JPH0346814B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0346814B2 JPH0346814B2 JP62205787A JP20578787A JPH0346814B2 JP H0346814 B2 JPH0346814 B2 JP H0346814B2 JP 62205787 A JP62205787 A JP 62205787A JP 20578787 A JP20578787 A JP 20578787A JP H0346814 B2 JPH0346814 B2 JP H0346814B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive compound
- positive photoresist
- peak
- solvent
- pac
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は輻射線に感応するポジ型フオトレジス
ト組成物の製造方法に関するものである。 〔従来の技術およびその問題点〕 微細パターンの形成は、例えば、ポジ型フオト
レジスト組成物をウエハー上にスピンコート法、
デイツプコート法、スプレーコート法等の塗布方
法により塗布し、溶剤を揮散させて、ウエハー上
に感光層を形成し、マスクパターンを介して、輻
射線を照射し、現像液で照射部を選択的に除去す
ることにより行われている。 従来使用されていたポジ型フオトレジスト組成
物は、トリヒドロキシペンゾフエノンとナフトキ
ノンジアジドスルホニルクロリドより合成した３
官能のキノンジアジド系感光性化合物、フエノー
ル誘導体とアルデヒド誘導体とを縮合して得られ
るノボラツク樹脂であるアルカリ可溶性塗膜形成
材料、あるいはポリビニルアルコール、スチレン
とアクリル酸との共重合体、メタクリル酸とメタ
クリル酸アルキルエステルとの共重合体等のアル
カリ可溶性塗膜形成材料、およびエチルセロソル
ブアセテート等の溶剤より成るが、これら従来の
ポジ型フオトレジスト組成物は、溶剤への感光性
化合物の溶解性が不十分で良好な塗膜が得られな
かつたり、あるいは、一度溶解しても、長期間保
存した場合、感光性化合物が析出してしまい、微
細パターンの形成に障害があつた。 近年、高解像等従来のものより高性能のポジ型
フオトレジスト組成物として、テトラヒドロキシ
ベンゾフエノンとナフトキノンジアジドスルホニ
ルクロリドより合成した４官能のキノンジアジド
系感光性化合物を含有するポジ型フオトレジスト
組成物が提案されているが（特開昭61−118744号
公報、特開昭61−185741号公報）、このポジ型フ
オトレジスト組成物も、上記従来から知られてい
る３官能のキノンジアジド系感光性化合物を含有
するポジ型フオトレジスト組成物と同等以上に保
存安全性に問題が有ることが判明し、これの解決
が強く望まれていた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは、高性能で塗付性が良好なポジ型
フオトレジスト組成物を得るべく鋭意研究を重ね
た結果、４官能のキノンジアジド系感光性化合物
を含有するポジ型フオトレジスト組成物中の特定
の不純物を、特定量以下にコントロールすること
によつて保存安定性を格段に向上させ得ることを
知得して本発明を完成した。 すなわち本発明は工業的価値が高いポジ型フオ
トレジスト組成物の製造方法を提供することを目
的とするものであり、その要旨は、テトラヒドロ
キシベンゾフエノンとナフトキノンジアジドスル
ホニルクロリドより合成したキノンジアジド系感
光性化合物を用いてポジ型フオトレジストを製造
するに当たり、(a)該感光性化合物、または、該感
光性化合物、ノボラツク樹脂および溶剤を含有す
る組成物を 分析条件； カラム：オクタデシルシランを化学結合させた全
多孔性シリカゲル 溶離液：アセトニトリル／水／酢酸（容量比55／
43／２） 検出：紫外吸光度分析（波長254nｍ） の液体クロマトグラフイーにより分析し、(b)その
クロマトグラムにおいて、テトラヒドロキシベン
ゾフエノンの４個の水酸基の全てがナフトキノン
ジアジドスルホニルクロリドと反応して得られる
スルホン酸エステルのピークの保持時間に対し
0.75−0.9倍の保持時間を有するピークの面積が、
該感光性化合物に基因する全ピークの合計面積の
３％以下である感光性化合物または、これを含有
する組成物を選択することを特徴とするポジ型フ
オトレジストの製造方法に存する。 本発明に用いるテトラヒドロキシベンゾフエノ
ンとナフトキノンジアジドスルホニルクロリドよ
り合成した４官能のキノンジアジド系感光性化合
物（以下PAC−４と略称する）としては、２，
３，４，4′−テトラヒドロキシベンゾフエノン
と、１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−
スルホニルクロリドまたは１，２−ナフトキノン
−２−ジアジド−４−スルホニルクロリドより合
成したキノンジアジド化合物が代表的なものであ
る。 これらPAC−４は、上記原料をジオキサンの
ような溶媒に溶解し、炭酸ナトリウムなどの炭酸
アルカリ、トリエチルアミンなどのアミン類等を
脱酸剤として用いて反応させるなどの方法で製造
することができる。 得られるPAC−４は、テトラヒドロキシベン
ゾフエノンの４個の水酸基のすべてが置換されて
スルホン酸エステルとなつているキノンジアジド
化合物（以下４置換体と略称する）、置換された
水酸基が４個未満のキノンジアジド化合物および
微量の副生物を含む混合物であるが、本発明で用
いるPAC−４は、４置換体を少なくとも10重量
％含有するものであることが望ましい。 このPAC−４は液体クロマトグラフ分析する
と、４置換体のピークの他に数多くのピークがみ
られる。 第１図は、本発明のPAC−４の一種の液体ク
ロマトグラフの一例を示す線図である。液体クロ
マトグラフ分析の条件は、以下のとおりである。 カラム：オクタデシルシランを化学結合させた全
多孔性シリカゲル（西独、エム・マゲル社製、
NUCLEOSIL・ODS）7μｍ、300mmＬ 溶離液：アセトニトリル／水／酢酸＝55／43／２
（容量比）の混合液 溶離液流量：１ml／分 検出：紫外吸光度分析（波長254nｍ）で検出し
た。 第１図において、１は４置換体を示すピーク、
２は２個の水酸基が置換されてスルホン酸エステ
ルとなつているキノンジアジド化合物を示すピー
ク、３は有害副生物を示すピーク群であり、４置
換体のピークの保持時間に対して0.75〜0.9倍の
保持時間に相当するピーク群である。 本発明においては、上記有害副生物の量が少な
い感光性化合物を選択することが肝要であり、そ
のピーク面積が、４置換体を示すピークが出終わ
つた点までの全ピークの合計面積の３％以下、好
ましくは２％以下、より好ましくは1.5％以下で
あることがのぞましい。３％をこえ例えば５％も
存在すると、溶媒、及び／又は溶媒とレジスト組
成物として共存するアルカリ可溶性塗膜形成材料
との混合物には一旦完溶するが、１日〜３ケ月後
に感光性化合物が析出するようになる。５％より
多く存在する場合には上記のものに対し完溶しな
い。また、有害副生物の量の下限については特に
制限はないが、注意深く製造しても通常0.2〜0.8
％の混入は避けがたい。 この有害副生物の構造や成因等については、充
分明らかではないが、液体クロマトグラフで分取
した成分をゲル・パーミエーシヨン・クロマトグ
ラフにて分子量を測定したところ、分子量700か
ら1200の化合物群であつた。また、その成因につ
いては感光性化合物の製造、レジスト組成物の調
製の各段階でのPH、混合状態、温度等が複合的に
影響を与えているものと推測される。 一般的には、前述した如く原料溶液に脱酸剤に
脱酸剤（塩基性物質）を添加して反応を行うが、
この際、混合状態が不十分であると、局部的にPH
が塩基性に偏るとか、反応熱が蓄積する、あるい
はその両方が起こる等により、局部的に異常反応
が進行し有害副生物生成の一因となつているもの
と推測される。 また、PAC−４の製造以降、レジスト組成物
の調製までの各段階での条件が、局部的に全体的
な条件からずれることにより有害副生物の生成の
可能性が考えられ局部的な異常反応に注意する必
要がある。 さらに、各工程の温度及び時間も異常反応に影
響をあたえているものと考えられ、一般的に処理
時間は長くなつても低温で処理を行うのがよい。 この有害副生物の液体クロマトグラフ分析は、
前記反応によつて製造したPAC−４の状態のみ
ならず、塗膜形成材料がノボラツク樹脂の場合
は、レジスト組成物のままで妨害をうけることな
く分析をすることができる。また、メタノールの
ようなPAC−４が難溶で塗膜形成材料を溶解す
る溶媒を用いて、塗膜形成材料とPAC−４を分
別して分析を行うこともできる。 本発明で用いる塗膜形成材料としては、フエノ
ール誘導体とアルデヒド誘導体とを縮合して得ら
れるノボラツク樹脂、ポリビニルアルコール、ス
チレンとアクリル酸との共重合体、メタクリル酸
アルキルエステルとの共重合体等のアルカリ可溶
性塗膜形成材料が挙げられる。なかでも、ノボラ
ツク樹脂の使用はポジ型フオトレジストとしての
性能が良好であり好ましい。 また、溶剤としては、メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソ
ルブアセテート、エチルセロソルブアセテートの
ようなセロソルブ系溶媒、ブチルアセテート、ア
ミルアセテートのようなエステル系溶媒またはジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドのよ
うな高極性溶媒、あるいはこれらの混合系溶媒、
あるいはさらに芳香族炭化水素を添加したものな
どが挙げられる。 本発明のポジ型フオトレジスト組成物における
成分の組成比は、 PAC−４ １〜20重量％ 塗膜形成材料 ２〜40重量％ 溶 剤 50〜95重量％ 好ましくは、 PAC−４ ３〜15重量％ 塗膜形成材料 ６〜40重量％ 溶 剤 50〜80重量％ である。これらの数値はポジ型フオトレジスト組
成物を塗布するうえで支障がない限り厳密なもの
ではない。ポジ型フオトレジスト組成物の性能か
らいうとPAC−４が多い方が好ましいが、PAC
−４を多く使用すると有害副生物の混入が多くな
りやすいので、有害副生物のコントロールにはよ
り注意が必要である。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例によつて具体的に説明す
るが、本発明はその要旨をこえない限り以下の実
施例に限定されるものではない。 合成例 １〜３ ２，３，４，4′−テトラヒドロキシベンゾフエ
ノン24.6ｇ（0.1モル）と１，２−ナフトキノン
−２−ジアジド−５−スルホニルクロリド83.3ｇ
（0.31モル）を、ジオキサン300mlのＮ−メチルピ
ロリドン80mlの混合溶媒に溶解し、下記第１表に
示す温度および撹拌条件下トリエチルアミン32ｇ
を添加して反応を行つた。 副生したトリエチルアミンの塩酸塩を濾別した
のち、反応液を２の水にて希釈し析出した
PAC−４を濾取し下記第１表に示す条件で真空
乾燥した。 得られたPAC−４中の有害副生物の量は下記
第１表に示すとおりであつた。
ト組成物の製造方法に関するものである。 〔従来の技術およびその問題点〕 微細パターンの形成は、例えば、ポジ型フオト
レジスト組成物をウエハー上にスピンコート法、
デイツプコート法、スプレーコート法等の塗布方
法により塗布し、溶剤を揮散させて、ウエハー上
に感光層を形成し、マスクパターンを介して、輻
射線を照射し、現像液で照射部を選択的に除去す
ることにより行われている。 従来使用されていたポジ型フオトレジスト組成
物は、トリヒドロキシペンゾフエノンとナフトキ
ノンジアジドスルホニルクロリドより合成した３
官能のキノンジアジド系感光性化合物、フエノー
ル誘導体とアルデヒド誘導体とを縮合して得られ
るノボラツク樹脂であるアルカリ可溶性塗膜形成
材料、あるいはポリビニルアルコール、スチレン
とアクリル酸との共重合体、メタクリル酸とメタ
クリル酸アルキルエステルとの共重合体等のアル
カリ可溶性塗膜形成材料、およびエチルセロソル
ブアセテート等の溶剤より成るが、これら従来の
ポジ型フオトレジスト組成物は、溶剤への感光性
化合物の溶解性が不十分で良好な塗膜が得られな
かつたり、あるいは、一度溶解しても、長期間保
存した場合、感光性化合物が析出してしまい、微
細パターンの形成に障害があつた。 近年、高解像等従来のものより高性能のポジ型
フオトレジスト組成物として、テトラヒドロキシ
ベンゾフエノンとナフトキノンジアジドスルホニ
ルクロリドより合成した４官能のキノンジアジド
系感光性化合物を含有するポジ型フオトレジスト
組成物が提案されているが（特開昭61−118744号
公報、特開昭61−185741号公報）、このポジ型フ
オトレジスト組成物も、上記従来から知られてい
る３官能のキノンジアジド系感光性化合物を含有
するポジ型フオトレジスト組成物と同等以上に保
存安全性に問題が有ることが判明し、これの解決
が強く望まれていた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは、高性能で塗付性が良好なポジ型
フオトレジスト組成物を得るべく鋭意研究を重ね
た結果、４官能のキノンジアジド系感光性化合物
を含有するポジ型フオトレジスト組成物中の特定
の不純物を、特定量以下にコントロールすること
によつて保存安定性を格段に向上させ得ることを
知得して本発明を完成した。 すなわち本発明は工業的価値が高いポジ型フオ
トレジスト組成物の製造方法を提供することを目
的とするものであり、その要旨は、テトラヒドロ
キシベンゾフエノンとナフトキノンジアジドスル
ホニルクロリドより合成したキノンジアジド系感
光性化合物を用いてポジ型フオトレジストを製造
するに当たり、(a)該感光性化合物、または、該感
光性化合物、ノボラツク樹脂および溶剤を含有す
る組成物を 分析条件； カラム：オクタデシルシランを化学結合させた全
多孔性シリカゲル 溶離液：アセトニトリル／水／酢酸（容量比55／
43／２） 検出：紫外吸光度分析（波長254nｍ） の液体クロマトグラフイーにより分析し、(b)その
クロマトグラムにおいて、テトラヒドロキシベン
ゾフエノンの４個の水酸基の全てがナフトキノン
ジアジドスルホニルクロリドと反応して得られる
スルホン酸エステルのピークの保持時間に対し
0.75−0.9倍の保持時間を有するピークの面積が、
該感光性化合物に基因する全ピークの合計面積の
３％以下である感光性化合物または、これを含有
する組成物を選択することを特徴とするポジ型フ
オトレジストの製造方法に存する。 本発明に用いるテトラヒドロキシベンゾフエノ
ンとナフトキノンジアジドスルホニルクロリドよ
り合成した４官能のキノンジアジド系感光性化合
物（以下PAC−４と略称する）としては、２，
３，４，4′−テトラヒドロキシベンゾフエノン
と、１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−
スルホニルクロリドまたは１，２−ナフトキノン
−２−ジアジド−４−スルホニルクロリドより合
成したキノンジアジド化合物が代表的なものであ
る。 これらPAC−４は、上記原料をジオキサンの
ような溶媒に溶解し、炭酸ナトリウムなどの炭酸
アルカリ、トリエチルアミンなどのアミン類等を
脱酸剤として用いて反応させるなどの方法で製造
することができる。 得られるPAC−４は、テトラヒドロキシベン
ゾフエノンの４個の水酸基のすべてが置換されて
スルホン酸エステルとなつているキノンジアジド
化合物（以下４置換体と略称する）、置換された
水酸基が４個未満のキノンジアジド化合物および
微量の副生物を含む混合物であるが、本発明で用
いるPAC−４は、４置換体を少なくとも10重量
％含有するものであることが望ましい。 このPAC−４は液体クロマトグラフ分析する
と、４置換体のピークの他に数多くのピークがみ
られる。 第１図は、本発明のPAC−４の一種の液体ク
ロマトグラフの一例を示す線図である。液体クロ
マトグラフ分析の条件は、以下のとおりである。 カラム：オクタデシルシランを化学結合させた全
多孔性シリカゲル（西独、エム・マゲル社製、
NUCLEOSIL・ODS）7μｍ、300mmＬ 溶離液：アセトニトリル／水／酢酸＝55／43／２
（容量比）の混合液 溶離液流量：１ml／分 検出：紫外吸光度分析（波長254nｍ）で検出し
た。 第１図において、１は４置換体を示すピーク、
２は２個の水酸基が置換されてスルホン酸エステ
ルとなつているキノンジアジド化合物を示すピー
ク、３は有害副生物を示すピーク群であり、４置
換体のピークの保持時間に対して0.75〜0.9倍の
保持時間に相当するピーク群である。 本発明においては、上記有害副生物の量が少な
い感光性化合物を選択することが肝要であり、そ
のピーク面積が、４置換体を示すピークが出終わ
つた点までの全ピークの合計面積の３％以下、好
ましくは２％以下、より好ましくは1.5％以下で
あることがのぞましい。３％をこえ例えば５％も
存在すると、溶媒、及び／又は溶媒とレジスト組
成物として共存するアルカリ可溶性塗膜形成材料
との混合物には一旦完溶するが、１日〜３ケ月後
に感光性化合物が析出するようになる。５％より
多く存在する場合には上記のものに対し完溶しな
い。また、有害副生物の量の下限については特に
制限はないが、注意深く製造しても通常0.2〜0.8
％の混入は避けがたい。 この有害副生物の構造や成因等については、充
分明らかではないが、液体クロマトグラフで分取
した成分をゲル・パーミエーシヨン・クロマトグ
ラフにて分子量を測定したところ、分子量700か
ら1200の化合物群であつた。また、その成因につ
いては感光性化合物の製造、レジスト組成物の調
製の各段階でのPH、混合状態、温度等が複合的に
影響を与えているものと推測される。 一般的には、前述した如く原料溶液に脱酸剤に
脱酸剤（塩基性物質）を添加して反応を行うが、
この際、混合状態が不十分であると、局部的にPH
が塩基性に偏るとか、反応熱が蓄積する、あるい
はその両方が起こる等により、局部的に異常反応
が進行し有害副生物生成の一因となつているもの
と推測される。 また、PAC−４の製造以降、レジスト組成物
の調製までの各段階での条件が、局部的に全体的
な条件からずれることにより有害副生物の生成の
可能性が考えられ局部的な異常反応に注意する必
要がある。 さらに、各工程の温度及び時間も異常反応に影
響をあたえているものと考えられ、一般的に処理
時間は長くなつても低温で処理を行うのがよい。 この有害副生物の液体クロマトグラフ分析は、
前記反応によつて製造したPAC−４の状態のみ
ならず、塗膜形成材料がノボラツク樹脂の場合
は、レジスト組成物のままで妨害をうけることな
く分析をすることができる。また、メタノールの
ようなPAC−４が難溶で塗膜形成材料を溶解す
る溶媒を用いて、塗膜形成材料とPAC−４を分
別して分析を行うこともできる。 本発明で用いる塗膜形成材料としては、フエノ
ール誘導体とアルデヒド誘導体とを縮合して得ら
れるノボラツク樹脂、ポリビニルアルコール、ス
チレンとアクリル酸との共重合体、メタクリル酸
アルキルエステルとの共重合体等のアルカリ可溶
性塗膜形成材料が挙げられる。なかでも、ノボラ
ツク樹脂の使用はポジ型フオトレジストとしての
性能が良好であり好ましい。 また、溶剤としては、メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソ
ルブアセテート、エチルセロソルブアセテートの
ようなセロソルブ系溶媒、ブチルアセテート、ア
ミルアセテートのようなエステル系溶媒またはジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドのよ
うな高極性溶媒、あるいはこれらの混合系溶媒、
あるいはさらに芳香族炭化水素を添加したものな
どが挙げられる。 本発明のポジ型フオトレジスト組成物における
成分の組成比は、 PAC−４ １〜20重量％ 塗膜形成材料 ２〜40重量％ 溶 剤 50〜95重量％ 好ましくは、 PAC−４ ３〜15重量％ 塗膜形成材料 ６〜40重量％ 溶 剤 50〜80重量％ である。これらの数値はポジ型フオトレジスト組
成物を塗布するうえで支障がない限り厳密なもの
ではない。ポジ型フオトレジスト組成物の性能か
らいうとPAC−４が多い方が好ましいが、PAC
−４を多く使用すると有害副生物の混入が多くな
りやすいので、有害副生物のコントロールにはよ
り注意が必要である。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例によつて具体的に説明す
るが、本発明はその要旨をこえない限り以下の実
施例に限定されるものではない。 合成例 １〜３ ２，３，４，4′−テトラヒドロキシベンゾフエ
ノン24.6ｇ（0.1モル）と１，２−ナフトキノン
−２−ジアジド−５−スルホニルクロリド83.3ｇ
（0.31モル）を、ジオキサン300mlのＮ−メチルピ
ロリドン80mlの混合溶媒に溶解し、下記第１表に
示す温度および撹拌条件下トリエチルアミン32ｇ
を添加して反応を行つた。 副生したトリエチルアミンの塩酸塩を濾別した
のち、反応液を２の水にて希釈し析出した
PAC−４を濾取し下記第１表に示す条件で真空
乾燥した。 得られたPAC−４中の有害副生物の量は下記
第１表に示すとおりであつた。
本発明によれば、ポジ型フオトレジスト組成物
を長時間保存した場合に一度溶解したPAC−４
が再析出して塗布性不良となるのを解消すること
ができる。
を長時間保存した場合に一度溶解したPAC−４
が再析出して塗布性不良となるのを解消すること
ができる。
第１図は、本発明におけるキノンジアジド系感
光性化合物の液体クロマトグラフの一例を示す線
図である。 第１図において、１は４置換体を示すピーク、
２は２個の水酸基が置換されてスルホン酸エステ
ルとなつているキノンジアジド化合物を示すピー
ク、３は有害副生物を示すピーク群であり、４置
換体のピークの保持時間に対して0.75〜0.9倍の
保持時間に相当するピーク群である。
光性化合物の液体クロマトグラフの一例を示す線
図である。 第１図において、１は４置換体を示すピーク、
２は２個の水酸基が置換されてスルホン酸エステ
ルとなつているキノンジアジド化合物を示すピー
ク、３は有害副生物を示すピーク群であり、４置
換体のピークの保持時間に対して0.75〜0.9倍の
保持時間に相当するピーク群である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ テトラヒドロキシベンゾフエノンとナフトキ
ノンジアジドスルホニルクロリドより合成したキ
ノンジアジド系感光性化合物を用いてポジ型フオ
トレジスト組成物を製造するに当たり、 (a) 該感光性化合物、または、該感光性化合物、
ノボラツク樹脂および溶剤を含有する組成物を 分析条件； カラム：オクタデシルシランを化学結合させた
全多孔性シリカゲル 溶離液：アセトニトリル／水／酢酸（容量比
55／43／２） 検出：紫外吸光度分析（波長254nｍ） の液体クロマトグラフイーにより分析し、 (b) そのクロマトグラムにおいて、テトラヒドロ
キシベンゾフエノンの４個の水酸基の全てがナ
フトキノンジアジドスルホニルクロリドと反応
して得られるスルホン酸エステルのピークの保
持時間に対し0.75−0.9倍の保持時間を有する
ピークの面積が該感光性化合物に基因する全ピ
ークの合計面積の３％以下である感光性化合物
または、これを含有する組成物を選択する ことを特徴とするポジ型フオトレジストの製造
方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20578787A JPS6449038A (en) | 1987-08-19 | 1987-08-19 | Positive type photoresist composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20578787A JPS6449038A (en) | 1987-08-19 | 1987-08-19 | Positive type photoresist composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6449038A JPS6449038A (en) | 1989-02-23 |
| JPH0346814B2 true JPH0346814B2 (ja) | 1991-07-17 |
Family
ID=16512666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20578787A Granted JPS6449038A (en) | 1987-08-19 | 1987-08-19 | Positive type photoresist composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6449038A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6803126B2 (en) | 2002-03-15 | 2004-10-12 | Fujitsu Limited | Organic EL element and organic EL display |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4111445A1 (de) * | 1991-04-09 | 1992-10-15 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch mit estern der 1,2-naphthochinon-2-diazid-sulfonsaeure und ein damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL131386C (ja) * | 1959-08-29 | |||
| JPS61118744A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
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| JPH0648382B2 (ja) * | 1986-05-29 | 1994-06-22 | 日本合成ゴム株式会社 | 半導体デバイス製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| JPS63249143A (ja) * | 1987-04-04 | 1988-10-17 | Mitsubishi Kasei Corp | ポジ型フオトレジスト組成物 |
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1987
- 1987-08-19 JP JP20578787A patent/JPS6449038A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6803126B2 (en) | 2002-03-15 | 2004-10-12 | Fujitsu Limited | Organic EL element and organic EL display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6449038A (en) | 1989-02-23 |
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