JPH0343214B2 - - Google Patents
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- JPH0343214B2 JPH0343214B2 JP57055323A JP5532382A JPH0343214B2 JP H0343214 B2 JPH0343214 B2 JP H0343214B2 JP 57055323 A JP57055323 A JP 57055323A JP 5532382 A JP5532382 A JP 5532382A JP H0343214 B2 JPH0343214 B2 JP H0343214B2
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Description
本発明は非晶質リチウムタンタレート・リチウ
ムニオベイト薄膜およびその製造方法に関する。
近年、リチウムイオン伝導性固体に関する関心
が高まりつつある。特に、リチウムイオン伝導体
は、リチウム電池の固体電解質として、また、エ
レクトロクロミツクデイスプレーの電解質として
その実用化が進みつつある。前者は、電子機器の
小型化、薄型化に伴い、電池の薄型化への要望が
強まつてきたため、近年急速にその用途が開けつ
つあるものである。後者は、上記固体電解質を用
い、エレクトロクロミツクデイスプレー素子を全
固体化しその素子特性の安定化を図ろうとするも
のである。これら両者に共通に言えることは、イ
オン伝導度が高く、かつ、通常の雰囲気で安定な
固体電解質を開発することである。現状では、固
体電解質のイオン伝導に伴う抵抗が大きいため、
未だ上記デバイスの実用化が達成されていない。
上記デバイスのイオン伝導度を高める方法とし
て、固体電解質を薄膜化し、幾何学的に抵抗を下
げる方法が考えられる。しかし、従来のセラミツ
ク技術では、薄膜10μm以下の薄膜を作成するこ
とは困難である。近年、超急冷法の進歩により、
15μm程度の膜厚のイオン導電性非晶質体が報告
されてきたが、この方法は、数mm角程度のフレー
ク状の薄膜しか得られないという欠点を有する。
このフレーク状の電解質では、上記デバイスを実
現することは非常に困難である。従つて、10μm
以下の膜厚で比較的大面積の薄膜イオン導電材料
およびその形成技術が強く望まれている。ところ
が、従来の製膜技術であるCVD法、スパツタリ
ング法を用いても、イオン伝導度の大きい薄膜は
得られていなかつた。この原因は、酸化物系固体
電解質の合成温度が高いこと、薄膜形成中にアル
カリ金属酸化物が蒸発などによつて失われるた
め、組成制御が困難であることなどである。
本発明の目的は、上記のような従来技術の問題
点を解決した、イオン伝導性の優れたリチウムタ
ンタレート・リチウムニオベイト系非晶質体薄膜
およびその製造方法を提供することにある。
本発明の非晶質リチウムタンタレート・リチウ
ムニオベイト薄膜の特徴とするところは、Li2O、
Ta2O5、Nb2O5の三成分を頂点とする三元系組成
図において、Li2Oが40%以上にして67%以下で
ある領域における点によつて示される組成を有す
るスパツタリングによる薄膜よりなることにあ
り、それが製造方法の特徴とするところは、一般
式(1−x)LiTaO3・xLiNbO3(ただし、xは、
0x1.0、の範囲の値である)なるリチウム
タンタレート・リチウムニオベイト組成物、また
はスパツタリングによつて該リチウムタンタレー
ト・リチウムニオベイト組成物を生成する混合
物、およびスパツタリングによつてLi2Oを生成
するリチウム化合物よりなる混合物をターゲツト
にしてスパツタすることにより、Li2O、Ta2O5、
Nb2O5の三成分を頂点とする三成分系組成図にお
いて、Li2Oが40%以上にして67%以下である領
域における点で示される組成を有する非晶質のリ
チウムタンタレート・リチウムニオベイトの薄膜
を製造するにある。
第1図は、上記のLi2O、Ta2O5、Nb2O5の三成
分を頂点とする三成分系組成図にして、図中AD
がLi2Oが67%であるものの点を連ねた線分、BC
がLi2Oが40%であるものの点を連ねた線分であ
り、ABCDなる四角形で囲まれた範囲以内の点
で示される組成が、本発明のリチウムタンタレー
ト・リチウムニオベイト組成物の範囲である。
なお、上記の本発明における非晶質リチウムタ
ンタレート・リチウムニオベイト薄膜の製造方法
において用いる、スパツタリングによつてLi2O
を生成するリチウム化合物としては、Li2O、
LiOH、Li2CO3を挙げることができる。
上記において、本発明における非晶質リチウム
タンタレート・リチウムニオベイト薄膜の組成
を、Li2O、Ta2O5、Nb2O5の三成分を頂点とする
三成分系組成図において、Li2Oが40%以上にし
て67%以下である領域における点で示される組成
を有するものとしたのは、Li2Oが40%より小で
ある領域における点で示される組成を有するもの
はイオン伝導性に劣るものであり、67%より大で
ある領域における点で示される組成を有するもの
は吸湿性があつて耐湿性の点で実用に適せぬ故で
ある。
以下に本発明を、試験例につき、さらに詳細に
説明する。
試験例 1〜6
試験例1、6は、比較例であり、試験例2、
3、4、5は実施例である。
各試験例に共通に下記の操作を行つた。
Ta2O5、Li2CO3の各原料粉末を、反応後のも
のが一般式LiTaO3で示される組成物となるよう
に、秤量し、混合し、1100℃で3時間反応させ、
上記の組成物を得た。この粉末をそのまま、ある
いは、これを再度焼成した焼結体をスパツタリン
グ用ターゲツトとして用いた。通常のスパツタ法
のように、化学量論組成のターゲツトを用いる
と、Li2Oがスパツタ中に失われ、形成された薄
膜は、ほとんどイオン導電性を示さないものとな
る。
そこで、本試験例においては、Li2Oペレツト
を上記のLiTaO3ターゲツト中に混在させてター
ゲツトとしたものを用いた。
各試験例における、ターゲツト表面のLi2Oと
LiTaO3との占める面積比を下記の表1に示す通
りとした。
The present invention relates to an amorphous lithium tantalate/lithium niobate thin film and a method for producing the same. In recent years, interest in lithium ion conductive solids has been increasing. In particular, lithium ion conductors are being put into practical use as solid electrolytes for lithium batteries and as electrolytes for electrochromic displays. The use of the former is rapidly expanding in recent years, as there has been an increasing demand for thinner batteries as electronic devices become smaller and thinner. The latter method uses the solid electrolyte described above to make an electrochromic display element completely solid, thereby stabilizing the characteristics of the element. What these two methods have in common is the development of solid electrolytes that have high ionic conductivity and are stable in normal atmospheres. Currently, due to the large resistance associated with ionic conduction of solid electrolytes,
The above device has not yet been put into practical use. One possible method for increasing the ionic conductivity of the above device is to reduce the resistance geometrically by making the solid electrolyte thinner. However, with conventional ceramic technology, it is difficult to create a thin film of 10 μm or less. In recent years, due to advances in ultra-quenching methods,
Although ionically conductive amorphous materials with a film thickness of about 15 μm have been reported, this method has the drawback that only a flake-like thin film of about several mm square can be obtained.
It is very difficult to realize the above device using this flaky electrolyte. Therefore, 10μm
There is a strong desire for a thin film ion conductive material with a film thickness below and a relatively large area, and a technology for forming the same. However, even when using conventional film-forming techniques such as CVD and sputtering, thin films with high ionic conductivity have not been obtained. The causes of this are that the synthesis temperature of the oxide-based solid electrolyte is high, and that composition control is difficult because the alkali metal oxide is lost through evaporation or the like during thin film formation. An object of the present invention is to provide a lithium tantalate/lithium niobate-based amorphous thin film with excellent ionic conductivity and a method for producing the same, which solves the problems of the prior art as described above. The characteristics of the amorphous lithium tantalate/lithium niobate thin film of the present invention are that Li 2 O,
In the ternary composition diagram with the three components of Ta 2 O 5 and Nb 2 O 5 as the vertices, sputtering with the composition indicated by the point in the region where Li 2 O is 40% or more and 67% or less It is made of a thin film, and its manufacturing method is characterized by the general formula (1-x) LiTaO 3 xLiNbO 3 (where x is
a lithium tantalate-lithium niobate composition having a value in the range of 0x1.0, or a mixture forming the lithium tantalate-lithium niobate composition by sputtering, and by sputtering Li 2 O. By sputtering a mixture of lithium compounds that produce Li 2 O, Ta 2 O 5 ,
Amorphous lithium tantalate/lithium having the composition indicated by the point in the region where Li 2 O is 40% or more and 67% or less in the ternary composition diagram with the three components of Nb 2 O 5 at the top. To produce a thin film of niobate. Figure 1 is a three-component system composition diagram with the three components Li 2 O, Ta 2 O 5 , and Nb 2 O 5 as the vertices, and AD in the diagram.
is a line segment where Li 2 O is 67%, BC
is a line segment connecting points where Li 2 O is 40%, and the composition indicated by the points within the range surrounded by the rectangle ABCD is the range of the lithium tantalate/lithium niobate composition of the present invention. It is. In addition, Li 2 O is removed by sputtering, which is used in the method for producing an amorphous lithium tantalate/lithium niobate thin film according to the present invention.
Lithium compounds that produce include Li 2 O,
LiOH, Li2CO3 can be mentioned. In the above , the composition of the amorphous lithium tantalate/lithium niobate thin film in the present invention is expressed as Li 2 Those with the composition indicated by the dots in the region where O is 40% or more and 67% or less are those with the composition indicated by the dots in the region where Li 2 O is less than 40%. This is because those having the composition shown by the points in the region greater than 67% are hygroscopic and are not suitable for practical use in terms of moisture resistance. The present invention will be explained in more detail below with reference to test examples. Test Examples 1 to 6 Test Examples 1 and 6 are comparative examples, and Test Examples 2,
3, 4, and 5 are examples. The following operations were performed in common to each test example. The raw material powders of Ta 2 O 5 and Li 2 CO 3 were weighed, mixed, and reacted at 1100° C. for 3 hours so that the resultant product after reaction became a composition represented by the general formula LiTaO 3 .
The above composition was obtained. This powder was used as it was, or a sintered body obtained by firing it again was used as a sputtering target. When a stoichiometric target is used, as in the conventional sputtering method, Li 2 O is lost during sputtering, and the formed thin film exhibits almost no ionic conductivity. Therefore, in this test example, Li 2 O pellets were mixed into the LiTaO 3 target described above and used as a target. In each test example, Li 2 O on the target surface and
The area ratio occupied by LiTaO 3 was set as shown in Table 1 below.
【表】
上記の6種類のターゲツトを用い、スパツタ法
により薄膜形成を行つた。基板温度を上昇を防ぐ
ため、基板を水冷しながら、真空度2×10-2mm
Hg、放電ガス(Ar/O2=60/40)、プレート電
圧2kV、膜形成速度:0.5μm/hのスパツタリン
グ条件で石英ガラス基板上に、膜厚約2μmの薄
膜を形成した。化学分析結果を、第1図の三成分
系組成図上に示す。第1図の三成分系組成図にお
ける点の符号1,〜6は、それぞれ上記の試験例
に対応するものの組成で、従つて表1に示すター
ゲツトの表面のLi2OとLiTaO3の面積の比率を有
するもを用いた場合のものである。なお、これら
の薄膜は、電子線回析およびX線回析の結果、非
晶質であることが確認された。
なお、これらの薄膜のブロツキング電極を用い
て交流法で測定した、常温におけるイオン導電率
は表2に示すようなものであつた。また、同様な
方法で測定したイオン導電率の温度変化を第2図
に示す。第2図において、符号1,′〜6′で示さ
れる線は、それぞれ試験例1、〜6の薄膜に対応
するものである。[Table] Using the above six types of targets, thin films were formed by sputtering. To prevent the substrate temperature from rising, the vacuum level is 2×10 -2 mm while cooling the substrate with water.
A thin film with a thickness of about 2 μm was formed on a quartz glass substrate under sputtering conditions of Hg, discharge gas (Ar/O 2 =60/40), plate voltage of 2 kV, and film formation rate: 0.5 μm/h. The chemical analysis results are shown on the ternary composition diagram in FIG. Points 1 and 6 in the ternary composition diagram of FIG. 1 are the compositions corresponding to the above test examples, respectively, and therefore the area of Li 2 O and LiTaO 3 on the surface of the target shown in Table 1 is This is the case when using something with a ratio. Note that these thin films were confirmed to be amorphous as a result of electron beam diffraction and X-ray diffraction. The ionic conductivities at room temperature measured by the alternating current method using the blocking electrodes of these thin films were as shown in Table 2. Further, FIG. 2 shows the temperature change in ionic conductivity measured by a similar method. In FIG. 2, lines 1, ′ to 6′ correspond to the thin films of Test Examples 1 and 6, respectively.
【表】【table】
【表】
第1図と表2を対照して見れば分かるように、
試験例1の薄膜は、その組成においてLi2Oが本
発明の範囲より小にして、本発明のものではない
ものであり、その導電率は表2から分かるように
極めて小なるものである。一方試験例6の薄膜
は、その組成においてLi2Oが本発明の範囲より
大にして、本発明のものではないものであり、そ
の導電率は良好であるが、耐湿性が悪く、デバイ
ス化に不都合な材料である。
上記試験例1、6以外の、試験例2、〜5の薄
膜は、第1図から分かるように、本発明における
組成を有するものであり、結晶性LiTaO3が絶縁
性であるのに反し、表2および第2図に示すよう
に、非常に良好なイオン導電性を示すものである
ことが分かる。さらに、フレーク状態でしか得ら
れない超急冷法によりなるLiTaO3非晶質体と同
等、あるいはそれ以上のイオン導電性を示すもの
である。
試験例 7〜13
試験例10は比較例であり、試験例7〜9、11〜
13は実施例である。
試験例1〜6の場合と同様な操作により、表3
に示す(1−x)LiTaO3・xLiNbO3組成物、お
よびLi2Oと該組成物との表面積比よりなる混合
物ターゲツトを用いて薄膜形成を行い、試験例1
〜6におけるものと同程度の膜厚の非晶質のもの
を形成した。[Table] As you can see by comparing Figure 1 and Table 2,
The thin film of Test Example 1 has a composition in which Li 2 O is smaller than the range of the present invention and is not of the present invention, and its conductivity is extremely low as seen from Table 2. On the other hand, the thin film of Test Example 6 has a composition in which Li 2 O is larger than the range of the present invention and is not of the present invention, and although its conductivity is good, its moisture resistance is poor and it cannot be used as a device. It is an inconvenient material. As can be seen from FIG. 1, the thin films of Test Examples 2 and 5 other than Test Examples 1 and 6 above have the composition of the present invention, and while crystalline LiTaO 3 is insulating, As shown in Table 2 and FIG. 2, it can be seen that it exhibits very good ionic conductivity. Furthermore, it exhibits ionic conductivity equivalent to or better than LiTaO 3 amorphous material obtained by ultra-quenching method that can only be obtained in flake form. Test Examples 7-13 Test Example 10 is a comparative example, and Test Examples 7-9, 11-
13 is an example. Table 3 was obtained by the same operation as in Test Examples 1 to 6.
A thin film was formed using the (1-x) LiTaO 3 xLiNbO 3 composition shown in (1-x) and a mixture target having a surface area ratio of Li 2 O and the composition.
An amorphous film having a similar thickness to that in Example 6 was formed.
【表】
試験例7〜13のそれぞれにおいて形成された薄
膜の組成は、第1図の三成分系組成図における試
験例番号に対応する数字符号で示されるようなも
のであり、また、試験例1〜6におけると同様な
方法で測定したイオン導電率(室温)は表4に示
すようなものであつた。[Table] The compositions of the thin films formed in each of Test Examples 7 to 13 are as indicated by the numerical symbols corresponding to the test example numbers in the ternary composition diagram in Figure 1. The ionic conductivity (room temperature) measured in the same manner as in Examples 1 to 6 was as shown in Table 4.
【表】
第1図の組成図と表4のイオン導電率の値から
分かるように、本発明の組成を有する試験例7〜
9、および11〜13のものは良好なイオン導電率を
示すのに対し、本発明の組成の範囲外のものであ
る試験例10ものはイオン導電率に劣るものである
ことが示された。
以上の説明から分かるように、本発明による
と、厚さが5μm以下の薄膜においても、イオン
導電率の著しく高い薄膜が得られるものであり、
また、本発明の方法によれば、超急冷法では小さ
い破片状非晶質体しか得られないのに反し、任意
の大きさの高イオン導電性非晶質薄膜が得られる
ものである。なお、実用性の、高いイオン導電性
を示す薄膜となる組成は、本発明の組成範囲であ
る、第1図の三元系組成図における四辺形
ABCDの範囲内の点で示されるものであること
が分かる。
また、バルク材料に比べ、薄膜は厚さが3桁程
小であるため、イオン伝導に伴うデバイスの抵抗
は3桁小となる。これは、固体電解質を各種デバ
イスに適用する場合、著しい効果が期待できるも
ので、各種電子デバイス材料として非常に有望と
考えられる。[Table] As can be seen from the composition diagram in Fig. 1 and the ionic conductivity values in Table 4, Test Examples 7 to 7 with the composition of the present invention
Samples Nos. 9 and 11 to 13 exhibited good ionic conductivity, whereas Test Example 10, which was outside the composition range of the present invention, was shown to have poor ionic conductivity. As can be seen from the above explanation, according to the present invention, a thin film with extremely high ionic conductivity can be obtained even in a thin film with a thickness of 5 μm or less,
Further, according to the method of the present invention, a highly ionic conductive amorphous thin film of any size can be obtained, whereas the ultra-quenching method can only obtain small fragmented amorphous materials. The composition of a thin film that is practical and exhibits high ionic conductivity is within the composition range of the present invention, which is the quadrilateral in the ternary composition diagram in Figure 1.
It can be seen that the points are within the range of ABCD. Furthermore, since the thickness of the thin film is three orders of magnitude smaller than that of the bulk material, the resistance of the device due to ion conduction is three orders of magnitude smaller. This can be expected to have significant effects when the solid electrolyte is applied to various devices, and is considered to be very promising as a material for various electronic devices.
第1図は本発明の高イオン導電性薄膜の組成範
囲を示すLi2O・Ta2O5・Nb2O5三元系組成図であ
る。第2図は本発明の試験例における各種組成の
薄膜のイオン導電率の変化を示すグラフである。
FIG. 1 is a ternary composition diagram of Li 2 O.Ta 2 O 5.Nb 2 O 5 showing the composition range of the highly ionic conductive thin film of the present invention. FIG. 2 is a graph showing changes in ionic conductivity of thin films of various compositions in test examples of the present invention.
Claims (1)
三元系組成図において、Li2Oが40.0%以上にして
67%以下である領域における点で示される組成を
有するスパツタリングによる薄膜よりなることを
特徴とする非晶質リチウムタンタレート・リチウ
ムニオベイト薄膜。 2 一般式(1−x)LiTaO3・xLiNbO3(ただ
し、xは、0x1.0、の範囲の値である)な
るリチウムタンタレート・リチウムニオベイト組
成物、またはスパツタリングによつて該リチウム
タンタレート・リチウムニオベイト組成物を生成
する混合物、およびスパツタリングによつて
Li2Oを生成するリチウム化合物よりなる混合物
をターゲツトにしてスパツタリングすることによ
り、Li2O、Ta2O5、Nb2O5の三成分を頂点とする
三元系組成図において、Li2Oが40%以上にして
67%以下である領域における点で示される組成を
有する非晶質リチウムタンタレート・リチウムニ
オベイトの薄膜を製造することを特徴とする非晶
質リチウムタンタレート・リチウムニオベイト薄
膜の製造方法。[Claims] 1. In a ternary system composition diagram with the three components Li 2 O, Ta 2 O 5 , and Nb 2 O 5 as vertices, Li 2 O is 40.0% or more.
An amorphous lithium tantalate/lithium niobate thin film comprising a sputtered thin film having a composition indicated by a dot in the region of 67% or less. 2 A lithium tantalate/lithium niobate composition having the general formula (1-x) LiTaO 3 xLiNbO 3 (where x is a value in the range of 0x1.0), or the lithium tantalate by sputtering. - By sputtering and a mixture to produce a lithium niobate composition
By sputtering a mixture of lithium compounds that produce Li 2 O as a target , Li 2 O is over 40%
A method for producing an amorphous lithium tantalate/lithium niobate thin film, comprising producing an amorphous lithium tantalate/lithium niobate thin film having a composition indicated by a point in a region of 67% or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5532382A JPS58172234A (en) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | Amorphous lithium tantalate/lithium niobate thin film and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5532382A JPS58172234A (en) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | Amorphous lithium tantalate/lithium niobate thin film and its manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172234A JPS58172234A (en) | 1983-10-11 |
| JPH0343214B2 true JPH0343214B2 (en) | 1991-07-01 |
Family
ID=12995331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5532382A Granted JPS58172234A (en) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | Amorphous lithium tantalate/lithium niobate thin film and its manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58172234A (en) |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS595560B2 (en) * | 1976-04-20 | 1984-02-06 | 日本電気株式会社 | LiNb↓1-xTaxo↓3 single crystal film manufacturing method |
-
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- 1982-04-05 JP JP5532382A patent/JPS58172234A/en active Granted
Also Published As
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| JPS58172234A (en) | 1983-10-11 |
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