク30
上にスポツト6a,6b,6cとして絞り込まれ
る。半導体レーザは、各々デイスク面に対して距
離が互いに異なつて(例えば10〜500μm程度)、
1a,1b,1cの順にしたがつて遠ざかるよう
に配置されている。しかして、上記スポツト6
a,6b,6cは各々デイスク面に垂直方向にわ
ずかに(例えば10〜500μm程度)位置を異なら
せて結像される。第1図においては、スポツト6
aはデイスク面より下に結像されるため、デイス
ク面上では多少焦点ずれにした大きなスポツトに
なつている。スポツト6aは丁度デイスク面上に
結像されているため、直径1〜2μm程度の微小
スポツトとなる。スポツト6cはデイスク面より
上の点に結像されているため、デイスク面上で
は、やはり焦点ずれした大きなスポツトとなつて
いる。これら3つのスポツトの様子はデイスク面
の位置によつて異なる。ここでデイスク面上での
3つのスポツトの様子を第2図A〜Cを用いて更
に詳細に説明する。図中、スポツト6a,6b,
6cは自動焦点誤差信号検出に用いられ、スポツ
ト6bはビデオおよびデイジタル信号検出に用い
られる。なお、第2A〜Cは、それぞれデイスク
面が基準位置より下にある時、基準位置にある
時、基準位置より上にある時のスポツト径の変化
を示す。第2図Aに示す如く、デイスク面が基準
位置より低くなつた場合はスポツト6aが1番小
さくなり、スポツト6b及ば6cは大きくなる。
第2図Bに示す如く、デイスク面が、基準位置に
ある場合は、スポツト6a及び6cがほぼ同じ大
きさのスポツトとなり、スポツト6bが微小スポ
ツトとなる。第2図Cに示す如く、デイスク面が
基準位置より上に来た場合はスポツト6cが最小
となり、スポツト6b及び6aと大きくなる。以
上の如きデイスク面上のスポツトはデイスクによ
つて反射されてレンズ5を通過後、各々の発光レ
ーザにもどる。この時半導体レーザの発光端面2
a,2b及び2cは、通常1μm×3〜5μmの微
小開口となつているため、デイスク上のスポツト
径に応じて半導体レーザ内へもどる反射光の光量
が変化する。つまり、デイスク面上で微小スポツ
トであれば、それが反射して、半導体レーザ開口
上でも微小スポツトとなるため開口内への反射光
の戻り光量が最も大きくなる。レーザへの戻り光
量が大きくなる程、自己カツプリング効果も大き
くなり、半導体レーザのもう一方の発光端面3
a,3b及び3cからの出力光量がふえることに
なる。つまり、デイスク面が基準電位にある場
合、発光端面3bからの出力光7bが最大にな
り、発光端面3a,3cからの出力光7a及び7
cは同一となる。次に、デイスク面が基準位置に
一致せず、わずかにレンズ側にずれた場合、出力
光7a及び7bは減少し、出力光7cが増加す
る。同様に、デイスク面が基準位置に一致せず、
わずかにレンズ側とは反対にずれた場合、出力光
7b及び7cは減少し、出力光7aは増加する。
したがつて、自動焦点用誤差信号を検出するため
には、上記出力光7a及び7cを光検出器で受光
し、その出力差を検出すればよい。 With automatic focusing, the amount of light reflected from the disk surface reaches its maximum at the focal point, and gradually decreases before and after that point.
Take advantage of the fact that it is symmetrical with respect to the focal point. The principle of detecting this autofocus error signal will be explained using FIGS. 1 and 2. In FIG. 1, lights 4a, 4 emitted from end faces 2a, 2b and 3c of three semiconductor lasers 1a, 1b and 1c, respectively.
b, 4c are the disk 30 by the objective lens 5.
The spots are narrowed down to the top as spots 6a, 6b, and 6c. Each semiconductor laser has a different distance from the disk surface (for example, about 10 to 500 μm).
They are arranged in the order of 1a, 1b, and 1c so as to move away from each other. However, the above spot 6
Images a, 6b, and 6c are formed at slightly different positions (for example, about 10 to 500 μm) in the direction perpendicular to the disk surface. In Figure 1, spot 6
Since point a is imaged below the disk surface, it becomes a large spot that is slightly out of focus on the disk surface. Since the spot 6a is imaged exactly on the disk surface, it becomes a minute spot with a diameter of about 1 to 2 μm. Since the spot 6c is imaged at a point above the disk surface, it is also a large out-of-focus spot on the disk surface. The appearance of these three spots differs depending on the position on the disk surface. Here, the appearance of the three spots on the disk surface will be explained in more detail using FIGS. 2A to 2C. In the figure, spots 6a, 6b,
Spot 6c is used for autofocus error signal detection, and spot 6b is used for video and digital signal detection. Incidentally, numbers 2A to 2C show changes in the spot diameter when the disk surface is below the reference position, when it is at the reference position, and when it is above the reference position, respectively. As shown in FIG. 2A, when the disk surface becomes lower than the reference position, spot 6a becomes the smallest, and spots 6b and 6c become larger.
As shown in FIG. 2B, when the disk surface is at the reference position, spots 6a and 6c are spots of approximately the same size, and spot 6b is a minute spot. As shown in FIG. 2C, when the disk surface is above the reference position, spot 6c becomes the smallest, and spots 6b and 6a become larger. The spots on the disk surface as described above are reflected by the disk, pass through the lens 5, and then return to each light emitting laser. At this time, the light emitting end face 2 of the semiconductor laser
Since a, 2b and 2c are usually minute openings of 1 .mu.m.times.3 to 5 .mu.m, the amount of reflected light returning into the semiconductor laser varies depending on the spot diameter on the disk. In other words, if it is a minute spot on the disk surface, it will be reflected and become a minute spot on the semiconductor laser aperture, so that the amount of reflected light returning into the aperture will be the largest. As the amount of light returned to the laser increases, the self-coupling effect also increases, and the other light emitting end face 3 of the semiconductor laser
The amount of output light from a, 3b and 3c increases. In other words, when the disk surface is at the reference potential, the output light 7b from the light emitting end surface 3b becomes the maximum, and the output light 7a and 7 from the light emitting end surfaces 3a and 3c reach a maximum.
c will be the same. Next, when the disk surface does not match the reference position and shifts slightly toward the lens, the output lights 7a and 7b decrease, and the output light 7c increases. Similarly, if the disk surface does not match the reference position,
When slightly shifted in the opposite direction to the lens side, the output lights 7b and 7c decrease, and the output light 7a increases.
Therefore, in order to detect the autofocus error signal, it is sufficient to receive the output lights 7a and 7c with a photodetector and detect the difference in output.
本発明では第1図に示すように半導体レーザ1
a,1b,1cのデイスク側とは反対の発光端面
3a,3b及び3cからの光7a,7b及び7c
をすべて1つの光検出器10で受光し、構造を簡
単にする。このとき、半導体レーザ1a,1b,
1cのいずれから出た光による信号かを区別する
ために、半導体レーザ1a,1b,1cを周波数
あるいは位相の異なる信号で変調せしめ、光検出
器10の出力から周波数あるいは位相の相違によ
り半導体レーザ1a,1b,1cの出射光による
信号をそれぞれ分離して取り出す。第3図は、本
発明の半導体レーザ光源を用いた光デイスク装置
の1つの実施例である。第1図と重複する部分は
同一の番号を付けている。矢印の方向に回転する
デイスク30に第1図で説明した如く半導体レー
ザ1a,1b及び1cからの光をデイスク30上
に集光し、反射させる。このとき、半導体レーザ
1a,1b,1cはそれぞれ発振器20a,20
b,20cからの信号(それぞれの発振周波数は
fa,fb,fcである)で変調を行なう。例えば、fa
は500KHz程度、fbは80MHz程度、fcは700KHz程
度である。光検出器10からの出力を帯域フイル
タ36,37に通して、半導体レーザ1a,1c
からの光量をそれぞれ分離する。帯域フイルタ3
6,37の中心周波数はそれぞれfa,fcに選ぶ。
帯域フイルタ36,37の出力を差動増幅器34
に入力して、自動焦点用誤差信号33を得る。信
号33をサーボ系の補償回路35に入力して、補
償回路35の出力をボイスコイル(対物レンズ5
を光軸方向に移動する電磁素子)駆動回路38に
入力し、ボイスコイル31を移動することにより
自動的に焦点合せを行わせしめる。一方、光検出
器10からの出力を帯域フイルタ39(中心周波
数をfbとする)に通して、デイスク上に記録され
た情報信号を読み出して、信号処理回路32(図
示せず)に入力する。 In the present invention, as shown in FIG.
Lights 7a, 7b and 7c from light emitting end surfaces 3a, 3b and 3c opposite to the disk side of a, 1b and 1c
are all received by one photodetector 10, simplifying the structure. At this time, the semiconductor lasers 1a, 1b,
1c, the semiconductor lasers 1a, 1b, and 1c are modulated with signals of different frequencies or phases, and from the output of the photodetector 10, the semiconductor lasers 1a, 1b, and 1c are detected depending on the difference in frequency or phase. , 1b, 1c are separated and extracted. FIG. 3 shows one embodiment of an optical disk device using the semiconductor laser light source of the present invention. Parts that overlap with those in FIG. 1 are given the same numbers. The light from the semiconductor lasers 1a, 1b, and 1c is focused on the disk 30 rotating in the direction of the arrow and reflected as explained in FIG. 1. At this time, the semiconductor lasers 1a, 1b, 1c are oscillators 20a, 20, respectively.
Signals from b and 20c (each oscillation frequency is
fa, fb, fc). For example, fa
is about 500KHz, fb is about 80MHz, and fc is about 700KHz. The output from the photodetector 10 is passed through bandpass filters 36 and 37 to output the semiconductor lasers 1a and 1c.
Separate the amount of light from each. band filter 3
The center frequencies of 6 and 37 are selected as fa and fc, respectively.
The outputs of the bandpass filters 36 and 37 are connected to the differential amplifier 34.
to obtain an autofocus error signal 33. The signal 33 is input to the compensation circuit 35 of the servo system, and the output of the compensation circuit 35 is sent to the voice coil (objective lens 5).
is input to the drive circuit 38 (an electromagnetic element that moves in the optical axis direction), and the voice coil 31 is moved to automatically perform focusing. On the other hand, the output from the photodetector 10 is passed through a bandpass filter 39 (with a center frequency of fb) to read out the information signal recorded on the disk and input to a signal processing circuit 32 (not shown).
第4図は他の実施例である。第3図と同じ機能
をもつ素子には同じ番号をつけてある。真中の半
導体レーザ1bには変調を行なわず、情報信号は
高域通過フイルタ40を通して信号処理回路32
に入力する。このとき、fa,fcは高域通過フイル
タのカツトオフ周波数より小さく選ぶ(例えば数
100KHz程度)。 FIG. 4 shows another embodiment. Elements having the same functions as in FIG. 3 are given the same numbers. No modulation is applied to the semiconductor laser 1b in the middle, and the information signal is passed through a high-pass filter 40 to the signal processing circuit 32.
Enter. At this time, fa and fc are selected to be smaller than the cutoff frequency of the high-pass filter (for example, several
(about 100KHz).
第5図はもう一つの実施例である。発振器55
からの信号(発振周波数f0、例えば、600KHz程
度)で半導体レーザ1cを変調し、発振器55か
らの信号を位相可変器53を通した後、位相可変
器53の出力信号で半導体レーザ1aを変調す
る。真中の半導体レーザ1bには変調を行なわな
い。光検出器10からの出力を帯域フイルタ50
(中心周波数f0)と高域通過フイルタ54に入力
する。帯域フイルタ50の出力を掛算器51,5
2に入力して、半導体レーザを変調している信号
と掛算を行ない、半導体レーザを変調している信
号成分に係る信号をとり出す同期検波を行なう。
掛算器51,52の出力を第3図の実施例と同様
な構成の機能素子に入力して焦点ずれを補正す
る。このとき、位相可変素子53の位相シフト量
は好適には90°×整数倍が望ましい。なおデイス
ク30に記録された情報信号はf0より高いカツト
オフ周波数を持つ高域通過フイルタ54によりと
り出され、処理回路32に送られる。本実施例で
は、第3図の実施例に比して、半導体レーザの変
調手段を簡単に構成することができる。 FIG. 5 shows another embodiment. Oscillator 55
After modulating the semiconductor laser 1c with a signal from the oscillator 55 (oscillation frequency f0, for example, about 600 KHz) and passing the signal from the oscillator 55 through the phase variable device 53, the semiconductor laser 1a is modulated with the output signal of the phase variable device 53. . No modulation is performed on the semiconductor laser 1b in the middle. The output from the photodetector 10 is passed through a bandpass filter 50.
(center frequency f0) and input to the high-pass filter 54. The output of the band filter 50 is multiplied by multipliers 51 and 5.
2, multiplication is performed with the signal modulating the semiconductor laser, and synchronous detection is performed to extract a signal related to the signal component modulating the semiconductor laser.
The outputs of the multipliers 51 and 52 are input to a functional element having the same configuration as the embodiment shown in FIG. 3 to correct the focus shift. At this time, the amount of phase shift of the phase variable element 53 is preferably a multiple of 90°×an integral number. Note that the information signal recorded on the disk 30 is extracted by a high-pass filter 54 having a cutoff frequency higher than f0 and sent to the processing circuit 32. In this embodiment, the semiconductor laser modulation means can be configured more easily than in the embodiment shown in FIG.
以上本発明を実施例に従つて説明したが、変調
波形は正弦波に限ることなく、三角波、矩形波で
もよい。また、焦点検出の説明のための光源(半
導体レーザ)の個数が三つの場合を例にとつたが
例えばトラツキングのために別の光源を設け、こ
れを意なる周波数で変調し、少なくとも1つの光
検出器で受光しトラツキング信号を分離すること
もできる。この場合、光源としては半導体レーザ
がアレイ状に並んだ構成が好適である。また、再
生の場合の自動焦点について説明したが、記録の
場合の自動焦点についても本発明は適用できる。
この場合は真中の半導体レーザを所望の情報信号
に応じて変調して記録を行なう。 Although the present invention has been described above according to the embodiments, the modulation waveform is not limited to a sine wave, but may be a triangular wave or a rectangular wave. In order to explain focus detection, we have taken as an example the case where there are three light sources (semiconductor lasers), but for example, another light source is provided for tracking, and this is modulated at a desired frequency to produce at least one light source. It is also possible to receive the light with a detector and separate the tracking signal. In this case, a configuration in which semiconductor lasers are arranged in an array is suitable as the light source. Moreover, although automatic focusing in the case of reproduction has been described, the present invention can also be applied to automatic focusing in the case of recording.
In this case, recording is performed by modulating the semiconductor laser in the middle according to the desired information signal.
以上述べたように、本発明によれば、簡素にし
て、低コストの、複数個の半導体レーザを用いた
情報処理装置用の光源を提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a simple, low-cost light source for an information processing device using a plurality of semiconductor lasers.
第1図は、本発明の半導体レーザ光源を用いた
情報処理装置の光学系の構成を示す図、第2図A
〜第2図Cはデイスク面上でのスポツトの様子を
示す図、第3図〜第5図は本発明の半導体レーザ
光源を用いた光デイスク装置をそれぞれ示す図で
ある。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an optical system of an information processing device using the semiconductor laser light source of the present invention, and FIG.
2C to 2C are diagrams showing the appearance of spots on a disk surface, and FIGS. 3 to 5 are diagrams each showing an optical disc device using the semiconductor laser light source of the present invention.
Claims (1)
射面を有する複数個の半導体レーザと、上記半導
体レーザを周波数あるいは位相の異なる信号で駆
動するレーザ駆動手段と、上記半導体レーザの一
方の出射面からの出射光を共通に受けるよう上記
半導体レーザに近接して配置された1個の光検出
器と、上記光検出器からの出力を受け、周波数あ
るいは位相の相違により上記半導体レーザからの
出射光に対応する信号をそれぞれ分離して取り出
す手段とを具備することを特徴とする半導体レー
ザ光源。 2 第1項に記載の半導体レーザ光源において上
記複数個の半導体レーザが、その出射光の光軸方
向に互いにずらして配置されていることを特徴と
する半導体レーザ光源。[Scope of Claims] 1. A plurality of semiconductor lasers each having a pair of emission surfaces that emit light in opposite directions, laser driving means for driving the semiconductor lasers with signals of different frequencies or phases, and a semiconductor laser that drives the semiconductor lasers with signals having different frequencies or phases. one photodetector disposed close to the semiconductor laser so as to commonly receive light emitted from one emission surface of the laser; 1. A semiconductor laser light source comprising means for separating and extracting signals corresponding to emitted light from the semiconductor laser. 2. The semiconductor laser light source according to item 1, wherein the plurality of semiconductor lasers are arranged offset from each other in the optical axis direction of the emitted light.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62131143A JPS6352343A (en) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Semiconductor laser light source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62131143A JPS6352343A (en) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Semiconductor laser light source |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58097832A Division JPS58218054A (en) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | information processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6352343A JPS6352343A (en) | 1988-03-05 |
| JPH0341903B2 true JPH0341903B2 (en) | 1991-06-25 |
Family
ID=15051006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62131143A Granted JPS6352343A (en) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Semiconductor laser light source |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6352343A (en) |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62131143A patent/JPS6352343A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6352343A (en) | 1988-03-05 |
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