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JPH0345528B2 - - Google Patents
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JPH0345528B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0345528B2
JPH0345528B2 JP57093722A JP9372282A JPH0345528B2 JP H0345528 B2 JPH0345528 B2 JP H0345528B2 JP 57093722 A JP57093722 A JP 57093722A JP 9372282 A JP9372282 A JP 9372282A JP H0345528 B2 JPH0345528 B2 JP H0345528B2
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JP
Japan
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sample
chamber
mask
wafer
vacuum
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JP57093722A
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Japanese (ja)
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JPS58210619A (en
Inventor
Kazuyoshi Sugihara
Tooru Tojo
Ichiro Mori
Toshiaki Shinozaki
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0345528B2 publication Critical patent/JPH0345528B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/18Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は光電マスクのパターンを試料、例え
ば半導体ウエハに転写する電子ビーム転写装置に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an electron beam transfer apparatus for transferring a pattern of a photoelectric mask onto a sample, such as a semiconductor wafer.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

本発明は、光電マスクのパターンを試料、例え
ば半導体ウエハに転写する電子ビーム転写装置に
関する。
The present invention relates to an electron beam transfer apparatus for transferring a pattern of a photoelectric mask onto a sample, such as a semiconductor wafer.

近時、集積回路の高密度化に伴い、微細パター
ン形成技術の主流をなしてきたホトリソグラフイ
はその限界が指摘され、この限界を打ち破るもの
として電子ビームやX線による新しいリソグラフ
イが急速に進歩している。そして最近、試料に対
して平行に配置した光電マスクに紫外光を照射す
ることによつて放出される光電子を、試料および
マスク間の均一な電界および磁界で試料上に集束
させ、マスク上のパターンを試料上に一括転写す
る電子ビーム転写装置が開発されるに至つてい
る。この装置は、高速転写が可能であるため高い
生産性を有する。マスク構造がホトマスクと類似
しているため従来技術を利用できる。および焦点
深度が深いので段差のある基板上への転写を行い
得る等の実用的利点を有し、サブミクロンの微細
なパターン加工に極めて有望である。なお、この
ような装置の有効性は、例えば文献(R.Ward、
J.Vac.Sci.Technology、1b(b)、Nov/Dec、
1979)に記載されている。
In recent years, with the increasing density of integrated circuits, the limitations of photolithography, which has been the mainstream technology for forming fine patterns, have been pointed out, and new lithography using electron beams and X-rays is rapidly emerging as a way to overcome these limitations. Progress is being made. Recently, photoelectrons emitted by irradiating ultraviolet light onto a photoelectric mask placed parallel to the sample are focused onto the sample using uniform electric and magnetic fields between the sample and the mask, and the pattern on the mask is An electron beam transfer device has been developed that transfers the images onto a sample all at once. This device has high productivity because it is capable of high-speed transfer. Since the mask structure is similar to a photomask, conventional techniques can be used. Since it has a deep depth of focus, it has practical advantages such as being able to transfer onto a substrate with steps, and is extremely promising for processing submicron fine patterns. The effectiveness of such a device has been confirmed, for example, in the literature (R. Ward,
J.Vac.Sci.Technology, 1b(b), Nov/Dec,
(1979).

第1図は上記した電子ビーム転写装置の一例を
示す概略構成図である。図中1は転写室を形成す
る真空容器で、この容器1内は真空ポンプ2によ
り10-6〔Torr〕程度に真空排気されている。真空
容器1の内部には、試料3を保持する試料保持機
構4および光電マスク5を保持するマスク保持機
構6がそれぞれ設けられている。そして、これら
の試料3および光電マスク5は10〔mm〕程度離間
して対向配置されるものとなつている。なお、上
記光電マスク5は第2図にその拡大図を示す如く
紫外光を通過する石英基板5a、この基板5a上
に所望のパターンを形成して設けられた紫外光吸
収部材からなるマスクパターン5b、およびマス
クパターン5bに遮ぎられることなく到達した紫
外光を受けて光電子を放出するCsIからなる光電
面5cで形成されている。また、前記試料3は光
電マスク5に対向する面に感電子線レジスト3a
を塗布したものである。そして、これら試料3お
よび光電マスク5は検出器7によりその相対位置
を検出され、この検出情報により位置合わせされ
るものとなつている。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the above-mentioned electron beam transfer device. In the figure, 1 is a vacuum container forming a transfer chamber, and the inside of this container 1 is evacuated to about 10 -6 [Torr] by a vacuum pump 2. Inside the vacuum container 1, a sample holding mechanism 4 that holds a sample 3 and a mask holding mechanism 6 that holds a photoelectric mask 5 are provided. The sample 3 and the photoelectric mask 5 are arranged facing each other with a distance of about 10 mm. As shown in an enlarged view in FIG. 2, the photoelectric mask 5 includes a quartz substrate 5a that transmits ultraviolet light, and a mask pattern 5b made of an ultraviolet light absorbing member provided in a desired pattern on the substrate 5a. , and a photocathode 5c made of CsI that emits photoelectrons upon receiving ultraviolet light that reaches the mask pattern 5b without being blocked. Further, the sample 3 has an electron beam-sensitive resist 3a on the surface facing the photoelectric mask 5.
It is coated with The relative positions of the sample 3 and the photoelectric mask 5 are detected by a detector 7, and the positions are aligned based on this detection information.

一方、前記真空容器1の外部には光源8が設け
られている。光源8は紫外光を発光するもので、
その紫外光はシヤツタ9が開かれたとき紫外光透
過窓10を介して前記光電マスク5に照射され
る。また、真空容器1の外部にはヘルムホルツ形
コイル11および直流電源12がそれぞれ設けら
れている。そして、上記コイル11により前記試
料3とマスク5との対向方向に沿つて磁界が印加
されると共に、上記電源12により上記方向と同
方向に電界が印加されるものとなつている。な
お、図中13,14,15はそれぞれ定盤、防強
ゴムおよび架台を示している。
On the other hand, a light source 8 is provided outside the vacuum container 1 . The light source 8 emits ultraviolet light,
The ultraviolet light is irradiated onto the photoelectric mask 5 through the ultraviolet light transmitting window 10 when the shutter 9 is opened. Furthermore, a Helmholtz coil 11 and a DC power source 12 are provided outside the vacuum vessel 1, respectively. A magnetic field is applied by the coil 11 along the direction in which the sample 3 and the mask 5 face each other, and an electric field is applied by the power source 12 in the same direction as the above direction. In addition, in the figure, 13, 14, and 15 indicate a surface plate, reinforced rubber, and a pedestal, respectively.

しかして、前記光源8からの紫外光を光電マス
ク5に照射すると、同マスク5からマスクパター
ン5bに応じた光電子が放出され、この光電子が
前記磁界および電界により集束され試料3上に照
射される。これにより、試料3上のレジスト3a
が上記マスクパターン5bに応じて露光されるこ
とになる。かくしてマスクパターン5bを試料3
上に一括転写することができ、前述した利点を奏
するのである。
When the photoelectric mask 5 is irradiated with ultraviolet light from the light source 8, photoelectrons corresponding to the mask pattern 5b are emitted from the mask 5, and these photoelectrons are focused by the magnetic field and electric field and irradiated onto the sample 3. . As a result, the resist 3a on the sample 3
is exposed according to the mask pattern 5b. In this way, mask pattern 5b is transferred to sample 3.
It can be transferred all at once, and has the advantages mentioned above.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

ところが、この種の装置にあつては次のような
問題があつた。すすなわち、パターン転写が完了
すると試料3を交換する必要があるが、この試料
3の交換毎に真空容器1内を大気開放するため、
光電マスク5の水分吸収による劣化が著しい。そ
して、約50枚のパターン転写毎に光電マスク5の
表面にCsI等を熱着する必要があり、生産性の著
しい低下を避けることができなかつた。さらに、
試料3或いは光電マスク5を交換するに際し、前
記試料テーブル2或いはマスクテーブル4を転写
室1内から人為的に取り外す必要があり、このた
めほこりや温度変化等の影響を受け転写精度の低
下を招く問題がある。
However, this type of device has the following problems. That is, when the pattern transfer is completed, it is necessary to replace the sample 3, but each time the sample 3 is replaced, the inside of the vacuum container 1 is opened to the atmosphere.
The photoelectric mask 5 deteriorates significantly due to moisture absorption. Furthermore, it is necessary to thermally adhere CsI or the like to the surface of the photoelectric mask 5 every time approximately 50 patterns are transferred, and a significant decrease in productivity cannot be avoided. moreover,
When replacing the sample 3 or the photoelectric mask 5, it is necessary to manually remove the sample table 2 or the mask table 4 from the transfer chamber 1, which causes a reduction in transfer accuracy due to the effects of dust, temperature changes, etc. There's a problem.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は上記問題点を解除するように案出さ
れたものであり、試料交換毎に試料室内を大気開
放する必要がなく、生産性の大幅な向上を可能と
し、かつほこりや温度変化等による影響を未然に
防止することのできる電子ビーム転写装置を提供
することを目的とする。
This invention was devised to solve the above problems, and it is not necessary to open the sample chamber to the atmosphere every time a sample is exchanged, making it possible to significantly improve productivity, and to prevent dust, temperature changes, etc. It is an object of the present invention to provide an electron beam transfer device that can prevent the influence from occurring.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この発明に係る電子ビーム転写装置は真空容器
の転写室に第1並びに第2の試料予備室が連通し
ており、第1の試料予備室に外部より試料が真空
を保つて供給されまた、パターンが転写された試
料は第2の試料予備室から外部に真空を保持しな
がら取り出される。このために試料の供給並びに
取り出しのために転写室の真空を破ることがな
い。また、試料は第1の試料予備室から転写室へ
第1の搬送機構によつて搬送され、そしてパター
ンが転写された試料は転写室から第2の試料予備
室に第2の搬送機構によつて搬送され、かつ試料
は第1の試料予備室中でオリエンテーシヨン・フ
ラツトの位置合わせがおこなわれる。これらの動
作の幾つかは転写動作と共にほぼ同時におこなわ
れ得るので作業性に優れる。
In the electron beam transfer apparatus according to the present invention, first and second sample preparation chambers communicate with a transfer chamber of a vacuum container, and a sample is supplied from the outside to the first sample preparation chamber while maintaining a vacuum, and a pattern is The sample onto which has been transferred is taken out from the second sample preparation chamber while maintaining a vacuum outside. For this reason, the vacuum in the transfer chamber is not broken for sample supply and removal. Further, the sample is transported from the first sample preparation chamber to the transfer chamber by the first transport mechanism, and the sample with the pattern transferred is transferred from the transfer chamber to the second sample preparation chamber by the second transport mechanism. The sample is then transported and aligned on the orientation flat in the first sample preparation chamber. Some of these operations can be performed almost simultaneously with the transfer operation, resulting in excellent workability.

また本発明では、第1の試料予備室内でオリエ
ンテーシヨン・フラツトの揃えられた試料が該予
備室内の支持台上に静電チヤツクにより支持さ
れ、さらに第1の搬送機構により静電チヤツクさ
れた状態で転写室内の試料台上に搬送される。従
つて、第1の予備室内における待機時及び第1の
搬送機構における搬送時に試料の位置ずれを招く
ことなく、試料台上にオリエンテーシヨン・フラ
ツトを揃えた状態で試料をセツトすることができ
る。これは、転写室内で試料を大きく移動するこ
とのできない転写装置にとつては極めて大きな利
点である。
Further, in the present invention, a sample whose orientation flat is aligned in the first sample preparation chamber is supported by an electrostatic chuck on a support stand in the preparation chamber, and is further electrostatically chucked by the first transport mechanism. The sample is then transported onto the sample stage inside the transfer chamber. Therefore, the sample can be set on the sample stage with the orientation flats aligned without causing the sample to be misaligned during standby in the first preliminary chamber and during transport in the first transport mechanism. . This is an extremely large advantage for a transfer device in which the sample cannot be moved significantly within the transfer chamber.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下にこの発明の一実施例に係る電子ビーム転
写装置を添付図面を参照して説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An electron beam transfer apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

第3図並びに第4図中、符号20は転写室を内
部に有する円筒状の真空容器を示し、一端面に形
成された紫外線透過窓21が上になるように垂直
に設置されている。この真空容器20の周壁の互
いに対向する部位には夫々第1並び第2の突出部
22,23が形成されており、これら突出部内に
は前記転写室と連通し、互いに同一軸上で反対方
向に延出した第1ウエハ予備室22a並びに第2
のウエハ予備室23aが形成されている。これら
予備室と転写室とにより主チヤンバが構成されて
いる。また転写室には真空ポンプ24が接続され
ており、このポンプにより転写室並びに予備室は
10-6Torr程度に排気される。
In FIGS. 3 and 4, reference numeral 20 designates a cylindrical vacuum container having a transfer chamber therein, which is vertically installed so that an ultraviolet transmitting window 21 formed on one end surface faces upward. First and second protrusions 22 and 23 are formed at mutually opposing portions of the peripheral wall of the vacuum container 20, and these protrusions communicate with the transfer chamber and are coaxially arranged in opposite directions. The first wafer preparatory chamber 22a and the second wafer preparatory chamber 22a extend to
A wafer preliminary chamber 23a is formed. The preliminary chamber and the transfer chamber constitute a main chamber. In addition, a vacuum pump 24 is connected to the transfer chamber, and this pump operates the transfer chamber and the preliminary chamber.
It is exhausted to about 10 -6 Torr.

前記転写室内には試料(ウエハ)25をその感
電子線レジスト層側を上にして固定保持する試料
台26と、光電マスク27をマスクパターン側を
下にして固定保持するマスク支持機構28とが設
けられている。これら、試料台26とマスク支持
機構28とはXYZθφ−テーブルにより構成さ
れており、試料25と光電マスク27とを任意の
位置に精度良く位置付けることが可能である。符
号29は試料25の位置を検出する検出機構を示
し、これからの信号に応じて試料25の位置合わ
せがおこなわれる。
Inside the transfer chamber, there are a sample stage 26 for fixedly holding a sample (wafer) 25 with its electron beam sensitive resist layer side facing up, and a mask support mechanism 28 for fixedly holding a photoelectric mask 27 with its mask pattern side facing down. It is provided. These sample stage 26 and mask support mechanism 28 are constituted by an XYZθφ-table, and it is possible to position the sample 25 and photoelectric mask 27 at arbitrary positions with high precision. Reference numeral 29 indicates a detection mechanism for detecting the position of the sample 25, and the position of the sample 25 is adjusted according to a signal from this.

前記第1の突出部22の上壁一部には開口30
が形成されている。この開口30は、突出部22
の上壁外面に下端が当接した第1の移動体31に
より閉塞されている。この第1の移動体31に
は、サブチヤンバ32が前記開口30を介して突
出部22の第1ウエハ予備室22aと連通するよ
うに形成されている。この移動体31の上方に
は、支持体33により支承された空圧もしくは油
圧シリンダ34が設けられており、この空圧もし
くは油圧シリンダ34のピストンの下端が移動体
31に連結されている。かくして、この油圧シリ
ンダ34により移動体33は上下方向に移動され
得、上方に移動された時に、開口30は外部に露
出される。
An opening 30 is formed in a portion of the upper wall of the first protrusion 22.
is formed. This opening 30 is connected to the protrusion 22
It is closed by a first moving body 31 whose lower end is in contact with the outer surface of the upper wall. A subchamber 32 is formed in the first moving body 31 so as to communicate with the first wafer preparatory chamber 22a of the protrusion 22 through the opening 30. A pneumatic or hydraulic cylinder 34 supported by a support 33 is provided above the movable body 31, and the lower end of the piston of the pneumatic or hydraulic cylinder 34 is connected to the movable body 31. Thus, the moving body 33 can be moved in the vertical direction by the hydraulic cylinder 34, and when moved upward, the opening 30 is exposed to the outside.

前記第1の突出部22の下壁一部には前記開口
30と対面するようにして開口が形成されてお
り、この開口には気密を保つて支持台35が下方
より突出されている。この支持台35の下端に突
出されたシヤフト36には駆動機構37が設けら
れている。この駆動機構37はシヤフト36を介
して支持台35を上下方向に移動させるものであ
り、例えばボルトとねじとモータとにより構成さ
れている。前記支持台35の上面は平坦に形成さ
れ、第5図に示すように試料25を吸着可能な静
電チヤツク38を有する。そして支持台35の上
面近くの外周面にはフランジ39が、また、この
フランジ39の上面にはリング状のゴムにより形
成されたメカニカルシール(ウイルソンシール)
40が夫々設けられている。このメカニカルシー
ル40は支持台35が上方に移動された時に、前
記突出部22の上壁内面に前記開口30を囲撓す
るように当接し、フランジ部39で開口30を内
側より閉塞する。即ち、第1ウエハ予備室22a
とサブチヤンバ32との連通はフランジ39によ
り閉塞される。第5図中、符号41は突出部22
の上壁に設けられたO−リングを示し、移動体3
1の下端面と当接して、サブチヤンバ32の外部
からのしや断をより確実にする。このようにして
第1の試料供給機構42が構成されており、この
機構により試料(ウエハ)が第1ウエハ予備室2
2a中に外部より気密を保つて供給される。
An opening is formed in a portion of the lower wall of the first protrusion 22 so as to face the opening 30, and a support base 35 is protruded from below in this opening while maintaining airtightness. A drive mechanism 37 is provided on a shaft 36 that protrudes from the lower end of this support base 35 . This drive mechanism 37 moves the support base 35 in the vertical direction via a shaft 36, and is composed of, for example, bolts, screws, and a motor. The upper surface of the support stand 35 is formed flat and has an electrostatic chuck 38 capable of adsorbing the sample 25, as shown in FIG. A flange 39 is provided on the outer peripheral surface near the top surface of the support base 35, and a mechanical seal (Wilson seal) formed of ring-shaped rubber is provided on the top surface of the flange 39.
40 are provided respectively. When the support base 35 is moved upward, the mechanical seal 40 comes into contact with the inner surface of the upper wall of the protrusion 22 so as to surround the opening 30, and the flange portion 39 closes the opening 30 from the inside. That is, the first wafer preliminary chamber 22a
Communication between the subchamber 32 and the subchamber 32 is closed by a flange 39. In FIG. 5, reference numeral 41 indicates the protrusion 22.
The O-ring provided on the upper wall of the moving body 3 is shown.
1, thereby making the subchamber 32 more securely cut from the outside. In this way, the first sample supply mechanism 42 is configured, and this mechanism supplies the sample (wafer) to the first wafer preliminary chamber 2.
2a from the outside in an airtight manner.

前記第1ウエハ予備室22a中には、外部より
供給された試料を試料台26上に導く搬送機構4
3が設けられている。この搬送機構43は、第6
図に示すように、板状の搬送アーム44を有し、
このアーム44は第1ウエハ予備室22a中にこ
れの側壁に沿つて水平に延出された1対の支持レ
ール45によりこのレール45に沿つて移動可能
に設けられている。また第1の突出部22の突出
端の一側壁には、軸受け46が取着されており、
この軸受け46によつてシヤフト47が回転可能
に、かつ両端が側壁より夫々突出するようにして
支持されている。なお、この軸受け46並びにシ
ヤフト47は第1ウエハ予備室22aが真空を保
てるように設定されている。前記シヤフト47の
第1ウエハ予備室22a中に突出した一端にはプ
ーリ48が固着されており、このプーリ48と真
空容器中に設けられたプーリ(図示せず)との間
には無端ベルト49がかけ渡されている。そし
て、この無端ベルト49には前記アーム44の一
側端が取着されている。また前記シヤフト47の
突出部22外に位置する他端には第1のギヤ50
が固着されている。このギヤ50は、突出部22
の外部に設けられたモータ52の回転軸に固着さ
れた第2のギヤ51に歯合されている。
In the first wafer preparation chamber 22a, there is a transport mechanism 4 for guiding a sample supplied from the outside onto the sample stage 26.
3 is provided. This conveyance mechanism 43
As shown in the figure, it has a plate-shaped transport arm 44,
The arm 44 is movably provided in the first wafer preparatory chamber 22a by a pair of support rails 45 extending horizontally along the side walls of the first wafer preparatory chamber 22a. Further, a bearing 46 is attached to one side wall of the protruding end of the first protruding portion 22.
A shaft 47 is rotatably supported by this bearing 46, with both ends protruding from the side walls. Note that the bearing 46 and shaft 47 are set so that the first wafer preliminary chamber 22a can be maintained in a vacuum. A pulley 48 is fixed to one end of the shaft 47 protruding into the first wafer preparatory chamber 22a, and an endless belt 49 is connected between the pulley 48 and a pulley (not shown) provided in the vacuum container. is being passed over. One end of the arm 44 is attached to the endless belt 49. Further, a first gear 50 is provided at the other end of the shaft 47 located outside the protrusion 22.
is fixed. This gear 50 has a protrusion 22
It is meshed with a second gear 51 fixed to a rotating shaft of a motor 52 provided externally.

かくして、モータ52の駆動によつてアーム4
4はギヤ列並びに無端ベルト49を介して、サブ
チヤンバ32と試料台26との間を往復動され
る。なお、このアーム44がサブチヤンバ32並
びに試料台26に対して所定の位置で停止するよ
うに、リミツトスイツチが設けられており、移動
中のアーム44がこのスイツチを閉じた時にモー
タ52の駆動が停止される。第6図中、符号53
はアーム44に設けられた静電チヤツクを示し、
このチヤツクにより試料53は吸引保持されて、
アーム44により移送される。なお、サブチヤン
バ32には第4図に示すように、このチヤンバを
真空排気する真空ポンプ92が接続されている。
Thus, by driving the motor 52, the arm 4
4 is reciprocated between the subchamber 32 and the sample stage 26 via a gear train and an endless belt 49. A limit switch is provided so that the arm 44 stops at a predetermined position with respect to the subchamber 32 and the sample stage 26, and when the moving arm 44 closes this switch, the drive of the motor 52 is stopped. Ru. In Figure 6, code 53
indicates an electrostatic chuck provided on the arm 44;
The sample 53 is suctioned and held by this chuck.
It is transferred by arm 44. Note that, as shown in FIG. 4, a vacuum pump 92 is connected to the subchamber 32 for evacuating the chamber.

上記第1の供給機構42は試料25を外部から
第1ウエハ予備室22a内に供給し、搬送機構4
3はその試料25を試料台26上に導く機能を有
する。これらと実質的に同じ構成の供給機構42
並びに搬送機構43が第2ウエハ予備室23aに
も設けられている。この搬送機構はパターンが付
された試料を第2ウエハ予備室23aに搬送し、
供給機構はこの搬送された試料を外部に送る機能
を果す。
The first supply mechanism 42 supplies the sample 25 from the outside into the first wafer preliminary chamber 22a, and the transport mechanism 4
3 has the function of guiding the sample 25 onto the sample stage 26. A supply mechanism 42 having substantially the same configuration as these
A transport mechanism 43 is also provided in the second wafer preliminary chamber 23a. This transport mechanism transports the patterned sample to the second wafer preliminary chamber 23a,
The supply mechanism functions to send the transported sample to the outside.

前記第1の突出部の側方には試料であるウエハ
を収容しているインデツクスステーシヨン54
と、このステーシヨン54からウエハを前記支持
台35の静電チヤツク38に導く第2の供給機構
55とが第7図に示すように設けられている。
On the side of the first protrusion is an index station 54 that accommodates a wafer as a sample.
A second supply mechanism 55 for guiding the wafer from the station 54 to the electrostatic chuck 38 of the support table 35 is provided as shown in FIG.

インデツクスステーシヨン54は1ロツト25枚
のウエハを上下方向に所定間隔を有して収納する
ウエハキヤリア56を有し、このキヤリア56は
上下動可能な支持台57に支持柱58を介して支
持されたウエハキヤリア台59上に固定されてい
る。また支持柱58と平行に送りねじ60が回転
可能に設けられており、このねじ60は支持柱5
8に設けられた案内軸受け61に支承され、また
支持台57と螺合されている。そして、この送り
ねじ60にはモータ62の回転軸が連結されてい
る。かくして、このモータ62の駆動により送り
ねじ60は回転されて支持台57、即ちウエハキ
ヤリア56は上下動される。
The index station 54 has a wafer carrier 56 that stores 25 wafers in one lot at predetermined intervals in the vertical direction. The wafer is fixed on a wafer carrier table 59. Further, a feed screw 60 is rotatably provided parallel to the support column 58, and this screw 60 is connected to the support column 58.
It is supported by a guide bearing 61 provided at 8, and is also screwed into a support base 57. A rotating shaft of a motor 62 is connected to the feed screw 60. Thus, the feed screw 60 is rotated by the drive of the motor 62, and the support stand 57, ie, the wafer carrier 56, is moved up and down.

前記第2の供給装置55は、基台63を有し、
これには上下方向に伸縮可能な支持柱64が突設
されている。この支持柱64の上端には回動可能
に回動アーム65が取着され、さらにこの回動ア
ーム65には水平方向に伸縮可能に支持アーム6
6が設けられている。また、基台63中には支持
柱64を上下方向に移動させる駆動機構が、支持
柱64中には回動アーム65を90゜回転させる駆
動機構が、そして回動アーム65には支持アーム
66を伸縮させる駆動機構が夫々設けられてい
る。前記支持アーム66の先端部上面には真空チ
ヤツク67が設けられている。かくして、第7図
に示すように、ウエハキヤリア56に支持アーム
66が対面した状態で、このアーム66はその真
空チヤツク67がキヤリア56内の所定のウエハ
の下側に位置するように伸ばされる。そして、こ
の状態でキヤリア56を下方に移動させ、ウエハ
を真空チヤツク67に吸着させる。この後、支持
アーム66をもとの位置へと移動させ、かつ90゜
回動させる。この回動した時のウエハの位置が、
前記支持台35の静電チヤツク38の所と一致す
るように設定されている。
The second supply device 55 has a base 63,
A supporting column 64 that can be expanded and contracted in the vertical direction is provided protruding from this. A rotating arm 65 is rotatably attached to the upper end of this support column 64, and furthermore, a supporting arm 65 is attached to the rotating arm 65 so as to be extendable and retractable in the horizontal direction.
6 is provided. Further, in the base 63 there is a drive mechanism that moves the support column 64 in the vertical direction, in the support column 64 there is a drive mechanism that rotates the rotation arm 65 by 90 degrees, and in the rotation arm 65 there is a drive mechanism that moves the support column 64 in the vertical direction. A drive mechanism is provided to extend and retract the respective parts. A vacuum chuck 67 is provided on the top surface of the tip of the support arm 66. Thus, as shown in FIG. 7, with support arm 66 facing wafer carrier 56, arm 66 is extended so that its vacuum chuck 67 is positioned below a given wafer within carrier 56. Then, in this state, the carrier 56 is moved downward and the wafer is attracted to the vacuum chuck 67. After this, the support arm 66 is moved back to its original position and rotated through 90 degrees. The position of the wafer when it rotates is
It is set to coincide with the electrostatic chuck 38 of the support base 35.

この実施例の装置ではウエハが支持台35上に
載置され、かつ第1ウエハ予備室22a中にて待
機している時に、このウエハのオリエンテーシヨ
ン・フラツト(オリフラ)を所定の位置に設定す
るための位置決め機構68が第8図に示すように
設けられている。この機構68は第1ウエハ予備
室中に設られ、水平方向に移動可能な4個の駆動
ローラ69,70,71,72を有する。夫々の
ローラには4個のモータ73,74,75,76
の回転軸が直結され、このモータにより回転され
る。第3と第4の駆動ローラ71,72は互いに
近接して設けられ、またこれら駆動ローラ71,
72に対して、第1並びに第2の駆動ローラ6
9,70はほぼ等間隔を有して設けられている。
前記第3と第4の駆動ロール71,72の近くに
は支持台77が設けられており、この支持台77
の延出部下面には第3並びに第4の駆動ローラ7
1,72間に位置し、互いに所定間隔を有するよ
うにして1対の発光素子78が設けられている。
これら発光素子78はウエハ(試料)25の周円
部上方に位置し、また、これら発光素子78と対
応するようにしてウエハ25の周円部下方には1
対の受光素子79が設けられている。これら受光
素子79は、これら両方に発光素子78からの光
が入射した時に、前記4個のモータ73,74,
75,76の駆動を停止するようにスイツチ回路
が接続されている。このような構成の位置決め機
構68においては、ウエハ25が待機位置に持た
らされ、このウエハ25を吸着していた静電チヤ
ツク38の吸着動作が解除されてから次のように
作動される。まず、4個の駆動ローラ69,7
0,71,72が外方より水平方向に移動され、
ウエハ25の外周端面に当接され同時に夫々のモ
ータにより同一方向に回転される。この結果ウエ
ハ25は駆動ローラと逆方向に回転される。ウエ
ハのオリフラが第9図並びに第10図に示すよう
に、所定位置に来た時に、今までウエハの周円部
により遮られていた発光素子78の光は受光素子
79にオリフラの所を介して受光される。この結
果、この受光素子79からの信号によりモータの
駆動、かくして駆動ローラの回転は停止される。
従つてウエハ25はその回転が停止され所定位置
に設定される。この後、静電チヤツク38でウエ
ハ25を吸着すると共に駆動ローラをウエハから
離してもとの位置に待機させる。
In the apparatus of this embodiment, when the wafer is placed on the support stand 35 and is waiting in the first wafer preparation chamber 22a, the orientation flat of the wafer is set at a predetermined position. A positioning mechanism 68 for this purpose is provided as shown in FIG. This mechanism 68 is installed in the first wafer preparatory chamber and has four horizontally movable drive rollers 69, 70, 71, and 72. Each roller has four motors 73, 74, 75, 76.
A rotating shaft is directly connected to the motor, and the motor rotates the motor. The third and fourth drive rollers 71, 72 are provided close to each other, and these drive rollers 71,
72, the first and second drive rollers 6
9 and 70 are provided at approximately equal intervals.
A support stand 77 is provided near the third and fourth drive rolls 71 and 72, and this support stand 77
Third and fourth drive rollers 7 are provided on the lower surface of the extension.
A pair of light emitting elements 78 are provided between the light emitting elements 1 and 72 at a predetermined distance from each other.
These light-emitting elements 78 are located above the circumference of the wafer (sample) 25, and one light-emitting element 78 is located below the circumference of the wafer 25 in correspondence with these light-emitting elements 78.
A pair of light receiving elements 79 is provided. When the light from the light emitting element 78 is incident on both of these light receiving elements 79, the four motors 73, 74,
A switch circuit is connected to stop the driving of 75 and 76. The positioning mechanism 68 having such a structure is operated as follows after the wafer 25 is held at the standby position and the electrostatic chuck 38 that was holding the wafer 25 is released from the holding operation. First, the four drive rollers 69, 7
0, 71, 72 are moved horizontally from the outside,
They are brought into contact with the outer peripheral end surface of the wafer 25 and simultaneously rotated in the same direction by their respective motors. As a result, the wafer 25 is rotated in the opposite direction to the drive roller. As shown in FIGS. 9 and 10, when the orientation flat of the wafer reaches a predetermined position, the light from the light emitting element 78 that has been blocked by the circumference of the wafer passes through the orientation flat to the light receiving element 79. light is received. As a result, the signal from the light receiving element 79 causes the drive of the motor and thus the rotation of the drive roller to be stopped.
Therefore, the rotation of the wafer 25 is stopped and the wafer 25 is set at a predetermined position. Thereafter, the wafer 25 is attracted by the electrostatic chuck 38, and the drive roller is separated from the wafer to stand by at its original position.

前記真空容器20には第4図に示すように、突
出部22,23とはほぼ90゜を有してマスク供給
機構80が接続されている。この供給機構80は
あらかじめ複数枚の光電マスク27を収容してお
き、必要に応じて1枚ごとに真空容器20内のマ
スク保持機構28(第3図)に供給するものであ
り第11図に示すような構成になつている。第1
1図中、符号81はマスク予備室を示し、これは
ゲートバルブ82を介して真空容器20に接続さ
れている。この予備室81中には光学マスク27
を上下方向に互いに所定間隔を有して保持してな
る光電マスクカセツトマガジン83が収容されて
いる。このマガジン83は垂直に設けられた支持
柱84の上端に固着されており、この支持柱84
の下端は予備室81の下壁から下方に延出されて
いる。そしてこの下端はこの支持柱84を上下方
向に移動させる手段、例えば空気シリンダ85の
ピストンに連結されている。また、支持柱84の
途中部は予備室81の下壁に設けられたベローズ
86に取着されており、かくして、予備室81の
真空を保つた状態で、空気もしくは油圧シリンダ
85によりカセツトマガジン83は上下動され得
る。前記予備室81の水平突出部81aには、マ
スク搬送機構87が設けられている。この機構8
7は突出部81a内に水平方向に移動可能に設け
られた搬送アーム88を有する。この搬送アーム
88の側面にはラツクが形成されており、このラ
ツクにはDC−モータ89の回転軸の先端に固着
されたピニオンに歯合されておりモータ89の駆
動によつてアーム88は水平方向に移動され得
る。このモータ89は突出部81aの外部に設け
られており、この回転軸は突出部81aの上壁に
設けられた気密軸受け90を介して突出部81a
中に延出されている。このような供給機構80に
おいて第11図に示す状態からモータ89を駆動
させ、アーム88をその先端がカセツトマガジン
83中に位置するように前方に移動させてから、
空気シリンダ85を駆動してマガジン83を少し
下方に移動させる。この結果マガジン83内の所
定の光電マスク27はアーム88の先端に載置さ
れる。この状態で再びモータ89を駆動させてア
ーム88をさらに前方に移動させ、光電マスク2
7をゲートバルブ82を介して真空容器20内の
マスク支持機構の所へ位置させる。なお、マスク
支持機構から不用の光電マスクを取外す時には、
逆の操作によつて、アーム88によつて支持機構
からカセツトマガジン83へと搬送する。なお、
第11図中、符号91はマスク予備室81を真空
排気するための真空ポンプを示す。
As shown in FIG. 4, a mask supply mechanism 80 is connected to the vacuum container 20 at an angle of about 90 degrees to the protrusions 22 and 23. This supply mechanism 80 stores a plurality of photoelectric masks 27 in advance, and supplies them one by one to the mask holding mechanism 28 (FIG. 3) inside the vacuum container 20 as needed. It is structured as shown. 1st
In FIG. 1, reference numeral 81 indicates a mask preliminary chamber, which is connected to the vacuum chamber 20 via a gate valve 82. In this preliminary chamber 81, there is an optical mask 27.
A photoelectric mask cassette magazine 83 is housed in which the photoelectric mask cassettes are held at a predetermined distance from each other in the vertical direction. This magazine 83 is fixed to the upper end of a vertically provided support column 84.
The lower end of the preliminary chamber 81 extends downward from the lower wall. The lower end is connected to means for moving the support column 84 in the vertical direction, such as a piston of an air cylinder 85. Further, the middle part of the support column 84 is attached to a bellows 86 provided on the lower wall of the preliminary chamber 81, and thus the cassette magazine 83 is moved by an air or hydraulic cylinder 85 while maintaining the vacuum in the preliminary chamber 81. can be moved up and down. A mask transport mechanism 87 is provided in the horizontal protrusion 81 a of the preliminary chamber 81 . This mechanism 8
7 has a transport arm 88 provided within the protrusion 81a so as to be movable in the horizontal direction. A rack is formed on the side surface of this transfer arm 88, and this rack is engaged with a pinion fixed to the tip of the rotating shaft of a DC-motor 89, so that the arm 88 is horizontally moved when the motor 89 is driven. direction. This motor 89 is provided outside the protrusion 81a, and the rotation shaft is connected to the protrusion 81a through an airtight bearing 90 provided on the upper wall of the protrusion 81a.
It is extended inside. In such a supply mechanism 80, from the state shown in FIG. 11, the motor 89 is driven to move the arm 88 forward so that its tip is located in the cassette magazine 83, and then
The air cylinder 85 is driven to move the magazine 83 slightly downward. As a result, a predetermined photoelectric mask 27 in the magazine 83 is placed on the tip of the arm 88. In this state, the motor 89 is driven again to move the arm 88 further forward, and the photoelectric mask 2
7 is located at the mask support mechanism within the vacuum vessel 20 via the gate valve 82. When removing an unnecessary photoelectric mask from the mask support mechanism,
By reversing the operation, the arm 88 transports the cassette from the support mechanism to the cassette magazine 83. In addition,
In FIG. 11, reference numeral 91 indicates a vacuum pump for evacuating the mask preliminary chamber 81.

尚、上記実施例の装置において、従来技術と実
質的に同一で、かつ発明の要旨に係りない箇所は
第1図に示す符号と同一符号を符し、説明を省略
する。
In the apparatus of the above-described embodiment, parts that are substantially the same as those of the prior art and that are not related to the gist of the invention are designated by the same reference numerals as shown in FIG. 1, and explanations thereof will be omitted.

上記構成の電子ビーム転写装置の作動を以下に
説明する。
The operation of the electron beam transfer device having the above configuration will be explained below.

まず光電マスクカセツトマガジン83から所定
の光電マスク27を搬送アーム88により転写室
へと搬送し、そしてこのマスクをマスク支持機構
28に支持させる。一方、ウエハキヤリア56か
ら試料(ウエハ)25を第1ウエハ予備室22a
側に設けられた支持台35の静電チヤツク38上
に吸着させる。この時、この静電チヤツク38は
第5図に示すように上方位置にあらかじめ移動さ
れており、また移動体31は空圧もしくは油圧シ
リンダ34により上方位置に移動されており、か
くして静電チヤツク38は開口30の所で外部に
露呈され、試料25のこの上への載置を可能にし
ている。試料25が静電チヤツク38上に吸着さ
れると、移動体31は第5図に示す下方位置まで
下降され、サブチヤンバ32を気密にする。この
サブチヤンバ32は真空ポンプ92により真空排
気され、続いて、支持台35は下方位置まで、即
ち試料25が第1ウエハ予備室22a中の所定位
置に来るまで移動される。この位置で試料25は
位置決め機構68により位置付けられた後、搬送
機構43により試料台26上に移動され、この上
に吸着される。この時に収束マグネツト11に通
電し試料25と光電マスク27との対向方向に沿
つて磁界を発生させると共に、この磁界と同方向
に電源12により電界を印加する。この試料台2
6上で試料25は検出機構29でその位置が検出
されながら試料台26の移動により、光電マスク
27に対して所定の位置に設定される。このよう
にして、光電マスク27と試料25との位置付け
をした後、シヤツタ9を開いて、光源8から射出
された紫外線を紫外線透過窓21を介して光電マ
スク27に照射させる。この結果、光電マスク2
7からマスクパターンに応じた光電子が放出さ
れ、この光電子が前記磁界および電界により集束
され、試料25上に照射される。これにより、試
料25上のレジストが上記マスクパターンに応じ
て露光され、パターンが試料25上に転写され
る。この転写された試料25は第2ウエハ予備室
23a側に設けられた搬送機構43により第2ウ
エハ予備室23a中に搬送され、ここから供給機
構42を介して外部に導出される。なおこの時の
試料取出し工程は次の試料の供給工程と平行にお
こなわれる。
First, a predetermined photoelectric mask 27 is transported from the photoelectric mask cassette magazine 83 to the transfer chamber by the transport arm 88, and then this mask is supported by the mask support mechanism 28. Meanwhile, the sample (wafer) 25 is transferred from the wafer carrier 56 to the first wafer preliminary chamber 22a.
It is adsorbed onto the electrostatic chuck 38 of the support stand 35 provided on the side. At this time, the electrostatic chuck 38 has already been moved to the upper position as shown in FIG. is exposed to the outside at the opening 30, making it possible to place the sample 25 thereon. When the sample 25 is attracted onto the electrostatic chuck 38, the movable body 31 is lowered to the lower position shown in FIG. 5, making the subchamber 32 airtight. This subchamber 32 is evacuated by the vacuum pump 92, and then the support table 35 is moved to a lower position, that is, until the sample 25 is at a predetermined position in the first wafer preliminary chamber 22a. After the sample 25 is positioned at this position by the positioning mechanism 68, it is moved onto the sample stage 26 by the transport mechanism 43 and adsorbed thereon. At this time, the converging magnet 11 is energized to generate a magnetic field along the direction in which the sample 25 and the photoelectric mask 27 face each other, and an electric field is applied by the power source 12 in the same direction as this magnetic field. This sample stage 2
6, the sample 25 is set at a predetermined position relative to the photoelectric mask 27 by moving the sample stage 26 while its position is detected by the detection mechanism 29. After positioning the photoelectric mask 27 and the sample 25 in this manner, the shutter 9 is opened and the photoelectric mask 27 is irradiated with ultraviolet light emitted from the light source 8 through the ultraviolet transmission window 21. As a result, photoelectric mask 2
Photoelectrons corresponding to the mask pattern are emitted from 7, and the photoelectrons are focused by the magnetic field and electric field and irradiated onto the sample 25. As a result, the resist on the sample 25 is exposed according to the mask pattern, and the pattern is transferred onto the sample 25. The transferred sample 25 is conveyed into the second wafer preliminary chamber 23a by a conveyance mechanism 43 provided on the second wafer preliminary chamber 23a side, and is led out from there via a supply mechanism 42. Note that the sample extraction process at this time is performed in parallel with the next sample supply process.

なお、上記実施例では第1並びに第2の試料予
備室を互いに180゜離間させて転写室に連通させて
いるが、これら予備室は別々に転写室に連通され
ていれば他の相互角度で設けられていても良い。
外部から試料を供給する機構並びに外部に試料を
取出す機構は試料を上下方向に移動させるエレベ
ータ機構に限らず、例えば水平方向に移動させる
ような機構でも良いが、試料予備室の真空を保持
しておこなうことが必要である。
In the above embodiment, the first and second sample preparation chambers are separated from each other by 180 degrees and communicated with the transfer chamber. It may be provided.
The mechanism for supplying the sample from the outside and the mechanism for taking out the sample to the outside are not limited to an elevator mechanism that moves the sample in the vertical direction; for example, a mechanism that moves the sample in the horizontal direction may be used, but it is necessary to maintain the vacuum in the sample preparation chamber. It is necessary to do so.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、この発明に係る電子ビー
ム転写装置においては、転写室の大気開放に起因
する試料の水分吸収等による劣化を未然に防止す
ることができる。また連続した作業が可能でかつ
幾つかの作業は時間を重複させておこなうことが
できるので作業性が良く量産に優れる。
As described above, in the electron beam transfer apparatus according to the present invention, it is possible to prevent the sample from deteriorating due to moisture absorption or the like caused by opening the transfer chamber to the atmosphere. In addition, continuous work is possible, and some work can be done overlapping times, resulting in good work efficiency and excellent mass production.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の電子ビーム転写装置を概略的に
示す図、第2図は光電マスクのパターンをウエハ
に転写する動作を説明するための図、そして第3
図ないし第11図はこの発明の一実施例に係る電
子ビーム転写装置を示し、第3図は全体の断面
図、第4図は全体の平面図、第5図は試料供給機
構を示す断面図、第6図は試料搬送機構を示す平
面図、第7図はサブチヤンバへウエハを供給する
機構とインデツクスステーシヨンとを示す側面
図、第8図は位置決め機構を示す斜視図、第9図
並びに第10図は位置決め機構とウエハのオリフ
ラとの関係を示す平面図並びに側面図、そして第
11図はマスクの供給機構を示す断面図である。 20……真空容器、22a……第1ウエハ予備
室、23a……第2ウエハ予備室、25……試
料、26……試料台、27……光電マスク、28
……マスク支持機構、42……試料供給機構、4
3……搬送機構。
FIG. 1 is a diagram schematically showing a conventional electron beam transfer device, FIG. 2 is a diagram for explaining the operation of transferring a pattern of a photoelectric mask onto a wafer, and FIG.
11 to 11 show an electron beam transfer device according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is an overall sectional view, FIG. 4 is an overall plan view, and FIG. 5 is a sectional view showing a sample supply mechanism. , FIG. 6 is a plan view showing the sample transport mechanism, FIG. 7 is a side view showing the mechanism for supplying wafers to the subchamber and the index station, FIG. 8 is a perspective view showing the positioning mechanism, and FIGS. 10 is a plan view and a side view showing the relationship between the positioning mechanism and the orientation flat of the wafer, and FIG. 11 is a sectional view showing the mask supply mechanism. 20... Vacuum container, 22a... First wafer preliminary chamber, 23a... Second wafer preliminary chamber, 25... Sample, 26... Sample stage, 27... Photoelectric mask, 28
...Mask support mechanism, 42...Sample supply mechanism, 4
3... Conveyance mechanism.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 中に転写室が形成された真空容器と、この転
写室に設けられ試料を固定保持する試料台と、転
写室に設けられ光電マスクを試料に対面するよう
にして保持するマスク支持機構と、これら試料と
マスクとの相対位置決めを果す手段と、これら試
料と光電マスクとの対向方向に沿つて磁界および
電界を印加する手段と、転写室に夫々挿通された
第1並びに第2の試料予備室と、第1試料予備室
に、この予備室の真空を保持しながら、外部から
内部の支持台上に試料を供給する機構と、予備室
内に供給された試料のオリエンテーシヨン・フラ
ツトを所定の方向に揃える機構と、この試料を第
1予備室から試料台に搬送する第1の搬送機構
と、パターンが転写された試料を第2の試料予備
室に搬送する第2の搬送機構と、第2の試料予備
室から、この予備室の真空を保持しながら試料を
外部に取出す機構と、転写室の真空を保持しなが
ら、マスク支持機構と真空容器外部との間の光電
マスクの搬送を果す手段とを具備してなり、 前記第1予備室の支持台は試料載置面に静電チ
ヤツク機構が設けられ、前記オリエンテーシヨ
ン・フラツトの揃えられた試料を静電力により固
定保持するものであり、前記第1の搬送機構は搬
送アームの先端に静電チヤツク機構が設けられ、
試料を静電力により固定した状態で搬送するもの
であることを特徴とする電子ビーム転写装置。
[Scope of Claims] 1. A vacuum container in which a transfer chamber is formed, a sample stage provided in the transfer chamber for fixing and holding a sample, and a photoelectric mask provided in the transfer chamber for holding a photoelectric mask facing the sample. a means for relative positioning of the sample and the mask; a means for applying a magnetic field and an electric field along the direction in which the sample and the photoelectric mask face each other; The second sample preparatory chamber and the first sample preparatory chamber are provided with a mechanism for supplying the sample from the outside onto the internal support stand while maintaining the vacuum in the preparatory chamber, and an orienting mechanism for the sample supplied into the preparatory chamber. a first transport mechanism that transports the sample from the first preparation chamber to the sample stage; and a second transport mechanism that transports the sample with the pattern transferred to the second sample preparation chamber. a mechanism for extracting the sample from the second sample preparatory chamber to the outside while maintaining the vacuum in the preparatory chamber, and a mechanism for removing the sample from the second sample preparatory chamber to the outside while maintaining the vacuum in the transfer chamber; The support stand of the first preliminary chamber is provided with an electrostatic chuck mechanism on the sample mounting surface, and the sample aligned on the orientation flat is moved by an electrostatic force. The first transport mechanism is provided with an electrostatic chuck mechanism at the tip of the transport arm,
An electron beam transfer device characterized by transporting a sample while being fixed by electrostatic force.
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