JPH0358161B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0358161B2 JPH0358161B2 JP58166412A JP16641283A JPH0358161B2 JP H0358161 B2 JPH0358161 B2 JP H0358161B2 JP 58166412 A JP58166412 A JP 58166412A JP 16641283 A JP16641283 A JP 16641283A JP H0358161 B2 JPH0358161 B2 JP H0358161B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- thermistor
- lead wire
- high temperature
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
本発明は、耐熱性と高温安定性を向上させたガ
ラス封着タイプのサーミスタに関する。 従来、ガラス付着タイプのサーミスタは、第1
図および第2図に示す引出しリード線1で素子3
を挟んで直接接触させ、素子3の周縁部を封着ガ
ラス2で封着固定したタイプのものと、第3図に
示す素子3に白金線4の電極を植込み、この白金
線4と引出しリード線1とを接続し、素子3とそ
の接続部分の周縁部を封着ガラス2で封着固定し
たタイプのものなどがある。 従来のタイプのサーミスタでは、リード線とし
ては封着ガラスとの密着性の良いジユメツト線が
一般に用いられ、封着ガラス部としては鉛ガラス
が用いられ、加熱溶融させて封着固定させて製造
する。 このような従来のサーミスタの構成において、
引出しリード線としてジユメツト線また封着ガラ
スとして鉛ガラスを用いたものを450℃以上の高
温度領域で使用すると、引出しリード線の酸化が
ガラス封着内部まで進行してサーミスタ特性が著
しく変化を起こし最終的に破損する危険がある。
また封着ガラスの加熱溶融による素子との反応に
よつてサーミスタ特性を著しく変化させる問題点
がある。 以上の点に鑑みて本発明は550℃以上の高温度
領域での使用に耐え得る高い耐熱性を有し、サー
ミスタ特性が高温で安定なサーミスタを提供する
ことを目的とする。 本発明者等は、耐熱性および高温安定性の良好
なサーミスタについて種々研究を行い次の知見を
得た。 (1) 550℃以上の高温度領域での使用に耐えるた
めには封着ガラスの軟化点が670℃以上である
ことが必要であるが、軟化点が高くてもソーダ
ガラスや鉛ガラスなどの体積抵抗率log(Ω・
cm)低いものは高温度領域での通電によつて封
着ガラスの内部に変質を起しサーミスタ特性の
安定性が悪くなる。 しかし硼珪酸ガラスは一般に高温度領域での
体積抵抗率が大きい傾向にあり、封着ガラスと
して軟化点670℃以上の硼珪酸ガラスを用いた
サーミスタは高温度領域において通電にもサー
ミスタ特性の変化率が小さい。 (2) クロムメツキを施した引出しリード線を用い
ると高温度領域における耐酸化性化に優れ、し
かも封着ガラスと密着性が良好であるので高温
度領域と常温領域とのヒートサイクルによるサ
ーミスタ特性の変化率が一層小さくなる。 本発明は以上の如き知見に基づいて得られた
ものであつて、サーミスタ素子の封着固定に軟
化点670℃以上の硼珪酸ガラスを用い、引出し
リード線の少なくともガラス封着される部分が
厚さ0.1〜20μmでクロムメツキを施されている
ことを特徴とする。 本発明において引出しリード線は、耐熱性の高
いものが選ばれるが、たとえばNi、Ni−Cr合
金、Ni−Cr−Fe合金、Ni−W合金、Ni−Fe合
金及びNi−Co−Fe合金等のいずれかからなる。 引出しリード線のクロムメツキ厚さが0.1μm以
下では硼珪酸ガラスとの密着性が悪く、更に高温
度領域での耐酸化性も悪くなる。 またクロムメツキ厚さが20μm以上では引出し
リード線の柔軟性が損なわれ、メツキ皮膜に微細
な亀裂が入りやすくなつて封着ガラスとの密着性
が必ずしも良好でなくなる。なお耐熱性が高い引
出しリード線を用いる場合はガラス封着に相当す
る部分のみクロムメツキをするだけでも本発明の
目的とするサーミスタが得られる。 本発明において硼珪酸ガラスとしてはアルカリ
金属酸化物の含有量のすくないものを用いると一
般に体積抵抗率が大きくなり良好である。 また硼珪酸ガラスの軟化点が670℃未満では550
℃以上の高温度領域で封着ガラスが変形したりガ
ラスの加熱溶融による素子との反応によつてサー
ミスタ特性を変化させ本発明の目的とするサーミ
スタが得られない。 なお本発明においてガラス封着を完全にするた
め引出しリード線と封着ガラスとの膨張係数をほ
ぼ一致させることが好ましい。 次に本発明のサーミスタの製造を添付の図面を
参照して説明する。第1図および第2図のタイプ
のサーミスタはクロムメツキを施した引出しリー
ド線1に金ロウで素子3をつけたのち、軟化点
670℃以上の硼珪酸ガラス管(直径0.6〜2.5mφ、
長さ2〜8mm)を素子部に通したのち、900〜
1200℃の温度で加熱して溶融封着する。 また第3図のタイプのサーミスタは白金線4の
電極を植込れた素子3の白金線4をクロムメツキ
を施したリード線1に接続し、軟化点670℃以上
の棚珪酸ガラス管(直径0.6〜2.5mmφ、長さ2〜
8mm)を素子と白金線の接続分まで通したのち、
900〜1200℃の温度で加熱して溶融付着する。 本発明のサーミスタは封着ガラスとして軟化点
670℃以上の硼珪酸ガラスをもちいているので耐
熱性が高くまた高温度領域における通電によつて
も封着ガラス内部に全く変化が起きずサーミスタ
特性が安定である。 また引出しリード線の表面にクロムメツキを施
してあるため、耐熱性が向上し、しかもガラス封
着時に酸化クロムのうすい皮膜を生じ、この皮膜
が硼珪酸ガラスとの密着性を良好にするので素子
の部分の封着が完璧となる。その結果、550℃以
上の高温度領域に長時間さらされたりまた高温度
領域と常温領域とのヒートサイクルによつても引
出しリード線の酸化がガラス封着内部まで進行す
るようなことを起きずサーミスタ特性が安定であ
る。 以下実施例によつて本発明を具体的に説明す
る。 実施例 300℃に於ける抵抗値が26KΩ(300〜500℃のB
定数6100k)となるように第1表に示す条件で本
発明に従いサーミスタを製造した。これらについ
て通電安定性試験およびヒートサイクル試験を行
い、試験後の抵抗変化率(Rt−R0/R0×100%、 R0:初期抵抗、Rt:t時間後の抵抗)を第1表
に示した。 比較のために封着ガラスとしてソーダガラス、
鉛ガラスおよび軟化点670℃以下の硼珪酸ガラス
を用いたサーミスタおよびクロムメツキを施さな
い引出しリード線を用いたサーミスタについて同
様に試験を行いその結果を第1表に示した。 なお通電安定性試験は580℃において0.7mWを
印加して1000時間後の抵抗変化率を300℃で測定
することにより実施した。 またヒートサイクル試験は580℃に20分間放置
後直ちに常温で10分間風冷を行うのを1サイクル
として1000サイクル後、300℃に維持して変化率
を測定して実施した。
ラス封着タイプのサーミスタに関する。 従来、ガラス付着タイプのサーミスタは、第1
図および第2図に示す引出しリード線1で素子3
を挟んで直接接触させ、素子3の周縁部を封着ガ
ラス2で封着固定したタイプのものと、第3図に
示す素子3に白金線4の電極を植込み、この白金
線4と引出しリード線1とを接続し、素子3とそ
の接続部分の周縁部を封着ガラス2で封着固定し
たタイプのものなどがある。 従来のタイプのサーミスタでは、リード線とし
ては封着ガラスとの密着性の良いジユメツト線が
一般に用いられ、封着ガラス部としては鉛ガラス
が用いられ、加熱溶融させて封着固定させて製造
する。 このような従来のサーミスタの構成において、
引出しリード線としてジユメツト線また封着ガラ
スとして鉛ガラスを用いたものを450℃以上の高
温度領域で使用すると、引出しリード線の酸化が
ガラス封着内部まで進行してサーミスタ特性が著
しく変化を起こし最終的に破損する危険がある。
また封着ガラスの加熱溶融による素子との反応に
よつてサーミスタ特性を著しく変化させる問題点
がある。 以上の点に鑑みて本発明は550℃以上の高温度
領域での使用に耐え得る高い耐熱性を有し、サー
ミスタ特性が高温で安定なサーミスタを提供する
ことを目的とする。 本発明者等は、耐熱性および高温安定性の良好
なサーミスタについて種々研究を行い次の知見を
得た。 (1) 550℃以上の高温度領域での使用に耐えるた
めには封着ガラスの軟化点が670℃以上である
ことが必要であるが、軟化点が高くてもソーダ
ガラスや鉛ガラスなどの体積抵抗率log(Ω・
cm)低いものは高温度領域での通電によつて封
着ガラスの内部に変質を起しサーミスタ特性の
安定性が悪くなる。 しかし硼珪酸ガラスは一般に高温度領域での
体積抵抗率が大きい傾向にあり、封着ガラスと
して軟化点670℃以上の硼珪酸ガラスを用いた
サーミスタは高温度領域において通電にもサー
ミスタ特性の変化率が小さい。 (2) クロムメツキを施した引出しリード線を用い
ると高温度領域における耐酸化性化に優れ、し
かも封着ガラスと密着性が良好であるので高温
度領域と常温領域とのヒートサイクルによるサ
ーミスタ特性の変化率が一層小さくなる。 本発明は以上の如き知見に基づいて得られた
ものであつて、サーミスタ素子の封着固定に軟
化点670℃以上の硼珪酸ガラスを用い、引出し
リード線の少なくともガラス封着される部分が
厚さ0.1〜20μmでクロムメツキを施されている
ことを特徴とする。 本発明において引出しリード線は、耐熱性の高
いものが選ばれるが、たとえばNi、Ni−Cr合
金、Ni−Cr−Fe合金、Ni−W合金、Ni−Fe合
金及びNi−Co−Fe合金等のいずれかからなる。 引出しリード線のクロムメツキ厚さが0.1μm以
下では硼珪酸ガラスとの密着性が悪く、更に高温
度領域での耐酸化性も悪くなる。 またクロムメツキ厚さが20μm以上では引出し
リード線の柔軟性が損なわれ、メツキ皮膜に微細
な亀裂が入りやすくなつて封着ガラスとの密着性
が必ずしも良好でなくなる。なお耐熱性が高い引
出しリード線を用いる場合はガラス封着に相当す
る部分のみクロムメツキをするだけでも本発明の
目的とするサーミスタが得られる。 本発明において硼珪酸ガラスとしてはアルカリ
金属酸化物の含有量のすくないものを用いると一
般に体積抵抗率が大きくなり良好である。 また硼珪酸ガラスの軟化点が670℃未満では550
℃以上の高温度領域で封着ガラスが変形したりガ
ラスの加熱溶融による素子との反応によつてサー
ミスタ特性を変化させ本発明の目的とするサーミ
スタが得られない。 なお本発明においてガラス封着を完全にするた
め引出しリード線と封着ガラスとの膨張係数をほ
ぼ一致させることが好ましい。 次に本発明のサーミスタの製造を添付の図面を
参照して説明する。第1図および第2図のタイプ
のサーミスタはクロムメツキを施した引出しリー
ド線1に金ロウで素子3をつけたのち、軟化点
670℃以上の硼珪酸ガラス管(直径0.6〜2.5mφ、
長さ2〜8mm)を素子部に通したのち、900〜
1200℃の温度で加熱して溶融封着する。 また第3図のタイプのサーミスタは白金線4の
電極を植込れた素子3の白金線4をクロムメツキ
を施したリード線1に接続し、軟化点670℃以上
の棚珪酸ガラス管(直径0.6〜2.5mmφ、長さ2〜
8mm)を素子と白金線の接続分まで通したのち、
900〜1200℃の温度で加熱して溶融付着する。 本発明のサーミスタは封着ガラスとして軟化点
670℃以上の硼珪酸ガラスをもちいているので耐
熱性が高くまた高温度領域における通電によつて
も封着ガラス内部に全く変化が起きずサーミスタ
特性が安定である。 また引出しリード線の表面にクロムメツキを施
してあるため、耐熱性が向上し、しかもガラス封
着時に酸化クロムのうすい皮膜を生じ、この皮膜
が硼珪酸ガラスとの密着性を良好にするので素子
の部分の封着が完璧となる。その結果、550℃以
上の高温度領域に長時間さらされたりまた高温度
領域と常温領域とのヒートサイクルによつても引
出しリード線の酸化がガラス封着内部まで進行す
るようなことを起きずサーミスタ特性が安定であ
る。 以下実施例によつて本発明を具体的に説明す
る。 実施例 300℃に於ける抵抗値が26KΩ(300〜500℃のB
定数6100k)となるように第1表に示す条件で本
発明に従いサーミスタを製造した。これらについ
て通電安定性試験およびヒートサイクル試験を行
い、試験後の抵抗変化率(Rt−R0/R0×100%、 R0:初期抵抗、Rt:t時間後の抵抗)を第1表
に示した。 比較のために封着ガラスとしてソーダガラス、
鉛ガラスおよび軟化点670℃以下の硼珪酸ガラス
を用いたサーミスタおよびクロムメツキを施さな
い引出しリード線を用いたサーミスタについて同
様に試験を行いその結果を第1表に示した。 なお通電安定性試験は580℃において0.7mWを
印加して1000時間後の抵抗変化率を300℃で測定
することにより実施した。 またヒートサイクル試験は580℃に20分間放置
後直ちに常温で10分間風冷を行うのを1サイクル
として1000サイクル後、300℃に維持して変化率
を測定して実施した。
【表】
第1表に示す結果から明らかな如く、本発明に
従うサーミスタは通電安定性試験後の抵抗変化率
がいずれも約6%以下と低く、ヒートサイクル試
験後の抵抗変化率も約3%以下と低く、優れた耐
熱性および高温安定性を有することが解かる。比
較のため本発明の範囲外で製造したサーミスタは
上記通電安定性試験およびヒートサイクル試験中
に破損したり、580℃以上の高温での使用に耐え
ないほどの抵抗変化を示している。 以上、本発明を実施例により説明したが、本発
明はこれらの実施例に制限されるものではなく、
特に第1図乃至第3図に示すタイプのサーミスタ
にも限定されるものではない。
従うサーミスタは通電安定性試験後の抵抗変化率
がいずれも約6%以下と低く、ヒートサイクル試
験後の抵抗変化率も約3%以下と低く、優れた耐
熱性および高温安定性を有することが解かる。比
較のため本発明の範囲外で製造したサーミスタは
上記通電安定性試験およびヒートサイクル試験中
に破損したり、580℃以上の高温での使用に耐え
ないほどの抵抗変化を示している。 以上、本発明を実施例により説明したが、本発
明はこれらの実施例に制限されるものではなく、
特に第1図乃至第3図に示すタイプのサーミスタ
にも限定されるものではない。
第1図、第2図および第3図は、ガラス封着タ
イプのサーミスタの縦断面図を示す。 (参照番号)、1……引出しリード線、2……
封着ガラス、3……素子、4……白金線。
イプのサーミスタの縦断面図を示す。 (参照番号)、1……引出しリード線、2……
封着ガラス、3……素子、4……白金線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 サーミスタ素子と、該素子と電気的に接続す
る引出しリード線と、該素子及び該引出しリード
線の接続部分を封着固定するガラス部とからな
り、該ガラス部は軟化点670℃以上の硼珪酸ガラ
スから構成されており、該引出しリード線の少な
くともガラス封着される部分は0.1〜20μmの厚さ
でクロムメツキされていることを特徴とするサー
ミスタ。 2 該引出しリード線は、Ni、Ni−Cr合金、Ni
−Cr−Fe合金、Ni−W合金、Ni−Fe合金及び
Ni−Co−Fe合金のいずれか1種からなることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のサーミス
タ。 3 該引出しリード線は該素子に金ロウ付されて
いるか或いは白金線を介して接続されていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項
に記載のサーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16641283A JPS6057903A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16641283A JPS6057903A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | サ−ミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057903A JPS6057903A (ja) | 1985-04-03 |
| JPH0358161B2 true JPH0358161B2 (ja) | 1991-09-04 |
Family
ID=15830940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16641283A Granted JPS6057903A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057903A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4841273A (en) * | 1987-12-18 | 1989-06-20 | Therm-O-Disc, Incorporated | High temperature sensing apparatus |
| JPH01292196A (ja) * | 1988-05-14 | 1989-11-24 | Jujo Paper Co Ltd | 故紙脱墨方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666524B2 (ja) * | 1987-08-24 | 1994-08-24 | 日本電気株式会社 | 半導体レ−ザ装置 |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP16641283A patent/JPS6057903A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6057903A (ja) | 1985-04-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |