JPH0345331B2 - - Google Patents
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- JPH0345331B2 JPH0345331B2 JP56117911A JP11791181A JPH0345331B2 JP H0345331 B2 JPH0345331 B2 JP H0345331B2 JP 56117911 A JP56117911 A JP 56117911A JP 11791181 A JP11791181 A JP 11791181A JP H0345331 B2 JPH0345331 B2 JP H0345331B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/12—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers between a solid phase and a gaseous phase
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/223—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PIN barrier
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
- H10F71/1253—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe comprising at least three elements, e.g. HgCdTe
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/69—Inorganic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/17—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＰ型基板および前記基板と接合部を
形成するＮ型領域を備えてなる、0.8μｍ〜2μｍに
最高の感度をもつ光起電型検知器及びその製法に
関する。
形成するＮ型領域を備えてなる、0.8μｍ〜2μｍに
最高の感度をもつ光起電型検知器及びその製法に
関する。
光起電型検知器では応答時間ができるだけ短い
ことが望ましい。このこのは特にこのような検知
器を光フアイバーにより伝達される光信号を検出
するのに使用する（このタイプのリンクにおける
デイジタル速度は非常に大きい）時に必須であ
る。
ことが望ましい。このこのは特にこのような検知
器を光フアイバーにより伝達される光信号を検出
するのに使用する（このタイプのリンクにおける
デイジタル速度は非常に大きい）時に必須であ
る。
光フアイバーによる伝達の減衰は1.3μｍおよ
び／または1.6μｍの波長で最小であることは既知
であり、従つて検知器はこれらの波長に対して感
度がよく、且つ所要の応答特性を示すものが開発
されなければならない。
び／または1.6μｍの波長で最小であることは既知
であり、従つて検知器はこれらの波長に対して感
度がよく、且つ所要の応答特性を示すものが開発
されなければならない。
この発明は800nｍと2000nｍとの間に最高の感
度をもち、Hg1-xCdxTe（ここにｘは所望のスペ
クトル応答の函数として選ばれ、即ち上記800〜
2000μｍの範囲で最高の感度が得られるように選
ばれる）から造られたＰ型基板と、該基板中に形
成されたＮ型領域とを備える型の光起電型検知器
において、ｘが0.4〜0.9の範囲内の価で、基板中
のＰキヤリアの濃度が1015／cm3以下で、Ｎ型領域
６とＰ型領域１との間に比較的厚い真正領域Ｉが
形成されていることを特徴とする、光起電型検知
器に関する。
度をもち、Hg1-xCdxTe（ここにｘは所望のスペ
クトル応答の函数として選ばれ、即ち上記800〜
2000μｍの範囲で最高の感度が得られるように選
ばれる）から造られたＰ型基板と、該基板中に形
成されたＮ型領域とを備える型の光起電型検知器
において、ｘが0.4〜0.9の範囲内の価で、基板中
のＰキヤリアの濃度が1015／cm3以下で、Ｎ型領域
６とＰ型領域１との間に比較的厚い真正領域Ｉが
形成されていることを特徴とする、光起電型検知
器に関する。
この発明はまた、800nｍと2000nｍとの間に最
高の感度をもち、Hg1-xCdxTe（ここにｘは所望
のスペクトル応答の函数として選ばれる）から造
られたＰ型基板と、該基板中に形成されたＮ型領
域とを備える型の光起電型検知器の製法におい
て、Ｎ型領域と真正領域ＩとがCdTeの層を通し
て水銀を熱拡散させることによつて形成すること
を特徴とする、ｘが0.4〜0.9の範囲内の価で、基
板中のＰキヤリアの濃度が1015／cm3以下で、Ｎ型
領域６とＰ型基板１との間に比較的厚い真正領域
Ｉが形成されてなる、光起電型検知器の製法にも
関する。
高の感度をもち、Hg1-xCdxTe（ここにｘは所望
のスペクトル応答の函数として選ばれる）から造
られたＰ型基板と、該基板中に形成されたＮ型領
域とを備える型の光起電型検知器の製法におい
て、Ｎ型領域と真正領域ＩとがCdTeの層を通し
て水銀を熱拡散させることによつて形成すること
を特徴とする、ｘが0.4〜0.9の範囲内の価で、基
板中のＰキヤリアの濃度が1015／cm3以下で、Ｎ型
領域６とＰ型基板１との間に比較的厚い真正領域
Ｉが形成されてなる、光起電型検知器の製法にも
関する。
基板の純度が非常に高いために、また水銀およ
び／またはカドミウムのギヤツプを含む三元化合
物Hg1-xCdxTeの特殊の構造のために、適当な濃
度のドープ剤の導入によりＰ領域のドープ領域と
Ｎ領域のドープ領域との中間に真正ドープ領域、
すなわちPIN結合が極めて簡単に創製される。こ
のような接合はそのドープ剤濃度が非常に低いた
め、且つその厚さが比較的厚いために容量は非常
に小さく、従つて検知器は非常に短い応答を示
し、高逆バイアス電位により動作する。
び／またはカドミウムのギヤツプを含む三元化合
物Hg1-xCdxTeの特殊の構造のために、適当な濃
度のドープ剤の導入によりＰ領域のドープ領域と
Ｎ領域のドープ領域との中間に真正ドープ領域、
すなわちPIN結合が極めて簡単に創製される。こ
のような接合はそのドープ剤濃度が非常に低いた
め、且つその厚さが比較的厚いために容量は非常
に小さく、従つて検知器は非常に短い応答を示
し、高逆バイアス電位により動作する。
Ｎ領域を形成するために水銀をドープ剤として
使用することが好ましく、水銀の熱拡散はフラン
ス特許第2336804号により教示されるようにプレ
ナートランジスタ−技法によつて行う。
使用することが好ましく、水銀の熱拡散はフラン
ス特許第2336804号により教示されるようにプレ
ナートランジスタ−技法によつて行う。
使用できる他の方法は適当な焼鈍後にインジウ
ム、アルミニウムまたはホウ素の原子のようなＮ
型の電気的活性をもつ原子のイオン注入法であ
る。
ム、アルミニウムまたはホウ素の原子のようなＮ
型の電気的活性をもつ原子のイオン注入法であ
る。
この発明は図を参照して説明する以下の記載か
ら一層容易に理解されよう。
ら一層容易に理解されよう。
さて、第１図〜第７図においてフランス特許第
2336804号に記載の方法による、この発明の光起
電型検知器の製造工程を説明する。
2336804号に記載の方法による、この発明の光起
電型検知器の製造工程を説明する。
ここに記載の例は1.3μｍで最高の感度を示す検
知器で、検知器の基板はHg1-xCdxTe合金（カド
ミウムの割合ｘは約0.7である）により構成され
る。
知器で、検知器の基板はHg1-xCdxTe合金（カド
ミウムの割合ｘは約0.7である）により構成され
る。
この発明による光起電型検知器を製造するには
非常に高純度の、従つて1015／cm3程度のＰキヤリ
アの非常に低濃度のHg1-xCdxTeにより造られる
Ｐ型基板１（第１図参照）から出発する。このよ
うな結晶はHgTeのインゴツトとCdTeのインゴ
ツトとを加熱帯域中を移動させることによつて該
帯域中でテルルのような溶媒が前記２種のインゴ
ツトを溶解することからなる、いわゆるTHM法
（トラベル・ヒータ法）により得られる。この溶
媒帯域を離去すると、高純度Hg1-xCdxTe（ｘは
出発インゴツトの割合の函数である）の単一イン
ゴツトが得られる。このような方法はレビユウ・
デ・フイジーク・アプリケ（Revue de physique
Applique´e）第12巻、２月号（1977年）123頁の
「CdTe・エンド・CdTe：Hgアロイズ・クリス
タル・グロース・ユージング・ストイキオメトリ
ツク・エンド・オフーストイキオメトリツク・ゾ
ーン・パ−シング・テクニ−ク（CdTe and
CdTe：Hg alloys crystal growthusing
stoichiometric and off−stichiometric zone
passing technique）」と題するアール・トルブー
レー（R.Triboulet）の報文に記載されている。
非常に高純度の、従つて1015／cm3程度のＰキヤリ
アの非常に低濃度のHg1-xCdxTeにより造られる
Ｐ型基板１（第１図参照）から出発する。このよ
うな結晶はHgTeのインゴツトとCdTeのインゴ
ツトとを加熱帯域中を移動させることによつて該
帯域中でテルルのような溶媒が前記２種のインゴ
ツトを溶解することからなる、いわゆるTHM法
（トラベル・ヒータ法）により得られる。この溶
媒帯域を離去すると、高純度Hg1-xCdxTe（ｘは
出発インゴツトの割合の函数である）の単一イン
ゴツトが得られる。このような方法はレビユウ・
デ・フイジーク・アプリケ（Revue de physique
Applique´e）第12巻、２月号（1977年）123頁の
「CdTe・エンド・CdTe：Hgアロイズ・クリス
タル・グロース・ユージング・ストイキオメトリ
ツク・エンド・オフーストイキオメトリツク・ゾ
ーン・パ−シング・テクニ−ク（CdTe and
CdTe：Hg alloys crystal growthusing
stoichiometric and off−stichiometric zone
passing technique）」と題するアール・トルブー
レー（R.Triboulet）の報文に記載されている。
基板１上に例えば陰極スパツタリングにより
CdTeの層２が析出される。好ましくはZnS、
SiOまたはSiO2のマスク層３が層２の上に析出さ
れる（第２図）。第２図の素子を次いで200℃〜
400℃の温度で熱処理して、層２を再結晶させ、
層２の組成を基板１との境界面では基板１の組成
に等しい組成でZnS、SiOまたはSiO2の層３との
境界面では純CdTeからなる組成となるように
徐々に変化させる。
CdTeの層２が析出される。好ましくはZnS、
SiOまたはSiO2のマスク層３が層２の上に析出さ
れる（第２図）。第２図の素子を次いで200℃〜
400℃の温度で熱処理して、層２を再結晶させ、
層２の組成を基板１との境界面では基板１の組成
に等しい組成でZnS、SiOまたはSiO2の層３との
境界面では純CdTeからなる組成となるように
徐々に変化させる。
この熱処理の後で層２及び層３に少なくとも１
個の開口１０を造り、基板の表面１ａの一部を裸
出させ（第３図）、次いでCdTeの層４を少なく
とも開口１０に析出させる（第４図）。
個の開口１０を造り、基板の表面１ａの一部を裸
出させ（第３図）、次いでCdTeの層４を少なく
とも開口１０に析出させる（第４図）。
次いで水銀をCdTe層４を通して基板中に拡散
させる（第５図、矢印５）。層４は300℃以上の拡
散温度で水銀に対し透過性である。こうして基板
Ｐの接合部７を形成する約1016原子／cm3のドープ
剤を含むＮ型領域６が得られる。先に説明したよ
うに、この接合部は真正領域Ｉと呼ばれる低濃度
ドープ剤（1013原子／cm3）を含有する比較的厚い
領域からなるPIN接合である。開口８を化学エツ
チングにより層４に造り（第６図）、この開口は
接点９を造るためにAlまたはInのような導電性
金属で満たす（第７図）。得られた光起電型検知
器は第８図に示すスペクトル感度を呈する。感度
スペクトルバンド範囲は0.9〜1.35μｍで、1.3μｍ
で最大である。第８図の曲線はバイアスをかけな
いときの環境温度（300〓）でのスペクトル感度
を示す。
させる（第５図、矢印５）。層４は300℃以上の拡
散温度で水銀に対し透過性である。こうして基板
Ｐの接合部７を形成する約1016原子／cm3のドープ
剤を含むＮ型領域６が得られる。先に説明したよ
うに、この接合部は真正領域Ｉと呼ばれる低濃度
ドープ剤（1013原子／cm3）を含有する比較的厚い
領域からなるPIN接合である。開口８を化学エツ
チングにより層４に造り（第６図）、この開口は
接点９を造るためにAlまたはInのような導電性
金属で満たす（第７図）。得られた光起電型検知
器は第８図に示すスペクトル感度を呈する。感度
スペクトルバンド範囲は0.9〜1.35μｍで、1.3μｍ
で最大である。第８図の曲線はバイアスをかけな
いときの環境温度（300〓）でのスペクトル感度
を示す。
第９図に３・10-4cm2の活性面積をもつ検知器の
IV（電流−電圧）特性の例を示す。
IV（電流−電圧）特性の例を示す。
この発明の検知器の特性は下記の通りである：
降伏電圧（Ｉ＝10μA） ＞70ボルト
飽和電流 ＜1nA
逆電流（Ｖ＝−10ボルト） 10nA
全容量（Ｖ＝−10ボルト） ＜1pF
接合容量（Ｖ＝−10ボルト） ＜0.1pF
抵抗・面積積（Ｖ＝０ボルト） 6.10-4Ωcm2
λ＝1.3μｍでの電流レスポンス ＞0.5A／ｗ
Ｖ＝−10ボルトでの内部利得 ＞５
ここに記載の検知器は−10ボルトに等しい逆バ
イアス電圧に対して常に１ナノ秒以下の応答時間
を示すか、或は500MHz以上の−3dBでの帯域巾
を示す。
イアス電圧に対して常に１ナノ秒以下の応答時間
を示すか、或は500MHz以上の−3dBでの帯域巾
を示す。
１・10-4cm2の感受性表面をもつ検知器について
他の実施例を下記に示す： 動作温度 Ｔ＝300〓 感受性表面積 １・10-4cm2 スペクトル感度範囲 0.9〜1.3μｍ 応答感度（レスポンシビテイ） ≧0.8A／ｗ 抵抗・面積積（Ｖ＝０） ６・104Ωcm2 暗流（Ｖ＝−10V） ≦1nA 降伏電圧 ≧70V 全容量（Ｖ＝−10V） ＜1pF 立上がり時間（Ｖ＝−10V） ＜1nS 帯域巾（Ｖ＝−10ボルト） ＞500MHz ここに記載の検知器は1.3μｍで最大の感度を示
す。ｘが0.4〜0.9の範囲外にあると第８図及び第
９図の曲線の性能は得られない。xを0.4〜0.9に選
定しＰ型キヤリア濃度を1015／cm3以下に選定する
ことによりＮ型領域のＰ型領域（基板）との間に
キヤリア濃度が真正（Ｉ＝約1013／cm3）である中
間層を生成してPIN型の構造を生成する。もし異
なるスペクトル感度、例えば１・6μｍで最高の
感度を得ようとすれば最初に異なる組成の基板を
採用すればよい。Hg1-xCdxTe合金中のカドミウ
ムと水銀との割合の函数としてスペクトル感度が
変わること自体は周知の事柄である。
他の実施例を下記に示す： 動作温度 Ｔ＝300〓 感受性表面積 １・10-4cm2 スペクトル感度範囲 0.9〜1.3μｍ 応答感度（レスポンシビテイ） ≧0.8A／ｗ 抵抗・面積積（Ｖ＝０） ６・104Ωcm2 暗流（Ｖ＝−10V） ≦1nA 降伏電圧 ≧70V 全容量（Ｖ＝−10V） ＜1pF 立上がり時間（Ｖ＝−10V） ＜1nS 帯域巾（Ｖ＝−10ボルト） ＞500MHz ここに記載の検知器は1.3μｍで最大の感度を示
す。ｘが0.4〜0.9の範囲外にあると第８図及び第
９図の曲線の性能は得られない。xを0.4〜0.9に選
定しＰ型キヤリア濃度を1015／cm3以下に選定する
ことによりＮ型領域のＰ型領域（基板）との間に
キヤリア濃度が真正（Ｉ＝約1013／cm3）である中
間層を生成してPIN型の構造を生成する。もし異
なるスペクトル感度、例えば１・6μｍで最高の
感度を得ようとすれば最初に異なる組成の基板を
採用すればよい。Hg1-xCdxTe合金中のカドミウ
ムと水銀との割合の函数としてスペクトル感度が
変わること自体は周知の事柄である。
第１図から第７図はこの発明による光起電型検
知器を製造する工程の種々の段階を説明する、光
起電型検知器の断面図、第８図はこの発明による
光起電型検知器のスペクトル感度を示す図、第９
図はこの発明による光起電型検知器の電圧電流特
性を示す図である。図中： １……高純度Hg1-xCdxTe結晶Ｐ型基板（基
板）、２……CdTe層、３……マスク層、４……
CdTe層、５……水銀拡散方向、６……Ｎ型領
域、７……（基板ＰとＮ型領域との）接合部、８
……開口、９……接点。
知器を製造する工程の種々の段階を説明する、光
起電型検知器の断面図、第８図はこの発明による
光起電型検知器のスペクトル感度を示す図、第９
図はこの発明による光起電型検知器の電圧電流特
性を示す図である。図中： １……高純度Hg1-xCdxTe結晶Ｐ型基板（基
板）、２……CdTe層、３……マスク層、４……
CdTe層、５……水銀拡散方向、６……Ｎ型領
域、７……（基板ＰとＮ型領域との）接合部、８
……開口、９……接点。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 800nｍと2000との間に最高の感度をもち、
Hg1-xCdxTe（ここにｘは所望のスペクトル応答
の函数として選ばれる）から造られたＰ型基板
と、該基板中に形成されたＮ型領域とを備える型
の光起電型検知器において、ｘが0.4〜0.9の範囲
内の価で、基板中のＰキヤリアの濃度が1015／cm3
以下で、Ｎ型領域６とＰ型領域１との間に比較的
厚い真正領域Ｉが形成されていることを特徴とす
る、光起電型検知器。 ２ 800nｍと2000nｍとの間に最高の感度をも
ち、Hg1-xCdxTe（ここにｘは所望のスペクトル
応答の函数として選ばれる）から造られたＰ型基
板と、該基板中に形成されたＮ型領域とを備える
型の光起電型検知器の製法において、Ｎ型領域と
真正領域ＩとがCdTeの層を通して水銀を熱拡散
させることによつて形成されることを特徴とす
る、ｘが0.4〜0.9の範囲内の価で、基板中のＰキ
ヤリアの濃度が1015／cm3以下で、Ｎ型領域６とＰ
型領域１との間に比較的厚い真正領域Ｉが形成さ
れてなる、光起電型検知器の製法。 ３ Ｎ型領域の真正領域Ｉがインジウム、アルミ
ニウムまたはホウ素のイオン注入法により形成さ
れる、特許請求の範囲第２項記載の製法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8016788A FR2488048A1 (fr) | 1980-07-30 | 1980-07-30 | Detecteur photovoltaique sensible dans l'infrarouge proche |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5753633A JPS5753633A (en) | 1982-03-30 |
| JPH0345331B2 true JPH0345331B2 (ja) | 1991-07-10 |
Family
ID=9244702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56117911A Granted JPS5753633A (en) | 1980-07-30 | 1981-07-29 | Photoelectromotive detector sensitive to near infrared region |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0045258B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5753633A (ja) |
| DE (1) | DE3172767D1 (ja) |
| FR (1) | FR2488048A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2501915A1 (fr) * | 1981-03-10 | 1982-09-17 | Telecommunications Sa | Photodetecteur sensible dans l'infra-rouge proche |
| FR2598558B1 (fr) * | 1986-05-07 | 1988-11-10 | Telecommunications Sa | Photodiode a avalanche hgcdte sensible aux rayonnements de longueur d'onde superieure a 2 mm |
| JP2798927B2 (ja) * | 1988-03-28 | 1998-09-17 | 株式会社東芝 | 半導体受光装置及びその製造方法 |
| EP0635892B1 (en) * | 1992-07-21 | 2002-06-26 | Raytheon Company | Bake-stable HgCdTe photodetector and method for fabricating same |
| GB9921639D0 (en) * | 1999-09-15 | 1999-11-17 | Secr Defence Brit | New organotellurium compound and new method for synthesising organotellurium compounds |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2336804A1 (fr) * | 1975-12-23 | 1977-07-22 | Telecommunications Sa | Perfectionnements apportes aux dispositifs semi-conducteurs, notamment aux detecteurs photovoltaiques comprenant un substrat a base d'un alliage cdxhg1-xte, et procede de fabrication d'un tel dispositif perfectionne |
-
1980
- 1980-07-30 FR FR8016788A patent/FR2488048A1/fr active Granted
-
1981
- 1981-07-24 DE DE8181401195T patent/DE3172767D1/de not_active Expired
- 1981-07-24 EP EP81401195A patent/EP0045258B1/fr not_active Expired
- 1981-07-29 JP JP56117911A patent/JPS5753633A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2488048B1 (ja) | 1983-12-23 |
| FR2488048A1 (fr) | 1982-02-05 |
| EP0045258B1 (fr) | 1985-10-30 |
| JPS5753633A (en) | 1982-03-30 |
| DE3172767D1 (en) | 1985-12-05 |
| EP0045258A3 (en) | 1982-02-17 |
| EP0045258A2 (fr) | 1982-02-03 |
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