JPH0358649B2 - - Google Patents
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- JPH0358649B2 JPH0358649B2 JP60222843A JP22284385A JPH0358649B2 JP H0358649 B2 JPH0358649 B2 JP H0358649B2 JP 60222843 A JP60222843 A JP 60222843A JP 22284385 A JP22284385 A JP 22284385A JP H0358649 B2 JPH0358649 B2 JP H0358649B2
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- glass
- level
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- changes
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- Measurement Of Levels Of Liquids Or Fluent Solid Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はガラス組成や温度とは無関係にガラス
レベルを正確に検出しうるメルターのガラスレベ
ル検出方法に関し、特に高放射性廃液をガラス固
化法によつて処理するためのセラミツクメルター
に好適である。Detailed Description of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method for detecting the glass level of a melter, which can accurately detect the glass level regardless of the glass composition or temperature, and particularly relates to a method for detecting the glass level of a melter, which is capable of accurately detecting the glass level regardless of the glass composition or temperature. It is suitable for ceramic melters for dry treatment.
(従来技術)
たとえば、再処理工場で生じる高放射性廃液の
処理方法として、該廃液とガラス原料を高温で溶
融ガラスにし、容器としてのキヤニスターに充填
して固化処理する技術が開発されている。(Prior Art) For example, as a method for treating highly radioactive waste liquid generated at a reprocessing plant, a technology has been developed in which the waste liquid and glass raw materials are made into molten glass at high temperature, and the molten glass is filled into a canister serving as a container for solidification.
すなわち高放射性廃液は適切な前処理を施さ
れ、ガラス原料と共に、まずメルターに供給され
る。かくしてメルター内で高放射性廃液は、ガラ
ス原料と共に溶融ガラスとなる。この溶融ガラス
は定期的にキヤニスターに充填される。ガラスが
注入されたキヤニスターに密封され、固化施設内
に一時的に保管される。 That is, the highly radioactive waste liquid is subjected to appropriate pretreatment and is first supplied to the melter together with glass raw materials. In this way, the highly radioactive waste liquid becomes molten glass together with the glass raw materials in the melter. This molten glass is periodically filled into a canister. The glass is sealed in a filled canister and temporarily stored in a solidification facility.
これらの工程で、ガラス溶融炉は放射性物質の
閉じこめのための第1のバリヤとしての機能を課
せされている。よつて、放射性物質により汚染拡
大防止の観点から、原料と過剰供給による溶融炉
からの放射性物質の放出を防止するために、溶融
炉内のガラスレベルを検出する必要がある。また
ガラス溶融炉の直接通電用電極を保護する観点か
ら、ガラスの過剰抜きだし防止のためのガラスレ
ベル検出も必要である。 In these processes, the glass melting furnace is tasked with the function of the primary barrier for the confinement of radioactive materials. Therefore, from the viewpoint of preventing the spread of contamination due to radioactive substances, it is necessary to detect the glass level in the melting furnace in order to prevent the release of radioactive substances from the melting furnace due to excessive supply of raw materials. Furthermore, from the viewpoint of protecting the direct current-carrying electrodes of the glass melting furnace, it is also necessary to detect the glass level to prevent excessive glass extraction.
しかるに、メルターのガラスレベルはいまだ有
効な検出技術が確立されていない。その理由は、
一般のガラス溶融炉に比してガラス組成や温度の
変化が大きく、補正しきれなくなつて、レベルの
検出に誤差を生じるからである。 However, no effective technology for detecting the melter glass level has yet been established. The reason is,
This is because the changes in the glass composition and temperature are larger than in a general glass melting furnace, making it impossible to fully compensate for them, resulting in errors in level detection.
レベル計としてよく知られているものに電気式
レベル計があり、検出すべきガラスレベルに設置
したプローブ電極と、溶融ガラス内に設置した電
極との間に電圧を印加し、プローブ電極と溶融ガ
ラスの接触状態により、電気回路が開閉すること
を利用してレベルを検出するものである。この
他、ガス圧により検知する気泡式レベル計、液面
に超音波を照射する反射式レベル計、あるいは熱
電対を用いる温接点式レベル計があるが複雑高価
で、耐久性にも難がある。 A well-known type of level meter is an electric level meter, which applies a voltage between a probe electrode installed at the level of the glass to be detected and an electrode installed inside the molten glass. The level is detected by using the fact that an electric circuit opens and closes depending on the contact state of the sensor. In addition, there are bubble level meters that detect gas pressure, reflective level meters that irradiate ultrasonic waves to the liquid surface, and hot junction level meters that use thermocouples, but these are complicated, expensive, and have poor durability. .
電気式レベル計は、ガラスレベルを電気抵抗値
の急激な変化で検出するものであるから、極めて
簡便な手段といえるが、ガラスの電気抵抗値はガ
ラス組成や温度によつて変化し、レベルの変動以
外の要因に対して補正する必要がある。たとえば
特公昭52−24524号公報には、レベルを検出する
ための第1と第2の電極の他に、温度、材質変化
を検出する第3の電極を設け、第1と第2の電極
による検出値を、第2の電極と第3の電極による
検出値で補正し、溶融ガラスの温度、材質の変化
を打ち消して真のレベル変化を得るとされてい
る。 Electric level meters can be said to be an extremely simple means of detecting the glass level by a sudden change in the electrical resistance value, but the electrical resistance value of glass changes depending on the glass composition and temperature, and the level It is necessary to correct for factors other than fluctuations. For example, in Japanese Patent Publication No. 52-24524, in addition to the first and second electrodes for detecting the level, a third electrode for detecting changes in temperature and material is provided, and the It is said that the detected value is corrected by the detected value by the second electrode and the third electrode, and changes in the temperature and material of the molten glass are canceled out to obtain a true level change.
溶融ガラスの温度分布や材質が炉内で均等に変
化するものにあつては、第3の電極による補正は
有効であると考えられる。溶融ガラスを、炉内の
ガラス量に比して少量かつ連続して引き出す一般
のガラス溶融炉とは異なつて、炉内容量が極めて
小型であるガラス固化用のセラミツクメルターに
あつては、温度変化は炉内の場所によつて異な
り、すなわち温度分布の変化が重要で、これらを
全部補正するには、補正用電極を多数本要するこ
とになる。 In cases where the temperature distribution and material of the molten glass change uniformly within the furnace, correction using the third electrode is considered to be effective. Unlike general glass melting furnaces, which continuously draw out molten glass in a small amount compared to the amount of glass in the furnace, ceramic melters for vitrification, which have an extremely small internal volume, are able to handle changes in temperature. varies depending on the location in the furnace, that is, changes in temperature distribution are important, and to correct all of these, a large number of correction electrodes are required.
ガラス固化用セラミツクメルターは、放射能汚
染防止方策を厳重に施したセルと呼ばれる小部屋
に収容してあり、炉内容量はキヤニスター1本分
の溶融ガラスを引き出すと通電発熱を確保するた
めに最小限必要な溶融ガラスが残る程度の小容量
であるから、電極は多数本設ける余地がなく、い
ずれにしてもメルターのガラスレベルの検出方法
は、操業条件や設計条件によつて制約を受け、安
全面から一層の改良が望まれていた。 The ceramic melter for vitrification is housed in a small room called a cell that has taken strict measures to prevent radioactive contamination, and the internal capacity of the furnace is reduced to a minimum in order to ensure heat generation when the molten glass for one canister is drawn out. Since the capacity is so small that only the necessary amount of molten glass remains, there is no room for installing multiple electrodes, and in any case, the method of detecting the glass level of the melter is limited by operating conditions and design conditions, and is not safe. Further improvements were desired.
(発明の目的)
この発明の目的は、第1の電極と第2の電極の
みで、ガラス組成や温度の変化とは無関係に、ガ
ラスレベルを正確に検出しうることを技術的課題
とした。特に高放射性廃液を、ガラス固化法によ
つて処理するためのセラミツクメルターに好適な
レベル検出方法を提供し、廃液の過剰供給及び溶
融ガラスの過剰抜きだしを、未然に防止するため
の技術的手段を講じることにある。(Objective of the Invention) The technical object of the present invention is to be able to accurately detect the glass level using only the first electrode and the second electrode, regardless of changes in glass composition or temperature. Technical means to provide a level detection method particularly suitable for ceramic melters for treating highly radioactive waste liquid by vitrification, and to prevent excessive supply of waste liquid and excessive withdrawal of molten glass. The goal is to take the following steps.
(発明の構成)
上述の目的を達成するために、特許請求の範囲
に示すごとく、電気抵抗値の変化の速度を微分演
算回路を介して、変化変更に望ましくは比変化率
を、検出謁するようになしたものである。(Structure of the Invention) In order to achieve the above-mentioned object, as shown in the claims, the rate of change in electrical resistance value is detected via a differential calculation circuit, preferably a ratio change rate. This is how it was done.
電気抵抗値は、溶融ガラスのガラスレベルの変
化と、組成や温度に支配されるガラスの固有抵抗
の変化とのいずれによつても変化するが、ガラス
レベルがプローブ電極近傍を通過する際の変化率
が、組成や温度による固有抵抗の変化率に比して
著しく大きく急峻であることに注目し、変化率の
最大値を示す時点をもつて、ガラスレベルが検出
すべき基準レベルと一致した瞬間であるとするこ
とを特徴とするものである。 The electrical resistance value changes both due to changes in the glass level of the molten glass and changes in the specific resistance of the glass, which is controlled by composition and temperature, but changes when the glass level passes near the probe electrode. Note that the rate of change in resistivity is significantly larger and steeper than the rate of change in resistivity due to composition and temperature, and the moment when the rate of change shows the maximum value is the moment when the glass level matches the reference level to be detected. It is characterized by the fact that
比変化率は抵抗値の変化率を直前の元の値で除
したものであり、単に変化率でとらえるより、ガ
ラス組成や温度の影響を受けにくく、比変化率に
よる検出方法の方がより好ましいといえる。 The ratio change rate is the rate of change in resistance divided by the previous original value, and it is less affected by glass composition and temperature than simply the rate of change, and the detection method using the ratio change rate is more preferable. It can be said.
(実施例)
第1図は本発明方法を説明するためのブロツク
結線図を示す。セラミツクメルター10は複数組
の溶融電極を有し、上部からガラス原料を投入し
下部から溶融ガラスを取り出す一般のガラス溶融
炉と基本的に同様の構造であり、要部のみを図示
したものである。(Embodiment) FIG. 1 shows a block diagram for explaining the method of the present invention. The ceramic melter 10 has a plurality of sets of melting electrodes, and has basically the same structure as a general glass melting furnace in which glass raw materials are introduced from the upper part and molten glass is taken out from the lower part, and only the main parts are illustrated. .
溶融ガラスの基準レベル面11にレベル検出用
の第1の電極13が設けてあり、溶融ガラス12
内に第2の電極14が設けてある。この両電極間
に抵抗器21を介して高周波電源装置20が接続
してあり、3KHzの高周波電圧を常時印加する。
抵抗器21の両端子から直流変換回路31を介し
て微分演算回路30が接続され、演算結果を計器
32で示すようになされている。記号Rgで示し
たものは電極13,14間の等価抵抗である。 A first electrode 13 for level detection is provided on the reference level surface 11 of the molten glass.
A second electrode 14 is provided inside. A high frequency power supply device 20 is connected between these two electrodes via a resistor 21, and constantly applies a high frequency voltage of 3KHz.
A differential calculation circuit 30 is connected to both terminals of the resistor 21 via a DC conversion circuit 31, and the calculation results are indicated by a meter 32. What is indicated by the symbol Rg is the equivalent resistance between the electrodes 13 and 14.
かかる構成において、ガラス面が基準レベル面
11より低い(−)レベル11aにあるときは、
等価抵抗Rgは極めて高抵抗値である。そして
(−)レベルの範囲においては、レベルの変化と
Rgは無関係であるから、ガラスレベルに対しRg
はフラツトに推移する。しかしながらガラスレベ
ルが上昇して基準レベル(0)に達すると、その
瞬間Rgは低抵抗値に変化し、第2図イのごとき
曲線を示すことは明らかである。 In such a configuration, when the glass surface is at a (-) level 11a lower than the reference level surface 11,
The equivalent resistance Rg is an extremely high resistance value. and in the (−) level range, the change in level and
Since Rg is irrelevant, Rg
remains flat. However, it is clear that when the glass level rises and reaches the reference level (0), at that moment Rg changes to a low resistance value and shows a curve as shown in Figure 2A.
ついでガラスレベルが上昇し続ける場合を見る
と、基準レベル面11を越えた後は、Rgに変化
はなくフラツトに推移する。 Next, if we look at the case where the glass level continues to rise, after it exceeds the reference level surface 11, Rg does not change and remains flat.
もつとも、ガラスは温度や組成の変動によつて
その抵抗値の異なることは前述したごとくである
からRgは(1)、(2)あるいは(3)のように変化する場
合がある。しかしそれ等は概して緩慢な変化であ
る。 However, as mentioned above, the resistance value of glass varies depending on changes in temperature and composition, so Rg may change as shown in (1), (2), or (3). However, these changes are generally slow.
上述したRgの変化は3KHzの高周波電流の変化
分として表され、抵抗器21で電圧値として取り
出される。ついで直流変換器31を介して高周波
電圧を直流値に変換し微分演算すると時間(t)
の経過に対して第2図ロのごとき変化率の曲線と
して示される。すなわちガラスレベルは時間の経
過とともに、(−)レベルが(+)レベルに変化
し、この間に基準レベル(0)に達した瞬間、計
器32は最大変化率を表示し、基準レベル(0)
を越えると再び変化率は0を表示している。電気
抵抗値Rgは(1)、(2)あるいは(3)のように若干変化
してもそれらは緩やかな変化であるため、変化率
としては出力されなく、従つてノイズを生じな
い。 The above-mentioned change in Rg is expressed as a change in the 3KHz high frequency current, and is taken out by the resistor 21 as a voltage value. Then, when the high frequency voltage is converted to a DC value via the DC converter 31 and differentiated, the time (t) is calculated.
It is shown as a curve of the rate of change as shown in Fig. 2 (b) over the course of . In other words, the glass level changes from a (-) level to a (+) level as time passes, and at the moment when the glass level reaches the reference level (0) during this period, the meter 32 displays the maximum rate of change and returns to the reference level (0).
When the value exceeds 0, the rate of change is displayed as 0 again. Even if the electrical resistance value Rg changes slightly as shown in (1), (2), or (3), it is a gradual change, so it is not output as a rate of change and therefore does not generate noise.
(発明の効果)
上述したように本発明は、溶融ガラスの電気抵
抗値の変化を微分演算回路で演算して変化率を検
出するようにし、変化率の最大値をもつてガラス
レベルが検出すべき基準レベル面と一致した瞬間
であるとするものであり、温度や組成による抵抗
値の変化を補正する必要がなく、従つて補正用の
電極を要しないから、構成が簡易でセラミツクメ
ルターの小型化に好適である。(Effects of the Invention) As described above, the present invention detects the rate of change by calculating the change in the electrical resistance value of molten glass using a differential calculation circuit, and detects the glass level at the maximum value of the rate of change. This is the moment when the resistance value matches the desired reference level surface, and there is no need to compensate for changes in resistance due to temperature or composition.Therefore, no compensation electrodes are required, so the configuration is simple and the ceramic melter is compact. It is suitable for
第1図は本発明方法を説明するためのブロツク
結線図、第2図イはガラスレベルの推移に対する
電気抵抗値の、同ロは変化率の各曲線図である。
10はセラミツクメルター、11は基準レベル
面、12は溶融ガラス、13及び14はレベル検
出用電極、20は高周波電源装置、21は抵抗
器、30は微分演算回路、31は直流変換回路3
2は計器である。
FIG. 1 is a block diagram for explaining the method of the present invention, FIG. 10 is a ceramic melter, 11 is a reference level surface, 12 is molten glass, 13 and 14 are level detection electrodes, 20 is a high frequency power supply device, 21 is a resistor, 30 is a differential operation circuit, 31 is a DC conversion circuit 3
2 is a meter.
Claims (1)
の電極を、溶融ガラス内に第2の電極をそれぞれ
配設し、両電極間の電気抵抗値を検出する方法に
して、前記電気抵抗値の変化の速度を、微分演算
回路を介して検出するようにし、変化率の最大値
を示す時点をもつてガラスレベルが基準レベル面
と一致した瞬間であるとすることを特徴とするガ
ラスレベル検出方法。1. Attach the first
A second electrode is disposed within the molten glass, and the electrical resistance value between the two electrodes is detected, and the speed of change in the electrical resistance value is detected via a differential calculation circuit. A glass level detection method characterized in that the time point at which the rate of change shows the maximum value is the moment when the glass level coincides with the reference level surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22284385A JPS6282327A (en) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | Glass level detecting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22284385A JPS6282327A (en) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | Glass level detecting method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6282327A JPS6282327A (en) | 1987-04-15 |
| JPH0358649B2 true JPH0358649B2 (en) | 1991-09-06 |
Family
ID=16788774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22284385A Granted JPS6282327A (en) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | Glass level detecting method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6282327A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2663345B2 (en) * | 1987-05-28 | 1997-10-15 | 野田通信株式会社 | Detection method of sludge interface in sedimentation ponds etc. |
| JP2003004505A (en) * | 2001-06-20 | 2003-01-08 | Nohken:Kk | Liquid level sensor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56103823U (en) * | 1980-01-12 | 1981-08-14 | ||
| JPS5775524U (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-10 |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP22284385A patent/JPS6282327A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6282327A (en) | 1987-04-15 |
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