JPH0360185B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0360185B2 JPH0360185B2 JP59097847A JP9784784A JPH0360185B2 JP H0360185 B2 JPH0360185 B2 JP H0360185B2 JP 59097847 A JP59097847 A JP 59097847A JP 9784784 A JP9784784 A JP 9784784A JP H0360185 B2 JPH0360185 B2 JP H0360185B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous
- film
- solar cell
- stainless steel
- uneven structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/42—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H10F77/48—Back surface reflectors [BSR]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、アモルフアス太陽電池に関し、特
にその効率向上のための裏面反射光有効利用に関
するものである。
にその効率向上のための裏面反射光有効利用に関
するものである。
従来のアモルフアス太陽電池を第１図に示す。
図において、アモルフアス膜１に入射した光は、
一部吸収されず、このアモルフアス膜１を通過す
る。この通過光を再利用するため、従来は、鏡面
仕上げされたステンレス基板２とアモルフアス膜
１との間にTi／Ag／Ti層３ａを挿入し、これに
より光の反射率向上を図つていた。この構造にお
けるAgをはさんでいるTiは、アモルフアス膜１
とAg及びステンレス基板２とAgの接着性を良く
するために挿入したものである。
図において、アモルフアス膜１に入射した光は、
一部吸収されず、このアモルフアス膜１を通過す
る。この通過光を再利用するため、従来は、鏡面
仕上げされたステンレス基板２とアモルフアス膜
１との間にTi／Ag／Ti層３ａを挿入し、これに
より光の反射率向上を図つていた。この構造にお
けるAgをはさんでいるTiは、アモルフアス膜１
とAg及びステンレス基板２とAgの接着性を良く
するために挿入したものである。
このような構造において、アモルフアス膜１と
Agとの界面のTiは厚過ぎると反射率の減少を起
こし、逆に薄過ぎるとアモルフアス膜１の内部応
力に耐えられなくなるため、その最適膜厚がある
ということが解つた。
Agとの界面のTiは厚過ぎると反射率の減少を起
こし、逆に薄過ぎるとアモルフアス膜１の内部応
力に耐えられなくなるため、その最適膜厚がある
ということが解つた。
ところで、第１図に示すTi／Ag／Ti層３ａ
は、電子ビーム蒸着法によつて、鏡面仕上げされ
たステンレス基板２に堆積される。その際、基板
温度を200℃に保ち、まず最初に約250ÅのTiを
蒸着する。続いて第２番目に真空を破らずAgを
500Åほど蒸着し、３番目にTiを20〜100Åほど
蒸着する。最後のTiの膜厚は、上述のようにア
モルフアス膜１と剥離を起こさず、光の反射率が
あまり低下しない最適膜厚である。この基板を用
いて作製したアモルフアス太陽電池は、アモルフ
アス膜１を通過した光を反射し再利用することに
よつて、効率を向上することができる。
は、電子ビーム蒸着法によつて、鏡面仕上げされ
たステンレス基板２に堆積される。その際、基板
温度を200℃に保ち、まず最初に約250ÅのTiを
蒸着する。続いて第２番目に真空を破らずAgを
500Åほど蒸着し、３番目にTiを20〜100Åほど
蒸着する。最後のTiの膜厚は、上述のようにア
モルフアス膜１と剥離を起こさず、光の反射率が
あまり低下しない最適膜厚である。この基板を用
いて作製したアモルフアス太陽電池は、アモルフ
アス膜１を通過した光を反射し再利用することに
よつて、効率を向上することができる。
従来の基板は以上のような蒸着条件で作製され
ており、得られる反射面は平坦であつた。このよ
うなな構造においては、基板に垂直入射した光は
180°方向を変える反射をするため、その全光路長
はアモルフアス膜厚の２倍となるが、それ以上の
光路長を得ることができなかつた。
ており、得られる反射面は平坦であつた。このよ
うなな構造においては、基板に垂直入射した光は
180°方向を変える反射をするため、その全光路長
はアモルフアス膜厚の２倍となるが、それ以上の
光路長を得ることができなかつた。
この発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
で、Ti／Ag／Ti層を凹凸構造にして光を乱反射
させることにより、全光路長をアモルフアス膜厚
の２倍以上にすることができ、その効率を向上さ
せることのできるアモルフアス太陽電池を提供す
ることを目的としている。
で、Ti／Ag／Ti層を凹凸構造にして光を乱反射
させることにより、全光路長をアモルフアス膜厚
の２倍以上にすることができ、その効率を向上さ
せることのできるアモルフアス太陽電池を提供す
ることを目的としている。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第２図において、１はアモルフアス膜、２はステ
ンレス基板、３ｂはアモルフアス膜１とステンレ
ス基板２との界面に形成された凹凸構造のTi／
Ag／Ti層であり、これはTi、Ag、Tiの各薄膜
メタルから構成されている。
第２図において、１はアモルフアス膜、２はステ
ンレス基板、３ｂはアモルフアス膜１とステンレ
ス基板２との界面に形成された凹凸構造のTi／
Ag／Ti層であり、これはTi、Ag、Tiの各薄膜
メタルから構成されている。
以下、この基板の作製方法を説明する。鏡面仕
上げされたステンレス基板２に、室温で電子ビー
ム蒸着法を用いてTi／Agを蒸着すると鏡面基板
が得られる。この基板を300℃〜800℃で熱焼鈍し
Tiを蒸着すると、第２図で示すような凹凸構造
のTi／Ag／Ti層３ｂを作製することができる。
上げされたステンレス基板２に、室温で電子ビー
ム蒸着法を用いてTi／Agを蒸着すると鏡面基板
が得られる。この基板を300℃〜800℃で熱焼鈍し
Tiを蒸着すると、第２図で示すような凹凸構造
のTi／Ag／Ti層３ｂを作製することができる。
この凹凸構造の大きさは、Agを500Å蒸着し、
800℃で熱焼鈍した場合、高さ、直径ともに約1μ
ｍである。この凹凸構造の大きさ及び密度は、
Agの蒸着膜厚及び熱焼鈍温度を変化させること
により、自由に変えて作製することができる。
800℃で熱焼鈍した場合、高さ、直径ともに約1μ
ｍである。この凹凸構造の大きさ及び密度は、
Agの蒸着膜厚及び熱焼鈍温度を変化させること
により、自由に変えて作製することができる。
このように、Agを熱焼鈍して得られた凹凸構
造のTi／Ag／Ti層３ｂを持つアモルフアス太陽
電池は、その凹凸構造により光が散乱され、これ
により光路長が長くなる。従つて、本実施例で
は、アモルフアス膜１の厚さが従来のものと同じ
であつても、光の吸収量は従来のものに比して増
すこととなり、アモルフアス太陽電池の変換効率
を向上することができる。またこのような熱焼鈍
によるTi／Ag／Ti層の凹凸構造化は、比較的安
価で簡単な装置で容易に実現できる。
造のTi／Ag／Ti層３ｂを持つアモルフアス太陽
電池は、その凹凸構造により光が散乱され、これ
により光路長が長くなる。従つて、本実施例で
は、アモルフアス膜１の厚さが従来のものと同じ
であつても、光の吸収量は従来のものに比して増
すこととなり、アモルフアス太陽電池の変換効率
を向上することができる。またこのような熱焼鈍
によるTi／Ag／Ti層の凹凸構造化は、比較的安
価で簡単な装置で容易に実現できる。
なお、本発明はアモルフアス太陽電池を多層構
造（pin……in or nip……ip構造）にした場合に
も適用できるが、この場合、アモルフアス層の厚
みが厚くなるため、内部応力が増加し、表面側
Tiの厚みの最適化が平坦な基板よりも難しい。
光の透過率をあまり下げず、しかも剥離を起こさ
ないようにするには上記Tiの厚みを100Å以下の
膜厚にする必要がある。
造（pin……in or nip……ip構造）にした場合に
も適用できるが、この場合、アモルフアス層の厚
みが厚くなるため、内部応力が増加し、表面側
Tiの厚みの最適化が平坦な基板よりも難しい。
光の透過率をあまり下げず、しかも剥離を起こさ
ないようにするには上記Tiの厚みを100Å以下の
膜厚にする必要がある。
また上記実施例ではAgを蒸着後、熱焼鈍を行
なつて凹凸構造を得るようにしたが、Ag蒸着時
の基板温度を300℃〜800℃まで上昇させても同様
に凹凸構造を得ることができ、上記実施例と同様
の効果を得ることができる。
なつて凹凸構造を得るようにしたが、Ag蒸着時
の基板温度を300℃〜800℃まで上昇させても同様
に凹凸構造を得ることができ、上記実施例と同様
の効果を得ることができる。
以上のように、本発明に係るアモルフアス太陽
電池によれば、アモルフアス膜とステンレス基板
との界面に設けられたTi／Ag／Ti層を凹凸構造
とし、これにより入射してきた光を乱反射させる
ようにしたので、その変換効率を比較的安価にか
つ容易に向上することができる効果がある。
電池によれば、アモルフアス膜とステンレス基板
との界面に設けられたTi／Ag／Ti層を凹凸構造
とし、これにより入射してきた光を乱反射させる
ようにしたので、その変換効率を比較的安価にか
つ容易に向上することができる効果がある。
第１図は従来のアモルフアス太陽電池を示す断
面側面図、第２図はこの発明の一実施例によるア
モルフアス太陽電池を示す断面側面図である。 １……アモルフアス膜、２……鏡面仕上げステ
ンレス基板、３ｂ……凹凸構造のTi／Ag／Ti
層。
面側面図、第２図はこの発明の一実施例によるア
モルフアス太陽電池を示す断面側面図である。 １……アモルフアス膜、２……鏡面仕上げステ
ンレス基板、３ｂ……凹凸構造のTi／Ag／Ti
層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ステンレス基板を用いて作成したアモルフア
ス太陽電池において、 アモルフアス膜とステンレス基板との界面に
Agの熱焼鈍により凹凸構造としたTi／Ag／Ti
積層膜を挿入したことを特徴とするアモルフアス
太陽電池。 ２ 上記Ti／Ag／Ti積層膜を構成する各薄膜メ
タルのうち、上記アモルフアス膜と接するTi層
の厚みは20Å以上100Å以下であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のアモルフアス太
陽電池。 ３ 上記アモルフアス膜は、多層構造となつてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
２項記載のアモルフアス太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59097847A JPS60240170A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | アモルフアス太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59097847A JPS60240170A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | アモルフアス太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60240170A JPS60240170A (ja) | 1985-11-29 |
| JPH0360185B2 true JPH0360185B2 (ja) | 1991-09-12 |
Family
ID=14203120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59097847A Granted JPS60240170A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | アモルフアス太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60240170A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0620153B2 (ja) * | 1987-12-25 | 1994-03-16 | 鐘淵化学工業株式会社 | 光起電力素子 |
| GB2260220B (en) * | 1991-09-10 | 1996-01-03 | Sanyo Electric Co | An amorphous silicon solar cell and method of the solar cell manufacture |
| US5668050A (en) * | 1994-04-28 | 1997-09-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell manufacturing method |
-
1984
- 1984-05-15 JP JP59097847A patent/JPS60240170A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60240170A (ja) | 1985-11-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |