JPH0367296B2 - - Google Patents
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- JPH0367296B2 JPH0367296B2 JP58020111A JP2011183A JPH0367296B2 JP H0367296 B2 JPH0367296 B2 JP H0367296B2 JP 58020111 A JP58020111 A JP 58020111A JP 2011183 A JP2011183 A JP 2011183A JP H0367296 B2 JPH0367296 B2 JP H0367296B2
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- magnetic
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- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/50—Electron guns two or more guns in a single vacuum space, e.g. for plural-ray tube
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカラー陰極線管に係り、インライン型
電子銃から放射された中央及び一対の両外側電子
ビームが共通の偏向磁界により蛍光面上に形成す
るラスターの大きさを、特に水平偏向周波数にか
かわらず等しくさせることが可能なセルフ・コン
バージエンス方式のインライン型電子銃に関する
ものである。
電子銃から放射された中央及び一対の両外側電子
ビームが共通の偏向磁界により蛍光面上に形成す
るラスターの大きさを、特に水平偏向周波数にか
かわらず等しくさせることが可能なセルフ・コン
バージエンス方式のインライン型電子銃に関する
ものである。
第１図は従来用いられる動的コンバージエンス
補正を要しない、所謂セルフ・コンバージエンス
方式のインライン型電子銃を用いた陰極線管の縦
断面図である。インライン型電子銃１か放射され
て同一平面内にある中央電子ビームＢ１及び一対
の両外側電子ビームＢ２，Ｂ３は排気された硝子
外囲器２の漏斗状部に配設された偏向装置５によ
り水平及び垂直に偏向され、硝子外囲器２の頂面
にあり、内側に三色に発光する複数の蛍光体画素
が被着された蛍光面４上にこれに対設されたシヤ
ドウマスク３を通して走査画面を形成する。この
カラー陰極線管を動的コンバージエンス補正を要
しないセルフ・コンバージエンス方式とするに
は、偏向装置５の水平偏向磁界を強い毛巻型歪
に、垂直偏向磁界を強い樽型歪にして、第２図に
示す様にこれら偏向磁界により一対の両外側電子
ビームＢ２，Ｂ３のコマ収差をなくして蛍光面４
上に一致した走査画面６を形成する。この場合の
中央電子ビームＢ１の走査画面７は一般に水平、
垂直共両外側電子ビームＢ２，Ｂ３の形成する走
査画面６より小さくなる。この走査画面の不整合
は偏向装置５のコマ収差によるものであり、コマ
収差を除去して各走査画面を一致させるために、
偏向装置５の後部漏洩磁界が及ぶ電子銃１の先端
に取付けられた非磁性材で有底円筒状に形成され
た集中磁極１０の底面１１に高透磁率の磁性部材
からなる磁界制御素子を配設している。第３図は
磁界制御素子の一例を示し、集中磁極１０の底面
１１に穿設された中央電子ビーム透過開孔１２を
蛍光面４の短軸である垂直軸Ｙ−Ｙで挟むように
対設された一対の円盤状磁気増強素子１５，１６
と蛍光面４の長軸である水平軸Ｘ−Ｘ上に穿設さ
れた両外側電子ビーム透過開１３，１４を囲む様
に配設された環状磁気遮蔽素子１７，１８から構
成されている。磁気増強素子１５，１６は中央電
子ビームＢ１に対して、偏向装置５の水平偏向磁
界FHの偏向感度を両外側電子ビームＢ２，Ｂ３
より増加させ、環状磁気遮蔽素子１７，１８は両
外側電子ビームＢ２，Ｂ３に対して、偏向装置５
の水平、垂直偏向磁界FH，FVの偏向感度を中央
電子ビームＢ１より低下させ、又中央電子ビーム
Ｂ１に対して垂直偏向磁界FVの偏向感度を両外
側電子ビームより増加させ働きがある。
補正を要しない、所謂セルフ・コンバージエンス
方式のインライン型電子銃を用いた陰極線管の縦
断面図である。インライン型電子銃１か放射され
て同一平面内にある中央電子ビームＢ１及び一対
の両外側電子ビームＢ２，Ｂ３は排気された硝子
外囲器２の漏斗状部に配設された偏向装置５によ
り水平及び垂直に偏向され、硝子外囲器２の頂面
にあり、内側に三色に発光する複数の蛍光体画素
が被着された蛍光面４上にこれに対設されたシヤ
ドウマスク３を通して走査画面を形成する。この
カラー陰極線管を動的コンバージエンス補正を要
しないセルフ・コンバージエンス方式とするに
は、偏向装置５の水平偏向磁界を強い毛巻型歪
に、垂直偏向磁界を強い樽型歪にして、第２図に
示す様にこれら偏向磁界により一対の両外側電子
ビームＢ２，Ｂ３のコマ収差をなくして蛍光面４
上に一致した走査画面６を形成する。この場合の
中央電子ビームＢ１の走査画面７は一般に水平、
垂直共両外側電子ビームＢ２，Ｂ３の形成する走
査画面６より小さくなる。この走査画面の不整合
は偏向装置５のコマ収差によるものであり、コマ
収差を除去して各走査画面を一致させるために、
偏向装置５の後部漏洩磁界が及ぶ電子銃１の先端
に取付けられた非磁性材で有底円筒状に形成され
た集中磁極１０の底面１１に高透磁率の磁性部材
からなる磁界制御素子を配設している。第３図は
磁界制御素子の一例を示し、集中磁極１０の底面
１１に穿設された中央電子ビーム透過開孔１２を
蛍光面４の短軸である垂直軸Ｙ−Ｙで挟むように
対設された一対の円盤状磁気増強素子１５，１６
と蛍光面４の長軸である水平軸Ｘ−Ｘ上に穿設さ
れた両外側電子ビーム透過開１３，１４を囲む様
に配設された環状磁気遮蔽素子１７，１８から構
成されている。磁気増強素子１５，１６は中央電
子ビームＢ１に対して、偏向装置５の水平偏向磁
界FHの偏向感度を両外側電子ビームＢ２，Ｂ３
より増加させ、環状磁気遮蔽素子１７，１８は両
外側電子ビームＢ２，Ｂ３に対して、偏向装置５
の水平、垂直偏向磁界FH，FVの偏向感度を中央
電子ビームＢ１より低下させ、又中央電子ビーム
Ｂ１に対して垂直偏向磁界FVの偏向感度を両外
側電子ビームより増加させ働きがある。
従つて磁界制御子１５，１６及び１７，１８に
より中央電子ビームＢ１の走査画面７は水平、垂
直方向共拡大され、逆に両外側電子ビームＢ２，
Ｂ３の走査画面６は縮少され、偏向磁界によるコ
マ収差が除去されて走査画面６，７を完全に一致
させることが可能となる。
より中央電子ビームＢ１の走査画面７は水平、垂
直方向共拡大され、逆に両外側電子ビームＢ２，
Ｂ３の走査画面６は縮少され、偏向磁界によるコ
マ収差が除去されて走査画面６，７を完全に一致
させることが可能となる。
一方最近では各種の情報を表示するためカラー
陰極線管に高解像度特性を持たせた一所謂デイス
プレイ用カラー陰極線管が用いられており、これ
により英数字、記号、漢字及び図表等が高密度表
示される。
陰極線管に高解像度特性を持たせた一所謂デイス
プレイ用カラー陰極線管が用いられており、これ
により英数字、記号、漢字及び図表等が高密度表
示される。
高密度表示を行うには、カラー陰極線管の解像
度が高く、フオーカス特性が均一であること、表
示画面の水平方向解像度を高めるため映像回路の
周波数帯域が広いこと、表示画面の垂直方向解像
度を高めるためには走査線数が多いことが必要と
なる。
度が高く、フオーカス特性が均一であること、表
示画面の水平方向解像度を高めるため映像回路の
周波数帯域が広いこと、表示画面の垂直方向解像
度を高めるためには走査線数が多いことが必要と
なる。
通常、高密度表示の一手段として走査線数を増
加させるため、水平偏向周波数hを現行の標準
カラーTV方式の15.734KHz以上に高めることが
行なわれている。この場合、水平偏向周波数h
＝15.734KHz程度では全く問題がなかつた水平偏
向磁界による両外側及び中央電子ビームが形成す
る走査画面６′，７′のコマ収差が生じ、第４図に
示す様に中央電子ビームの走査画面７′に対し両
外側電子ビームの走査画面６′が水平方向で若干
拡大され、且つその拡大の割合が蛍光面４の左右
で相違し、左側の拡大寸法d1の方が右側の拡大寸
法d2より大きくなる非対称性が生じる。この走査
画面のズレがコンバージエンス誤差であり、蛍光
面受像画像品位を著しく劣化させる。例えば20イ
ンチ90度偏向カラー陰極線管に於て、水平偏向周
波数h＝15.734KHzが２倍となるh＝31.5KHzで
は上述のズレd1，d2は有効蛍光面近くでd1＝0.7
mm、d2＝0.3mmとなる。
加させるため、水平偏向周波数hを現行の標準
カラーTV方式の15.734KHz以上に高めることが
行なわれている。この場合、水平偏向周波数h
＝15.734KHz程度では全く問題がなかつた水平偏
向磁界による両外側及び中央電子ビームが形成す
る走査画面６′，７′のコマ収差が生じ、第４図に
示す様に中央電子ビームの走査画面７′に対し両
外側電子ビームの走査画面６′が水平方向で若干
拡大され、且つその拡大の割合が蛍光面４の左右
で相違し、左側の拡大寸法d1の方が右側の拡大寸
法d2より大きくなる非対称性が生じる。この走査
画面のズレがコンバージエンス誤差であり、蛍光
面受像画像品位を著しく劣化させる。例えば20イ
ンチ90度偏向カラー陰極線管に於て、水平偏向周
波数h＝15.734KHzが２倍となるh＝31.5KHzで
は上述のズレd1，d2は有効蛍光面近くでd1＝0.7
mm、d2＝0.3mmとなる。
水平偏向周波数hの増加と共に両外側電子ビ
ームと中央電子ビームが形成する走査画面６′，
７′に水平方向でコマ収差によるズレが生じる原
因は次の通りである。先ず第一に、集中磁極１０
の底面１１に誘導され、この面を貫通する水平偏
向磁界成分により環状磁気遮蔽素子１７，１８の
配設された両外側電子ビーム透過開１３，１４周
囲及び環状磁気遮蔽素子１７，１８に渦電流が生
じ、これによつて環状磁気遮蔽素子１７，１８中
の磁束変化を妨げる磁束が発生して、磁束を減殺
させ、ために磁気遮蔽効果を減少させる。この渦
電流による磁束の損失は従来の水平偏向周波数
h＝15.73KHz性度では全く無視出来たが、周波
数の増加に従がつて渦電流による磁束の損失は無
視出来なくなり、第４図に示す様に両外側電子ビ
ームの走査画面６′が中央電子ビームの走査画面
７′に対し左右方向で広がることになる。
ームと中央電子ビームが形成する走査画面６′，
７′に水平方向でコマ収差によるズレが生じる原
因は次の通りである。先ず第一に、集中磁極１０
の底面１１に誘導され、この面を貫通する水平偏
向磁界成分により環状磁気遮蔽素子１７，１８の
配設された両外側電子ビーム透過開１３，１４周
囲及び環状磁気遮蔽素子１７，１８に渦電流が生
じ、これによつて環状磁気遮蔽素子１７，１８中
の磁束変化を妨げる磁束が発生して、磁束を減殺
させ、ために磁気遮蔽効果を減少させる。この渦
電流による磁束の損失は従来の水平偏向周波数
h＝15.73KHz性度では全く無視出来たが、周波
数の増加に従がつて渦電流による磁束の損失は無
視出来なくなり、第４図に示す様に両外側電子ビ
ームの走査画面６′が中央電子ビームの走査画面
７′に対し左右方向で広がることになる。
一方、水平方向の走査を行うために偏向装置５
の水平偏向コイルに流す電流波形は第５図に示す
鋸歯状波であり、図中ａ点からｂ点迄の時間t1が
水平走査時間であり、ｂ点からｃ点迄の時間t2が
水平帰線時間であり、通常t2はt1の約1/5程度に
設定されている。ａ点或いはｃ点が水平走査の左
端に、ｂ点が右端の位置に対応している。即ち水
平走査画面の左端の位置は水平帰線時間t2の終端
に対応し右端は水平走査座時間t1の終端に対応
し、水平帰線期間t2中は水平走査期間t1の約５倍
の速さで変化する電流による磁界が発生し、従が
つてその高調波成分磁界による渦電流損失に基づ
く環状磁気遮蔽素子１７，１８の磁気遮蔽効果損
失は蛍光面左側の方が右側より大きく、第４図に
示すよに両外側電子ビームの走査画面６′の中央
電子ビームの走査画面７′に対する水平方向での
拡大幅は左側のd1が右側のd2より大きくなり、水
平方向でのコマ収差の非対称性が生じる。従来の
標準カラーTV方式（NTSC方式）で用いられて
いるh＝15.734KHzでは約t1＝51〜53μsec、t2＝
10〜12μsecでこれによる渦電流損失は全く無視出
来、従がつて上述のコマ収差及びその非対称は実
質的には見出せなかつそが、hの増加と共にt1と
t2の相違、更に有効走査時間t1を大きくするため
帰線時間t2は出来るだけ小さく設定されて、渦電
流損失の非対称性は無視出来ない量となつて上記
の現象が生じてくる。
の水平偏向コイルに流す電流波形は第５図に示す
鋸歯状波であり、図中ａ点からｂ点迄の時間t1が
水平走査時間であり、ｂ点からｃ点迄の時間t2が
水平帰線時間であり、通常t2はt1の約1/5程度に
設定されている。ａ点或いはｃ点が水平走査の左
端に、ｂ点が右端の位置に対応している。即ち水
平走査画面の左端の位置は水平帰線時間t2の終端
に対応し右端は水平走査座時間t1の終端に対応
し、水平帰線期間t2中は水平走査期間t1の約５倍
の速さで変化する電流による磁界が発生し、従が
つてその高調波成分磁界による渦電流損失に基づ
く環状磁気遮蔽素子１７，１８の磁気遮蔽効果損
失は蛍光面左側の方が右側より大きく、第４図に
示すよに両外側電子ビームの走査画面６′の中央
電子ビームの走査画面７′に対する水平方向での
拡大幅は左側のd1が右側のd2より大きくなり、水
平方向でのコマ収差の非対称性が生じる。従来の
標準カラーTV方式（NTSC方式）で用いられて
いるh＝15.734KHzでは約t1＝51〜53μsec、t2＝
10〜12μsecでこれによる渦電流損失は全く無視出
来、従がつて上述のコマ収差及びその非対称は実
質的には見出せなかつそが、hの増加と共にt1と
t2の相違、更に有効走査時間t1を大きくするため
帰線時間t2は出来るだけ小さく設定されて、渦電
流損失の非対称性は無視出来ない量となつて上記
の現象が生じてくる。
本発明は上述の欠点を考慮してなされたもので
あり、セルフ・コンバージエンス方式のインライ
ン型電子銃の水平偏向周波数の高周波化に対して
両外側電子ビームと中央電子ビームの形成する走
査画面のコマ収差によるズレが生じないようにし
たものである。
あり、セルフ・コンバージエンス方式のインライ
ン型電子銃の水平偏向周波数の高周波化に対して
両外側電子ビームと中央電子ビームの形成する走
査画面のコマ収差によるズレが生じないようにし
たものである。
即ち、インライン型電子銃の電子ビーム射出側
先端に取付けられた非磁性金属材から成る有底円
筒状集中磁極底面にインライン配列されて穿設さ
れた中央及び両外側電子ビーム透過開孔中偏向磁
界が形成する走査画面のコマ収差を補正する磁界
制御素子が配設される開孔周囲に複数の細長い切
込みを形成すると共に、磁界制御素子に前記切込
みに合わせた複数の細長い切込みを形成したもの
である。この様に構成することによつて、電子ビ
ーム透過孔部に配設される磁界制御素子はこれを
貫通する高周波の水平偏向周波数成分による渦電
流の発生が防止可能となり、水平偏向周波数の高
周波化にかかわらず中央及び両外側電子ビームが
形成する走査画面にコマ収差による非対称なズレ
を除去出来て、インライン型電子銃を高密度表示
可能な優れた電子銃とすることが出来る。
先端に取付けられた非磁性金属材から成る有底円
筒状集中磁極底面にインライン配列されて穿設さ
れた中央及び両外側電子ビーム透過開孔中偏向磁
界が形成する走査画面のコマ収差を補正する磁界
制御素子が配設される開孔周囲に複数の細長い切
込みを形成すると共に、磁界制御素子に前記切込
みに合わせた複数の細長い切込みを形成したもの
である。この様に構成することによつて、電子ビ
ーム透過孔部に配設される磁界制御素子はこれを
貫通する高周波の水平偏向周波数成分による渦電
流の発生が防止可能となり、水平偏向周波数の高
周波化にかかわらず中央及び両外側電子ビームが
形成する走査画面にコマ収差による非対称なズレ
を除去出来て、インライン型電子銃を高密度表示
可能な優れた電子銃とすることが出来る。
以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
第６図、第７図は本発明の一実施例による集中
磁極２０、環状磁気遮蔽素子２７（２８）の斜視
図を夫々示す。電子銃の先端に取付けられる非磁
性材のステンレスで有底円筒状に形成された集中
磁極２０の底面２１には、中央及び一対の両外側
電子ビーム透過開孔２２，２３，２４が等間隔を
保つて蛍光面４の長軸に対応したＸ−Ｘ軸上に穿
設されている。然るに両外側電子ビーム透過開孔
２３，２４にはＸ−Ｘ軸方向、及びこれに垂直な
方向に４つの細長い切り込み２５が形成されてい
る。又環状磁気遮蔽素子２７には図に示す様に、
環状となつた二つの同心円の一つの直線上では、
外側円の縁から始まつて内側円方向に二つの細長
い切込み２９Ａが、更に前記直径と直交する直径
上では、内側円の縁から始まつて外側円方向に二
つの細長い切り込み２９Ｂが形成され、夫々の切
込みは内側から外側円まで貫通することないよ
う、少くとも素子形成材板厚程度の幅が残されて
いる。この集中磁極２０の底面に第８図に示す様
に、磁気増強素子１５，１６及び前記環状磁気遮
蔽素子２７，２８を配設する。即ち中央電子ビー
ム透過開孔２２を蛍光面４の短軸である垂直軸Ｙ
−Ｙ上で挾む様に対向して一対の円盤状磁気増強
素子１５，１６と、水平軸Ｘ−Ｘ上に穿設された
両外側電子ビーム透過開孔２３，２４を囲む様に
環状磁気遮蔽素子２７，２８を配設する。この際
集中磁極底面２１の両外側電子ビーム透過開孔２
３，２４周囲に形成された細長い切り込み２５と
環状磁気遮蔽素子２７，２８の細長い切り込み２
９Ａ，２９Ｂと相に一致するように両者を互に位
置合せして溶接固定する。これらの磁界制御素子
１５，１６，２７２８の偏向磁界に対する働きは
前出の従来例と全く同一である。
磁極２０、環状磁気遮蔽素子２７（２８）の斜視
図を夫々示す。電子銃の先端に取付けられる非磁
性材のステンレスで有底円筒状に形成された集中
磁極２０の底面２１には、中央及び一対の両外側
電子ビーム透過開孔２２，２３，２４が等間隔を
保つて蛍光面４の長軸に対応したＸ−Ｘ軸上に穿
設されている。然るに両外側電子ビーム透過開孔
２３，２４にはＸ−Ｘ軸方向、及びこれに垂直な
方向に４つの細長い切り込み２５が形成されてい
る。又環状磁気遮蔽素子２７には図に示す様に、
環状となつた二つの同心円の一つの直線上では、
外側円の縁から始まつて内側円方向に二つの細長
い切込み２９Ａが、更に前記直径と直交する直径
上では、内側円の縁から始まつて外側円方向に二
つの細長い切り込み２９Ｂが形成され、夫々の切
込みは内側から外側円まで貫通することないよ
う、少くとも素子形成材板厚程度の幅が残されて
いる。この集中磁極２０の底面に第８図に示す様
に、磁気増強素子１５，１６及び前記環状磁気遮
蔽素子２７，２８を配設する。即ち中央電子ビー
ム透過開孔２２を蛍光面４の短軸である垂直軸Ｙ
−Ｙ上で挾む様に対向して一対の円盤状磁気増強
素子１５，１６と、水平軸Ｘ−Ｘ上に穿設された
両外側電子ビーム透過開孔２３，２４を囲む様に
環状磁気遮蔽素子２７，２８を配設する。この際
集中磁極底面２１の両外側電子ビーム透過開孔２
３，２４周囲に形成された細長い切り込み２５と
環状磁気遮蔽素子２７，２８の細長い切り込み２
９Ａ，２９Ｂと相に一致するように両者を互に位
置合せして溶接固定する。これらの磁界制御素子
１５，１６，２７２８の偏向磁界に対する働きは
前出の従来例と全く同一である。
然しながら、水平偏向磁界FHが集中磁極２０
の底面２１に誘導されてこの面を貫通する成分が
あつても、両外側電子ビーム透過開孔２３，２
４、及び環状磁気遮蔽素子２７，２８の周囲には
複数の細長い切り込み２５，２９Ａ，２９Ｂが形
成されているため、この孔部より環状磁気遮蔽素
子２７，２８上での渦電流発生が阻止される。
の底面２１に誘導されてこの面を貫通する成分が
あつても、両外側電子ビーム透過開孔２３，２
４、及び環状磁気遮蔽素子２７，２８の周囲には
複数の細長い切り込み２５，２９Ａ，２９Ｂが形
成されているため、この孔部より環状磁気遮蔽素
子２７，２８上での渦電流発生が阻止される。
従がつてこの渦電流によつて環状磁気遮蔽素子
２７，２８中で磁束変化を妨げる磁束の発生は極
めて小さくなり、その磁気遮蔽効果は特に水平偏
向周波数が現行標準カラーTV方式で用いられて
いるfH＝15.73KHzより高くなつても、その周波数
にかかわらず減少することはなくなる。この結
果、従来の様に水平偏向周波数hが高くなつて
も両外側電子ビームの走査画面が中央電子ビーム
の走査画面に対し拡大されたり、或いはその拡大
率が水平走査時間と水平帰線時間の割合の相違に
よつて非対称となることがなくなる。
２７，２８中で磁束変化を妨げる磁束の発生は極
めて小さくなり、その磁気遮蔽効果は特に水平偏
向周波数が現行標準カラーTV方式で用いられて
いるfH＝15.73KHzより高くなつても、その周波数
にかかわらず減少することはなくなる。この結
果、従来の様に水平偏向周波数hが高くなつて
も両外側電子ビームの走査画面が中央電子ビーム
の走査画面に対し拡大されたり、或いはその拡大
率が水平走査時間と水平帰線時間の割合の相違に
よつて非対称となることがなくなる。
以上の説明で中央と両外側電子ビームの走査画
面が第２図に示す関係にある走査画面のコマ収差
を補正する各一対の磁気増強素子と環状磁気遮蔽
素子の組合わせからなる磁界制御素子を用いる場
合について述べたが、本発明はこれに限定される
ことなく種々のパターンを持つたコマ収差を補正
する場合や、他の形状を持つた磁界制御素子にも
適用可能である。
面が第２図に示す関係にある走査画面のコマ収差
を補正する各一対の磁気増強素子と環状磁気遮蔽
素子の組合わせからなる磁界制御素子を用いる場
合について述べたが、本発明はこれに限定される
ことなく種々のパターンを持つたコマ収差を補正
する場合や、他の形状を持つた磁界制御素子にも
適用可能である。
例えば第９図に示す磁界制御素子３７，３８に
はこれが配設される集中磁極２０の底面開孔部に
形成された細長い切り込み２５に合わせて切込み
３９Ａ，３９Ｂが穿設されている。この素子の働
きは第２図に示すコマ収差補正に有効となる。即
ち磁界制御素子３７，３８の環状部３９Ｃの大き
さ調整によつて両外側電子ビームの水平方向走査
画面を縮少して、両外側電子ビームのそれと一致
させ、Ｘ−Ｘ軸上中央電子ビーム透過開孔２２側
に向いた突出部３９Ｄにより垂直偏向磁界に対す
る中央電子ビームの感度を増加させて垂直方向走
査画面を拡大させ両外側電子ビームのそれと一致
させる働きをする。この場合も集中磁極底面と磁
界制御素子に穿設された切込みによつて渦電流の
発生は防止され、水平偏向周波数に対する磁界制
御素子の動作の依存性はなくなる。
はこれが配設される集中磁極２０の底面開孔部に
形成された細長い切り込み２５に合わせて切込み
３９Ａ，３９Ｂが穿設されている。この素子の働
きは第２図に示すコマ収差補正に有効となる。即
ち磁界制御素子３７，３８の環状部３９Ｃの大き
さ調整によつて両外側電子ビームの水平方向走査
画面を縮少して、両外側電子ビームのそれと一致
させ、Ｘ−Ｘ軸上中央電子ビーム透過開孔２２側
に向いた突出部３９Ｄにより垂直偏向磁界に対す
る中央電子ビームの感度を増加させて垂直方向走
査画面を拡大させ両外側電子ビームのそれと一致
させる働きをする。この場合も集中磁極底面と磁
界制御素子に穿設された切込みによつて渦電流の
発生は防止され、水平偏向周波数に対する磁界制
御素子の動作の依存性はなくなる。
更に上述した線順次で有効走査期間中の走査速
度が一定であるラスタ走査方式でなく、走査速度
が不定のランダム走査方式に対して本発明を適用
すれば、この場合もコマ収差は生じることなく、
その有効性が一層顕著となる。
度が一定であるラスタ走査方式でなく、走査速度
が不定のランダム走査方式に対して本発明を適用
すれば、この場合もコマ収差は生じることなく、
その有効性が一層顕著となる。
或いは本発明によれば、使用される水平偏向周
波数毎に集中磁極底面に配設される磁界制御素子
を最適化した専用のものとする必要がなく、全て
の周波数に対し同一の磁界制御素子を共用可能と
なる。
波数毎に集中磁極底面に配設される磁界制御素子
を最適化した専用のものとする必要がなく、全て
の周波数に対し同一の磁界制御素子を共用可能と
なる。
上述の様に本発明によれば、セルフ・コンバー
ジエンス方式のインライン型電子銃の先端に取付
けられた集中磁極底面にインライン配列されて穿
設された中央及び両外側電子ビーム透過開孔のう
ち、偏向磁界によつて形成される走査画面のコマ
収差を補正する磁界制御素子が配設される開孔周
囲に複数の細長い切込みを形成するとともに、前
記磁界制御素子に上記切込みに合せた複数の細長
い切込みを形成したことにより、ここに配設され
る磁界制御素子の水平偏向周波数に対する作用の
依存性及び水平走査時間と水平帰線時間の相違に
よる作用の差をなくすことが出来る。この結果水
平偏向周波数の増加にかかわらず、中央及び両外
側電子ビームが形成する走査画面のコマ収差に基
づいた非対称なズレを除去可能となり、インライ
ン型電子銃を高密度表示可能な極めて特性の優れ
た電子銃とすることが出来て、その実用的価値は
非常に高い。
ジエンス方式のインライン型電子銃の先端に取付
けられた集中磁極底面にインライン配列されて穿
設された中央及び両外側電子ビーム透過開孔のう
ち、偏向磁界によつて形成される走査画面のコマ
収差を補正する磁界制御素子が配設される開孔周
囲に複数の細長い切込みを形成するとともに、前
記磁界制御素子に上記切込みに合せた複数の細長
い切込みを形成したことにより、ここに配設され
る磁界制御素子の水平偏向周波数に対する作用の
依存性及び水平走査時間と水平帰線時間の相違に
よる作用の差をなくすことが出来る。この結果水
平偏向周波数の増加にかかわらず、中央及び両外
側電子ビームが形成する走査画面のコマ収差に基
づいた非対称なズレを除去可能となり、インライ
ン型電子銃を高密度表示可能な極めて特性の優れ
た電子銃とすることが出来て、その実用的価値は
非常に高い。
第１図は従来用いられているセルフ・コンバー
ジエンス方式のインライン型電子銃を用いたカラ
ー陰極線管の縦断面図、第２図はこのカラー陰極
線管の蛍光面上に中央及び両外側電子銃の電子ビ
ームが形成する走査画面を示す図、第３図は前記
走査画面のコマ収差を補正する磁界制御素子と、
その水平、垂直偏向磁界に対する作用を示す図、
第４図は水平偏向周波数が大きくなつた時蛍光面
上に表われる中央及び両外側電子銃の電子ビーム
が形成する走査画面のずれを説明する図、第５図
は水平偏向コイルに流れる電流波形、第６図乃至
第８図は本発明の一実施例による集中磁極、環状
磁気遮蔽素子の斜視図及び集中磁極底面に磁界制
御素子を配設した状態を示す平面図、第９図は本
発明の他の実施例による集中磁極底面に一対の磁
界制御素子を配設した平面図を夫々示す。 １……インライン型電子銃、２……硝子外囲
器、４……蛍光面、５……偏向装置、６，６′…
…両外側電子ビームが形成する走査画面、７，
７′……中央電子ビームが形成する走査画面、１
０，２０……集中磁極、１２，２２……集中磁極
底面の中央電子ビーム透過開孔、１３，１４，２
３，２４……集中磁極底面の両外側電子ビーム透
過開孔、１５，１６……磁気増強素子、１７，１
８，２７，２８……環状磁気遮蔽素子、３７，３
８……磁界制御素子、２５，２９Ａ，２９Ｂ，３
９Ａ，３９Ｂ……細長い切り込み、t1：水平走行
時間、t2：水平帰線時間。
ジエンス方式のインライン型電子銃を用いたカラ
ー陰極線管の縦断面図、第２図はこのカラー陰極
線管の蛍光面上に中央及び両外側電子銃の電子ビ
ームが形成する走査画面を示す図、第３図は前記
走査画面のコマ収差を補正する磁界制御素子と、
その水平、垂直偏向磁界に対する作用を示す図、
第４図は水平偏向周波数が大きくなつた時蛍光面
上に表われる中央及び両外側電子銃の電子ビーム
が形成する走査画面のずれを説明する図、第５図
は水平偏向コイルに流れる電流波形、第６図乃至
第８図は本発明の一実施例による集中磁極、環状
磁気遮蔽素子の斜視図及び集中磁極底面に磁界制
御素子を配設した状態を示す平面図、第９図は本
発明の他の実施例による集中磁極底面に一対の磁
界制御素子を配設した平面図を夫々示す。 １……インライン型電子銃、２……硝子外囲
器、４……蛍光面、５……偏向装置、６，６′…
…両外側電子ビームが形成する走査画面、７，
７′……中央電子ビームが形成する走査画面、１
０，２０……集中磁極、１２，２２……集中磁極
底面の中央電子ビーム透過開孔、１３，１４，２
３，２４……集中磁極底面の両外側電子ビーム透
過開孔、１５，１６……磁気増強素子、１７，１
８，２７，２８……環状磁気遮蔽素子、３７，３
８……磁界制御素子、２５，２９Ａ，２９Ｂ，３
９Ａ，３９Ｂ……細長い切り込み、t1：水平走行
時間、t2：水平帰線時間。
Claims (1)
- １ カラー陰極線管用インライン型電子銃の電子
ビーム射出側先端に取付けられた非磁性金属材か
ら成る有底円筒状集中磁極底面にインライン配列
されて穿設された中央及び両外側電子ビーム透過
開孔のうち、偏向磁界によつて形成される走査画
面のコマ収差を補正する磁界制御素子が配設され
る開孔周囲に複数の細長い切込みを形成するとと
もに、前記磁界制御素子に上記切込みに合せた複
数の細長い切込みを形成したことを特徴とするイ
ンライン型電子銃。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011183A JPS59146131A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | インライン型電子銃 |
| EP84300804A EP0116465B1 (en) | 1983-02-09 | 1984-02-08 | Colour cathode ray tube |
| DE8484300804T DE3462200D1 (en) | 1983-02-09 | 1984-02-08 | Colour cathode ray tube |
| US06/578,673 US4593226A (en) | 1983-02-09 | 1984-02-09 | Color cathode ray tube having electron gun with reduced eddy current loss at shield cup |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011183A JPS59146131A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | インライン型電子銃 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59146131A JPS59146131A (ja) | 1984-08-21 |
| JPH0367296B2 true JPH0367296B2 (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=12018002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011183A Granted JPS59146131A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | インライン型電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59146131A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766752B2 (ja) * | 1986-03-07 | 1995-07-19 | 株式会社日立製作所 | カラ−陰極線管 |
| JPH02186538A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Mitsubishi Electric Corp | カラー受像管 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58111244A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-02 | Toshiba Corp | カラ−受像管 |
-
1983
- 1983-02-09 JP JP2011183A patent/JPS59146131A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59146131A (ja) | 1984-08-21 |
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